CN113179572A - 一种除静电装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种除静电装置。除静电装置包括剥离治具、接料通道、接料容器以及离子风模块，确保在半导体芯片从UV膜剥离过程中，针对每个产生静电的区域均有离子风来中和静电，同时，又避免了离子风将半导体芯片吹飞造成飞料和混料。
Description
技术领域
本发明涉及半导体芯片加工的技术领域，特别是涉及一种用于半导体封装芯片剥离工序中除静电装置。
背景技术
半导体封装芯片在UV膜上完成切割和UV工序之后，需要将芯片从UV膜上剥离下来。目前，剥离的方式主要包括手工剥离的方式或者采用机械或超声等自动化剥离方式。无论是手工作业、还是自动化作业，在剥离过程中，在UV膜的背面、正面、芯片落料区，均会生产高压静电，有时会达到1000V以上。一旦芯片产生ESD(静电放电)，将对芯片产生直接或潜在的损害，导致芯片良品率下降，或产生质量隐患。
目前，在剥离作业时，通常采用离子风吹拂作业区域的方式进行静电消除。由于在除静电过程中，离子风的风力必须维持在较低的风速水平以确保芯片不会被风力吹飞造成飞料、混料；而低速离子风则不能快速、有效的去除静电，仍然会造成部分芯片ESD(静电放电)。因此，现有的剥离作业中的除静电工艺中芯片的静电电压仍然维持在数百伏至1000V以上，并不能有效的除静电防止ESD。
因此，针对上述技术问题，有必要提供一种高效的离子风除静电装置，防止半导体芯片ESD损害，同时高速离子风又不会将芯片吹飞导致飞料和混料。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种高效的离子风除静电装置，同时高速离子风又不会将芯片吹飞导致飞料和混料。本发明实施例所提供的除静电装置包括分别位于不同位置的多个离子风模块，确保在芯片剥离过程中，多个方位均有离子风来中和静电。
为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：一种除静电装置，包括剥离治具，用于承载带有芯片的UV膜；接料通道，所述接料通道的入口与所述剥离治具连接，用于作为从所述UV膜剥离后的芯片的路径通道；接料容器，与所述接料通道的出口对准，用于接纳沿所述接料通道进入的芯片；其中，所述除静电装置还包括：第一离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第二离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第三离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；所述第一离子风模块位于所述剥离治具的上方位置，所述第二离子风模块位于所述剥离治具与所述接料通道的入口之间，所述第三离子风模块位于所述接料通道的出口与所述接料容器之间。
作为本发明的进一步改进，所述第一离子风模块的出风口朝向所述剥离治具，用于消除由于摩擦UV膜背面而产生的静电。
作为本发明的进一步改进，所述第二离子风模块的出风口朝向所述剥离治具的中心区域，用于消除由于芯片从UV膜上剥粒以及芯片互相撞击而产生的静电。
作为本发明的进一步改进，所述第三离子风模块的出风口朝向所述接料容器的容纳空间，用于消除由于芯片跌落而产生的静电。
作为本发明的进一步改进，所述剥离治具、所述第二离子风模块与所述接料通道的入口之间相互密封连接，防止离子风泄漏和芯片飞料。
作为本发明的进一步改进，所述接料通道呈漏斗状或直筒状，所述接料通道的一端为所述接料通道的入口，所述接料通道的另一端为所述接料通道的出口。
作为本发明的进一步改进，所述剥离治具由抗静电材料制成和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。
作为本发明的进一步改进，所述第二离子风模块由抗静电材料和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。
作为本发明的进一步改进，所述接料通道和/或所述接料容器采用抗静电材料制成和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。
作为本发明的进一步改进，所述除静电装置还包括真空吸尘模块，所述真空吸尘模块与所述接料容器连通，用于抽吸除芯片外的其它杂质。
作为本发明的进一步改进，所述接料容器中设置有滤网。
本发明具有以下优点：
本发明实施例所提供的除静电装置快速清除芯片剥离过程中各个部位产生的静电，防止ESD对芯片的损害，同时又防止芯片被离子风吹飞造成飞料和混料。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的除静电装置的立体结构示意图；
图2为图1所示实施例的除静电装置(装有UV膜和芯片)的爆炸示意图。
附图中的标记说明：
100、除静电装置 10、剥离治具 30、接料通道
50、接料容器 70、真空吸尘模块 22、第一离子风模块
24、第二离子风模块 26、第三离子风模块 11、料环
41、芯片 45、UV膜
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
如图1和图2所示，本发明第一实施例提供的除静电装置100。在该实施例中，除静电装置100包括剥离治具10、接料通道30、接料容器50以及多个位于不同区域的离子风模块。离子风模块是一种高效的除静电装置，可产生大量的带有正负电荷的气流，被压缩气高速吹出，可以将物体上所带的电荷中和掉。当物体表面所带电荷为负电荷时，它会吸引气流中的正电荷，当物体表面所带电荷为正电荷时，它会吸引气流中的负电荷，从而使物体表面上的静电被中和，达到消除静电的目的。
继续参考图2，剥离治具10用于承载带有芯片41的UV膜45。带有芯片41的UV膜45通过料环11固定于剥离治具10，即将带有芯片41的UV膜45置入剥离治具10中。载有芯片41的一面定义为UV膜45的正面。在该实施例中，将UV膜45的正面朝向接料通道30。人工或者自动刮蹭UV解胶后的UV膜45的背面，芯片41即可从UV膜45上剥离脱离，并沿接料通道30限定的路径而落入接料容器50中。
接料通道30的入口与剥离治具10连接，用于作为从UV膜45剥离后的芯片41的路径通道。接料通道30可以呈漏斗状或直筒状。接料通道30的一端为接料通道30的入口，接料通道30的另一端为接料通道的出口。继续参考图2所示，在该实施例中，接料通道30呈漏斗状。漏斗状的大口为接料通道30的入口，漏斗状的小口为接料通道30的出口。接料通道30漏斗状的形状设置，有助于提高芯片41的掉落速度和效率。
接料容器50用于接纳沿接料通道30进入的芯片41。接料通道50位于接料通道30的下方，与接料通道30的出口对准，此处对准的含义为从接料通道30出口出来的芯片41能落入接料容器50的入口即可。
继续参考图1和图2所示，除静电装置100还包括多个离子风模块，具体地，多个离子风模块包括第一离子风模块22、第二离子风模块24和第三离子风模块26。
第一离子风模块22位于剥离治具10的上方位置。第一离子风模块22的出风口朝向剥离治具10，用于消除由于摩擦UV膜45背面而产生的静电。当人工或自动刮蹭UV膜45的背面，芯片41开始从UV膜45上剥离，此时UV膜45背面因摩擦产生的静电被第一离子风模块22所产生的离子风迅速中和，从而有效地消除静电。在该实施例中，根据第一离子风模块22所产生离子风的朝向，也可以将第一离子风模块22定义成背面离子风模块。
第二离子风模块24位于剥离治具10与接料通道30的入口之间。第二离子风模块24的出风口朝向剥离治具10的中心区域，用于消除由于剥离芯片而产生的静电。芯片41从UV膜45的正面剥离产生的静电和芯片41互相之间撞击产生的静电，被第二离子风模块24喷出的、从侧面吹拂的离子风迅速中和。在该实施例中，根据第二离子风模块24所产生离子风的朝向，也可以将第二离子风模块24定义成正面离子风模块。
优选地，剥离治具10、第二离子风模块24与接料通道30的入口之间相互密封连接，保证气密性，防止离子风泄漏，并防止芯片41从剥离治具10、第二离子风模块24和接料通道30之间飞出。密封连接的方式可以采用多种方式，包括采用密封圈方式的机械密封、填料方式密封或迷宫密封等其他方式。第二离子风模块24从侧面吹拂UV膜45的正面和芯片41，风力覆盖整幅UV膜45，使接料通道30的内部处在离子风的氛围中。芯片41落入接料通道30中，随离子风气流落入接料容器50中。离子风气流从接料通道30的出口中逸出，持续不断的继续中和芯片41落料过程中互相碰撞产生的静电。由于剥料治具10和接料通道30之间密封，芯片41无法飞出接料通道30，进一步地防止了芯片41的飞料和混料。
第三离子风模块26位于接料通道30的出口与接料容器50之间。第三离子风模块26的出风口朝向接料容器50的容纳空间，用于消除由于芯片41跌落而产生的静电。在该实施例中，所定义的“第三离子风模块26位于接料通道30的出口与接料容器50之间”并不是要求“第三离子风模块26处于接料通道30的出口与接料容器50的中间位置”，此处，仅是限定第三离子风模块26与接料通道30的出口、接料容器50的一种位置相对关系，只需要第三离子风模块26所产生的离子风能够吹至接料通道30的出口及接料容器50的容纳空间。
优选地，接料通道30采用抗静电材料制成，进一步地提高除静电装置100的除静电效果。优选地，接料容器50采用抗静电材料制成。接料通道30与接料容器50也可以同时采用静电材料制成。优选地，接料通道30的表面设有抗静电涂层，进一步地提高除静电装置100的除静电效果。优选地，接料容器50的表面设有抗静电涂层,表面阻值为105～109Ω。接料通道30的表面与接料容器50的表面也可以同时设有抗静电涂层,表面阻值为105～109Ω。
优选地，剥离治具10由抗静电材料制成和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。
优选地，第二离子风模块24由抗静电材料和/或表面有抗静电涂层，表面阻值为105～109Ω。
优选地，除静电装置100还包括真空吸尘模块70。真空吸尘模块70与接料容器50连通，用于抽吸除芯片41外的其他杂质。优选地，接料容器50中设置有滤网(图中未示出)。第二离子风模块24喷射的离子风将UV膜45上落下的芯片41和金属粉等杂质经接料通道30，吹入接料容器50，第二离子风模块24产生的未经中和的正负电荷持续吹拂接料容器50中的芯片41，持续为芯片41除静电。真空吸尘模块70产生的负压将金属粉等杂质经接料容器50的滤网吸入真空吸尘模块70，芯片41则留在接料容器50内。由于杂质特别是金属粉尘被清除，芯片41更加难以产生静电放电。真空吸尘模块70产生的负压使第二离子风产生的离子风更容易穿过芯片41之间的缝隙，进一步提高了除静电效果。
本发明实施例所提供的除静电装置包括分别位于不同位置的三个离子风模块，确保在芯片剥离过程中，针对每个剥离步骤中可能产生静电的工序，均有离子风来中和静电。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种除静电装置，其特征在于，包括：
剥离治具，用于承载带有芯片的UV膜；
接料通道，所述接料通道的入口与所述剥离治具连接，用于作为从所述UV膜剥离后的芯片的路径通道；
接料容器，与所述接料通道的出口对准，用于接纳沿所述接料通道进入的芯片；
所述除静电装置还包括：
第一离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第二离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；第三离子风模块，用于产生带有正负电荷的气流；
所述第一离子风模块位于所述剥离治具的上方位置，所述第二离子风模块位于所述剥离治具与所述接料通道的入口之间，所述第三离子风模块位于所述接料通道的出口与所述接料容器之间。
2.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述第一离子风模块的出风口朝向所述剥离治具，用于消除由于摩擦UV膜背面而产生的静电。
3.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述第二离子风模块的出风口朝向所述剥离治具的中心区域，用于消除由于芯片从UV膜上剥离以及芯片互相撞击而产生的静电。
4.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述第三离子风模块的出风口朝向所述接料容器的容纳空间，用于消除由于芯片跌落而产生的静电。
5.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述剥离治具、所述第二离子风模块与所述接料通道的入口之间相互密封连接。
6.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述接料通道呈漏斗状或直筒状，所述接料通道的一端为所述接料通道的入口，其另一端为所述接料通道的出口。
7.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述剥离治具、第二离子风模块、接料通道和/或所述接料容器采用抗静电材料制成。
8.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述剥离治具的表面、所述第二离子风模块的表面、所述接料通道的表面和/或所述接料容器的表面设有抗静电涂层。
9.根据权利要求1所述的一种除静电装置，其特征在于，所述除静电装置还包括真空吸尘模块，所述真空吸尘模块与所述接料容器连通，用于抽吸除芯片外的其他杂质。
10.根据权利要求9所述的一种除静电装置，其特征在于，所述接料容器中设置有滤网。
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