CN113182778B - 一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法 - Google Patents

一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113182778B
CN113182778B CN202110454242.8A CN202110454242A CN113182778B CN 113182778 B CN113182778 B CN 113182778B CN 202110454242 A CN202110454242 A CN 202110454242A CN 113182778 B CN113182778 B CN 113182778B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mobile cover
wafer
pattern structure
cover
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110454242.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113182778A (zh
Inventor
姚力军
边逸军
潘杰
王学泽
章丽娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Original Assignee
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd filed Critical Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority to CN202110454242.8A priority Critical patent/CN113182778B/zh
Publication of CN113182778A publication Critical patent/CN113182778A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113182778B publication Critical patent/CN113182778B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells

Abstract

本发明提供一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法，所述移动罩包括底部以及外延部，所述底部与外延部通过侧壁相连，所述底部内侧设置有第一台阶以及第二台阶，所述第二台阶外侧设置有第三台阶以及第四台阶，所述第二台阶外侧设置有固定孔，所述第二台阶、第三台阶以及第四台阶的表面分别独立地设置有花纹结构。所述移动罩可以吸附靶材上掉落的多余薄膜，保护晶圆。

Description

一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法
技术领域
本发明属于精密零部件制造领域，涉及一种移动罩及其制备方法，尤其涉及一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。
CN109887871A公开了一种晶圆洗边装置其使用方法及一保护罩，涉及半导体技术领域，晶圆洗边装置包括：一旋转装置，用于承载晶圆，并带动晶圆旋转；置于所述旋转装置上的晶圆；一保护罩，所述保护罩包括一曲面，所述曲面从远离所述晶圆的一侧到靠近所述晶圆的一侧向所述晶圆的边缘倾斜；以及一喷嘴，所述喷嘴位于所述曲面的外侧上方，使从所述喷嘴中喷出的反应液喷在所述曲面上，然后流至所述晶圆上，以提高晶圆边缘洗边光滑度，提高洗边宽度稳定性。
CN210040152U公开了一种晶圆片匀蜡机构，包括支架、保护罩、甩蜡组件及滴蜡组件，保护罩固定在支架顶端，保护罩底端具有开口，甩蜡组件对应设置在保护罩下方，甩蜡组件包括升降动力件、升降座、旋转动力件及旋转座，升降动力件与升降座连接并可驱动其升降以进入或脱出保护罩，旋转座、旋转动力件设置在升降座上，旋转动力件与旋转座连接并可驱动其旋转，滴蜡组件对应设置在保护罩一侧，滴蜡组件包括滴蜡器及驱动动力件，驱动动力件与滴蜡器连接并可驱动其水平移动以靠近或远离保护罩中心。该晶圆片匀蜡机构能够在晶圆片表面自动滴蜡、匀蜡，定位准确，保证了晶圆片表面蜡滴的均匀性，从而保证了后续的贴片质量。
发明内容
为解决现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法，所述移动罩可以吸附靶材上掉落的多余薄膜，保护晶圆。
为达到上述技术效果，本发明采用以下技术方案：
本发明目的之一提供一种用于晶圆防护的移动罩，所述移动罩包括底部以及外延部，所述底部与外延部通过侧壁相连，所述底部内侧设置有第一台阶以及第二台阶，所述第二台阶外侧设置有第三台阶以及第四台阶，所述第二台阶外侧设置有固定孔，所述第二台阶、第三台阶以及第四台阶的表面分别独立地设置有花纹结构。
作为本发明优选的技术方案，所述外延部与所述底部平行设置，所述侧壁垂直于所述底部设置。
作为本发明优选的技术方案，所述移动罩为圆环形。
本发明目的之二在于提供一种上述用于晶圆防护的移动罩的制备方法，所述制备方法包括：
对不锈钢坯料进行预车削处理；
热处理去除内部应力；
进行精密车削处理，制备得到花纹结构以及固定孔；
对花纹结构外的其他区域进行抛光处理；
对花纹结构外的其他区域进行喷砂处理。
作为本发明优选的技术方案，所述不锈钢坯料为环形不锈钢坯料。
作为本发明优选的技术方案，所述热处理的温度为1010～1090℃，如1020℃、1030℃、1040℃、1050℃、1060℃、1070℃或1080℃等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述热处理的时间不低于70min，如75min、80min、90min、100min、110min或120min等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述热处理后进行空冷。
作为本发明优选的技术方案，述花纹结构的深度为0.1～0.3mm，如0.12mm、0.15mm、0.18mm、0.2mm、0.22mm、0.25mm或0.28mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述花纹区域的平面度≤0.1mm，如0.09mm、0.08mm、0.07mm、0.06mm或0.05mm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述精密车削处理包括铣圆、铣基准面、钻孔以及铣花纹。
作为本发明优选的技术方案，所述抛光后的粗糙度Ra≤1.6μm，如1.5μm、1.4μm、1.3μm、1.2μm、1.1μm、1.0μm、0.8μm或0.5μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述喷砂处理后的粗糙度Ra6～8μm，如6.2μm、6.5μm、6.8μm、7μm、7.2μm、7.5μm或7.8μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述喷砂后对所述移动罩进行清洗、干燥以及包装。
作为本发明优选的技术方案，所述制备方法包括：
对环形不锈钢坯料进行预车削处理；
1010～1090℃下热处理至少70min后空冷，以去除内部应力；
进行精密车削处理，所述精密车削处理包括铣圆、铣基准面、钻孔以及铣花纹，制备得到花纹结构以及固定孔，所述花纹结构的深度为0.1～0.3mm，平面度≤0.1mm；
对花纹结构外的其他区域进行抛光处理，所述抛光后的粗糙度Ra≤1.6μm；
对花纹结构外的其他区域进行喷砂处理，所述喷砂处理后的粗糙度Ra6～8μm；
对所述移动罩进行清洗、干燥以及包装。
本发明中，通过对移动罩结构的合理设计，并在适当区域设置花纹结构，实现了对靶材上掉落薄膜的收集功能。同时，对于制备过程中抛光以及喷砂工艺粗糙度的合理限定，以及对花纹深度和平整度的限定，进一步提高了移动罩对于掉落薄膜的的收集能力。所述移动罩的制备方法实现了移动罩的精密加工，加工工艺简单，有利于进行工业化生产。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法，所述移动罩可以吸附靶材上掉落的多余薄膜，收集率可达90％以上，有效保护晶圆。
附图说明
图1本发明实施例1提供的用于晶圆防护的移动罩的结构示意图；
图2本发明实施例1提供的用于晶圆防护的移动罩的A-A剖面图；
图3本发明实施例1提供的用于晶圆防护的移动罩的C向视图。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
实施例1
本实施例提供一种用于晶圆防护的移动罩，其结构如图1-3所示，所述移动罩包括底部以及外延部，所述底部与外延部通过侧壁相连，所述底部内侧设置有第一台阶以及第二台阶，所述第二台阶外侧设置有第三台阶以及第四台阶，所述第二台阶外侧设置有固定孔，所述第二台阶、第三台阶以及第四台阶的表面分别独立地设置有花纹结构，所述外延部与所述底部平行设置，所述侧壁垂直于所述底部设置，所述移动罩为圆环形。
实施例2
本实施例提供一种用于晶圆防护的移动罩的制备方法，所述制备方法包括：
对环形不锈钢坯料进行预车削处理；
1010℃下热处理120min后空冷，以去除内部应力；
进行精密车削处理，所述精密车削处理包括铣圆、铣基准面、钻孔以及铣花纹，制备得到花纹结构以及固定孔，所述花纹结构的深度为0.1mm，平面度≤0.1mm；
对花纹结构外的其他区域进行抛光处理，所述抛光后的粗糙度Ra≤1.6μm；
对花纹结构外的其他区域进行喷砂处理，所述喷砂处理后的粗糙度Ra6～7μm；
对所述移动罩进行清洗、干燥以及包装。
实施例3
本实施例提供一种用于晶圆防护的移动罩，所述制备方法包括：
对环形不锈钢坯料进行预车削处理；
1090℃下热处理70min后空冷，以去除内部应力；
进行精密车削处理，所述精密车削处理包括铣圆、铣基准面、钻孔以及铣花纹，制备得到花纹结构以及固定孔，所述花纹结构的深度为0.3mm，平面度≤0.05mm；
对花纹结构外的其他区域进行抛光处理，所述抛光后的粗糙度Ra≤1.2μm；
对花纹结构外的其他区域进行喷砂处理，所述喷砂处理后的粗糙度Ra7～8μm；
对所述移动罩进行清洗、干燥以及包装。
实施例4
本实施例提供一种用于晶圆防护的移动罩，所述制备方法包括：
对环形不锈钢坯料进行预车削处理；
1050℃下热处理90min后空冷，以去除内部应力；
进行精密车削处理，所述精密车削处理包括铣圆、铣基准面、钻孔以及铣花纹，制备得到花纹结构以及固定孔，所述花纹结构的深度为0.2mm，平面度≤0.08mm；
对花纹结构外的其他区域进行抛光处理，所述抛光后的粗糙度Ra≤1.0μm；
对花纹结构外的其他区域进行喷砂处理，所述喷砂处理后的粗糙度Ra7.5～8μm；
对所述移动罩进行清洗、干燥以及包装。
实施例5
本实施例提供一种用于晶圆防护的移动罩，所述制备方法包括：
对环形不锈钢坯料进行预车削处理；
1060℃下热处理100min后空冷，以去除内部应力；
进行精密车削处理，所述精密车削处理包括铣圆、铣基准面、钻孔以及铣花纹，制备得到花纹结构以及固定孔，所述花纹结构的深度为0.15mm，平面度≤0.05mm；
对花纹结构外的其他区域进行抛光处理，所述抛光后的粗糙度Ra≤1.2μm；
对花纹结构外的其他区域进行喷砂处理，所述喷砂处理后的粗糙度Ra6～6.5μm；
对所述移动罩进行清洗、干燥以及包装。
对比例1
本对比例除了所述第二台阶、第三台阶以及第四台阶的表面未设置花纹结构外，其余条件均与实施例5相同。
本发明实施例2-4以及对比例1是使用的环形不锈钢的材质为SUS613，尺寸为
Figure BDA0003039983580000071
在不使用保护罩的情况下，进行晶圆加工，并收集掉落的薄膜，称取其质量，统计晶圆加工20次后每次平均掉落的薄膜质量。使用实施例2-4以及对比例1提供的移动罩进行晶元加工，并收集掉落的薄膜，称取其质量，计算移动罩对于掉落薄膜的收集率。收集率＝(未使用保护罩时薄膜平均掉落质量-使用保护罩后的实际掉落质量)/未使用保护罩时薄膜平均掉落质量×100％。其结果如表1所示。
表1
收集率
实施例1 92.1％
实施例2 93.7％
实施例3 93.3％
实施例4 92.8％
对比例1 56.5％
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (9)

1.一种用于晶圆防护的移动罩，其特征在于，所述移动罩包括底部以及外延部，所述底部与外延部通过侧壁相连，所述底部内侧设置有第一台阶以及第二台阶，所述第二台阶外侧设置有第三台阶以及第四台阶，所述第二台阶外侧设置有固定孔，所述第二台阶、第三台阶以及第四台阶的表面分别独立地设置有花纹结构；
所述用于晶圆防护的移动罩的制备方法包括：
对不锈钢坯料进行预车削处理；
热处理去除内部应力；
进行精密车削处理，制备得到花纹结构以及固定孔；
对花纹结构外的其他区域进行抛光处理；
对花纹结构外的其他区域进行喷砂处理；
所述花纹结构的深度为0.1～0.3mm，所述花纹区域的平面度≤0.1mm；
所述抛光后的粗糙度Ra≤1.6μm，所述喷砂处理后的粗糙度Ra为6～8μm。
2.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述外延部与所述底部平行设置，所述侧壁垂直于所述底部设置。
3.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述移动罩为圆环形。
4.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述不锈钢坯料为环形不锈钢坯料。
5.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述热处理的温度为1010～1090℃。
6.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述热处理的时间不低于70min。
7.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述热处理后进行空冷。
8.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述精密车削处理包括铣圆、铣基准面、钻孔以及铣花纹。
9.根据权利要求1所述的移动罩，其特征在于，所述喷砂后对所述移动罩进行清洗、干燥以及包装。
CN202110454242.8A 2021-04-26 2021-04-26 一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法 Active CN113182778B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110454242.8A CN113182778B (zh) 2021-04-26 2021-04-26 一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110454242.8A CN113182778B (zh) 2021-04-26 2021-04-26 一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113182778A CN113182778A (zh) 2021-07-30
CN113182778B true CN113182778B (zh) 2022-06-07

Family

ID=76979070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110454242.8A Active CN113182778B (zh) 2021-04-26 2021-04-26 一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113182778B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109887871A (zh) * 2019-03-26 2019-06-14 上海华力集成电路制造有限公司 晶圆洗边装置其使用方法及一保护罩
CN111468909A (zh) * 2020-05-22 2020-07-31 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩
CN112501577A (zh) * 2020-11-30 2021-03-16 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种晶圆固定环及其制备方法与应用
CN215050650U (zh) * 2021-04-19 2021-12-07 上海睿昇半导体科技有限公司 一种移动防护罩

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109887871A (zh) * 2019-03-26 2019-06-14 上海华力集成电路制造有限公司 晶圆洗边装置其使用方法及一保护罩
CN111468909A (zh) * 2020-05-22 2020-07-31 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种半导体溅射腔保护罩加工方法及半导体溅射腔保护罩
CN112501577A (zh) * 2020-11-30 2021-03-16 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种晶圆固定环及其制备方法与应用
CN215050650U (zh) * 2021-04-19 2021-12-07 上海睿昇半导体科技有限公司 一种移动防护罩

Also Published As

Publication number Publication date
CN113182778A (zh) 2021-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2894153B2 (ja) シリコンウエーハの製造方法、およびその装置
US6361313B1 (en) Ladder boat for supporting wafers
CN100400722C (zh) 消除半导体硅晶片表面应力的方法
CN102437043B (zh) 采用划磨方式去除igbt用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法
JP5517156B2 (ja) インゴットブロックの複合面取り加工装置
JP2008532315A (ja) バッフル・ウェーハおよびそのために使用されるランダム配向した多結晶シリコン
US20100006081A1 (en) Method for manufacturing silicon matter for plasma processing apparatus
KR101356303B1 (ko) 다결정 실리콘 웨이퍼
CN114161245B (zh) 一种硅片减薄装置和用于单晶硅片的减薄加工工艺
CN113182778B (zh) 一种用于晶圆防护的移动罩及其制备方法
CN111318961A (zh) 一种用于加工硅环的方法
CN106141918A (zh) 基板的制备方法
CN113369986B (zh) 一种晶圆防护罩的制备方法
CN103065935B (zh) 一种采用挤压方式去除igbt用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法
CN106914815B (zh) 半导体硅片的研磨方法
KR101485830B1 (ko) 내구성이 향상된 플라즈마 처리 장비용 단결정 실리콘 부품 및 이의 제조 방법
JP4224871B2 (ja) 半導体基板の製造方法
US6211088B1 (en) Manufacturing method for semiconductor gas-phase epitaxial wafer
JP2005311025A (ja) シリコンウエーハの製造方法及びそれにより製造されたシリコンウエーハ
CN215063252U (zh) 一种防护型晶圆冲洗真空干燥机
TWI474389B (zh) 矽磊晶晶圓的製造方法
WO2013080607A1 (ja) シリコン端材の再利用方法及びその精製物
WO2018025539A1 (ja) シリコンインゴットの切断方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
CN117051480B (zh) 晶片处理方法和系统
CN2932620Y (zh) 带损伤应力环的半导体硅切片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant