CN113206184B - 一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器 - Google Patents
一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113206184B CN113206184B CN202110486250.0A CN202110486250A CN113206184B CN 113206184 B CN113206184 B CN 113206184B CN 202110486250 A CN202110486250 A CN 202110486250A CN 113206184 B CN113206184 B CN 113206184B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead selenide
- film
- lead
- thin film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 71
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- -1 lanthanum aluminate Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明提供了一种基于c轴倾斜的硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，所述光探测器包括斜切基片、横向热电元件和金属电极；所述横向热电元件是采用脉冲激光沉积技术在所述斜切基片上生长的c轴倾斜的硒化铅薄膜。本发明中采用脉冲激光沉积技术制备的硒化铅薄膜热电元件质量高，工艺简单、成本低廉，对紫外光具有灵敏度高和响应时间短的优点，适用于设计探测灵敏度高、稳定性好、性能优异的硒化铅薄膜自驱动紫外光探测器，应用前景广阔。
Description
技术领域
本发明涉及一种紫外光探测器，具体地说是涉及一种硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器。
背景技术
采用脉冲激光沉积技术在斜切单晶基片上制备晶向倾斜的薄膜样品，并沿倾斜晶向的投影方向在薄膜表面两端沉积两个金属电极。当用激光或热源辐照该薄膜样品表面时，会立即在薄膜上下表面建立起一个温差。由于薄膜塞贝克系数的各向异性，会导致薄膜表面两电极间输出一个与温差垂直的开路电压信号，该现象即为光诱导横向热电效应。该电压信号可由激光或者热源的辐照功率、薄膜倾斜角度及薄膜上下温差来进行有效地调控。基于光诱导横向光热电效应而设计制作的光、热探测器无须外加驱动、无噪声、无污染且性能优异：如灵敏度高、响应时间短、探测波段宽、可用于极端温度（高温或低温）环境等。因此，在光、热探测领域具有广阔的应用前景。
目前此类探测器的探测元件成分复杂且成本颇高，不利于商业推广。硒化铅是一种在中温区具有广泛应用前景的热电材料，具有价格低廉且元素储量丰富的优势，本发明拟开发一种低成本、基于光诱导横向光热电效应的硒化铅薄膜自驱动紫外光探测器，对紫外光探测具有重要的意义和商用价值。
发明内容
本发明的目的是提供一种硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，以提供一种基于薄膜横向热电效应设计的工艺简单、成本低廉、灵敏度高、响应快的自驱动紫光探测器。
本发明技术方案为：一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，所述光探测器包括斜切基片、横向热电元件和金属电极；所述横向热电元件是采用脉冲激光沉积技术在所述斜切基片上倾斜生长的硒化铅薄膜。
所述硒化铅薄膜的厚度为30～350 nm。
所述硒化铅薄膜
c轴倾斜方向与硒化铅薄膜表面法线方向夹角α为：0°<α<15°，且该角度与所述斜切基片的斜切角度相同。
所述斜切基片为斜切
c轴取向的单晶基片，单晶基片的斜切角度θ为：0°<θ<15°，所述单晶基片为铝酸镧、钛酸锶、铝酸锶钽镧、氧化镁或蓝宝石基片。
所述金属电极与用于输出电压信号的引线相连，所述引线连接信号采集和处理装置。
上述的基于硒化铅薄膜的紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：
（a）将预先制备好的硒化铅靶材安放在脉冲激光沉积设备的沉积室中，备用；
（b）将清洗干净的
c轴斜切单晶基片放置于脉冲激光沉积设备的沉积室中，备用；
（c）用激光轰击硒化铅靶材，在
c轴斜切单晶基片上生长一层厚度为30～350 nm的硒化铅薄膜材料；所制备的硒化铅薄膜
c轴倾斜方向与硒化铅薄膜表面法线方向的夹角与所述
c轴斜切单晶基片的斜切角度相同；
（d）采用蒸镀法、磁控溅射法或人工压铟法在硒化铅薄膜表面制作金属电极，并与引线接通用于传输电压信号。
步骤（c）中，激光能量密度为1.2~1.8 J/cm2，激光频率为3~7 Hz，靶材与基片之间的距离为4.0~5.0 cm，薄膜的沉积温度为280~320℃，氩气环境下分压为0.08~0.12 Pa。
步骤（d）中，在所述硒化铅薄膜表面制备两个对称的金属电极，所述金属电极为金、银、铂或铟电极，金属电极的直径为0.8~1.2 mm，两个金属电极的间距为7~9 mm。
步骤（d）中，所述引线为Au、Ag或Cu漆包线，所述引线的直径d为：0 mm<d<0.2 mm。
本发明利用
c轴倾斜生长的硒化铅薄膜横向光热电效应设计的自驱动紫外光探测器，工艺简单、成本低廉、具有探测灵敏度高和响应时间短等优异性能，适宜大规模工业化生产，具有广阔的市场应用前景。
附图说明
图1是硒化铅薄膜自驱动光探测系统的原理图。
图2是本发明硒化铅薄膜自驱动光探测器的结构示意图。图中，1、硒化铅薄膜，2、基片，3、激光器，4、光阑，5、反光镜，6、凸透镜，7、金属电极，8、引线，9、电压表。
图3是实施例1所制备硒化铅薄膜材料的X射线衍射图。
图4是激光能量密度为1 mJ/mm2时，实施例1中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
图5是激光能量密度为2 mJ/mm2时，实施例1中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
图6是激光能量密度为2.5 mJ/mm2时，实施例1中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
图7是薄膜厚度为75 nm时，实施例2中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
图8是薄膜厚度为150 nm时，实施例2中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
图9是薄膜厚度为300 nm时，实施例2中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
图10是基片倾斜角度为3°时，实施例3中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
图11是基片倾斜角度为5°时，实施例3中硒化铅薄膜自驱动光探测器的输出电压-时间响应曲线。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的详细阐述，下述实施例仅作为说明，并不以任何方式限制本发明。
实施例中所用试剂均可市购或者通过本领域普通技术人员熟知的方法制备。本发明选用不同波长的激光辐照横向热电元件的表面，采用示波器或源表记录电压信号。下述实施例均实现了本发明的目的。
实施例1
本发明基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器包括斜切基片、横向热电元件、金属电极、输出电压信号的引线、光源、光学变换装置及信号采集和处理装置。横向热电元件是采用脉冲激光沉积技术在斜切基片上倾斜生长的硒化铅薄膜。该硒化铅薄膜自驱动光探测系统原理框图和结构示意图分别如图1和图2所示。
光探测器的制备及测量包括以下步骤：
1、横向热电元件的制备：将市购的高质量硒化铅靶材安放在脉冲激光沉积设备的沉积室中，备用。
将斜切角度为10°的钛酸锶（SrTiO3）基片清洗干净后安放在脉冲激光沉积设备的沉积室中，设定基片沉积温度为300 ℃，激光能量密度为1.2 J/cm2，激光频率为5 Hz，靶材与基片之间的距离为4.5 cm，薄膜的沉积温度为300 ℃，氩气环境下分压为0.1 Pa，沉积时间为7.5 min，并以2℃/min的速率冷却至室温，即可得到
c轴倾斜角度为10°、厚度为225 nm的硒化铅薄膜。对该硒化铅薄膜热电元件进行物相表征，取补偿角等同于基片倾角角度，测得其X射线衍射谱峰如图3所示。
2、采用人工压铟的方法，在所得倾斜角度为10°、厚度为225 nm的硒化铅薄膜表面左右两侧对称地制备两个铟电极，电极直径为1 mm，电极间距为8 mm。用铟球将直径为0.1mm的两根铜线分别压在两个铟电极上作为信号传输引线。
3、采用波长为308 nm的紫外脉冲激光照射该探测器表面中间位置，当激光能量密度为1 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图4所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为2.88 V和1.44 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别为70 ns和87 ns；当激光能量密度为2 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图5所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为7.06 V和1.76 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别为68 ns和78 ns；当激光能量密度为2.5 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图6所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为9.32 V和1.86 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别67 ns和72 ns。分析上述测试数据可知，探测器的电压灵敏度非常高、信号响应时间非常短且在纳秒量级；随着激光能量密度的增加，探测器的电压幅值、电压响应灵敏度逐渐增大，信号响应的上升时间和衰减时间逐渐变小。
实施例2
采用实施例1的制备方法，在斜切10°的钛酸锶基片上分别沉积厚度为75 nm、150nm 和300 nm的硒化铅薄膜，采用人工压铟的方法制作电极和输出电压信号引线。使用波长为308 nm的紫外脉冲激光照射厚度为75 nm硒化铅光探测器表面中间位置，当激光能量密度为2.5 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图7所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为2.48 V和0.5 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别为70 ns和79 ns；使用波长为308 nm的紫外脉冲激光照射厚度为150nm硒化铅光探测器表面中间位置，当激光能量密度为2.5 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图8所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为4.2 V和0.84 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别为67 ns和77 ns；使用波长为308 nm的紫外脉冲激光照射厚度为300 nm硒化铅光探测器表面中间位置，当激光能量密度为2.5 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图9所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为6 V和1.2 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别为68 ns和86 ns。结合实施例1中的测试数据分析可知，探测器的电压灵敏度非常高、信号响应时间非常短且在纳秒量级；随着硒化铅薄膜厚度的增加，探测器的电压幅值及电压响应灵敏度均呈现先增大后减小的变化趋势，信号响应的上升时间和衰减时间则呈现先减小后增加的变化趋势。
实施例3
采用实施例1的制备方法，在倾斜角度为3°和5°的钛酸锶基片上沉积厚度为225nm的硒化铅薄膜，采用人工压铟的方法制作电极和输出电压信号引线。使用波长为308 nm的紫外脉冲激光照射倾斜角度为3°硒化铅光探测器表面中间位置，当激光能量密度为2.5mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图10所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为3.4 V和0.68 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别为69 ns和77 ns；使用波长为308 nm的紫外脉冲激光照射倾斜角度为5°硒化铅光探测器表面中间位置，当激光能量密度为2.5 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，绘制电压-响应时间曲线，如图11所示，探测器电压峰值和响应灵敏度分别为5.9 V和1.18 V/mJ，信号响应的上升时间和衰减时间分别为68 ns和75 ns。分析上述测试数据可知，探测器的电压灵敏度非常高、信号响应时间非常短且在纳秒量级；随着硒化铅薄膜倾斜角度的增加，探测器的电压幅值、电压响应灵敏度逐渐增大，信号响应的上升时间和衰减时间逐渐变小。
对比例1
采用实施例1的制备方法，在倾斜角度为0°的钛酸锶基片（非斜切）上沉积厚度为225 nm的硒化铅薄膜，采用人工压铟的方法制作电极和输出电压信号引线。使用波长为308nm的紫外脉冲激光照射倾斜角度为0°硒化铅光探测器表面中间位置，当激光能量密度为2.5 mJ/mm2时，用示波器或电压表记录探测的电压信号，信号为零；改变激光能量密度仍然观测不到明显的电压信号。
Claims (9)
1.一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述光探测器包括斜切基片、横向热电元件和金属电极；所述横向热电元件是采用脉冲激光沉积技术在所述斜切基片上生长的c轴倾斜的硒化铅薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述硒化铅薄膜的厚度为30～350 nm。
3.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述硒化铅薄膜c轴倾斜方向与硒化铅薄膜表面法线方向夹角α为：0°<α<15°，且该角度与所述斜切基片的斜切角度相同。
4.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述斜切基片为斜切c轴取向的单晶基片，单晶基片的斜切角度θ为：0°<θ<15°，所述单晶基片为铝酸镧、钛酸锶、铝酸锶钽镧、氧化镁或蓝宝石基片。
5.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述金属电极与用于输出电压信号的引线相连，所述引线连接信号采集和处理装置。
6.一种权利要求1~5任一所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（a）将预先制备好的硒化铅靶材安放在脉冲激光沉积设备的沉积室中，备用；
（b）将清洗干净的c轴斜切单晶基片放置于脉冲激光沉积设备的沉积室中，备用；
（c）用激光轰击硒化铅靶材，在c轴斜切单晶基片上生长一层厚度为30～350 nm的硒化铅薄膜材料；所制备的硒化铅薄膜c轴倾斜方向与硒化铅薄膜表面法线方向的夹角与所述c轴斜切单晶基片的斜切角度相同；
（d）采用蒸镀法、磁控溅射法或人工压铟法在硒化铅薄膜表面制作金属电极，并与引线接通用于传输电压信号。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（c）中，激光能量密度为1.2~1.8J/cm2，激光频率为3~7 Hz，靶材与基片之间的距离为4.0~5.0 cm，薄膜的沉积温度为280~320℃，氩气环境下分压为0.08~0.12 Pa。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（d）中，在所述硒化铅薄膜表面制备两个对称的金属电极，所述金属电极为金、银、铂或铟电极，金属电极的直径为0.8~1.2mm，两个金属电极的间距为7~9 mm。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（d）中，所述引线为Au、Ag或Cu漆包线，所述引线的直径d为：0 mm<d<0.2 mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110486250.0A CN113206184B (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110486250.0A CN113206184B (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113206184A CN113206184A (zh) | 2021-08-03 |
| CN113206184B true CN113206184B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=77028530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110486250.0A Active CN113206184B (zh) | 2021-04-30 | 2021-04-30 | 一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113206184B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114361275B (zh) * | 2021-12-17 | 2024-09-13 | 南昌大学 | 基于带晶界的铅盐半导体薄膜的室温超快红外探测器及其探测方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104701336A (zh) * | 2015-02-27 | 2015-06-10 | 河北大学 | 一种高灵敏横向热电光探测器 |
| CN104900670A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-09-09 | 河北大学 | 一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器 |
| CN106784057A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 湖北大学 | 一种近红外光敏晶体管及其制备方法 |
| WO2018130436A1 (en) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | Koninklijke Philips N.V. | Integrated temperature sensor on lead selenide plate detector assembly |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9012848B2 (en) * | 2012-10-02 | 2015-04-21 | Coherent, Inc. | Laser power and energy sensor utilizing anisotropic thermoelectric material |
| WO2015047492A2 (en) * | 2013-06-20 | 2015-04-02 | The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma | Photovoltaic lead-salt detectors |
| US10283691B2 (en) * | 2013-02-14 | 2019-05-07 | Dillard University | Nano-composite thermo-electric energy converter and fabrication method thereof |
| WO2016025512A1 (en) * | 2014-08-13 | 2016-02-18 | Northwestern University | Tin selenide single crystals for thermoelectric applications |
| CN107634138B (zh) * | 2017-09-08 | 2019-12-13 | 河北大学 | 一种基于硒化锡薄膜横向热电效应的光、热探测器 |
| US11201254B2 (en) * | 2019-04-22 | 2021-12-14 | Hubei University | (GaMe)2O3 ternary alloy material, its preparation method and application in solar-blind ultraviolet photodetector |
| CN111081806A (zh) * | 2020-01-13 | 2020-04-28 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器及其制备方法 |
| CN111403585B (zh) * | 2020-03-03 | 2023-09-12 | 河北大学 | 一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法 |
| CN111463298B (zh) * | 2020-03-09 | 2021-12-10 | 中山大学 | 一种半导体纳米结构光电探测器件及其制备方法 |
| CN112607714B (zh) * | 2021-01-07 | 2023-07-25 | 安徽大学绿色产业创新研究院 | 一种PbSe基热电材料的制备方法 |
-
2021
- 2021-04-30 CN CN202110486250.0A patent/CN113206184B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104701336A (zh) * | 2015-02-27 | 2015-06-10 | 河北大学 | 一种高灵敏横向热电光探测器 |
| CN104900670A (zh) * | 2015-05-21 | 2015-09-09 | 河北大学 | 一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器 |
| CN106784057A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 湖北大学 | 一种近红外光敏晶体管及其制备方法 |
| WO2018130436A1 (en) * | 2017-01-11 | 2018-07-19 | Koninklijke Philips N.V. | Integrated temperature sensor on lead selenide plate detector assembly |
| CN110178007A (zh) * | 2017-01-11 | 2019-08-27 | 皇家飞利浦有限公司 | 硒化铅平板探测器组件上的集成的温度传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113206184A (zh) | 2021-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5633033A (en) | Method for manufacturing chalcopyrite film | |
| CN113206184B (zh) | 一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器 | |
| Hopkins et al. | Raman microprobe determination of local crystal orientation | |
| Deschanvres et al. | Characterization of piezoelectric properties of zinc oxide thin films deposited on silicon for sensors applications | |
| CN104701336B (zh) | 一种高灵敏横向热电光探测器 | |
| CN100539210C (zh) | 一种具有全波长的光探测器及其制备方法 | |
| CN107634138B (zh) | 一种基于硒化锡薄膜横向热电效应的光、热探测器 | |
| CN101826594A (zh) | 一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器 | |
| CN106400115B (zh) | 具有高灵敏横向光感生电压响应的薄膜材料及其制备方法 | |
| CN104900670A (zh) | 一种基于铋铜硒氧热电薄膜横向热电效应的光探测器 | |
| CN111403585B (zh) | 一种基于铋硒碲薄膜材料的光、热探测器及其制备方法 | |
| CN103730523A (zh) | 一种石墨烯基碲镉汞复合薄膜材料及其制备方法 | |
| CN103904160A (zh) | 一种基于CdZnTe薄膜的X射线探测器的制备方法 | |
| JP2003338607A (ja) | 可逆的抵抗変化特性を有するｌｃｐｍｏ薄膜の作成 | |
| CN110467230B (zh) | 相变温度可调的RuxV1-xO2合金半导体薄膜材料、制备方法及其在智能窗中的应用 | |
| CN100424819C (zh) | 脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长的方法 | |
| CN116973308A (zh) | 一种实时监测钙钛矿单晶或多晶膜生长过程的方法 | |
| CN111403587B (zh) | 一种基于钌酸锶薄膜的光、热探测器及其制备方法 | |
| CN116519142A (zh) | 一种用三维拓扑绝缘体薄膜进行偏振探测的方法 | |
| Tiwari et al. | Epitaxial YBa2Cu3O7− δ thin films on SrRuO3/Pt/MgO | |
| US5047645A (en) | Thin film infrared laser detector and monitor | |
| CN113388824A (zh) | 一种气溶胶辅助化学气相沉积的氧化镓薄膜的生长方法及氧化镓薄膜 | |
| CN114059032A (zh) | 一种二氧化钒薄膜的制备方法 | |
| RU2758150C1 (ru) | Способ изготовления поляризационно-чувствительной нанокомпозитной плёнки на основе селенида меди | |
| Fantini et al. | Electrodeposition of CdSe films on SnO2: F coated glass |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230530 Address after: Room 46, 22nd Floor, Building 3, Future Stone, Qiyi East Road, Lianchi District, Baoding City, Hebei Province, 071030 Patentee after: Baoding Boyu Technology Co.,Ltd. Address before: 071002 No. 54 East 180 Road, Hebei, Baoding Patentee before: HEBEI University |
|
| TR01 | Transfer of patent right |