CN113219697A - 一种彩膜基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种彩膜基板和显示面板,所述彩膜基板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，彩膜基板包括衬底、黑矩阵层和静电释放组件；黑矩阵层设置在所述衬底上，包括位于所述非显示区内的第一黑矩阵层，和位于所述显示区内的第二黑矩阵层；静电释放组件设置在所述第一黑矩阵层背向所述第二黑矩阵层的一侧，并与所述第一黑矩阵层连接；其中，所述静电释放组件包括可进行尖端放电的尖端放电结构，通过静电释放组件的尖端放电结构释放沉积在黑矩阵层内的静电，改善了非显示区中黑矩阵层产生的静电问题，且避免了显示器件的漏光问题。

Description

一种彩膜基板和显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种彩膜基板和显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，人们对显示装置的显示品质的追求越来越高，其中，窄边框甚至于无边框显示屏幕已成为显示屏幕设计的亮点之一。在显示装置的制造过程中，通常是将阵列基板事先独立制造，再将阵列基板和彩膜基板进行对盒，形成液晶盒。其中，彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的数据线、扫描线、薄膜晶体管等部件的位置相对应，以遮挡住数据线、扫描线、薄膜晶体管等部件。

为了避免黑矩阵由于暴露在环境中，使静电通过黑矩阵导入到液晶盒内，造成液晶偏转异常而导致的显示不良。通常会在黑矩阵的周边进行开槽，将黑矩阵的边缘和内部断开，以切断静电的导入路径，防止静电进入液晶盒内。但是，目前黑矩阵的设计漏光现象明显，影响显示效果。

发明内容

本申请的目的是提供一种彩膜基板和显示面板，改善传统黑矩阵漏光效果且增加了显示器抗静电能力。

本申请公开了一种彩膜基板,包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，所述彩膜基板包括衬底、黑矩阵层和静电释放组件；所述黑矩阵层设置在所述衬底上，所述黑矩阵层包括位于所述非显示区内的第一黑矩阵层，和位于所述显示区内的第二黑矩阵层；所述静电释放组件设置在所述第一黑矩阵层背向所述第二黑矩阵层的一侧，并与所述第一黑矩阵层连接；其中，所述静电释放组件包括可进行尖端放电的尖端放电结构。

可选的，所述彩膜基板还包括导电结构；放电时，所述尖端放电结构与所述导电结构是导通的；放电结束之后，所述尖端放电结构与所述导电结构之间相互绝缘。

可选的，所述静电释放组件包括多个尖端放电结构，多个所述尖端放电结构沿所述彩膜基板边缘方向凸出于所述黑矩阵层。

可选的，多个所述尖端放电结构中至少部分所述尖端放电结构等距间隔设置。

可选的，相邻的两个所述尖端放电结构的间隔距离为10—1/3像素间距之间。

可选的，多个所述尖端放电结构中至少部分所述尖端放电结构的形状相同，且面积相等。

可选的，所述尖端放电结构与所述黑矩阵层使用相同的材料制作而成，所述尖端放电结构的厚度与所述黑矩阵层的厚度一致。

可选的，所述尖端放电结构在竖直方向上的投影的形状为矩形，所述尖端放电结构的长度尺寸在40～1000微米之间，所述尖端放电结构的宽度尺寸与长度尺寸相比为1：4.5。

可选的，所述尖端放电结构为远离黑矩阵层的一端上的多个凸起，多个所述凸起等距间隔分布，多个所述凸起的长度不一致，远离所述黑矩阵层一侧上的多个所述凸起的长度由两侧逐渐朝向中部增长，形成箭头状。

本申请还公开了一种显示面板，包括如上任一所述的彩膜基板以及与所述彩膜基板对盒设置的阵列基板。

本申请提供的显示面板，在衬底上设置静电释放组件，静电释放组件与黑矩阵层连接，通过静电释放组件释放沉积在黑矩阵层内的静电，改善了非显示区中黑矩阵层产生的静电问题，且减少了目前黑矩阵设计的漏光。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本申请的一实施例的彩膜基板的截面示意图；

图2是本申请的一实施例的彩膜基板的整体结构示意图；

图3是本申请的另一实施例的彩膜基板的截面示意图；

图4是本申请的另一实施例的彩膜基板的整体结构示意图；

图5是本申请的另一实施例的彩膜基板的整体结构示意图；

图6是本申请的另一实施例的彩膜基板的整体结构示意图；

图7是本申请的另一实施例的尖端放电结构的整体结构示意图。

其中，100、彩膜基板；110、衬底；120、黑矩阵层；130、静电释放组件；131、尖端放电结构；132、凸起；140、显示区；150、非显示区；160、框胶；170、导电结构；180、银胶点；190、平坦层；200、阵列基板；210、接地结构；300、显示面板。

具体实施方式

需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明，需要说明的是,在不相冲突的前提下,以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。

如图1所示，作为本申请的一实施例，公开了一种显示面板300，所述显示面板300包括彩膜基板100、阵列基板200和银胶点180，所述彩膜基板100和所述阵列基板200对盒设置，所述阵列基板200和彩膜基板100通过框胶160固定，塔非胶设置在框胶160外围，用于密封阵列基板200和彩膜基板100，彩膜基板上设有显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，彩膜基板100包括衬底110，黑矩阵层120、静电释放组件130和导电结构170，所述静电释放组件130包括可进行尖端放电的尖端放电结构131，所述黑矩阵层120设置在所述衬底110的一面上，包括位于所述非显示区内的第一黑矩阵层，和位于所述显示区内的第二黑矩阵层；所述导电结构170设置在所述衬底110的另一面上，所述彩膜基板100上还设有平坦层190(OC)；所述银胶点180连接彩膜基板上外侧的导电结构170和阵列基板200；所述静电释放组件130设置在所述第一黑矩阵层背向所述第二黑矩阵层的一侧，并与所述第一黑矩阵层连接，所述静电释放组件130与黑矩阵层120电连接或直接接触，尖端放电结构131没有进行放电的时候，尖端放电结构131与导电结构170是相互绝缘的，当尖端放电结构131的电荷积累到一定程度时，在尖端进行放电击穿尖端放电结构与导电结构的空气层或其他的绝缘层，将积累的电荷经导电结构通过银胶点，和阵列基板200上的接地结构210接地导出显示面板300，放电时，尖端放电结构与导电结构是导通的；放电之后，尖端放电结构与导电结构再次回到相互绝缘的状态。

静电释放组件130将沉积在黑矩阵层120内的静电进行释放，通过电晕放电将电流释放到导电结构170上，经导电结构170通过银胶点180后，通过阵列基板200上的接地结构接地导出显示面板300，彩膜基板上的导电结构通过银胶与接地结构连接，相比起通过在黑矩阵层120上挖槽防静电的方法，无需在黑矩阵上形成通槽，如此也不用进行色阻填充通槽，减少了制程，也防止了因为色阻填充凹槽造成的漏光，其中导电结构一般为氧化铟锌(ITO)，此处的氧化铟锌也可以作为公共电极。

一般的，导电结构是一整层的，完全覆盖在所述衬底110上，一整层导电结构，可以使得放电结构能够实现一整圈的放电，且所述导电结构与所述放电结构之间任意点之间的间距都为玻璃的厚度，放电的时候都是击穿一个玻璃厚度的空气层进行放电。

当然，我们也可以不设置导电结构，如此也不需要设置氧化铟锌作为导电结构，也不需要设置银胶点，而是通过静电释放组件130的尖端放电结构131直接向下面的阵列基板上的接地结构210进行放电，其中接地结构可以是可以是pad、接地线，还可以是绑定区的引脚等等，但是放电可能对阵列基板上的走线存在影响，所以接地结构在设置时需要避让走线。

如图2所示，所述静电释放组件130包括多个尖端放电结构131，通过设置多个尖端放电结构131可以更快释放出沉积在黑矩阵层120内的静电，所述尖端放电结构131沿所述彩膜基板100边缘方向凸出于所述黑矩阵层120，静电释放的方向也是沿所述彩膜基板100边缘方向，防止沿其他方向释放时影响液晶偏转，从而导致显示效果不佳。

一般的，多个所述尖端放电结构131中，在黑矩阵层的同一侧边上，任意相邻的两个尖端放电结构131等距间隔设置，通过等间隔设置，沉积在黑矩阵层120内的静电可均匀分布在多个尖端放电结构131内，以在进行静电释放的过程中可以使得放电更加均匀，避免电荷分布不均造成损害，其中，多个所述尖端放电结构131也可为不等距设置，距离相近的尖端放电结构131与距离远的尖端放电结构131相比，具有更弱的电势，积聚电荷的能力减弱，反之，距离远的尖端放电结构131积聚电荷的能力增强。

在黑矩阵层的相邻的两侧边上，均设有相同数量、形状相同，且面积相等的尖端放电结构，在黑矩阵层中的四个侧边中的其中一条侧边的两端位置尖端放电结构与相邻的另外两条侧边的一端的尖端放电结构的间距与同一边上的相邻的两个尖端放电结构的间距相等，在黑矩阵层的四顶角上可以不设置尖端放电结构，但相邻的两个侧边的末端的尖端放电结构间距与同一侧边上的相邻的两个尖端放电结构的间距相等。

在尖端放电结构131进行放电的时候，还考虑到像素之间的间距，相邻的尖端放电结构131的间隔距离为10—1/3像素间距之间，以确保每行像素都对应设置有尖端放电结构131，均匀地进行静电释放，也可适当调整距离以适应工艺要求，相邻的两个尖端放电结构131间距太短会使得每个尖端放电结构131所积攒的电荷小，反之，间距太大会使得每个尖端放电结构131所积攒的电荷均值大。

进一步的，多个所述尖端放电结构131的长宽尺寸一致，如此可以使得每个尖端放电结构131的放电大小相同，使得放出的电更加均匀，而且相同尺寸，在制作过程时更加方便。

所述尖端放电结构131在竖直方向上的投影的形状为矩形，尖端放电结构131设置为矩形结构，使得静电释放过程中电荷均匀分布，且制作过程可方便加工；所述尖端放电结构131的长度尺寸为40～1000微米(μm)之间，40微米(μm)为尖端放电对尖端的尺寸要求，1000微米(μm)为OC与背光粘贴双面胶的遮光尺寸，超出这个范围有漏光风险，小于这个范围的尖端放电效果不好，所述尖端放电结构131的宽度尺寸与长度尺寸相比为1：4.5，即宽度尺寸：长度尺寸为1:4.5，具体的，尖端放电结构131优选长度尺寸为45微米(μm)，优选宽度尺寸为10微米(μm)，使用该尺寸值，尖端放电结构131的静电聚集效果较好；相比起用长度尺寸和宽度尺寸，用曲率半径和曲率定义尖端放电更为合适，电荷密度与曲率半径成反比，与曲率成正比，增大尖端放电结构131的曲率会提高电荷的积聚密度。

其中，所述彩膜基板100上的尖端放电结构131为三角形结构，尖端放电结构131设置为三角形结构，可使得静电聚集效果更好，便于进行尖端放电，三角形结构优选为等边三角形，且其较长的一边与黑矩阵层120接触。

总的来说，该彩膜基板100通过设置有衬底110、静电释放组件130和黑矩阵层120，静电释放组件130设置在衬底110上，且与黑矩阵层120连接，静电释放组件130为多个尖端放电结构131组成，尖端放电结构131与黑矩阵层120为电连接，且多个尖端放电结构131之间等距间隔设置，且相互尺寸一致，多个尖端放电结构131与黑矩阵层120连接，以在黑矩阵层120外侧形成尖端放电结构，用于累积黑矩阵层120沉积的静电，防止该静电向显示区140传递，实现了静电防护，且使用该彩膜基板100，与现有技术中将非显示区150的黑矩阵层120挖槽断开隔绝静电的方法相比，无需使用挖槽结构，从而避免了漏光的风险。

所述彩膜基板100上的尖端放电结构131厚度薄于黑矩阵层120厚度，如此电荷更容易向尖端放电结构进行传导，可以更好的进行放电；另外，所述尖端放电结构131之间间隔填充绝缘的蓝色色阻或其他绝缘遮光材料，以达到更好地遮光效果，尖端放电结构131靠近公共电极170(ITO)的一侧与公共电极170(ITO)层间的空间保留，避免影响尖端放电的效果。

如图3所示，作为本申请的另一实施例，与上述实施例不同的是，所述彩膜基板100上的尖端放电结构131厚度为箭头状设计，即所述尖端放电结构131靠近公共电极170(ITO)的一侧厚度薄，所述尖端放电结构131的曲率大，其所产生的电势就大，积累电荷的能力强。

如图4所示，作为本申请的另一实施例，公开了另一种彩膜基板100，所述彩膜基板100上的多个尖端放电结构131的尺寸不一致设置，可以是长度不同，也可以宽度不同，也可以是长度和宽度都不同；以长度不同为例进行说明，所述黑矩阵层120一侧上的多个尖端放电结构131逐渐朝向中部增长，形成箭头状，与尺寸一致设置的尖端放电结构131相比，中部的尖端放电结构131所产生的电势更大，积累电荷的能力更强。

如图5所示，作为本申请的另一实施例，与上述实施例不同的是，所述尖端放电结构131为黑矩阵，所述尖端放电结构131与黑矩阵层120为接触连接，且尖端放电结构131厚度与黑矩阵层120厚度一致，所述尖端放电结构与所述黑矩阵层使用相同的材料制作而成，为一体成型，使得该彩膜基板100在制作过程中节约成本且制作过程方便，一体成型；所述尖端放电结构131的厚度与所述黑矩阵层120的厚度一致，通过同一制程形成尖端放电结构131和黑矩阵层120，节约制程时间，提高效率，且厚度一致，可以防止对盒时因为厚度不同，导致盒厚不均，影响液晶导致显示效果不佳。

如图6所示，作为本申请的另一实施例，与上述实施例不同的是，所述黑矩阵层120在非显示区150内设置有围绕显示区140设置的挖槽，所述挖槽内填充色阻填充物，在黑矩阵层远离显示区的一边设置可以进行尖端放电的尖端放电结构，尖端放电结构可以释放静电，如此可以减少挖槽的宽度；相对于之前的挖槽来说，本申请的挖槽宽度虽然减少，防止静电流流入显示区的能力减弱，但是可以减少漏光，而且由于尖端放电结构已经释放静电，所以通过设置尖端放电结构和宽度较小的凹槽也减少漏光的同时还具有良好的防静电效果。。

如图7所示，作为本申请的另一实施例，与上述实施例不同的是，所述尖端放电结构131远离黑矩阵层120的一端上设有多个凸起132结构，多个所述凸起132结构之间等距间隔设置，使得该彩膜基板100的尖端放电结构131的电荷分布更为均匀，且尖端放电中一个尖端放电结构131上的凸起132结构释放的电荷较小，减小对尖端放电结构131的损害。

作为本申请的另一实施例，公开了一种彩膜基板的制作方法，包括步骤：

在衬底上形成位于非显示区内的黑矩阵层；

在衬底上形成静电释放组件；

其中，所述静电释放组件设置在所述黑矩阵层上并与黑矩阵层连接，所述静电释放组件用于尖端放电。

上述任一实施例所用的彩膜基板可以用此处彩膜基板的制作方法制得，采用涂布工艺将黑矩阵层涂布在衬底上，再通过涂布工艺将静电释放组件涂布在衬底上，从而得到黑矩阵层和静电释放组件，组成黑矩阵层的尖端放电结构，通过该方法制得的彩膜基板，同时具有防漏光和防静电的技术效果。

需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本申请的保护范围。

本申请的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)显示面板、IPS(In-Plane Switching，平面转换型)显示面板、VA(VerticalAlignment，垂直配向型)显示面板、MVA(Multi-Domain Vertical Alignment，多象限垂直配向型)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。

以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种彩膜基板，包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区，其特征在于，所述彩膜基板包括：

衬底；

黑矩阵层，设置在所述衬底上，包括位于所述非显示区内的第一黑矩阵层，和位于所述显示区内的第二黑矩阵层；以及

静电释放组件，设置在所述第一黑矩阵层背向所述第二黑矩阵层的一侧，并与所述第一黑矩阵层连接；

其中，所述静电释放组件包括可进行尖端放电的尖端放电结构。

2.根据权利要求1所述的一种彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括导电结构；

放电时，所述尖端放电结构与所述导电结构是导通的；

放电结束之后，所述尖端放电结构与所述导电结构之间相互绝缘。

3.根据权利要求1所述的一种彩膜基板，其特征在于，所述静电释放组件包括多个尖端放电结构，多个所述尖端放电结构沿所述彩膜基板边缘方向凸出于所述黑矩阵层。

4.根据权利要求3所述的一种彩膜基板，其特征在于，多个所述尖端放电结构中至少部分所述尖端放电结构等距间隔设置。

5.根据权利要求4所述的一种彩膜基板，其特征在于，相邻的两个所述尖端放电结构的间隔距离为10—1/3像素间距之间。

6.根据权利要求3或4所述的一种彩膜基板，其特征在于，多个所述尖端放电结构中至少部分所述尖端放电结构的形状相同，且面积相等。

7.根据权利要求3所述的一种彩膜基板，其特征在于，所述尖端放电结构与所述黑矩阵层使用相同的材料制作而成，所述尖端放电结构的厚度与所述黑矩阵层的厚度一致。

8.根据权利要求3所述的一种彩膜基板，其特征在于，所述尖端放电结构在竖直方向上的投影的形状为矩形，所述尖端放电结构的长度尺寸在40～1000微米之间，所述尖端放电结构的宽度尺寸与长度尺寸相比为1：4.5。

9.根据权利要求8所述的一种彩膜基板，其特征在于，所述尖端放电结构为远离黑矩阵层的一端上的多个凸起，多个所述凸起等距间隔分布，多个所述凸起的长度不一致，远离所述黑矩阵层一侧上的多个所述凸起由两侧逐渐朝向中部增长，形成箭头状。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1-9任意一项所述的彩膜基板；以及

阵列基板，与所述彩膜基板对盒设置。

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