CN113213484B - 一种尾气排放结构和还原炉 - Google Patents
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- 239000002893 slag Substances 0.000 claims abstract description 69
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 42
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 32
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 150
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 4
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D17/00—Arrangements for using waste heat; Arrangements for using, or disposing of, waste gases
- F27D17/008—Arrangements for using waste heat; Arrangements for using, or disposing of, waste gases cleaning gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉,尾气排放结构包括:连接体,连接体上设有环形孔,环形孔具有第一开口与第二开口;多个尾气支管的第一端与环形孔的第一开口连通;多个尾气支管的第二端与汇集管连通;尾气母管的一端与汇集管连通。将尾气排放结构应用于还原炉,连接体的第二开口与还原炉底部的排气孔连通,还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔,通过环形孔对尾气进行平衡,环形孔中的气体通过尾气支管进入汇集管,不同尾气支管中的气体流量可以在汇集管进行平衡,然后汇集管中的气体通过尾气母管排出,连接体的高换热面积和汇集管的流量平衡作用,降低了尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次,使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定。
Description
技术领域
本申请属于多晶硅技术领域,具体涉及一种尾气排放结构和还原炉。
背景技术
多晶硅是制造集成电路、太阳能电池的主要原料。多晶硅的生产过程中,将氯硅烷和氢气等原料送入还原炉中在硅棒上发生化学气相沉积反应生成多晶硅,生产过程中为保证还原炉内较高的生产效率,要提高其在硅棒表面的沉积速度,会通过喷嘴连续喷入原料气,同时将反应后低浓度的氯硅烷及反应过程中的副产物通过尾气口连续排出。在尾气流经各尾气管时,各尾气管中气体压力流量不均匀稳定,导致还原炉内的压力、流场、温度场不稳定,影响多晶硅的生产质量。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种尾气排放结构和还原炉,用以解决还原炉的各尾气管中气体压力流量不均匀稳定,导致还原炉内的压力、流场、温度场不稳定,影响多晶硅生产质量的问题。
第一方面,本申请实施例提供了一种尾气排放结构,包括:
连接体,所述连接体上设有环形孔,所述环形孔具有第一开口与第二开口;
多个尾气支管,多个所述尾气支管的第一端与所述环形孔的第一开口连通;
多个汇集管,多个所述尾气支管的第二端与所述汇集管连通;
尾气母管,所述尾气母管的一端与所述汇集管连通。
其中,还包括:
连接管,所述连接管为环形管,所述尾气支管的第一端与所述环形孔通过所述连接管连通,所述连接管的轴线与所述环形孔的轴线共线。
其中,多个所述尾气支管的第一端沿所述连接管的周向均匀间隔设置;和/或
所述尾气支管为直管,所述尾气支管的轴线与所述连接管的轴线平行;和/或
所述连接管上设有排渣孔,所述连接管上邻近所述排渣孔的位置设有盖板,所述盖板可打开或封闭所述排渣孔。
其中,还包括:
汇合管,多个所述尾气支管的第二端通过所述汇合管与所述汇集管连通。
其中,所述汇合管为弧形,所述汇合管具有多个,每个所述汇合管上所连接的尾气支管的数量相同。其中,所述汇合管为弧形或圆环形,所述环形孔的轴线与所述汇合管的轴线共线或平行。
其中,还包括:
汇集母管,所述尾气母管的一端与所述汇集管通过所述汇集母管连通,所述汇集管的第一端与所述汇合管连通,所述汇集管的第二端与所述汇集母管连通。
其中,所述尾气母管的一端与所述汇集母管的中部连通,所述汇集母管的两端分别连接有一个所述汇集管的第二端。
其中,所述汇集母管上邻近所述汇集管的第二端的位置设有排渣管,所述排渣管的轴线与所对应的所述汇集管的轴线共线,所述排渣管的第一端与所述汇集母管连通,所述排渣管的第二端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述排渣管的第二端的管口;和/或
所述汇集母管的两端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述汇集母管的两端的管口。
其中,所述汇合管为弧形,所述汇合管的两端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述汇合管的两端的管口;和/或
其中,所述汇合管上邻近所述尾气支管的第二端的位置设有排渣管,所述排渣管的轴线与所对应的所述尾气支管的轴线共线,所述排渣管的第一端与所述汇合管连通,所述排渣管的第二端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述排渣管的第二端的管口。
其中,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有温度传感器。
其中,还包括:
温度调节装置,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有所述温度调节装置。
第二方面,本申请实施例提供了一种还原炉,包括:
上述实施例中所述的尾气排放结构;
炉体,所述炉体的底部设有多个排气孔,所述排气孔与所述连接体的第二开口连通。
其中,所述排气孔为弧形,所述排气孔沿所述炉体的底部的周向延伸,多个所述排气孔沿所述炉体的底部的周向均匀间隔设置。
其中,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有温度传感器,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有温度调节装置;
所述还原炉还包括控制系统,所述控制系统根据所述温度传感器检测到的温度控制所述温度调节装置。
本申请实施例的尾气排放结构,包括:连接体,所述连接体上设有环形孔,所述环形孔具有第一开口与第二开口;多个尾气支管,多个所述尾气支管的第一端与所述环形孔的第一开口连通;多个汇集管,多个所述尾气支管的第二端与所述汇集管连通;尾气母管,所述尾气母管的一端与所述汇集管连通。在应用过程中,可以将尾气排放结构应用于还原炉中,可以将连接体上的第二开口与还原炉的底部的排气孔连通,还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔,通过环形孔对尾气进行平衡,环形孔中的气体通过尾气支管进入汇集管,不同尾气支管中的气体流量可以在汇集管进行平衡,然后汇集管中的气体通过尾气母管排出。连接体的高换热面积、连接体和汇集管的流量平衡作用,降低了尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次,进而使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定,提高多晶硅的生产质量。
附图说明
图1为本申请实施例的尾气排放结构一个结构示意图;
图2为本申请实施例的尾气排放结构另一个结构示意图;
图3为本申请实施例的尾气排放结构一个俯视图;
图4为本申请实施例的尾气排放结构又一个结构示意图;
图5为炉体的底部的排气孔与连接体连接的一个示意图;
图6为炉体的底部的排气孔的一个分布示意图。
附图标记
连接体10;盖板11;
连接管20;
尾气支管30;
汇合管40;
汇集管50;
汇集母管60;
尾气母管70;
炉体80;排气孔81;
排渣管90。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
如图1至图3所示,本申请实施例的尾气排放结构,包括连接体10、多个尾气支管30、多个汇集管50和尾气母管70,其中,连接体10上可以设有环形孔,环形孔具有第一开口与第二开口,比如,连接体10可为柱状或环形,连接体10的轴线与环形孔的轴线可以共线,第一开口可以位于环形孔的下端,第二开口可以位于环形孔的上端,第一开口与第二开口可以为环形,第一开口与第二开口的轴线与连接体10的轴线可以共线,第二开口可以与还原炉的底部的排气孔连通,还原炉中的尾气从排气孔流出进入环形孔中,尾气在环形孔中进行平衡,有利于促进还原炉中的尾气从排气孔均匀稳定地流出,同时连接体的换热面积大,可快速降低尾气温度,使尾气管不结硅或少结硅。
尾气支管30可以具有多个,比如,尾气支管30可以具有四个或六个,多个尾气支管30的第一端可以与环形孔的第一开口连通,环形孔中的气体经过第一开口进入尾气支管30,进入各尾气支管30中的气体流量均匀稳定,多个尾气支管30的第二端可以与汇集管50连通,通过汇集管50可以对尾气支管30中的气体进行汇集,并对汇集的气体进行平衡,使得气体在汇集管50中均匀稳定,尾气母管70的一端与汇集管50连通,汇集管50中气体经过尾气母管70稳定地排出,从而使得还原炉中的尾气均匀稳定地排出。在环形孔的平衡作用下,尾气流出还原炉时各处流量和压力相对均匀,可以极大限度的提升炉内流场的均匀性,降低还原炉内因大的气体涡流所造成的倒棒概率。
在应用过程中,可以将尾气排放结构应用于还原炉中,可以将连接体10上的第二开口与还原炉的底部的排气孔连通,还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔,通过环形孔对尾气进行平衡,有利于促进还原炉中的尾气均匀稳定地排出,环形孔中的气体均匀稳定地进入尾气支管30,尾气支管30中的气体稳定地进入汇集管50,气体经过汇集管50的再次汇集,可以使得气体进一步均匀稳定,然后气体从尾气母管稳定地排出,使得尾气的排出更均匀稳定,进而使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定,提高多晶硅的生产质量。
在一些实施例中,尾气排放结构还可以包括:连接管20,连接管20可以为环形管,尾气支管30的第一端与环形孔可以通过连接管20连通,连接管20的轴线与环形孔的轴线可以共线,有利于环形孔中的气体稳定地进入连接管20,连接管20可以对气体进一步进行平衡,使得气体更加稳定更均匀,有利于促进还原炉中的尾气均匀稳定地排出。
在另一些实施例中,多个尾气支管30的第一端可以沿连接管20的周向均匀间隔设置,有利于连接管20中的气体可以稳定地进入尾气支管30中。
根据一些实施例,尾气支管30可以为直管,尾气支管30的轴线可以与连接管20的轴线平行,使得气体在各个尾气支管30中的行程和阻力基本相等,有利于保持气体在各个尾气支管30中的稳定流动。
在一些实施例中,连接管20上可以设有排渣孔,排渣孔可以位于连接管20的底侧,连接管20上邻近排渣孔的位置可以设有盖板11,盖板11可打开或封闭排渣孔。盖板11可以为法兰盲板,在需要清理硅渣时,将法兰盲板打开后使用清渣工具伸入将硅渣排出即可。盖板11可封闭或打开排渣孔,当需要排渣时可以通过盖板打开排渣孔,便于硅渣的排出,提高排渣效率和效果;当不需要排渣时可以通过盖板封闭排渣孔,以便于气体的正常流入尾气支管。
可选地,尾气排放结构还可以包括:汇合管40,汇合管40可以为弧形或圆环形,多个尾气支管30的第二端可以通过汇合管40与汇集管50连通。汇合管40可以为弧形,汇合管40具有多个,每个汇合管40上所连接的尾气支管30的数量可以相同,比如,汇合管40可以为弧形,汇合管40可以具有两个,每个汇合管40上可以连接两个尾气支管30,以使不同尾气支管中的气体流量可以在汇合管40进行平衡。
其中,汇合管40可以为弧形或圆环形,环形孔的轴线可以与汇合管40的轴线共线或平行,比如,汇合管40可以为弧形,汇合管40可以具有多个,多个汇合管40的中心线可以处于同一圆上,环形孔的轴线可以与汇合管40的轴线共线,汇合管40的轴线是垂直于汇合管40所在的平面且经过环心的直线,有利于气体稳定地进入汇合管40。
在一些实施例中,尾气排放结构还可以包括:汇集母管60,尾气母管70的一端可以与汇集管50通过汇集母管60连通,汇集管50的第一端可以与汇合管40连通,汇集管50的第二端可以与汇集母管60连通。汇合管40可以具有两个,每个汇合管40上可以连接两个尾气支管30,每个汇合管40上的两个尾气支管30可以位于汇合管40的两端,每个汇合管40上可以连接一个汇集管50,汇集管50的连接位置可以位于汇合管40的中部位置,以便于气体稳定地流入汇集管50。
可选地,尾气母管70的一端可以与汇集母管60的中部连通,汇集母管60的两端可以分别连接有一个汇集管50的第二端,以便于汇集管50中的气体稳定地进入汇集母管60,然后气体经过汇集母管60后从尾气母管70稳定地流出。各尾气支管30到汇集母管60的距离可以相等,进而保证流量相同,将四根尾气支管30上引出的两个汇集管50连接到尾气母管70,可以呈对称分布,保证两侧到尾气母管70的距离相等,实现尾气从各尾气支管30到达尾气母管70的距离相等,进而保证流量相同。
在一些实施例中,如图4所示,汇集母管60上邻近汇集管50的第二端的位置设有排渣管90,排渣管90的轴线与所对应的汇集管50的轴线共线,排渣管90的第一端与汇集母管60连通,排渣管90的第二端设有挡板91,挡板91可打开或封闭排渣管90的第二端的管口。当需要排渣时挡板91可以打开排渣管90的第二端的管口,以便于清理硅渣;清理完成后,挡板91可以封闭排渣管90的第二端的管口,以便于尾气正常的排出。
可选地,汇集母管60的两端设有挡板92,挡板92可打开或封闭汇集母管60的两端的管口。当需要清理汇集母管60中的硅渣时,挡板92可以打开汇集母管60的两端的管口,以便于清理硅渣;清理完成后,挡板92可以封闭汇集母管60的两端的管口,以便于尾气正常的排出。
在本申请的实施例中,汇合管40可以为弧形,汇合管40的两端设有挡板,挡板可打开或封闭汇合管的两端的管口。当需要清理汇合管40中的硅渣时,挡板可以打开汇合管40的两端的管口,以便于清理硅渣;清理完成后,挡板可以封闭汇合管40的两端的管口,以便于尾气正常的排出。
可选地,汇合管40上邻近尾气支管30的第二端的位置设有排渣管90,排渣管90的轴线与所对应的尾气支管30的轴线共线,排渣管90的第一端与汇合管40连通,排渣管90的第二端设有挡板91,挡板91可打开或封闭排渣管90的第二端的管口。当尾气支管30需要排渣时挡板91可以打开排渣管90的第二端的管口,以便于清理硅渣;清理完成后,挡板91可以封闭排渣管90的第二端的管口,以便于尾气正常的排出。
可选地,连接体10、尾气支管30、汇集管50和尾气母管70中的至少一个上可以设有温度传感器,以检测所在管体中的气体的温度,并将温度信号传递给控制系统,以使得管路中的气体的温度可以控制在合理的温度范围,比如,可以在连接体10、尾气支管30、尾气母管70上分别设置温度传感器,以检测所在管体中的气体的温度。
在本申请的实施例中,尾气排放结构还可以包括:温度调节装置,连接体10、尾气支管30、汇集管50和尾气母管70中的至少一个上设有温度调节装置。通过温度调节装置可以调节所在管路中的气体的温度,以使得管路中的气体的温度可以控制在合理的温度范围,降低还原炉因尾气流量不平衡以及尾气冷却不充分发生结硅的概率,对多晶硅生产的稳定运行和节能降耗有显著作用。
温度调节装置可以包括具有循环冷却水的夹套,夹套可以设置在管体的外侧,通过温度调节装置可以调节所在管体中的气体的温度,以使得管体中的温度保持在合理温度。可以通过冷却水温度和/或流量的调节、硅棒电流和温度的调节使得尾气的温度得到调节,实现尾气排气管中不结硅或少结硅,延长使用时间,减少清理,降低对排气管的损坏。在生产过程中,可以打开夹套中冷却水开关,冷却水会对尾气进行降温,能够使尾气温度快速降低到沉积温度点以下,显著降低结硅发生概率或延长了清理硅渣的时间间隔,提高生产运行的稳定性。
本申请实施例提供一种还原炉,如图5至图6所示,还原炉包括:上述实施例中所述的尾气排放结构和炉体80;炉体80的底部可以设有多个排气孔81,排气孔81可以与连接体10的第二开口连通,炉体中的尾气可以通过第二开口进入环形孔中,尾气在环形孔中进行平衡,有利于促进炉体中的尾气从排气孔均匀稳定地流出。
在炉体的底部的中心区域可以设置进气孔,以便于向炉体内通过气体。在生产过程中,炉体内部的中心喷嘴喷出的氯硅烷等原料气冲上炉体的顶部,随后在顶部导向的作用下,逐渐向下流动,经环形孔均匀排出。在环形孔的作用下,气体出口压力相对均匀,可以极大限度的提升炉内流场的均匀性,降低因大的气体涡流所造成的倒棒概率。连接体10内外可以设有具有循环水的夹套,通过冷却水对其降温。连接体10的换热面积显著提高,能够使尾气温度快速降低到沉积温度点以下,显著降低结硅发生概率或延长了清理硅渣的时间间隔,提高生产运行的稳定性。
将尾气排放结构应用于还原炉中,可以将连接体10上的第二开口与炉体的底部的排气孔连通,炉体中的尾气通过排气孔进入环形孔,通过环形孔对尾气进行平衡,有利于促进还原炉中的尾气均匀稳定地排出,环形孔中的气体均匀稳定地进入尾气支管30,尾气支管30中的气体稳定地进入汇集管50,气体经过汇集管50的再次汇集,可以使得气体进一步均匀稳定,然后气体从尾气母管稳定地排出,使得尾气的排出更均匀稳定,进而使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定,提高多晶硅的生产质量。
在一些实施例中,排气孔81可以为弧形,排气孔81可以具有多个,比如四个,排气孔81可以沿炉体80的底部的周向延伸,多个排气孔81可以沿炉体80的底部的周向均匀间隔设置,多个排气孔81可以处于同一圆弧上,排气孔81的位置可以与环形孔对应,便于安装连接,以便于还原炉中的尾气稳定地进入环形孔中。
可选地,连接体10、尾气支管30、汇集管50和尾气母管70中的至少一个上设有温度传感器,以检测所在管体中的气体的温度,以使得管体中的气体的温度可以控制在合理的温度范围。连接体10、尾气支管30、汇集管50和尾气母管70中的至少一个上设有温度调节装置,通过温度调节装置可以调节所在管体中的气体的温度,以使得管路中的气体的温度可以控制在合理的温度范围。还原炉还包括控制系统,控制系统可以根据温度传感器检测到的温度控制温度调节装置。控制系统可以控制温度调节装置调节所在管体中的气体的温度,以使得管路中的气体的温度可以控制在合理的温度范围。比如,当连接体10中的气体的温度大于或等于预设温度时,控制系统可以控制炉体80的底部或连接体10上的温度调节装置来调节连接体10中的气体的温度,降低连接体10中的气体的温度,以使得连接体10中的气体的温度稳定在预设温度范围;当连接体10中的气体的温度小于预设温度时,控制系统可以控制炉体80的底部或连接体10上的温度调节装置来调节连接体10中的气体的温度,升高连接体10中的气体的温度,以使得连接体10中的气体的温度稳定在预设温度范围,保证气体稳定流动,减少硅渣的生成。
温度传感器可以采集所在管体中的尾气的温度信号,并将信号传递给控制系统(比如DCS控制系统),若尾气温度高于设定范围,控制系统会通过整定分析模块控制夹套上的用于控制冷却水的电子调节阀,提高管体上的夹套中冷却水的流量和压力、炉体的底部上的夹套中的冷却水流量和压力,还可以微调电极电流,控制降低硅棒的温度,使尾气温度快速降低到气相沉积温度点以下。若尾气温度低于设定范围,控制系统会通过整定分析模块控制夹套上的用于控制冷却水的电子调节阀,降低管体上的夹套中冷却水的流量和压力、炉体的底部上的冷却水流量和压力,还可以微调电极电流,控制提高硅棒的温度,使尾气温度升高至设定范围,降低能耗。通过动态调节可以使尾气温度保持在气相沉积温度以下,进而实现尾气孔不结硅或延长尾气管的结硅时间。此外,控制系统还可根据在接收到的各尾气支管上的温度信号进行分析,比较不同尾气支管内的气体流量大小,判断各尾气支管内气体流量是否平衡,预测对炉内流场的影响强弱。还可以根据尾气的温度信号的差异大小预测管内的结硅情况,若温度差值较大,则可认为温度较高的尾气支管内结硅情况严重,需要清理硅渣。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述,但是本申请并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本申请的启示下,在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本申请的保护之内。
Claims (13)
1.一种尾气排放结构,其特征在于,包括:
连接体,所述连接体上设有环形孔,所述环形孔具有第一开口与第二开口;
多个尾气支管,多个所述尾气支管的第一端与所述环形孔的第一开口连通;
多个汇集管,多个所述尾气支管的第二端与所述汇集管连通;
尾气母管,所述尾气母管的一端与所述汇集管连通;
连接管,所述连接管为环形管,所述尾气支管的第一端与所述环形孔通过所述连接管连通,所述连接管的轴线与所述环形孔的轴线共线;
所述连接管上设有排渣孔,所述连接管上邻近所述排渣孔的位置设有盖板,所述盖板可打开或封闭所述排渣孔;
汇合管,多个所述尾气支管的第二端通过所述汇合管与所述汇集管连通;所述汇合管上邻近所述尾气支管的第二端的位置设有排渣管,所述排渣管的轴线与所对应的所述尾气支管的轴线共线,所述排渣管的第一端与所述汇合管连通,所述排渣管的第二端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述排渣管的第二端的管口。
2.根据权利要求1所述的尾气排放结构,其特征在于,多个所述尾气支管的第一端沿所述连接管的周向均匀间隔设置;和/或
所述尾气支管为直管,所述尾气支管的轴线与所述连接管的轴线平行。
3.根据权利要求2所述的尾气排放结构,其特征在于,所述汇合管为弧形,所述汇合管具有多个,每个所述汇合管上所连接的尾气支管的数量相同。
4.根据权利要求2所述的尾气排放结构,其特征在于,所述汇合管为弧形或圆环形,所述环形孔的轴线与所述汇合管的轴线共线或平行。
5.根据权利要求2所述的尾气排放结构,其特征在于,还包括:
汇集母管,所述尾气母管的一端与所述汇集管通过所述汇集母管连通,所述汇集管的第一端与所述汇合管连通,所述汇集管的第二端与所述汇集母管连通。
6.根据权利要求5所述的尾气排放结构,其特征在于,所述尾气母管的一端与所述汇集母管的中部连通,所述汇集母管的两端分别连接有一个所述汇集管的第二端。
7.根据权利要求6所述的尾气排放结构,其特征在于,所述汇集母管上邻近所述汇集管的第二端的位置设有排渣管,所述排渣管的轴线与所对应的所述汇集管的轴线共线,所述排渣管的第一端与所述汇集母管连通,所述排渣管的第二端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述排渣管的第二端的管口;和/或
所述汇集母管的两端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述汇集母管的两端的管口。
8.根据权利要求7所述的尾气排放结构,其特征在于,所述汇合管为弧形,所述汇合管的两端设有挡板,所述挡板可打开或封闭所述汇合管的两端的管口。
9.根据权利要求8所述的尾气排放结构,其特征在于,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有温度传感器。
10.根据权利要求9所述的尾气排放结构,其特征在于,还包括:
温度调节装置,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有所述温度调节装置。
11.一种还原炉,其特征在于,包括:
如权利要求1-10中任一项所述的尾气排放结构;
炉体,所述炉体的底部设有多个排气孔,所述排气孔与所述连接体的第二开口连通。
12.根据权利要求11所述的还原炉,其特征在于,所述排气孔为弧形,所述排气孔沿所述炉体的底部的周向延伸,多个所述排气孔沿所述炉体的底部的周向均匀间隔设置。
13.根据权利要求11所述的还原炉,其特征在于,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有温度传感器,所述连接体、所述尾气支管、所述汇集管和所述尾气母管中的至少一个上设有温度调节装置;
所述还原炉还包括控制系统,所述控制系统根据所述温度传感器检测到的温度控制所述温度调节装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113213484A CN113213484A (zh) | 2021-08-06 |
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ID=77080294
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110661114.0A Active CN113213484B (zh) | 2021-06-15 | 2021-06-15 | 一种尾气排放结构和还原炉 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN113213484B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102134074A (zh) * | 2011-04-18 | 2011-07-27 | 天津大学 | 一种多晶硅还原炉及其操作方法 |
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2021
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