CN113193149B - Oled显示屏及制作方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种OLED显示屏及制作方法，OLED显示屏包括沿预设方向依次层叠设置的薄膜晶体管层和有机发光二极管层，有机发光二极管层在预设平面上的正投影位于薄膜晶体管层在预设平面上的正投影内；OLED显示屏还包括封装层，封装层覆盖薄膜晶体管层设置有有机发光二极管层的表面及有机发光二极管层表面；封装层包括挡墙，挡墙在预设平面上的正投影位于有机发光二极管层在预设平面上的正投影内，预设方向与预设平面相互垂直。通过上述方式，使挡墙在有机放光二极管层所在平面上的正投影位于有机发光二极管层的范围内，有效地减小了OLED显示屏边框尺寸，大大地提高了OLED显示屏的边框的有效利用率，进而提高了OLED显示屏的屏占比。

Description

OLED显示屏及制作方法和电子设备

技术领域

本申请涉及显示屏技术领域，具体是涉及OLED显示屏及制作方法和电子设备。

背景技术

有机发光二极 管(Organic Light Emitting Doides，OLED)显示屏由于轻薄、抗震、柔韧性好以及响应快等优点，被大量应用于电子设备譬如高端手机。随着显示技术越来越成熟，提高OLED显示屏的屏占比成为众多厂家的研究重点。目前通常利用OLED显示屏的柔韧性好的特点，改变OLED显示屏的贴合形态，以实现提高OLED显示屏的屏占比的目的，譬如曲面屏、折叠屏、瀑布屏等。但是，上述方式中OLED显示屏面板的边框并没有缩减，这不利于进一步提升显示屏的屏占比。

发明内容

本申请提供一种OLED显示屏及制作方法。

本申请实施例提供一种OLED显示屏，包括：

沿预设方向依次层叠设置的薄膜晶体管层和有机发光二极管层，所述有机发光二极管层在预设平面上的正投影位于所述薄膜晶体管层在所述预设平面上的正投影内；以及

封装层，所述封装层覆盖所述薄膜晶体管层设置有所述有机发光二极 管层的表面及所述有机发光二极管层表面；

其中，所述封装层包括挡墙，所述挡墙在所述预设平面上的正投影位于所述有机发光二极管层在所述预设平面上的正投影内；

所述预设方向与所述预设平面相互垂直。

本申请实施例还提供一种OLED显示屏制作方法，包括以下步骤：

提供薄膜晶体管层；

沿预设方向在所述薄膜晶体管层表面形成有机发光二极管层，其中所述有机发光二极管层在预设平面上的正投影位于所述薄膜晶体管层在所述预设平面上的正投影内；

在所述薄膜晶体管层设置有所述有机发光二极 管层的表面及所述有机发光二极管层表面形成封装层；

其中，所述封装层包括挡墙，所述挡墙在所述预设平面上的正投影位于所述有机发光二极管层在所述预设平面上的正投影内；

所述预设方向与所述预设平面相互垂直。

本申请实施例还提供一种电子设备，包括：

OLED显示屏；以及

壳体，所述壳体与所述OLED显示屏固定连接。

本申请提供的OLED显示屏，通过使挡墙在有机放光二极管层在预设平面的正投影位于有机发光二极管层在预设平面的正投影的范围内，使得有效封装区的第一界限位于蒸镀保证区内，OLED显示屏边框中的蒸镀保证区与有效封装区的部分区域处于重合状态，进而提高有效封装区的范围，在不影响封装层封装效果的情况下，有效地减小了OLED显示屏边框尺寸，大大地提高了OLED显示屏的边框的有效利用率，进而提高了OLED显示屏的屏占比。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的电子设备的立体示意图；

图2是图1所示的电子设备现有技术中OLED显示屏的截面示意图；

图3是图2所示的区域A的局部放大图；

图4是本申请实施例中OLED显示屏的截面示意图；

图5是图4所示的区域B的局部放大图；

图6是图4所示的区域C的局部放大图；

图7是图5所示的区域B另一个实施例的局部放大图；

图8是本申请实施例提供的OLED显示屏制作方法的流程图；

图9至图13是图8所示的OLED显示屏制作方法的截面图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

请参照图1，图1是本申请实施例提供的电子设备的立体示意图。本申请提供一种电子设备1000。具体地，该电子设备1000可以为移动或便携式并执行无线通信的各种类型的计算机系统设备中的任何一种 (图1中只示例性的示出了一种形态)。具体地，电子设备1000可以为移动电话或智能电话(例如，基于iPhone TM，基于Android TM的电话)，便携式游戏设备(例如Nintendo DS TM，PlayStation Portable TM， Gameboy Advance TM，iPhone TM)、膝上型电脑、PDA、便携式互联网设备、音乐播放器以及数据存储设备，其他手持设备以及诸如头戴式耳机等，电子设备1000还可以为其他的需要充电的可穿戴设备(例如，诸如电子手镯、电子项链、电子设备或智能手表的头戴式设备(HMD))。

电子设备1000还可以是多个电子设备中的任何一个，多个电子设备包括但不限于蜂窝电话、智能电话、其他无线通信设备、个人数字助理、音频播放器、其他媒体播放器、音乐记录器、录像机、其他媒体记录器、收音机、医疗设备、车辆运输仪器、计算器、可编程遥控器、寻呼机、膝上型计算机、台式计算机、打印机、上网本电脑、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、运动图像专家组(MPEG-1 或MPEG-2)音频层3(MP3)播放器，便携式医疗设备以及数码相机及其组合等设备。

在一些情况下，电子设备1000可以执行多种功能(例如，播放音乐，显示视频，存储图片以及接收和发送电话呼叫)。如果需要，电子设备1000可以是诸如蜂窝电话、媒体播放器、其他手持设备、腕表设备、吊坠设备、听筒设备或其他紧凑型便携式的设备。

所述电子设备可包括但不限于：OLED显示屏100和壳体200。所述OLED显示屏100与壳体200固定连接并围成用于收容主板、电池等器件的容置空间(图未示)。

请参照图2和图3，图2是图1所示的电子设备现有技术中OLED 显示屏的截面示意图，图3是图2所示的区域A的局部放大图。

相关技术中，OLED显示屏600可包括沿预设方向K层叠设置的薄膜晶体管层601、有机发光二极管层602，有机发光二极管层602在预设平面S上的正投影位于薄膜晶体管层601在预设平面S上的正投影内。其中，预设方向K垂直于薄膜晶体管层601、有机发光二极管层602，预设平面S平行于薄膜晶体管层601、有机发光二极管层602，也即预设方与预设平面S相互垂直。OLED显示屏600还可包括封装层603和挡墙604，封装层603覆盖薄膜晶体管层601设置有有机发光二极 管层 602的表面及有机发光二极管层表面602。

其中，薄膜晶体管层601可包括沿预设方向K依次层叠设置的基板层6011、第一电极层6012、像素界定层6013。进一步地，基板层6011 可包括沿预设方向K依次层叠设置的玻璃基板6014、绝缘膜6015、缓冲膜6016、晶体管薄膜6017和平坦化层6018，其中第一电极层6012 覆盖于平坦化层6018上。有机发光二极管层602可包括有机发光层6021 和第二电极层6022，其中有机发光层6021覆盖于像素界定层6013上，可以理解地，有机发光层6021在预设平面S上的正投影位于第一电极层6012在预设平面S的正投影范围内。

第二电极层6022设置于有机发光层6021背离像素界定层6013的表面，并与第一电极层6012搭接，以实现第二电极层6022与第一电极层6012的电性连接。具体地，有机发光层6021在预设平面S的正投影位于第二电极层602在预设平面S的正投影的范围内，第二电极层6022 在预设平面S的正投影位于第一电极层6012在预设平面S的正投影的范围内，以使第二电极层6022能够搭接于第一电极层6021且不超出第一电极层6012的范围。

封装层603包括有机膜6031，有机膜6031是一种有机化合物，具有良好的流动性，因此必须在有机膜6031的边缘设置挡墙604，以将有机膜6031围设于设计范围内。挡墙604位于薄膜晶体管层601表面并邻近有机发光二极管层602的边缘设置，具体地，挡墙604设置于第一电极层6012背离基板层601的表面，并与所述第二电极层6021的边缘相邻设置(也即挡墙604在预设平面S上的正投影与第二电极层6021 间隔设置)，以使有机膜6031在预设平面S的正投影位于有机发光二极管层602在预设平面S的正投影的范围内，用于防止氧气或者水渗透到有机发光二极管层602中。封装层603还包括第一无机膜6032和第二无机膜6033，有机膜6031位于第一无机膜6032与第二无机膜6033 之间，第一无机膜6032与第二无机膜6033包裹挡墙604及部分薄膜晶体管层601。

需要说明的是，本申请中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

请继续参阅图2及图3，可以理解地，OLED显示屏600的边框可包括切割保证区Z1、有效封装区Z2和蒸镀保证区Z3。现有的OLED 显示屏600的切割保证区Z1、有效封装区Z2和蒸镀保证区Z3的设计宽度都不能直接被压缩，否则影响OLED显示屏600的制程良率。具体地，目前OLED显示屏600采用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD) 等真空沉积膜层工艺，切割采用激光切割。由于工艺位置精度与支撑精度等限制，激光切割必须有安全保证区(也即切割保证区Z1)，用于使 OLED显示屏600边框的切割工艺具有一定的容错空间。有效封装区Z2 是指第一界限与第二界限之间的区域，其中以挡墙604为第一界限(包括挡墙604)，以切割保证区Z1的切割线为第二界限，也即该挡墙604 也位于有效封装区Z2内。蒸镀保证区Z3是指有机发光二极管层602的边缘(具体是第二电极层6022靠近挡墙604的一端)到OLED显示屏 600显示区域边缘之间的区域。由于挡墙604凸出于薄膜晶体管层601 设置，蒸镀保证区Z3必须足够大，否则第一无机膜6032和第二无机膜 6033沉积到挡墙604表面时容易产生断裂或分层等不良。由于挡墙604 设置于薄膜晶体管层601上，具体地，挡墙604设置于第一电极层6012 背离基板层601的表面，并与所述第二电极层6021的边缘相邻设置，因此以挡墙604为界限的有效封装区Z2和蒸镀保证区Z3难以压缩，也即相关技术中的OLED显示屏600中的挡墙604设计不利于OLED显示屏600边框的减小，难以有效的提高OLED显示屏600的屏占比。

请参照图4至图6，图4是本申请实施例中OLED显示屏的截面示意图，图5是图4所示的区域B的局部放大图，图6是图4所示的区域 C的局部放大图。

本申请实施例中，OLED显示屏100可包括但不限于：沿预设方向 K依次层叠设置的薄膜晶体管层10和有机发光二极管层20，有机发光二极管层20在预设平面S上的正投影位于薄膜晶体管层10在预设平面 S上的正投影内。其中，预设方向K垂直于薄膜晶体管层10、有机发光二极管层20，预设平面S平行于薄膜晶体管层10、有机发光二极管层 20，也即预设方与预设平面S相互垂直。OLED显示屏还包括封装层30，封装层30覆盖薄膜晶体管层10设置有有机发光二极 管层20的表面及有机发光二极管层20表面；封装层30包括挡墙31和有机膜32，挡墙 31围合形成有机封装区域310，有机膜32位于有机封装区域31内，挡墙31及有机膜32在预设平面S上的正投影位于有机发光二极管层20 在预设平面S上的正投影内。

可选地，封装层30还可包括层叠设置的第一无机膜33与第二无机膜34，挡墙31与有机膜32位于第一无机膜33与第二无机膜34之间。第一无机膜33被设置为同时覆盖薄膜晶体管层10设置有有机发光二极 管层20的表面及有机发光二极管层20表面，第二无机膜34被设置为覆盖第一无机膜33。其中，第一无机膜33与第二无机膜34用于防止氧气或者水渗透到有机发光二极管层20中，有机膜32用于防止颗粒穿过无机膜譬如第一无机膜33进而渗透到有机发光二极管层20中。

可选地，第一无机膜33和第二无机膜34可通过化学气相沉积的方式形成，有机膜32可通过喷墨工艺以液体类型沉积之后通过硬化工艺硬化。

请参照图4及图5，可以理解地，OLED显示屏100的边框可包括切割保证区Q1、有效封装区Q2和蒸镀保证区Q3。其中，切割保证区 Q1为薄膜晶体管层10远离第一无机膜33的区域，也即薄膜晶体管层 10未覆盖第一无机膜33的区域，用于使OLED显示屏100具有一定的容错空间。有效封装区Q2是指第一界限与第二界限之间的区域，其中以挡墙31为第一界限，以切割保证区Q1的切割线为第二界限，且挡墙 31包括在有效封装区Q2内。可以理解地，现实产品中OLED显示屏100 的边框包括有效封装区Q2和蒸镀保证区Q3，为保证OLED显示屏100 尺寸的一致性与准确性，需要沿切割线切除切割保证区Q1，其中切割线即现有产品中OLED显示屏100的边缘。蒸镀保证区Q3指的是有机发光二极管层20的边缘到显示区边缘之间的区域，由于挡墙31在预设平面S上的正投影位于有机发光二极管层20在预设平面S上的正投影内，使得有效封装区Q2的第一界限位于蒸镀保证区Q3内，因此使得蒸镀保证区Q3与有效封装区Q2的较大部分区域处于重合状态，相对于现有技术相当于增大了第一界限与第二界限之间的距离，也即增大了有效封装区Q2的范围，提高了封装的可靠性。也即OLED显示屏100在不减小有效封装区Q2和蒸镀保证区Q3尺寸的情况下，有效地OLED显示屏100减小了边框尺寸，大大地提高了OLED显示屏100的边框的有效利用率，进而提高了OLED显示屏100的屏占比。

请一并参照图5，可选地，薄膜晶体管层10可包括沿预设方向K 依次层叠设置的基板层11、第一电极层12和像素界定层13，其中第一电极层12在预设平面S的正投影位于基板层11在预设平面S的正投影范围内，像素界定层13在预设平面S的正投影位于第一电极层12在预设平面S的正投影范围内。也即基板层11、第一电极层12与像素界定层13大致呈阶梯状排布，基板层11在预设平面S的正投影远大于第一电极层12、像素界定层13，以使基板层11拥有足够的切割保证区Q1，使OLED显示屏100具有一定的容错空间。

本实施方式中，第一电极层12为阳极电极层。第一电极层12可包括电极金属块121，第一电极层12通过电极金属块121与基板层11电性连接。

第一电极层12可以由具有高反射性的导电材料形成，例如，Al和 Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO(氧化铟锡)的沉积结构(ITO/Al/ITO)、 APC合金或APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是 Ag、Pd和Cu的合金。

可选地，基板层11可包括沿预设方向K依次层叠设置的玻璃基板 111、绝缘膜112、缓冲膜113和晶体管薄膜114，其中玻璃基板111、绝缘膜112和缓冲膜113在预设平面S的正投影重合，晶体管薄膜114 在预设平面S的正投影位于缓冲膜113在预设平面S的正投影的范围内，用于确保晶体管薄膜114位于切割保证区Q1范围外，防止晶体管薄膜 114被切割，保证OLED显示屏100的可靠性。

可选地，晶体管薄膜114可包括像素电路区1141，其中像素电路区 1141对应于OLED显示屏100的显示区域，也即像素电路区1141在预设平面上的正投影与OLED显示屏100的显示区域在预设平面的正投影重合。像素电路区1141在预设平面S的正投影在有机发光二极管层20 在预设平面S的正投影的范围内，一方面使OLED显示屏100的显示区域位于机发光二极管层20范围内，另一方面可使蒸镀保证区Q3有足够的区域。

进一步地，挡墙31在预设平面S内的正投影呈环状。像素电路区 1141预设平面S的正投影位于挡墙31在预设平面S的正投影范围内，进而使得有机封装区域310能够完全覆盖显示区域，防止氧气或者水渗透到显示区域，进而提高显示区域的可靠性。

更进一步地，所述挡墙在所述预设平面S的正投影的边缘与所述像素电路区在所述预设平面S的正投影的边缘的距离小于等于100μm，以尽可能减小挡墙31与显示区域的边缘在预设平面S上的直线距离，以尽可能地减小OLED显示屏100的边框尺寸，提高OLED显示屏100 的屏占比。

晶体管薄膜114还可包括集成电路区1142和地域电源负压区1143，其中集成电路区1142、地域电源负压区1143与像素电路区1141并排排列。本实施方式中，集成电路区1142的数量为两个并分别位于像素电路区1141的两侧，地域电源负压区1143的数量为两个并分别位于两个集成电路区1142的相背两侧。

可选地，基板层11还可包括平坦化层115，平坦化层115位于晶体管薄膜114与第一电极层12之间。平坦化层115上开设有对应于地域电源负压区1143的过孔151，第一电极层12的电极金属块121收容于过孔151中并与地域电源负压区1143电性连接，以实现第一电极层12与地域电源负压区1143电性连接。

请一并参照图5和图6，本实施例中，有机发光二极管层20还包括有机发光层21和第二电极层22。其中，有机发光层21位于像素界定层 13背离第一电极层12的表面，且有机发光层21在预设平面S的正投影位于像素界定层13在预设平面S的正投影的范围内。挡墙31在在预设平面S的正投影呈环状且位于有机发光层21在预设平面S的正投影的范围内，用于使有效封装区Q2的第二界限位于有机发光层21范围内，进而扩大有效封装区Q2的范围，确保封装层30的封装效果，同时减小集成电路区1142和地域电源负压区1143的宽度。

可选地，有机发光层21包括发光像素211和覆盖于发光像素上的功能层212，该功能层212为蒸镀功能层，其中发光像素211在预设平面S上的正投影位于像素电路区预设平面S的正投影内，使发光像素211 与显示区域相适应，避免发光像素211处于非显示区域产生亮度损耗，提高发光像素211的利用率。

其中，发光像素211用于连通第一电极层12与第二电极层22，第一电极层12产生的空穴和第二电极层22产生的电子可发生移动并迁移到发光像素，当第一电极层12产生的空穴和第二电极层22产生的电子在发光像素处相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光，进而点亮显示区域。

第二电极层22位于有机发光层21背离第一电极层12的表面且第二电极层22的一端延伸并搭接于第一电极层12，用于使第二电极层22 与第一电极层12电性连接。也即，有机发光层21在预设平面S上的正投影位于第二电极层22在预设平面S正投影的范围内，第二电极层22 覆盖有机发光层21并搭接于所述第一电极层12。具体地，第二电极层 22的一端延伸并搭接于第一电极层12的电极金属块121。本实施方式中，第二电极层22为阴极电极层。

请参照图7，在其他实施例中，挡墙31在第二电极层22在预设平面S的正投影位于第二电极层22在预设平面S的正投影的范围内并远离有机发光层21。

第二电极层22可以由可以透射光的诸如ITO和IZO(氧化铟锌) 的透明导电材料，或者诸如Mg、Ag及Mg和Ag的合金的半透射导电材料形成。

请继续参照图5，可选地，挡墙31的数量至少为两个，以提高挡墙 31阻挡有机膜32的可靠性。譬如，挡墙31可包括第一挡墙311、第二挡墙312和第三挡墙313，第一挡墙311可收容于第二挡墙312中，第二挡墙312可收容于第三挡墙313中，且第一挡墙311、第二挡墙312、第三挡墙313在像素电路区1141在预设平面S的正投影边缘与像素电路区1141在预设平面S的正投影边缘的距离均小于或等于100μm。

可选地，挡墙31的截面形状呈梯形。挡墙31具有上地面和下底面且下底面的面积大于上底面的面积，且挡墙31的下底面朝向有机发光二极管层20，也即挡墙31下底面固定于第一无机膜33上，一方面提高挡墙31的牢固性，另一方面增大第一无机膜33与第二无机膜34的接触面积，提高第一无机膜33与第二无机膜34连接的可靠性。

可选地，挡墙31沿预设方向K的高度小于或等于1.5μm，以尽可能减小封装层30的厚度，进而减小OLED显示屏100的厚度。

可选地，第一无机膜33覆盖于薄膜晶体管层10设置有有机发光二极 管层20的表面及所述有机发光二极管层20表面，具体地，第一无机膜33覆盖于基板层11设置第一电极层12的表面(不含第一电极层12 表面)、第二电极层22的表面以及其间隔部分。具体地，第一无机膜 33可包括一体生成的第一膜部331、第二膜部332和第三膜部331，其中第一膜部331可用于覆盖第二电极层22背离所述有机发光层21的表面，第二膜部332可用于覆盖基板层11设置第一电极层12的表面(不含第一电极层12表面)，第三膜部333用于连接第一膜部331和第二膜部332，以使第一无机膜33彻底覆盖有效封装区Q2和蒸镀保证区Q3，进而确保对OLED显示屏的有效封装。

可以理解地，第二无机膜34在预设平面S上的正投影与第一无机膜33在预设平面S上的正投影重合。

本申请提供的OLED显示屏100，通过使挡墙31在有机放光二极管层20在预设平面S的正投影位于有机发光二极管层20在预设平面S的正投影的范围内，使得有效封装区Q2的第一界限位于蒸镀保证区Q3 内，OLED显示屏边框中的蒸镀保证区Q3与有效封装区Q2的较大部分区域处于重合状态，进而提高有效封装区Q2的范围，在不影响封装层 30封装效果的情况下，有效地减小了OLED显示屏100的边框尺寸，大大地提高了OLED显示屏100的边框的有效利用率，进而提高了OLED 显示屏100的屏占比。

请参照图8至图13，图8是本申请实施例提供的OLED显示屏制作方法的流程图，图9至图13是图8所示的OLED显示屏制作方法的截面图。

本申请实施例还提供一种OLED显示屏100的制作方法，制作方法包括以下步骤：

步骤S01，提供薄膜晶体管层10。

具体地，步骤S01还可包括以下步骤：

步骤S11，提供基板层11。

可选地，步骤S11可包括以下步骤：

步骤S111，提供玻璃基板111。

步骤S112，在玻璃基板111的表面形成绝缘膜112。

其中，绝缘膜112的材质是聚酰亚胺(PI，Polyimide)。

步骤S113，在绝缘膜112背离玻璃基板111的表面形成缓冲膜113。

具体地，玻璃基板111、绝缘膜112和缓冲膜113在预设平面S的正投影重合。

步骤S114，在缓冲膜113背离绝缘膜112的表面形成晶体管薄膜 114。

具体地，晶体管薄膜114在预设平面S的正投影位于缓冲膜113在预设平面S的正投影的范围内，用于确保晶体管薄膜114位于切割保证区Q1范围外，防止晶体管薄膜114被切割，保证OLED显示屏100的可靠性。

具体地，晶体管薄膜114可通过CVD、PVD以及曝光显影等工序形成。像素电路区1141在预设平面S的正投影在有机发光二极管层20 在预设平面S的正投影的范围内，一方面使OLED显示屏100的显示区域位于机发光二极管层20范围内，另一方面可使蒸镀保证区Q3有足够的区域。

晶体管薄膜114还可包括地域电源负压区1143和集成电路区1142，其中地域电源负压区1143、集成电路与像素电路区1141并排排列。本实施方式中，集成电路区1142的数量为两个并分别位于像素电路区1141 的两侧，地域电源负压区1143的数量为两个并分别位于两个集成电路区1142的相背两侧。

其中，其中第一电极层12在预设平面S的正投影位于基板层11在预设平面S的正投影范围内，像素界定层13在预设平面S的正投影位于第一电极层12在预设平面S的正投影范围内。也即基板层11、第一电极层12与像素界定层13大致呈阶梯状排布，基板层11在预设平面S 的正投影远大于第一电极层12、像素界定层13，以使基板层11拥有足够的切割保证区Q1，使OLED显示屏100具有一定的容错空间。

其中，步骤S114之后还可包括：

步骤S115，在晶体管薄膜114背离缓冲膜113的表面形成平坦化层 115，平坦化层115上有开设过孔151。过孔151对应于地域电源负压区 1143的过孔151(具体请参照图9)。

步骤S12，在基板层11的表面形成第一电极层12。

其中第一电极层12的尺寸小于基板层11并位于基板层11内。具体地，第一电极层12为阳极电极层。第一电极层12的电极金属块121收容于过孔151中并与地域电源负压区1143电性连接，以实现第一电极层12与地域电源负压区1143电性连接。

第一电极层12可以由具有高反射性的导电材料形成，例如，Al和 Ti的沉积结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO(氧化铟锡)的沉积结构(ITO/Al/ITO)、 APC合金或APC合金和ITO的沉积结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是 Ag、Pd和Cu的合金。

步骤S13，在第一电极层12背离基板层11的表面形成像素界定层 13。

像素界定层13的尺寸小于第一电极层12并位于位于第一电极层12 内。也即基板层11、第一电极层12与像素界定层13大致呈阶梯状排布。

其中，第一电极层12位于基板层11内，像素界定层13位于第一电极层12内(具体请参照图10)。

步骤S02，沿预设方向K在薄膜晶体管层10表面形成有机发光二极管层20，其中有机发光二极管层20在预设平面S上的正投影位于薄膜晶体管层10预设平面S上的正投影内。

具体地，步骤S02包括以下步骤：

步骤S21，在像素界定层13背离第一电极层12的表面形成有机发光层21。

其中，有机发光层21位于像素界定层13背离第一电极层12的表面，且有机发光层21在预设平面S的正投影位于像素界定层13在预设平面S的正投影的范围内。挡墙31在在预设平面S的正投影呈环状且位于有机发光层21在预设平面S的正投影的范围内，用于使有效封装区Q2的第二界限位于有机发光层21范围内，进而扩大有效封装区Q2 的范围，确保封装层30的封装效果，同时减小集成电路区1142和地域电源负压区1143的宽度。

可选地，有机发光层21包括发光像素211和覆盖于发光像素上的功能层212，其中发光像素211在预设平面S上的正投影位于像素电路区预设平面S的正投影内，一方面使发光像素211与显示区域相适应，另一方面提高发光像素211的利用率。

其中，发光像素211用于连通第一电极层12与第二电极层22，第一电极层12产生的空穴和第二电极层22产生的电子可发生移动并迁移到发光像素，当第一电极层12产生的空穴和第二电极层22产生的电子在发光像素处相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光，进而点亮显示区域。

步骤S22，在有机发光层21背离像素界层的表面形成第二电极层 22；

其中，第二电极层22位于有机发光层21背离第一电极层12的表面且第二电极层22的一端延伸并搭接于第一电极层12，用于使第二电极层22与第一电极层12电性连接。也即，有机发光层21在预设平面S 上的正投影位于第二电极层22在预设平面S正投影的范围内，第二电极层22覆盖有机发光层21并搭接于所述第一电极层12。具体地，第二电极层22的一端延伸并搭接于第一电极层12的电极金属块121。本实施方式中，第二电极层22为阴极电极层(请参照图11)。

步骤S03，在薄膜晶体管层10设置有所述有机发光二极 管层20的表面及所述有机发光二极管层20表面形成封装层30(具体请参照图 11-13)。

其中，封装层30包括挡墙31和有机膜32，挡31墙围合形成有机封装区域310，有机膜32位于有机封装区域310内，挡墙31及有机膜 32在预设平面S上的正投影位于有机发光二极管层20在预设平面S上的正投影内；预设方向K与预设平面S相互垂直。

具体地，步骤S03包括以下步骤：

步骤S31，第二电极层22背离有机发光二极管层20的表面及基板层11远离第一电极层12的表面形成第一无机膜33。

具体地，第一无机膜33可通过化学气相沉积的方式形成，用于防止氧气或者水渗透到有机发光二极管层20中。

第一无机膜33覆盖于薄膜晶体管层10设置有有机发光二极 管层20 的表面及所述有机发光二极管层20表面，具体地，第一无机膜33覆盖于基板层11设置第一电极层12的表面(不含第一电极层12表面)、第二电极层22的表面以及其间隔部分。具体地，第一无机膜33可包括一体生成的第一膜部331、第二膜部332和第三膜部331，其中第一膜部331可用于覆盖第二电极层22背离所述有机发光层21的表面，第二膜部332可用于覆盖基板层11设置第一电极层12的表面(不含第一电极层12表面)，第三膜部333用于连接第一膜部331和第二膜部332，以使第一无机膜33彻底覆盖有效封装区Q2和蒸镀保证区Q3，进而确保对OLED显示屏的有效封装。

请参照图12，步骤S32，在第一无机膜33背离有机发光二极管层 20的表面形成挡墙31。

具体地，挡墙31可通过涂布低温光阻、曝光显影形成。挡墙31在有机发光层21在预设平面S的正投影位于有机发光二极管层20的范围内，挡墙31用于阻挡有机膜32并使有机膜32位于有机发光二极管层 20的范围内。

进一步地挡墙31在预设平面S内的正投影呈环状。像素电路区1141 在预设平面S的正投影在有机发光二极管层20在预设平面S的正投影的范围内，一方面使OLED显示屏100的显示区域位于机发光二极管层 20范围内，另一方面可使蒸镀保证区Q3有足够的区域(请参照图12)。

更进一步地，所述挡墙在所述预设平面S的正投影的边缘与所述像素电路区在所述预设平面S的正投影的边缘的距离小于等于100μm，以尽可能减小挡墙31与显示区域的边缘在预设平面S上的直线距离，以尽可能地减小OLED显示屏100的边框尺寸，提高OLED显示屏100 的屏占比。

请一并参照图5，可选地，挡墙31的数量至少为两个，以提高挡墙 31阻挡有机膜32的可靠性。譬如，挡墙31可包括第一挡墙311、第二挡墙312和第三挡墙313，第一挡墙311可收容于第二挡墙312中，第二挡墙312可收容于第三挡墙313中，且第一挡墙311、第二挡墙312、第三挡墙313在像素电路区1141在预设平面S的正投影边缘与像素电路区1141在预设平面S的正投影边缘的距离均小于或等于100μm。

可选地，挡墙31的截面形状呈梯形。挡墙31具有上地面和下底面且下底面的面积大于上底面的面积，且挡墙31的下底面朝向有机发光二极管层20，也即挡墙31下底面固定于第一无机膜33上，一方面提高挡墙31的牢固性，另一方面增大第一无机膜33与第二无机膜34的接触面积，提高第一无机膜33与第二无机膜34连接的可靠性。

可选地，挡墙31沿预设方向K的高度小于或等于1.5μm，以尽可能减小封装层30的厚度，进而减小OLED显示屏100的厚度。

步骤S33，在第一有机膜32的挡墙31范围内形成有机膜32。

具体地，有机膜32可通过喷墨工艺以液体类型沉积之后通过硬化工艺硬化，用于防止颗粒穿过无机膜譬如第一无机膜33进而渗透到有机发光二极管层20中。

步骤S34，在有机膜32背离第一无机膜33及第一无机膜33远离有机膜32的表面形成第二无机膜34。

具体地，第二无机膜34在预设平面S上的正投影与第一无机膜33 在预设平面S上的正投影重合(请参照图13)。

请继续参照图4至图6，可以理解地，OLED显示屏100的边框可包括切割保证区Q1、有效封装区Q2和蒸镀保证区Q3。其中，切割保证区Q1为薄膜晶体管层10远离第一无机膜33的区域，也即薄膜晶体管层10未覆盖第一无机膜33的区域。有效封装区Q2是指以挡墙31为界限且包括挡墙31，第一无机膜33远离有机膜32的部分覆盖薄膜晶体管层10的区域。蒸镀保证区Z3指的是有机发光二极管层20的边缘到显示区边缘之间的区域，由于挡墙31位于有机发光二极管层20且远离显示区域，使得有效封装区Q2的第一界限位于蒸镀保证区Q3内，因此使得蒸镀保证区Q3与有效封装区Q2的较大部分区域处于重合状态。也即OLED显示屏100在不减小有效封装区Q2和蒸镀保证区Q3尺寸的情况下，有效地OLED显示屏100减小了边框尺寸，大大地提高了OLED 显示屏100的边框的有效利用率，进而提高了OLED显示屏100的屏占比。

本申请实施例提供的OLED显示屏100制作方法，可通过使挡墙31 在有机放光二极管层20在预设平面S的正投影位于有机发光二极管层 20在预设平面S的正投影的范围内，使蒸镀保证区Q3与有效封装区 Q2的较大部分区域处于重合状态，进而提高有效封装区Q2的范围，在不影响封装层30封装效果的情况下，有效地减小了OLED显示屏100 边框尺寸，大大地提高了OLED显示屏100的边框的有效利用率，进而提高了OLED显示屏100的屏占比。

以上所述仅为本申请的部分实施例，并非因此限制本申请的保护范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效装置或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (18)

1.一种OLED显示屏，其特征在于，包括：

沿预设方向依次层叠设置的薄膜晶体管层和有机发光二极管层，所述有机发光二极管层在预设平面上的正投影位于所述薄膜晶体管层在所述预设平面上的正投影内；以及

封装层，所述封装层覆盖所述薄膜晶体管层设置有所述有机发光二极 管层的表面及所述有机发光二极管层表面；

其中，所述封装层包括层叠设置的第一无机膜和第二无机膜以及位于所述第一无机膜与所述第二无机膜之间的挡墙，所述挡墙在所述预设平面上的正投影位于所述有机发光二极管层在所述预设平面上的正投影内；所述预设方向与所述预设平面相互垂直；

其中，所述OLED显示屏的边框包括切割保证区、有效封装区和蒸镀保证区；所述切割保证区为所述薄膜晶体管层远离所述第一无机膜的区域，所述有效封装区是指第一界限与第二界限之间的区域，其中以所述挡墙为所述第一界限，以所述切割保证区的切割线为所述第二界限，且所述挡墙包括在所述有效封装区内；所述蒸镀保证区指的是所述有机发光二极管层的边缘到显示区边缘之间的区域，其中所述有效封装区的所述第一界限位于所述蒸镀保证区内。

2.根据权利要求1所述的OLED显示屏，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括沿所述预设方向依次层叠设置的基板层、第一电极层和像素界定层，其中所述第一电极层在所述预设平面上的正投影位于所述基板层在所述预设平面上的正投影范围内，所述像素界定层在所述预设平面上的正投影位于所述第一电极层在所述预设平面上的正投影范围内。

3.根据权利要求2所述的OLED显示屏，其特征在于，所述基板层包括沿预设方向依次层叠设置的玻璃基板、绝缘膜、缓冲膜和晶体管薄膜，其中所述晶体管薄膜在所述预设平面上的正投影位于所述缓冲膜在预设平面上的正投影范围内。

4.根据权利要求3所述的OLED显示屏，其特征在于，所述挡墙在所述预设平面内的正投影呈环状；所述晶体管薄膜包括像素电路区，所述像素电路区所述预设平面上的正投影位于所述挡墙在所述预设平面上的正投影的内环范围内。

5.根据权利要求4所述的OLED显示屏，其特征在于，所述挡墙在所述预设平面上的正投影的内环边缘与所述像素电路区在所述预设平面上的正投影的边缘的距离小于等于100μm。

6.根据权利要求4-5任一项所述的OLED显示屏，其特征在于，所述有机发光二极管层包括有机发光层，所述有机发光层在所述预设平面上的正投影位于所述像素界定层在所述预设平面的范围内，所述挡墙在所述预设平面上的正投影位于所述有机发光层在所述预设平面上的正投影内。

7.根据权利要求6所述的OLED显示屏，其特征在于，所述有机发光层包括发光像素和覆盖于所述发光像素上的功能层，其中所述发光像素在所述预设平面上的正投影位于所述像素电路区所述预设平面上的正投影内。

8.根据权利要求6所述的OLED显示屏，其特征在于，所述有机发光二极管层还包括第二电极层，所述有机发光层在所述预设平面上的正投影位于所述第二电极层在所述预设平面上的正投影的范围内，所述第二电极层覆盖所述有机发光层并搭接于所述第一电极层，用于使所述第二电极层与第一电极层电性连接。

9.根据权利要求1所述的OLED显示屏，其特征在于，所述挡墙的数量至少为两个。

10.根据权利要求1所述的OLED显示屏，其特征在于，所述挡墙的截面呈梯形，所述挡墙具有上底面和下底面，所述下底面的面积大于所述上底面的面积，所述下底面朝向所述有机发光二极管层。

11.根据权利要求10所述的OLED显示屏，其特征在于，所述挡墙的沿所述预设方向的高度范围为小于或等于1.5μm。

12.一种OLED显示屏的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供薄膜晶体管层；

沿预设方向在所述薄膜晶体管层表面形成有机发光二极管层，其中所述有机发光二极管层在预设平面上的正投影位于所述薄膜晶体管层在所述预设平面上的正投影内；

在所述薄膜晶体管层设置有所述有机发光二极 管层的表面及所述有机发光二极管层表面形成封装层；

其中，所述封装层包括层叠设置的第一无机膜和第二无机膜以及位于所述第一无机膜与所述第二无机膜之间的挡墙，所述挡墙在所述预设平面上的正投影位于所述有机发光二极管层在所述预设平面上的正投影内，所述预设方向与所述预设平面相互垂直；

其中，所述OLED显示屏的边框包括切割保证区、有效封装区和蒸镀保证区；所述切割保证区为所述薄膜晶体管层远离所述第一无机膜的区域，所述有效封装区是指第一界限与第二界限之间的区域，其中以所述挡墙为所述第一界限，以所述切割保证区的切割线为所述第二界限，且所述挡墙包括在所述有效封装区内；所述蒸镀保证区指的是所述有机发光二极管层的边缘到显示区边缘之间的区域，其中所述有效封装区的所述第一界限位于所述蒸镀保证区内。

13.根据权利要求12所述的OLED显示屏的制作方法，其特征在于，所述提供薄膜晶体管层包括以下步骤：

提供基板层；

在所述基板层的表面形成第一电极层；

在所述第一电极层背离所述基板层的表面形成像素界定层；

其中，所述第一电极层在所述预设平面上的正投影位于所述基板层在所述预设平面上的正投影范围内，所述像素界定层在所述预设平面上的正投影位于所述第一电极层在所述预设平面上的正投影范围内。

14.根据权利要求13所述的OLED显示屏的制作方法，其特征在于，所述提供基板层包括以下步骤：

提供玻璃基板；

在所述玻璃基板的表面形成绝缘膜；

在所述绝缘膜背离所述玻璃基板的表面形成缓冲膜；

在所述缓冲膜背离所述绝缘膜的表面形成晶体管薄膜；

其中，所述晶体管薄膜在所述预设平面上的正投影位于所述缓冲膜在预设平面上的正投影范围内。

15.根据权利要求13所述的OLED显示屏的制作方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管层表面形成有机发光二极管层还包括以下步骤：

在所述像素界定层背离所述第一电极层的表面形成有机发光层；

其中，所述有机发光层在所述预设平面上的正投影位于所述像素界定层在所述预设平面的范围内，所述挡墙在所述预设平面上的正投影位于所述有机发光层在所述预设平面的范围内。

16.根据权利要求15所述的OLED显示屏的制作方法，其特征在于，所述在所述像素界定层背离所述第一电极层的表面形成有机发光层之后还包括以下步骤：

在所述有机发光层背离所述像素界定层的表面形成第二电极层；

其中，所述有机发光层在所述预设平面上的正投影位于所述第二电极层在所述预设平面上的正投影的范围内，所述第二电极层覆盖所述有机发光层并搭接于所述第一电极层，用于使所述第二电极层与第一电极层电性连接。

17.根据权利要求16所述的OLED显示屏的制作方法，其特征在于，所述在所述有机发光二极管层及所述薄膜晶体管层远离所述有机发光二极管层的表面形成封装层包括以下步骤：

所述第二电极层背离所述有机发光二极管层的表面及所述薄膜晶体管层设置有所述有机发光二极 管层的表面形成第一无机膜；

在第一无机膜背离所述有机发光二极管层的表面形成所述挡墙；

在所述第一无机膜的所述挡墙范围内形成有机膜；

在所述有机膜背离所述第一无机膜及所述第一无机膜远离所述有机膜的表面形成第二无机膜。

18.一种电子设备，其特征在于，包括：

根据权利要求1-11任一项所述的OLED显示屏；以及

壳体，所述壳体与所述OLED显示屏固定连接。

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