CN113206209A - 发光器件及制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

发光器件及制备方法、显示面板和显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113206209A
CN113206209A CN202110480617.8A CN202110480617A CN113206209A CN 113206209 A CN113206209 A CN 113206209A CN 202110480617 A CN202110480617 A CN 202110480617A CN 113206209 A CN113206209 A CN 113206209A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
pixel region
electrode
light
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110480617.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113206209B (zh
Inventor
李卓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Technology Development Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110480617.8A priority Critical patent/CN113206209B/zh
Publication of CN113206209A publication Critical patent/CN113206209A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113206209B publication Critical patent/CN113206209B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种发光器件及制备方法、显示面板和显示装置,发光器件包括像素区域和非像素区域,像素区域内包括:层叠设置的阴极、发光层与阳极;阴极或阳极的靠近发光层的一侧设有粘附层,发光层设在粘附层上;发光层包括量子点与配体,配体中具有配位基团与含氟基团,量子点与配位基团连接。在阴极或阳极的靠近发光层的一侧设有粘附层,发光层设在粘附层上,发光层包括量子点与配体,由于配体中具有含氟基团,含氟基团具有界面低吸附的特性,使得量子点可以吸附在粘附层,不容易吸附在不具有粘附层的区域,在其他区域形成量子点层时,不易引起量子点的混色,使得发光色纯度较高,提高发光效果,不需要光刻即可实现量子点的图形化。

Description

发光器件及制备方法、显示面板和显示装置
技术领域
本申请属于显示技术领域,具体涉及一种发光器件及制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
QLED作为最具有潜力的下一代自发光显示技术,QLED具有能耗更低、色纯度更高、色域更广等突出优势,而QLED亚像素区域的精确制备是实现高分辨率显示器件的前提。现有技术中,需要通过光刻实现图案化QD薄膜的制备,容易导致QLED器件发光层的量子点混色的问题,影响发光效果。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种发光器件及制备方法、显示面板和显示装置,用以解决通过直接光刻等方式实现图案化量子点薄膜的制备容易导致量子点混色,影响发光效果的问题。
第一方面,本申请实施例提供一种发光器件,包括像素区域和非像素区域,所述像素区域内包括:
层叠设置的阴极、发光层与阳极;
所述阴极或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层,所述发光层设在所述粘附层上;
所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。
其中,所述像素区域内还包括:
电子传输层,所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子传输层或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极与所述发光层之间,所述空穴传输层或所述阴极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
其中,所述像素区域内还包括:
电子注入层,所述电子注入层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子注入层或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
空穴注入层,所述空穴注入层设置于所述阳极与所述发光层之间,所述空穴注入层或所述阴极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层。
其中,所述粘附层中包括聚多巴胺和聚去甲基肾上腺素中的至少一种;和/或
其中,所述粘附层的厚度为1-8nm。
其中,所述像素区域包括第一像素区域和第二像素区域,所述发光层包括:
第一发光单元,所述第一发光单元设置在所述第一像素区域的粘附层上,所述第一发光单元中包括第一量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第一发光单元中的配位基团连接;
第二发光单元,所述第二发光单元设置在所述第二像素区域的粘附层上,所述第二发光单元中包括第二量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第二发光单元中的配位基团连接;
所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
其中,所述像素区域包括第三像素区域,所述发光层包括:
第三发光单元,所述第三发光单元设置在所述第三像素区域的粘附层上,所述第三发光单元中包括第三量子点与所述配体,所述第三量子点与所述第三发光单元中的配位基团连接;
所述第三量子点的发光波长和所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
其中,所述配位基团包括:
羟基、巯基、羧基、氨基、硫醚、膦和氧膦中的至少一种。
第二方面,本申请实施例提供一种发光器件的制备方法,包括:
在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层;
在所述发光层上形成第二电极;
其中,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极;或者,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;
所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。
其中,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成电子传输层;
在所述电子传输层的像素区域形成粘附层;或者
所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成空穴传输层;
在所述空穴传输层的像素区域形成粘附层。
其中,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成电子注入层;
在所述电子注入层的像素区域形成粘附层;或者
所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成空穴注入层;
在所述空穴注入层的像素区域形成粘附层。
其中,所述粘附层中包括聚多巴胺和聚去甲基肾上腺素中的至少一种。
其中,所述像素区域包括第一像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤包括:
在第一电极的一侧的第一像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层的步骤包括:
在第一像素区域的粘附层上形成第一发光单元;
其中,所述第一发光单元中包括第一量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第一发光单元中的配位基团连接。
其中,所述像素区域包括第二像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤包括:
在第一电极的一侧的第二像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层的步骤包括:
在第二像素区域的粘附层上形成第二发光单元;
其中,所述第二发光单元中包括第二量子点与所述配体,所述第二量子点与所述第二发光单元中的配位基团连接;
所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
其中,所述像素区域包括第三像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤包括:
在第一电极的一侧的第三像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层的步骤包括:
在第三像素区域的粘附层上形成第三发光单元;
其中,所述第三发光单元中包括第三量子点与所述配体,所述第三量子点与所述第三发光单元中的配位基团连接;
所述第三量子点的发光波长和所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
其中,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括:
在第一电极的一侧形成牺牲层;
去除第一电极的一侧的像素区域的牺牲层;
在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层。
其中,在所述粘附层上形成发光层之后,还包括:
去除剩余的牺牲层。第三方面,本申请实施例提供一种显示面板,包括上述实施例中所述的发光器件。
第四方面,本申请实施例提供一种显示装置,包括上述实施例中所述的显示面板。
本申请实施例的发光器件,包括像素区域和非像素区域,所述像素区域内包括:层叠设置的阴极、发光层与阳极;所述阴极或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层,所述发光层设在所述粘附层上;所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。在本申请的发光器件中,在所述阴极或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层,所述发光层设在所述粘附层上,所述发光层包括量子点与配体,由于所述配体中具有配位基团与含氟基团,含氟基团具有界面低吸附的特性,使得量子点可以吸附在粘附层,不容易吸附在不具有粘附层的区域,使得量子点在像素区域,不易粘附在其他区域,在其他区域形成量子点层时,不易引起量子点的混色,使得发光色纯度较高,避免颜色失真,提高发光效果,不需要光刻即可实现量子点的图形化,工艺简单。
附图说明
图1为本申请中发光器件的一个结构示意图;
图2为本申请中发光器件的另一个结构示意图;
图3为本申请中发光器件的又一个结构示意图;
图4为本申请中发光器件的又一个结构示意图;
图5为本申请中发光器件的又一个结构示意图;
图6为本申请中发光器件的又一个结构示意图;
图7为本申请中发光器件的又一个结构示意图;
图8为本申请中发光器件的又一个结构示意图;
图9a为形成前膜层后的一个示意图;
图9b为形成牺牲层后的一个示意图;
图9c为去除第一像素区域的牺牲层后的一个示意图;
图9d为形成粘附后的一个示意图;
图9e为形成发光层后的一个示意图;
图9f去除第一像素区域之外的牺牲层后的一个示意图;
图9g在第二像素区域和第三像素区域形成发光层后的一个示意图。
附图标记
阴极10;电子注入层11;电子传输层12;
发光层20;第一量子点21;第二量子点22;第三量子点23;粘附层24;
阳极30;空穴注入层31;空穴传输层32;
牺牲层40;
基板50;像素定义层51;前膜层52。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图1至图8所示,本申请实施例的发光器件包括像素区域和非像素区域,所述像素区域内包括:层叠设置的阴极10、发光层20与阳极30,其中,阴极10或阳极30的靠近发光层20的一侧设有粘附层24,发光层20设在粘附层24上,发光层20包括量子点与配体,配体中具有配位基团与含氟基团,量子点与配位基团连接。量子点可以包括红色量子点、绿色量子点和蓝光量子点中的至少一种,量子点可以包括但不限于:CdS、CdSe、ZnSe、InP、PbS、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPhI3/ZnS,等量子点。可以通过常见热注入法制备出的以三辛基膦、三辛基氧膦、油胺、油酸等为配体的量子点进行配体交换,使得量子点表面修饰上含氟基团的配体分子,得到具有界面低吸附(或零吸附)的量子点材料。含氟基团可以包括含氟烷烃基、含氟烯烃、含氟芳香烃等含氟烃基等,可以为全氟基团。配位基团可以包括-OH、-SH、-COOH、-NH2、基团A和-PO中的至少一种。
其中,基团A可以为:
Figure BDA0003049089390000071
b1可以为烷烃基,b2可以为烷烃基。
利用含氟基团在绝大多数普通界面的低吸附特性,将具有含氟基团的配体修饰到量子点的表面,得到具有极低表面吸附性的量子点材料,这类量子点材料在绝大多数的界面或表面低吸附甚至零吸附,也即低界面吸附(或零界面吸附)的量子点材料,通过粘附层24可以粘附修饰有配体的量子点,使得量子点可以粘附在粘附层24,在不具有粘附层24的区域不易粘附。具有含氟基团的分子对于相同粗糙度的表面能较低的表面具有低吸附的性能;液体在含氟或高氟分子材料的表面的接触角很大,也即很难在该表面浸润,也减少了吸附。
所用具有含氟基团的(或全氟)配体分子结构可以如下(a)至(c)所示。
Figure BDA0003049089390000072
可以选择上述含氟基团分子中的一种或多种作为配体。
含氟基团的配体与量子点的连接可以如下(d)至(f)所示:
Figure BDA0003049089390000081
具体可以根据实际情况选择不同的量子点和配体进行配合连接。
其中,在(a)和(d)中,n和x满足:n≥1,且x≤n;在(b)和(e)中,n1、n2、x1、x2满足:n1+n2≥1,且x1+x2≤n1+n2;在(c)和(f)中,n1、n2、n3、x1、x2、x3满足:n1+n2+n3≥1,且x1+x2+x3≤n1+n2+n3。满足以上条件的任意整数均可;圆形表示量子点,但不局限于球型量子点,任意形状量子点均可;式中表示出一个配体分子,实际中量子点表面修饰该类分子数大于等于1。
Y可以为任意含有氟原子的原子或化学基团,具体的Y可以为以下(g)至(i)所示的化学基团,星号“*”表示该位点与上述化学结构式中“Y”右边的分子链链接;
*-CF3(g);
Figure BDA0003049089390000082
Figure BDA0003049089390000091
其中,(h)中的位点1、位点2、位点3、位点4、位点5或(i)中的位点1、位点2、位点3至少一个位点应包含氟原子,其他位点可以为氟原子,也可以为氢原子或烷烃基团等非氟原子。
其中,R端表示与量子点表面链接端,R可为-OH、-SH、-COOH、-NH2、基团A或-PO等,R端可以为能够与量子点(QD)表面连接的功能基团,也可以为Rc-OH、Rc-SH、Rc-COOH、Rc-NH2、Rc-A、Rc-PO等连接有烷烃基团(或者连接有酯基或酰胺键的烷烃基团)的功能基团,上述的Rc表示烷烃类基团(或者连接有酯基或酰胺键的烷烃基团),烷烃类基团可以包括但不限于甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等,部分基团的结构式可以如下所示,其中,以Rc表示烷烃类基团,*表示与该位点与其它基团连接。
*-CH2-*
*-CH2CH2-*
*-CH2CH2CH2-*
Figure BDA0003049089390000092
*-CH2CH2CH2CH2-*
Figure BDA0003049089390000101
上述中的Rc基团可以根据实际需要进行选择。由酯基或酰胺键等连接起来的烷烃基团可以如下所示:
Figure BDA0003049089390000102
其中,上述结构式中Rc、Rc’均可以表示各类烷烃基团,表示与酯基或酰胺键连接的烷烃基团可以相同,也可以不同,并且能够有且至少一个烷烃基团,也即上述结构式中至少有Rc或Rc’中的其中一个。
在本申请的发光器件中,在阴极10或阳极30的靠近发光层20的一侧设有粘附层24,发光层20设在粘附层24上,发光层20包括量子点与配体,由于配体中具有配位基团与含氟基团,含氟基团具有界面低吸附的特性,使得量子点可以吸附在粘附层,不容易吸附在不具有粘附层的区域,使得量子点在像素区域,不易粘附在其他区域,在其他区域形成量子点层时,不易引起量子点的混色,使得发光色纯度较高,避免颜色失真,提高发光效果,不需要光刻即可实现量子点的图形化,工艺简单。全氟或含氟配体分子具有强疏水性,能够减少环境中水对量子点层的破坏,延长使用寿命。
在一些实施例中,如图3至图6和图8所示,所述像素区域内还可以包括:电子传输层12,电子传输层12设置于阴极10与发光层20之间,电子传输层12或阳极30的靠近发光层20的一侧设有粘附层24,比如,电子传输层12的靠近发光层20的一侧可以设有粘附层24,量子点可以粘附在粘附层24上,在不具有粘附层24的区域不易粘附,不具有粘附层24的区域不易混入量子点,保证不具有粘附层24的区域干净。在阴极10与电子传输层12之间可以设置电子注入层。
在另一些实施例中,如图3至图6和图8所示,所述像素区域内还可以包括:空穴传输层32,空穴传输层32设置于阳极30与发光层20之间,空穴传输层32或阴极10的靠近发光层20的一侧设有粘附层24,比如,空穴传输层32的靠近发光层20的一侧设有粘附层24,量子点可以粘附在粘附层24上,在不具有粘附层24的区域不易粘附,不具有粘附层24的区域不易混入量子点。在阳极30与空穴传输层32之间可以设置空穴注入层。
根据一些实施例,如图5至图7和图8所示,所述像素区域内还可以包括:电子注入层11,电子注入层11设置于阴极10与发光层20之间,电子注入层11或阳极30的靠近发光层20的一侧设有粘附层24,比如,在电子注入层11的靠近发光层20的一侧可以设有粘附层24,量子点可以粘附在粘附层24上,在不具有粘附层24的区域不易粘附,不具有粘附层24的区域不易混入量子点。
根据另一些实施例,如图3至7所示,所述像素区域内还可以包括:空穴注入层31,空穴注入层31设置于阳极30与发光层20之间,空穴注入层31或阴极10的靠近发光层20的一侧设有粘附层24,比如,空穴注入层31的靠近发光层20的一侧可以设有粘附层24,量子点可以粘附在粘附层24上,在不具有粘附层24的区域不易粘附,不具有粘附层24的区域不易混入量子点。在应用过程中,发光器件可以为正置结构(比如,如图4所示)或倒置结构(比如,如图3所示),具体可以根据实际情况选择。
可选地,所述粘附层24中可以包括聚多巴胺和聚去甲基肾上腺素中的至少一种,比如,粘附层24可以为聚多巴胺层或聚去甲基肾上腺素层,通过聚多巴胺层或聚去甲基肾上腺素层可以粘附量子点。
可选地,所述粘附层24的厚度可以为1-8nm,比如7nm,具体厚度可以根据实际需要选择。
在一些实施例中,像素区域可以包括第一像素区域和第二像素区域,发光层20包括:第一发光单元与第二发光单元,其中,第一发光单元设置在第一像素区域的粘附层24上,第一发光单元中包括第一量子点与配体,第一量子点与第一发光单元中的配位基团连接;第二发光单元设置在第二像素区域的粘附层24上,第二发光单元中包括第二量子点与配体,第一量子点与第二发光单元中的配位基团连接,第一量子点与第二量子点的发光波长不同。通过不同像素区域的粘附层24来粘附需要的量子点,使得量子点粘附在预定的像素区域,避免量子点的混色。
可选地,所述像素区域可以包括第三像素区域,发光层20包括:第三发光单元,第三发光单元设置在第三像素区域的粘附层24上,第三发光单元中包括第三量子点与配体,第三量子点与第三发光单元中的配位基团连接,第三量子点的发光波长和第一量子点与第二量子点的发光波长不同,通过在不同像素区域的粘附层24上粘附不同的量子点,可以使得量子点粘附在预定的像素区域,避免量子点的混色,使得发光色纯度较高,避免颜色失真,提高发光效果。
可选地,所述配位基团可以包括:羟基、巯基、羧基、氨基、硫醚、膦和氧膦中的至少一种,具体可以根据实际情况选择,配位基团可以与量子点的表面通过配位键连接。
本申请实施例提供一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:
在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24;
在粘附层24上形成发光层20;
在发光层20上形成第二电极;
其中,第一电极为阴极,第二电极为阳极;或者,第一电极为阳极,第二电极为阴极;发光层20包括量子点与配体,配体中具有配位基团与含氟基团,量子点与配位基团连接。
比如,在阴极的一侧的像素区域形成粘附层24,在粘附层24上形成发光层20,在发光层20上形成阳极,发光层20中包括量子点与配体,配体中具有配位基团与含氟基团,量子点与配位基团连接。由于配体中具有配位基团与含氟基团,含氟基团具有界面低吸附的特性,使得量子点可以吸附在粘附层,不容易吸附在不具有粘附层的区域,使得量子点在像素区域,不易粘附在其他区域,在其他区域形成量子点层时,不易引起量子点的混色,使得发光色纯度较高,避免颜色失真,提高发光效果,不需要光刻即可实现量子点的图形化,工艺简单。所述配位基团可以包括:羟基、巯基、羧基、氨基、硫醚、膦和氧膦中的至少一种,具体可以根据实际情况选择。
在一些实施例中,第一电极为阴极,第二电极为阳极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤,可以包括;
在第一电极的一侧形成电子传输层12;
在电子传输层12的像素区域形成粘附层24;
也即是,在阴极的一侧形成电子传输层12,在电子传输层12的像素区域形成粘附层24,在粘附层24上形成发光层20,在发光层20上形成阳极。
其中,在形成电子传输层12之前,还可以在第一电极的一侧形成电子注入层。
在另一些实施例中,第一电极为阳极,第二电极为阴极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤,可以包括;
在第一电极的一侧形成空穴传输层32;
在空穴传输层32的像素区域形成粘附层24。
也即是,在阳极的一侧形成空穴传输层32,在空穴传输层32的像素区域形成粘附层24,在粘附层24上形成发光层20,在发光层20上形成阴极。
其中,在形成空穴传输层32之前,可以在第一电极的一侧形成空穴注入层。
根据一些实施例,第一电极为阴极,第二电极为阳极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤,可以包括;
在第一电极的一侧形成电子注入层11;
在电子注入层11的像素区域形成粘附层24;
也即是,在阴极的一侧形成电子注入层11,在电子注入层11的像素区域形成粘附层24,在粘附层24上形成发光层20,在发光层20上形成阳极。在形成阳极之前,可以在发光层20依次形成空穴传输层与空穴注入层。
根据另一些实施例,第一电极为阳极,第二电极为阴极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤,可以包括;
在第一电极的一侧形成空穴注入层31;
在空穴注入层31的像素区域形成粘附层24。
也即是,在阳极的一侧形成空穴注入层31,在空穴注入层31的像素区域形成粘附层24,在粘附层24上形成发光层20,在发光层20上形成阴极。在形成阴极之前可以在发光层20形成电子传输层和电子注入层。
在本申请的实施例中,粘附层24中可以包括聚多巴胺和聚去甲基肾上腺素中的至少一种,比如,粘附层24可以为聚多巴胺层或聚去甲基肾上腺素层,通过聚多巴胺层或聚去甲基肾上腺素层可以粘附量子点。
在一些实施例中,像素区域可以包括第一像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤可以包括:
在第一电极的一侧的第一像素区域形成粘附层24;
在所述粘附层24上形成发光层的步骤包括:
在第一像素区域的粘附层24上形成第一发光单元;
其中,第一发光单元中包括第一量子点与所述配体,所述第一量子点与第一发光单元中的配位基团连接。
也即是,在第一电极的一侧的第一像素区域形成粘附层24,在第一像素区域的粘附层24上形成第一发光单元,使得第一量子点不易粘附在不具有粘附层24的区域。将上述的粘附层24仅制备在第一像素区域上(也即仅在特定的像素区域上方有粘附层),量子点材料则只能粘附在该区域;而没有粘附层的区域由于量子点本身具有低吸附(或零吸附)的特性,难以粘附量子点,因此能够得到图案化(即像素化)的量子点薄膜。重复上述过程中可以在其他区域形成具有不同量子点的发光单元。
在另一些实施例中,所述像素区域可以包括第二像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤可以包括:
在第一电极的一侧的第二像素区域形成粘附层24;
在所述粘附层24上形成发光层的步骤包括:
在第二像素区域的粘附层24上形成第二发光单元;
其中,第二发光单元中包括第二量子点与所述配体,所述第二量子点与第二发光单元中的配位基团连接,所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。通过不同像素区域的粘附层24来粘附需要的量子点,使得量子点粘附在预定的像素区域,避免量子点的混色,使得发光色纯度较高,避免颜色失真,提高发光效果。可以将粘附层24制备在像素区域上,量子点材料粘附在该区域,在该区域形成量子点层。
可以先在第一电极的一侧的第一像素区域形成粘附层24,在第一像素区域的粘附层24上形成第一发光单元,使得第一量子点不易粘附在不具有粘附层24的区域。然后,在第一电极的一侧的第二像素区域形成粘附层24,在第二像素区域的粘附层24上形成第二发光单元,使得量子点粘附在预定的像素区域,避免量子点的混色。
在本申请的实施例中,所述像素区域可以包括第三像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤可以包括:
在第一电极的一侧的第三像素区域形成粘附层24;
在所述粘附层24上形成发光层的步骤可以包括:
在第三像素区域的粘附层24上形成第三发光单元;
其中,第三发光单元中包括第三量子点与所述配体,所述第三量子点与第三发光单元中的配位基团连接;
所述第三量子点的发光波长和所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
可以先在第一电极的一侧的第二像素区域形成粘附层24,在第二像素区域的粘附层24上形成第二发光单元,然后,在第一电极的一侧的第三像素区域形成粘附层24,在第三像素区域的粘附层24上形成第三发光单元,使得不同的量子点粘附在预定的像素区域,避免量子点的混色,使得发光色纯度较高,避免颜色失真,提高发光效果。可以将上述的粘附层24分别制备在像素区域上,量子点材料粘附在该区域,在该区域形成量子点层。
在本申请的实施例中,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24的步骤,可以包括:
在第一电极的一侧形成牺牲层40;
去除第一电极的一侧的像素区域的牺牲层40;
在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24。
比如,在第一电极的一侧形成牺牲层40,牺牲层40可以为石蜡层,去除第一电极的一侧的像素区域的牺牲层40,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层24,在粘附层24上形成发光层20,然后在发光层20上形成第二电极。
在一些实施例中,在所述粘附层上形成发光层之后,还可以包括:
去除剩余的牺牲层。牺牲层可以为石蜡层,可以通过石蜡层的良溶剂去除,剩余的牺牲层在形成发光层时可以防止量子点污染其他区域,去除剩余的牺牲层之后可以重复上述方法在其他区域继续形成发光层,以便形成多种具有不同量子点的发光层。
在QLED全彩器件的制备过程中,由于首先制备的量子点薄膜表面为其表面的含氟配体分子(具有低吸附的特性),因此,能够避免牺牲层和其他颜色量子点在已有量子点薄膜上的吸附和残留,也就避免了混色的发生,能够很好的防止RGB三色量子点膜层的混色,从而保证了QLED器件的高色域,防止因混色导致的色彩失真等问题;其次,这种量子点薄膜的制备过程不需要光刻工艺或其他复杂、昂贵的工艺和设备,因此能够节省制造的成本,降低制造的门槛。器件结构中的粘附层,由于本身该层分子足够薄,对QLED器件的电学性能不会产生明显的影响。全氟或含氟配体分子具有强疏水性,能够减少环境中水对量子点层的破坏,延长使用寿命。
可以通过如下过程制备全彩QLED器件,具体如下:
如图9a所示,可以在基板50上形成电极和前膜层52,前膜层52可以为载流子传输层,比如空穴传输层或电子传输层;可以在基板50上形成像素定义层51以便限定出像素坑;
如图9b所示,在前膜层52上可以形成整面的牺牲层40,牺牲层40可以为石蜡层,可以通过旋涂、刮膜或浇注的方式制备石蜡层,牺牲层流平表面或复形PDL层(像素定义层)表面均可;
如图9c所示,可以对第一像素区域(比如像素坑)下方的电极通电,加热使得预定的第一像素区域上的石蜡融化,石蜡在50-60摄氏度下融化为液态,并从第一像素区域中清除,露出第一像素区域的前膜层52(比如载流子传输层),未加热的像素区域则依然覆盖石蜡薄膜;
在实际中,实现第一像素区域的定点加热可通过如下方法(但不局限于该方法):由于AMQLED显示器件中,基板50上QLED各个像素区域的电极是像素化的,能够分别控制进行加电和断电,能够准确控制某一种颜色(如R)像素区域下的电极通电,通过电阻效应产生焦耳热,对特定像素区域上的石蜡进行加热融化,进而将融化后的石蜡进行清除,露出目标的像素区域上的前膜层;温度可以通过时间电压的大小进行调节,温度在50-60度可以使得石蜡融化。
如图9d所示,用多巴胺(或去甲基肾上腺素)的碱性溶液在上述基板表面上形成一层粘附层24,厚度可以小于5nm,即形成聚多巴胺层(或聚去甲基肾上腺素层);在实际过程中,可以将多巴胺(或去甲基肾上腺素)溶解在合适的溶剂中(包含但不局限于tris缓冲溶液等),将要制备粘附层的表面浸没在上述多巴胺(或去甲基肾上腺素)溶液中,即可得到表面修饰有粘附层的表面。可根据所需粘附层的厚度调节浸泡时间和溶液浓度,实现膜层厚度的调控和改变。
如图9e所示,在第一像素区域上的粘附层24上形成发光层,也即是量子点层,发光层中包括第一量子点21和配体,可以通过旋涂或刮膜的方式制备;
可以去除第一像素区域之外的牺牲层40,比如可以利用牺牲层的良溶剂将牺牲层洗去,得到在第一像素区域具有第一量子点层的器件;石蜡的良溶剂可以包括:汽油、二硫化碳、二甲苯、乙醚、苯、氯仿、四氯化碳等。
然后,如图9f所示,可以重复上述步骤将具有第二量子点22和配体的发光层形成在对应的第二像素区域的粘附层40上;
如图9g所示,可以再重复上述步骤将具有第三量子点23和配体的发光层形成在对应的第三像素区域的粘附层40上;将三种不同颜色的量子点制备到对应的像素区域,得到具有三种不同量子点层的器件;然后,可以在具有三种不同量子点层的器件上形成剩余的传输层和电极,便可得到全彩QLED器件,且大大降低制备过程中的混色的可能性,发光色纯度较高,发光效果较好。
本申请实施例提供一种显示面板,包括上述实施例中所述的发光器件。具有上述实施例中发光器件的显示面板,发光色纯度较高,发光效果较好,提高显示效果。
本申请实施例提供一种显示装置,包括上述实施例中所述的显示面板。具有上述实施例中的发光器件的显示装置,发光色纯度较高,发光效果较好,提高显示效果。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述,但是本申请并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本申请的启示下,在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本申请的保护之内。

Claims (17)

1.一种发光器件,其特征在于,包括像素区域和非像素区域,所述像素区域内包括:
层叠设置的阴极、发光层与阳极;
所述阴极或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层,所述发光层设在所述粘附层上;
所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述像素区域内还包括:
电子传输层,所述电子传输层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子传输层或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
空穴传输层,所述空穴传输层设置于所述阳极与所述发光层之间,所述空穴传输层或所述阴极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
所述像素区域内还包括:
电子注入层,所述电子注入层设置于所述阴极与所述发光层之间,所述电子注入层或所述阳极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层;或者
空穴注入层,所述空穴注入层设置于所述阳极与所述发光层之间,所述空穴注入层或所述阴极的靠近所述发光层的一侧设有粘附层。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述粘附层中包括聚多巴胺和聚去甲基肾上腺素中的至少一种;和/或
所述粘附层的厚度为1-8nm。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述像素区域包括第一像素区域和第二像素区域,所述发光层包括:
第一发光单元,所述第一发光单元设置在所述第一像素区域的粘附层上,所述第一发光单元中包括第一量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第一发光单元中的配位基团连接;
第二发光单元,所述第二发光单元设置在所述第二像素区域的粘附层上,所述第二发光单元中包括第二量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第二发光单元中的配位基团连接;
所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述像素区域包括第三像素区域,所述发光层包括:
第三发光单元,所述第三发光单元设置在所述第三像素区域的粘附层上,所述第三发光单元中包括第三量子点与所述配体,所述第三量子点与所述第三发光单元中的配位基团连接;
所述第三量子点的发光波长和所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述配位基团包括:
羟基、巯基、羧基、氨基、硫醚、膦和氧膦中的至少一种。
7.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:
在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层;
在所述发光层上形成第二电极;
其中,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极;或者,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极;
所述发光层包括量子点与配体,所述配体中具有配位基团与含氟基团,所述量子点与所述配位基团连接。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成电子传输层;
在所述电子传输层的像素区域形成粘附层;或者
所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成空穴传输层;
在所述空穴传输层的像素区域形成粘附层。
9.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述第一电极为阴极,所述第二电极为阳极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成电子注入层;
在所述电子注入层的像素区域形成粘附层;或者
所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括;
在第一电极的一侧形成空穴注入层;
在所述空穴注入层的像素区域形成粘附层。
10.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述粘附层中包括聚多巴胺和聚去甲基肾上腺素中的至少一种。
11.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述像素区域包括第一像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤包括:
在第一电极的一侧的第一像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层的步骤包括:
在第一像素区域的粘附层上形成第一发光单元;
其中,所述第一发光单元中包括第一量子点与所述配体,所述第一量子点与所述第一发光单元中的配位基团连接。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述像素区域包括第二像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤包括:
在第一电极的一侧的第二像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层的步骤包括:
在第二像素区域的粘附层上形成第二发光单元;
其中,所述第二发光单元中包括第二量子点与所述配体,所述第二量子点与所述第二发光单元中的配位基团连接;
所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述像素区域包括第三像素区域,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤包括:
在第一电极的一侧的第三像素区域形成粘附层;
在所述粘附层上形成发光层的步骤包括:
在第三像素区域的粘附层上形成第三发光单元;
其中,所述第三发光单元中包括第三量子点与所述配体,所述第三量子点与所述第三发光单元中的配位基团连接;
所述第三量子点的发光波长和所述第一量子点与所述第二量子点的发光波长不同。
14.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层的步骤,包括:
在第一电极的一侧形成牺牲层;
去除第一电极的一侧的像素区域的牺牲层;
在第一电极的一侧的像素区域形成粘附层。
15.根据权利要求14所述的制备方法,其特征在于,在所述粘附层上形成发光层之后,还包括:
去除剩余的牺牲层。
16.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1-6中任一项所述的发光器件。
17.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求16中所述的显示面板。
CN202110480617.8A 2021-04-30 2021-04-30 发光器件及制备方法、显示面板和显示装置 Active CN113206209B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110480617.8A CN113206209B (zh) 2021-04-30 2021-04-30 发光器件及制备方法、显示面板和显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110480617.8A CN113206209B (zh) 2021-04-30 2021-04-30 发光器件及制备方法、显示面板和显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113206209A true CN113206209A (zh) 2021-08-03
CN113206209B CN113206209B (zh) 2023-08-01

Family

ID=77028101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110480617.8A Active CN113206209B (zh) 2021-04-30 2021-04-30 发光器件及制备方法、显示面板和显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113206209B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114361354A (zh) * 2022-01-04 2022-04-15 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120119201A1 (en) * 2009-07-31 2012-05-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Device material for hole injection transport layer, ink for forming hole injection transport layer, device comprising hole injection transport layer, and method for producing the device
CN110590549A (zh) * 2019-09-30 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 配体、量子点及量子点层的图案化方法
WO2020238390A1 (zh) * 2019-05-31 2020-12-03 京东方科技集团股份有限公司 量子点电致发光器件及制作方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120119201A1 (en) * 2009-07-31 2012-05-17 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Device material for hole injection transport layer, ink for forming hole injection transport layer, device comprising hole injection transport layer, and method for producing the device
WO2020238390A1 (zh) * 2019-05-31 2020-12-03 京东方科技集团股份有限公司 量子点电致发光器件及制作方法、显示装置
CN110590549A (zh) * 2019-09-30 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 配体、量子点及量子点层的图案化方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114361354A (zh) * 2022-01-04 2022-04-15 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法和显示装置
CN114361354B (zh) * 2022-01-04 2024-04-16 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN113206209B (zh) 2023-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111607234B (zh) 一种量子点组合物及其制备方法、量子点图案化方法以及图案化量子点固态膜
US11056650B2 (en) Film of quantum dot, method for patterning the same and quantum dot light emitting device using the same
TW533748B (en) Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof
CN1992157B (zh) 显示装置的制造装置及显示装置的制造方法
CN108767129B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板
CN113088279B (zh) 量子点材料、发光二极管基板及制作方法、显示装置
CN106373980A (zh) 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法
JP5940808B2 (ja) 有機el素子、有機el素子の製造方法、および有機el表示装置
CN101904220A (zh) 有机电致发光元件及其制造方法
CN105393642A (zh) 有机发光元件的制造方法以及显示装置的制造方法
WO2022134308A1 (zh) 一种量子点显示装置及其制备方法与应用
CN105206761A (zh) 一种发光二极管及其制备方法
JP2000036391A (ja) 有機電界発光素子およびその製造方法
CN103370776B (zh) 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件、以及有机el显示装置
US20240065019A1 (en) Quantum Dot Light-Emitting Device, Manufacturing Method and Display Device
CN108565352A (zh) 有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置
CN113206209A (zh) 发光器件及制备方法、显示面板和显示装置
Chen et al. Color Revolution: Prospects and Challenges of Quantum‐Dot Light‐Emitting Diode Display Technologies
CN112687820A (zh) Qled器件、qled器件的制备方法及显示装置
JP3941180B2 (ja) El表示素子の製造方法
CN109378409A (zh) 一种电致发光器件及其制造方法
WO2022126444A1 (zh) 图案化量子点膜层、量子点发光器件和制作方法
WO2023013013A1 (ja) 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法
WO2023087276A1 (zh) 量子点膜和量子点膜图案化的方法以及它们的应用
WO2023159993A1 (zh) 量子点材料及制备方法、发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant