CN113195458A - 联萘化合物及包含其的有机发光器件 - Google Patents

联萘化合物及包含其的有机发光器件 Download PDF

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梁正勋
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李在九
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Abstract

本说明书涉及由化学式1表示的联萘化合物及包含其的有机发光器件。

Description

联萘化合物及包含其的有机发光器件
技术领域
本说明书涉及联萘化合物及包含其的有机发光器件。
本申请主张于2019年03月05日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2019-0025236号的优先权，其全部内容包含在本说明书中。
背景技术
通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入有机物层，电子从阴极注入有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
持续要求开发用于如上所述的有机发光器件的新的材料。
发明内容
技术课题
本说明书提供联萘化合物及包含其的有机发光器件。
课题的解决方法
本说明书提供由下述化学式1表示的联萘化合物。
[化学式1]
Figure BDA0003109896600000021
在上述化学式1中，
A1至A6彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，或者由下述化学式2表示，
A1、A3、A4和A5中的2个以上由下述化学式2表示，
R1至R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
[化学式2]
Figure BDA0003109896600000022
在上述化学式2中，
Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
L1为直接键合、取代或未取代的亚芳基、或者取代或未取代的亚杂芳基，
X1至X3彼此相同或不同，各自独立地为CH或N，
X1至X3中的至少一个为N。
另外，本说明书的提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的联萘化合物。
发明效果
根据本说明书的一实施方式的化合物用于有机发光器件，从而可以降低有机发光器件的驱动电压，可以提高光效率。此外，可以利用化合物的热稳定性来提高器件的寿命特性。
附图说明
图1至图3图示了根据本说明书的一实施方式的有机发光器件的例子。
[符号说明]
101：基板
102：阳极
103：空穴注入层
104：空穴传输层
105：电子阻挡层
106：发光层
107：空穴阻挡层
108：电子传输层
109：电子注入层
110：阴极
111：电子注入和传输层
具体实施方式
下面，对本说明书更详细地进行说明。
由上述化学式1表示的化合物是在联萘上连接有含氮六元取代基的化合物，在用作有机发光器件的空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层时，具有长寿命和高效率的特性。
在本说明书中，取代基的例示在下文中进行说明，但并不限定于此。
在本说明书中，
Figure BDA0003109896600000031
表示连接的部位。
上述“取代”这一用语的意思是结合于化合物的碳原子上的氢原子被替换成其它取代基，被取代的位置只要是氢原子可以被取代的位置、即取代基可以取代的位置就没有限定，当取代2个以上时，2个以上的取代基可以彼此相同或不同。
在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘；卤素基团；腈基；烷基；甲硅烷基；芳基；以及包含N、O和S原子中的1个以上的杂芳基中的1个或2个以上的取代基取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代，或者不具有任何取代基。
在本说明书中，2个以上的取代基连接是指任一个取代基的氢与其它取代基连接。例如，异丙基和苯基连接而可以成为
Figure BDA0003109896600000041
这样的取代基。
在本说明书中，3个取代基连接不仅包括(取代基1)-(取代基2)-(取代基3)连续地连接，还包括在(取代基1)上连接有(取代基2)和(取代基3)。例如，2个苯基和异丙基连接而可以成为
Figure BDA0003109896600000042
这样的取代基。4个以上的取代基连接的情况也适用上述相同的说明。
在本说明书中，作为卤素基团的例子，有氟、氯、溴或碘。
在本说明书中，上述烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至30、1至20、1至10、或者1至5。作为具体例，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、异己基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。
在本说明书中，甲硅烷基是包含Si且上述Si原子作为自由基直接连接的取代基，由-SiR201R202R203表示，R201至R203彼此相同或不同，可以各自独立地为由氢、氘、卤素基团、烷基、烯基、烷氧基、环烷基、芳基、以及杂环基中的至少一个构成的取代基。作为甲硅烷基的具体例，有三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、甲基二苯基甲硅烷基、叔丁基二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但并不限定于此。
在本说明书中，芳基是指1价的芳香族烃或芳香族烃衍生物的1价基团。在本说明书中，芳香族烃是指π电子完全共轭且包含平面的环的化合物，从芳香族烃衍生的基团是指芳香族烃中稠合有芳香族烃或环状脂肪族烃的结构。此外，在本说明书中，芳基包括2个以上的芳香族烃或芳香族烃的衍生物彼此连接而成的1价的基团。芳基没有特别限定，但优选为碳原子数6至50、6至30、6至25、6至20、6至18、或6至13的芳基，上述芳基可以为单环或多环。具体而言，作为单环芳基，可以为苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。具体而言，作为多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、三苯基、芘基、苝基、
Figure BDA0003109896600000051
基、芴基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述芴基可以被取代，相邻的取代基可以彼此结合而形成环。
在本说明书中，在指出芴基可以被取代时，被取代的芴基将芴的五元环的取代基彼此螺环结合而形成芳香族烃环的化合物全部包括在内。上述被取代的芴基包括9,9’-螺二芴、螺[环戊烷-1,9’-芴]、螺[苯并[c]芴-7,9-芴]等，但并不限定于此。
在本说明书中，杂环基包含1个以上的非碳原子，即杂原子，具体而言，上述杂原子可以包含1个以上的选自O、N和S等中的原子。碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至50、2至30、2至20、2至18、或者2至13。作为杂环基的例子，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、
Figure BDA0003109896600000052
唑基、
Figure BDA0003109896600000053
二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并
Figure BDA0003109896600000054
唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、噻唑基、异
Figure BDA0003109896600000055
唑基、
Figure BDA0003109896600000056
二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基、二氢吩噻嗪基、二氢苯并异喹啉基和色烯基等，但并不仅限于此。
在本说明书中，杂环基可以为单环或多环，可以为芳香族、脂肪族、或者芳香族和脂肪族的稠环，可以选自上述杂环基的例示。
在本说明书中，杂芳基是指1价的芳香族杂环。在这里，芳香族杂环是指作为芳香族环或芳香族环的衍生物的1价的基团，在环中包含N、O和S中的1个以上作为杂原子的基团。上述芳香族环的衍生物是指将在芳香族环中稠合有芳香族环或脂肪族环的结构全部包括在内。此外，在本说明书中，杂芳基包括2个以上的含有杂原子的芳香族环或含有杂原子的芳香族环的衍生物彼此连接而成的1价的基团。上述杂芳基的碳原子数优选为2至50、2至30、2至20、2至18、或2至13。
在本说明书中，亚芳基是指芳基中有两个结合位置的基团，即2价基团。它们除了各自为2价基团以外，可以适用上述芳基的说明。
在本说明书中，亚杂芳基是指杂芳基中有两个结合位置的基团，即2价基团。它们除了各自为2价基团以外，可以适用上述的杂芳基的说明。
在本说明书中，“相邻的”基团可以是指在与该取代基取代的原子直接连接的原子上取代的取代基、与该取代基在立体结构上最接近的取代基、或者在该取代基取代的原子上取代的其它取代基。例如，在苯环中以邻(ortho)位被取代的2个取代基和脂肪族环中同一碳上取代的2个取代基可以解释为彼此“相邻的”基团。
在本说明书中，在相邻的基团彼此结合而形成的取代或未取代的环中，“环”是指取代或未取代的烃环、或者取代或未取代的杂环。
在本说明书中，烃环可以为芳香族、脂肪族、或芳香族与脂肪族的稠环，除了不是上述1价以外，可以选自上述环烷基或芳基的例示。
在本说明书中，芳香族环可以为单环或多环，除了不是1价以外，可以选自上述芳基的例示。
下面，关于由上述化学式1表示的联萘化合物而进行详细地说明。
Figure BDA0003109896600000071
在联萘的碳上如上述那样标记编号，上述化学式1在联萘的3号、7号、3'号和7'号碳中的2个以上的碳上连接有含氮六元取代基。上述含氮六元取代基包括三嗪基、嘧啶基、吡啶基，上述含氮六元取代基可以被芳基或杂芳基取代。
上述化学式1的化合物与在联萘的2号、4号、5号、6号、8号、2'号、4'号、5'号、6'号或/和8'号上连接有含氮六元取代基的情况相比，器件性能优异。
根据本说明书的一实施方式，在联萘的3号和3'号碳上连接有含氮六元取代基。根据另一实施方式，在联萘的7号和7'号碳上连接有含氮六元取代基。
在本说明书的一实施方式中，A1至A6彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，或者由上述化学式2表示，A1、A3、A4和A5中的2个以上由上述化学式2表示。
在本说明书的一实施方式中，A1和A6彼此相同或不同，各自独立地由上述化学式2表示。
在本说明书的一实施方式中，A3和A4彼此相同或不同，各自独立地由上述化学式2表示。
在本说明书的一实施方式中，A1至A6彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的碳原子数1至10的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至20的杂芳基，或者由上述化学式2表示，A1、A3、A4和A5中的2个以上由上述化学式2表示。
在本说明书的一实施方式中，A1、A3、A4和A5中的两个由上述化学式2表示，其余为氢。
在本说明书的一实施方式中，A2和A5彼此相同或不同，各自独立地为氢或氘。
在本说明书的一实施方式中，A2和A5为氢。
在本说明书的一实施方式中，R1至R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，R1至R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、取代或未取代的碳原子数1至10的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的碳原子数6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至30的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，R1至R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、或者被氘取代或未取代的碳原子数1至6的烷基。
在本说明书的一实施方式中，R1至R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、或者碳原子数1至6的烷基。
在本说明书的一实施方式中，A1、A3、A4和A5中的两个由上述化学式2表示，其余4个和R1至R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、或者被氘取代或未取代的碳原子数1至6的烷基。
在本说明书的一实施方式中，A1、A3、A4和A5中的两个由上述化学式2表示，其余4个和R1至R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、或者碳原子数1至6的烷基。
在本说明书的一实施方式中，R1和R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的碳原子数1至6的烷基。
在本说明书的一实施方式中，R1和R8彼此相同或不同，各自独立地为氢、氘或甲基。
在本说明书的一实施方式中，R1和R8相同。
在本说明书的一实施方式中，R2至R7各自为氢。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至30的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至20的芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至20的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的单环至3环的芳基、或者取代或未取代的单环至3环的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的单环或2环的芳基、或者取代或未取代的单环或2环的杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的萉基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的
Figure BDA0003109896600000091
基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的萘并苯并呋喃基、取代或未取代的萘并苯并噻吩基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、或者取代或未取代的三嗪基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的碳原子数6至30的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为碳原子数6至20的芳基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中，Ar1和Ar2为苯基、联苯基或萘基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、取代或未取代的亚芳基、或者取代或未取代的亚杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、取代或未取代的碳原子数6至30的亚芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至30的亚杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、取代或未取代的碳原子数6至20的亚芳基、或者取代或未取代的碳原子数2至20的亚杂芳基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的2价的吡啶基、取代或未取代的2价的嘧啶基、取代或未取代的2价的咔唑基、取代或未取代的2价的二苯并呋喃基、或者取代或未取代的2价的二苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、或者取代或未取代的碳原子数6至30的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、或者碳原子数6至20的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、取代或未取代的亚苯基、或者取代或未取代的亚联苯基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合、亚苯基或亚联苯基。
在本说明书的一实施方式中，L1为直接键合。
在本说明书的一实施方式中，L1为选自下述结构中的任一个。
Figure BDA0003109896600000111
上述结构被选自氘、卤素基团、腈基、烷基、甲硅烷基、芳基、以及杂芳基中的1个或2个以上的取代基取代，或者不具有任何取代基。
在本说明书的一实施方式中，X1至X3彼此相同或不同，各自独立地为CH或N，X1至X3中的至少一个为N。
在本说明书的一实施方式中，X1为N，X2和X3为CH。
在本说明书的一实施方式中，X2为N，X1和X3为CH。
在本说明书的一实施方式中，X3为N，X1和X2为CH。
在本说明书的一实施方式中，X1和X2为N，X3为CH。
在本说明书的一实施方式中，X1和X3为N，X2为CH。
在本说明书的一实施方式中，X2和X3为N，X1为CH。
在本说明书的一实施方式中，X1至X3为N。
在本说明书的一实施方式中，上述化学式1由下述化学式101或103中的任一个表示。
[化学式101]
Figure BDA0003109896600000121
[化学式103]
Figure BDA0003109896600000122
在上述化学式101和103中，
A1至A6、R1至R8、L1、X1至X3、Ar1和Ar2的定义与化学式1中的定义相同，
Ar3和Ar4彼此相同或不同，各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
L2为直接键合、取代或未取代的亚芳基、或者取代或未取代的亚杂芳基，
X4至X6彼此相同或不同，各自独立地为CH或N，
X4至X6中的至少一个为N。
在本说明书的一实施方式中，L2可以适用上述的关于L1的说明，
在本说明书的一实施方式中，Ar3和Ar4可以适用上述的关于Ar1和Ar2的说明。
在本说明书的一实施方式中，X4至X6可以适用上述的关于X1至X3的说明。
在本说明书的一实施方式中，上述化学式101和103的
Figure BDA0003109896600000131
彼此相同或不同。
在本说明书的一实施方式中，上述化学式101和103的
Figure BDA0003109896600000132
相同。
在本说明书的一实施方式中，由上述化学式1表示的化合物为选自下述化合物中的任一个。
Figure BDA0003109896600000141
Figure BDA0003109896600000151
Figure BDA0003109896600000161
Figure BDA0003109896600000171
Figure BDA0003109896600000181
Figure BDA0003109896600000191
根据本说明书的一实施方式的化合物可以通过后述的制造方法进行制造。根据需要，可以增加或排除取代基，并且可以变更取代基的位置。此外，可以以该技术领域中已知的技术为基础，变更起始物质、反应物质、反应条件等。
例如，由上述化学式1表示的化合物可以如下述通式1那样制造核结构。取代基可以通过该技术领域中已知的方法来结合，取代基的种类、位置或个数可以根据该技术领域中已知的技术而变更。可以如下述通式1那样结合取代基，但并不限定于此。
[通式1]
Figure BDA0003109896600000201
在上述通式1中，R1、R8、L1、X1至X3、Ar1和Ar2的定义与上述化学式1中的定义相同。虽然上述通式1中没有标记A1至A6和R2至R7，但是使用取代有A1至A6和R2至R7的反应物，或者使用公知的方法将A1至A6和R2至R7取代至上述制造的化合物中，从而可以得到期望的化合物。
本说明书提供包含上面提到的化合物的有机发光器件。
本说明书提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、与上述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物。
在本说明书中，当指出某一构件位于另一个构件“上”时，其不仅包括某一构件与另一构件接触的情况，还包括两构件之间存在其它构件的情况。
在本说明书中，当指出某一部分“包含/包括”某一构成要素时，只要没有特别相反的记载，则意味着可以进一步包含其它构成要素，而不是将其它构成要素排除。
在本说明书中，上述“层”是与本技术领域中主要使用的“膜”互换的意思，是指覆盖目标区域的涂层。上述“层”的大小没有限定，各个“层”其大小可以相同或不同。在一实施方式中，“层”的大小可以与整个器件相等，可以相当于特定功能性区域的大小，也可以小到单个子像素(sub-pixel)的程度。
在本说明书中，特定的A物质包含在B层中的意思是将i)1种以上的A物质包含在一层的B层中的情形、以及ii)B层由1层以上构成且A物质包含在多层的B层中的1层以上中的情形全部包括在内。
在本说明书中，特定的A物质包含在C层或D层中的意思包括i)包含在1层以上的C层中的1层以上中、或者ii)包含在1层以上的D层中的1层以上中、或者iii)分别包含在1层以上的C层和1层以上的D层中。
根据本说明书的有机发光器件除上述发光层以外可以包括额外的有机物层。
本说明书的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成，还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层等的结构。但是，有机发光器件的结构并不限定于此，可以包括更少数量的有机层。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的联萘化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括空穴注入层、空穴传输层或电子阻挡层，上述空穴注入层、空穴传输层或电子阻挡层包含由上述化学式1表示的联萘化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括电子注入层、空穴阻挡层或电子传输层，上述电子注入层、电子传输层或空穴阻挡层包含由上述化学式1表示的联萘化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括电子注入层，上述电子注入层包含由上述化学式1表示的联萘化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括电子传输层，上述电子传输层包含由上述化学式1表示的联萘化合物。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层包括空穴阻挡层，上述空穴阻挡层包含由上述化学式1表示的联萘化合物。
在本说明书的一实施方式中，包含由上述化学式1表示的联萘化合物的有机物层与发光层相接。具体而言，包含由上述化合物1表示的联萘化合物的有机物层为空穴阻挡层，空穴阻挡层与发光层相接而具备。
在本说明书的一实施方式中，上述有机物层还包括选自空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层和电子阻挡层中的1层或2层以上。
在本说明书的一实施方式中，上述有机发光器件包括：第一电极；与上述第一电极对置而具备的第二电极；具备在上述第一电极与上述第二电极之间的发光层；以及具备在上述发光层与上述第一电极之间、或者上述发光层与上述第二电极之间的2层以上的有机物层。
在本说明书的一实施方式中，上述2层以上的有机物层可以选择由发光层、空穴传输层、空穴注入层、同时进行空穴传输和空穴注入的层、以及电子阻挡层组成的组中的2者以上。
在本说明书的一实施方式中，上述第一电极为阳极，第二电极为阴极。
在本说明书的一实施方式中，上述第一电极为阴极，第二电极为阳极。
在本说明书的一实施方式中，上述有机发光器件可以为在基板上依次层叠有阳极、1层以上的有机物层和阴极的结构(正常型(normal type))的有机发光器件。
在本说明书的一实施方式中，上述有机发光器件可以为在基板上依次层叠有阳极、1层以上的有机物层和阴极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光器件。
例如，根据本说明书的一实施方式的有机发光器件的结构例示于图1至3。上述图1至图3例示了有机发光器件，并且不限定于此。
在图1中例示了在基板101上依次层叠有阳极102、发光层106和阴极110的有机发光器件的结构。由上述化学式1表示的化合物包含在发光层中。
在图2中例示了在基板101上依次层叠有阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、电子阻挡层105、发光层106、空穴阻挡层107、电子传输层108、电子注入层109和阴极110的有机发光器件的结构。根据本说明书的一实施方式，由上述化学式1表示的化合物包含在发光层中。根据另一实施方式，由上述化学式1表示的化合物包含在空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层中。
在图3中例示了在基板101上依次层叠有阳极102、空穴注入层103、空穴传输层104、电子阻挡层105、发光层106、电子传输层107、电子注入和传输层111、以及阴极110的有机发光器件的结构。根据本说明书的一实施方式，由上述化学式1表示的化合物包含在发光层中。根据另一实施方式，由上述化学式1表示的化合物包含在空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层中。
本说明书的有机发光器件除了发光层包含上述化合物以外，可以通过该技术领域中已知的材料和方法进行制造。
上述有机发光器件包括复数个有机物层时，上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。
例如，根据本说明书的有机发光器件可以通过在基板上依次层叠第一电极、有机物层和第二电极而制造。这时可以如下制造：利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beam evaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition：物理气相沉积)方法，在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极，然后在该阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层，之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外，也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层和阳极物质而制造有机发光器件。
另外，由上述化学式1表示的化合物在制造有机发光器件时不仅可以利用真空蒸镀法，还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里，所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但并不限定于此。
除了这些方法以外，还可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件。但是，制造方法并不限定于此。
作为上述阳极物质，通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入，优选为功函数大的物质。例如，有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合；聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等，但并不限定于此。
作为上述阴极物质，通常为了使电子容易地向有机物层注入，优选为功函数小的物质。例如，有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金；LiF/Al或LiO2/Al等多层结构物质等，但并不限定于此。
上述发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有二苯并呋喃衍生物、梯形呋喃化合物
Figure BDA0003109896600000241
Figure BDA0003109896600000242
嘧啶衍生物等，但并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中，上述发光层的主体材料为蒽衍生物。
作为上述掺杂剂材料，有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言，芳香族胺衍生物是具有取代或未取代的芳基胺基的芳香族稠环衍生物，有具有芳基胺基的芘、蒽、
Figure BDA0003109896600000243
二茚并芘等。此外，苯乙烯基胺化合物是在取代或未取代的芳基胺上取代有至少1个芳基乙烯基的化合物，被选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基胺基中的1个或2个以上的取代基取代或未取代。具体而言，有苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等，但并不限定于此。此外，作为金属配合物，有铱配合物、铂配合物等，但并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中，上述发光层的掺杂剂材料为具有芳基胺基的芘衍生物。
在本说明书的一实施方式中，上述发光层的掺杂剂材料为N1,N6-双(6-(叔丁基)二苯并[b,d]呋喃-4-基)-N1,N6-二-间-甲苯基芘-1,6-二胺(N1,N6-bis(6-(tert-butyl)dibenzo[b,d]furan-4-yl)-N1,N6-di-m-tolylpyrene-1,6-diamine)。
上述空穴注入层是接收来自电极的空穴的层。空穴注入物质优选为如下物质：具有传输空穴的能力，具有接收来自阳极的空穴的效果，以及具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果的物质。此外，优选为可以防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移的能力优异的物质。并且，优选为薄膜形成能力优异的物质。此外，优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道，highest occupied molecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例，有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物；六腈六氮杂苯并菲系有机物；喹吖啶酮(quinacridone)系有机物；苝(perylene)系有机物；蒽醌、聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等，但并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中，空穴注入层为混合有选自芳基胺系有机物、以及六腈六氮杂苯并菲系有机物中的2种以上的物质。
上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层。空穴传输物质是能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将其转移至发光层的物质，优选为对于空穴的迁移率大的物质。作为具体例，有芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但并不限定于此。
上述电子传输层是从电子注入层接收电子并将电子传输至发光层的层。电子传输物质是能够从阴极良好地接收电子并将其转移至发光层的物质，优选为对于电子的迁移率大的物质。作为具体例，有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等，但并不限定于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是，合适的阴极物质是具有低功函数，且伴有铝层或银层的通常的物质。具体而言，有铯、钡、钙、镱和钐等，在各情况下均伴有铝层或银层。
上述电子注入层是接收来自电极的电子的层。作为电子注入物质，优选为如下物质：传输电子的能力优异，具有接收来自第二电极的电子的效果，具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果的物质。此外，优选为防止发光层中生成的激子向空穴注入层迁移，而且薄膜形成能力优异的物质。具体而言，有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、
Figure BDA0003109896600000251
唑、
Figure BDA0003109896600000252
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物、以及含氮五元环衍生物等，但并不限定于此。
作为上述金属配位化合物，有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中，电子注入和传输层包含碱金属配位化合物。
上述电子阻挡层是防止从电子注入层注入的电子通过发光层进入空穴注入层，从而可以提高器件的寿命和效率的层。公知的材料能够无限制地使用，可以形成在发光层与空穴注入层之间、或者发光层与同时进行空穴注入和空穴传输的层之间。
上述空穴阻挡层是阻止空穴到达阴极的层，通常可以利用与电子注入层相同的条件形成。具体而言，有
Figure BDA0003109896600000261
二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、铝配合物(aluminumcomplex)等，但并不限定于此。
根据本说明书的一实施方式，上述空穴阻挡层包含由上述化学式1表示的化合物。
根据所使用的材料，根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
实施发明的方式
下面，为了对本说明书具体地进行说明，举出实施例和比较例等来详细地进行说明。但是，根据本说明书的实施例和比较例可以变形为各种不同的形态，不解释为本说明书的范围限定于下文中详述的实施例和比较例。本说明书的实施例和比较例是为了向本领域技术人员更完整地说明本说明书而提供的。
<中间体>
Figure BDA0003109896600000262
Figure BDA0003109896600000271
<制造例1>化合物1的化合物合成
Figure BDA0003109896600000272
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物A-1(7.65g，17.47mmol)、以及化合物a-1(6.47g，18.34mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.61g，0.52mmol)后，加热搅拌8小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用310mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物1(10.08g，64％)。
MS[M+H]+＝897
<制造例2>化合物2的化合物合成
Figure BDA0003109896600000273
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物A-2(6.28g，14.34mmol)、以及化合物a-2(5.31g，15.05mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.50g，0.43mmol)后，加热搅拌5小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用350mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物2(7.11g，57％)。
MS[M+H]+＝871
<制造例3>化合物3的化合物合成
Figure BDA0003109896600000281
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物A-3(6.74g，16.44mmol)、以及化合物a-1(6.09g，17.26mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.57g，0.49mmol)后，加热搅拌7小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用320mL的四氢呋喃重结晶，从而制造了化合物3(9.77g，68％)。
MS[M+H]+＝869
<制造例4>化合物7的化合物合成
Figure BDA0003109896600000282
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物C-1(7.12g，16.26mmol)、以及化合物a-1(6.03g，17.07mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.56g，0.49mmol)后，加热搅拌3小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用250mL的甲苯重结晶，从而制造了化合物7(10.08g，69％)。
MS[M+H]+＝897
<制造例5>化合物8的化合物合成
Figure BDA0003109896600000291
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物C-2(6.54g，15.87mmol)、以及化合物a-2(5.88g，16.67mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.55g，0.48mmol)后，加热搅拌3小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用270mL的甲苯重结晶，从而制造了化合物8(8.13g，85％)。
MS[M+H]+＝871
<制造例6>化合物9的化合物合成
Figure BDA0003109896600000301
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物C-3(6.05g，14.76mmol)、以及化合物a-3(5.45g，15.49mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.51g，0.44mmol)后，加热搅拌3小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用260mL的四氢呋喃重结晶，从而制造了化合物9(7.28g，57％)。
MS[M+H]+＝867
<制造例7>化合物10的化合物合成
Figure BDA0003109896600000302
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物D-1(5.26g，9.86mmol)、以及化合物b-1(6.25g，19.72mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.68g，0.59mmol)后，加热搅拌4小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用210mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物10(8.69g，52％)。
MS[M+H]+＝845
<制造例8>化合物11的化合物合成
Figure BDA0003109896600000311
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物D-2(5.52g，10.87mmol)、以及化合物b-2(6.89g，21.74mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.75g，0.65mmol)后，加热搅拌3小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用290mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物11(11.16g，63％)。
MS[M+H]+＝897
<制造例9>化合物12的化合物合成
Figure BDA0003109896600000312
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物D-3(4.51g，8.91mmol)、以及化合物b-3(6.11g，17.81mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.62g，0.53mmol)后，加热搅拌3小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用280mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物12(8.73g，56％)。
MS[M+H]+＝897
<制造例10>化合物16的化合物合成
Figure BDA0003109896600000321
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物F-1(5.26g，9.86mmol)、以及化合物b-7(6.25g，19.72mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.68g，0.59mmol)后，加热搅拌4小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用210mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物16(8.69g，52％)。
MS[M+H]+＝897
<制造例11>化合物17的化合物合成
Figure BDA0003109896600000322
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物F-2(5.52g，10.87mmol)、以及化合物b-8(6.89g，21.74mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.75g，0.65mmol)后，加热搅拌4小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用290mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物17(11.16g，63％)。
MS[M+H]+＝871
<制造例12>化合物18的化合物合成
Figure BDA0003109896600000331
在氮气氛下，在500mL的圆底烧瓶中，将化合物F-3(6.75g，13.33mmol)、以及化合物b-7(7.12g，26.67mmol)完全溶解于240mL的四氢呋喃后，添加2M的碳酸钾水溶液(120mL)，加入四(三苯基膦)钯(0.92g，0.80mmol)后，加热搅拌5小时。将温度降至常温，去除水层，用无水硫酸镁干燥后进行减压浓缩，用280mL的乙酸乙酯重结晶，从而制造了化合物18(12.67g，66％)。
MS[M+H]+＝717
实施例1-1
将ITO(氧化铟锡，indium tin oxide)以
Figure BDA0003109896600000332
的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中，利用超声波进行洗涤。这时，洗涤剂使用菲希尔公司(Fischer Co.)制品，蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后，用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后，用异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后，输送至等离子体清洗机。此外，利用氧等离子体，将上述基板清洗5分钟后，将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的作为阳极的ITO透明电极上，将下述化合物HI1和下述化合物HI2的化合物以成为98:2(摩尔比)的比的方式，以
Figure BDA0003109896600000333
的厚度进行热真空蒸镀而形成空穴注入层。在上述空穴注入层上，将下述化合物HT1
Figure BDA0003109896600000334
进行真空蒸镀而形成空穴传输层。接着，在上述空穴传输层上，以膜厚度
Figure BDA0003109896600000335
将下述化合物EB1进行真空蒸镀而形成电子阻挡层。接着，在上述电子阻挡层上，以膜厚度
Figure BDA0003109896600000336
将由下述化学式BH表示的化合物和由下述化学式BD表示的以25:1的重量比进行真空蒸镀而形成发光层。在上述发光层上，以膜厚度
Figure BDA0003109896600000337
将上述制造例1中合成的由化合物1表示的化合物进行真空蒸镀而形成空穴阻挡层。接着，在上述空穴阻挡层上，将由下述化学式ET1表示的化合物和由下述化学式LiQ表示的化合物以1:1的重量比进行真空蒸镀，从而以
Figure BDA0003109896600000341
的厚度形成电子注入和传输层。在上述电子注入和传输层上，依次将氟化锂(LiF)以
Figure BDA0003109896600000342
的厚度、将铝以
Figure BDA0003109896600000343
的厚度进行蒸镀，从而形成阴极。
Figure BDA0003109896600000344
在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持
Figure BDA0003109896600000345
至
Figure BDA0003109896600000346
阴极的氟化锂维持
Figure BDA0003109896600000347
的蒸镀速度，铝维持
Figure BDA0003109896600000348
的蒸镀速度，在蒸镀时，真空度维持2×10-7托至5×10-6托，从而制作了有机发光器件。
实施例1-2至实施例1-12
使用下述表1中记载的化合物代替化合物1，除此以外，通过与上述实施例1-1相同的方法制造了有机发光器件。
Figure BDA0003109896600000351
比较例1-1至1-4
使用下述表1中记载的化合物代替制造例1的化合物，除此以外，通过与上述实施例1-1相同的方法制造了有机发光器件。下述表1中使用的HB1、HB2、HB3和HB4的化合物如下所示。
Figure BDA0003109896600000361
实验例1
对上述实施例和比较例中制造的有机发光器件施加电流时，测定了电压、效率、色坐标和寿命，将其结果示于下述表1。T95是指亮度从初始亮度(1600尼特)减少至95％时所需的时间。
[表1]
Figure BDA0003109896600000362
如上述表1所示的那样，将本发明的化合物用于空穴阻挡层的有机发光器件在有机发光器件的效率、驱动电压和稳定性方面显示了优异的特性。
在实施例1-1至1-12中，使用了本申请发明的化合物的有机发光器件，与使用在联萘的4号和4'号碳上连接有含氮六元取代基，或者在联萘的2号和2'号碳上连接有含氮六元取代基，或者在联萘的6号和6'号碳上连接有含氮六元取代基的HB1、HB2、HB3和HB4的物质而制造的比较例1-1、1-2、1-3和1-4的有机发光器件相比，显示了低电压、高效率和长寿命的特性。
通过上述内容对本发明的优选实施例(空穴阻挡层)进行了说明，但本发明并不限定于此，在本发明要求保护的范围和发明的详细说明的范围内可以变形为各种形态而实施，这也属于发明的范畴。

Claims (12)

1.一种由下述化学式1表示的联萘化合物：
化学式1
Figure FDA0003109896590000011
其中，在所述化学式1中，
A1至A6彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，或者由下述化学式2表示，
A1、A3、A4和A5中的2个以上由下述化学式2表示，以及
R1至R8彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
化学式2
Figure FDA0003109896590000012
在所述化学式2中，
Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
L1为直接键合、取代或未取代的亚芳基、或者取代或未取代的亚杂芳基，
X1至X3彼此相同或不同，并且各自独立地为CH或N，以及
X1至X3中的至少一个为N。
2.根据权利要求1所述的联萘化合物，其中，所述化学式1由下述化学式101或103中的任一个表示：
化学式101
Figure FDA0003109896590000021
化学式103
Figure FDA0003109896590000022
在所述化学式101和103中，
A1至A6、R1至R8、L1、X1至X3、Ar1和Ar2的定义与化学式1中的定义相同，
Ar3和Ar4彼此相同或不同，并且各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂芳基，
L2为直接键合、取代或未取代的亚芳基、或者取代或未取代的亚杂芳基，
X4至X6彼此相同或不同，并且各自独立地为CH或N，以及
X4至X6中的至少一个为N。
3.根据权利要求1所述的联萘化合物，其中，X1至X3各自为N。
4.根据权利要求1所述的联萘化合物，其中，L1为直接键合、取代或未取代的亚苯基、或者取代或未取代的亚联苯基。
5.根据权利要求1所述的联萘化合物，其中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基。
6.根据权利要求1所述的联萘化合物，其中，R1和R8彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的碳原子数1至6的烷基。
7.根据权利要求1所述的联萘化合物，其中，由所述化学式1表示的联萘化合物为选自下述化合物中的任一个：
Figure FDA0003109896590000041
Figure FDA0003109896590000051
Figure FDA0003109896590000061
Figure FDA0003109896590000071
Figure FDA0003109896590000081
Figure FDA0003109896590000091
8.一种有机发光器件，其中，包括：第一电极、与所述第一电极对置而具备的第二电极、以及具备在所述第一电极与所述第二电极之间的1层以上的有机物层，其中所述有机物层中的1层以上包含权利要求1至7中任一项所述的联萘化合物。
9.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括发光层，并且所述发光层包含所述联萘化合物。
10.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括空穴注入层、空穴传输层或电子阻挡层，并且所述空穴注入层、所述空穴传输层或所述电子阻挡层包含所述联萘化合物。
11.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中，所述有机物层包括电子注入层、电子传输层或空穴阻挡层，并且所述电子注入层、所述电子传输层或所述空穴阻挡层包含所述联萘化合物。
12.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中，所述有机物层还包括选自发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、电子阻挡层和空穴阻挡层中的1层或2层以上。
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