CN113161336A - 一种纹路识别模组及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种纹路识别模组及其制备方法、显示装置，用以提高剥离良率。本申请实施例提供的一种纹路识别模组，纹路识别模组包括：柔性基底，包括纹路识别区以及位于纹路识别区之外的绑定区；多个纹路识别单元，在纹路识别区位于柔性基底一侧；多条信号线，与纹路识别单元位于柔性基底同一侧且与纹路识别单元电连接，每一信号线从纹路识别区延伸至绑定区；驱动芯片，在绑定区与信号线绑定；粘结剂层，位于柔性基底背离纹路识别单元一侧，粘结剂层在柔性基底的正投影与绑定区互不交叠。

Description

一种纹路识别模组及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及纹路识别技术领域，尤其涉及一种纹路识别模组及其制备方法、显示装置。
背景技术
屏下光学指纹是目前手机指纹识别的主流方案，为了应对手机内部的狭窄空间以及在曲面屏，折叠屏，卷轴屏手机中使用，具有柔性基底的指纹识别器件势必会被采用。制作具有柔性基底的指纹识别器件，需要将柔性基底贴在玻璃载体上，沉积指纹识别器件各个功能膜层后，需要通过热压绑定工艺与柔性电路板(FPC)进行电连接，也需要将柔性基底从载体玻璃上剥离。将柔性基底从载体玻璃上剥离有两种方法：1、先剥离柔性，贴合支撑膜后再进行FPC绑定，柔性基底在绑定的热压过程中形变量很大，导致绑定端子与FPC引脚无法对应电连接，会导致部分通道无法导通；并且还会导致柔性基底剥离后平整度下降，对位有困难，并且后续贴合其他膜层贴合效果较差。2、先绑定FPC再剥离柔性基底，但由于热压绑定工艺之后，柔性基底与玻璃之间的胶体状态有改变，粘性变大，更难剥离，还会造成绑定区和非绑定区的柔性基底与玻璃之间的胶体粘附力不一致，会出现剥离速度不一致的现象，同样不利于剥离，影响剥离良率。
发明内容
本申请实施例提供了一种纹路识别模组及其制备方法、显示装置，用以提高剥离良率。
本申请实施例提供的一种纹路识别模组，纹路识别模组包括：
柔性基底，包括纹路识别区以及位于纹路识别区之外的绑定区；
多个纹路识别单元，在纹路识别区位于柔性基底一侧；
多条信号线，与纹路识别单元位于柔性基底同一侧且与纹路识别单元电连接，每一信号线从纹路识别区延伸至绑定区；
驱动芯片，在绑定区与信号线绑定；
粘结剂层，位于柔性基底背离纹路识别单元一侧，粘结剂层在柔性基底的正投影与绑定区互不交叠。
在一些实施例中，在绑定区，柔性基底具有至少一个贯穿其厚度的第一过孔；信号线在柔性基底的正投影与第一过孔互不交叠。
在一些实施例中，柔性衬底具有至少一个过孔图案；过孔图案由多个第一过孔围成。
在一些实施例中，过孔图案复用为对位标记；
过孔图案为十字形。
在一些实施例中，过孔图案为数字或字母。
在一些实施例中，纹路识别模组还包括：支撑膜，位于粘结剂层背离柔性基底一侧。
本申请实施例提供的一种纹路识别模组的制备方法，方法包括：
提供承载基板；其中，承载基板包括：多个第一区以及第一区之外的第二区；
在承载基板的第二区域形成粘结剂层；
将柔性基底通过粘结剂层贴付于承载基板；柔性基底包括：多个纹路识别区和多个绑定区，每一纹路识别区与至少一个绑定区相邻；绑定区在承载基板的正投影与第一区重合，纹路识别区在承载基板的正投影落入第二区内；
在柔性基底的纹路识别区形成多个纹路识别单元，以及在绑定区形成与纹路识别单元电连接的信号线，形成纹路识别母板；
对纹路识别母板进行切割，获得多个纹路识别模组；其中，每一纹路识别模组中的柔性基底包括：一个纹路识别区和至少一个绑定区；
在绑定区绑定驱动芯片；驱动芯片与信号线电连接；
采用剥离工艺将纹路识别模组中的柔性基底从承载基板上剥离。
在一些实施例中，在承载基板的第二区域形成粘结剂层，具体包括：
在承载基板的第一区贴付可撕除膜；
在承载基板以及可撕除膜之上整面涂覆粘结剂材料，形成粘结剂层；
撕除可撕除膜。
在一些实施例中，将柔性基底通过粘结剂层贴付于承载基板之后，且在柔性基底的纹路识别区形成多个纹路识别单元，以及在绑定区形成与纹路识别单元电连接的信号线之前，方法还包括：
在绑定区形成至少一个贯穿柔性基底厚度的第一过孔。
在一些实施例中，采用剥离工艺将纹路识别模组中的柔性基底从承载基板上剥离之后，方法还包括：在柔性基底背离纹路识别单元一侧贴付支撑膜。
本申请实施例提供的一种显示装置，显示装置包括：显示面板，位于显示面板一侧的本申请实施例提供的纹路识别模组。
本申请实施例提供的纹路识别模组及其制备方法、显示装置，粘结剂层在柔性基底的正投影与绑定区互不交叠，即粘结剂层仅在纹路识别区设置，而未在绑定区设置，从而在纹路识别模组制备工艺中，当柔性基底通过粘结剂层与承载基板粘结，即便采用热压工艺绑定驱动芯片，由于绑定区未设置粘结剂层，且绑定工艺仅在绑定区进行，因此不会出现结剂层的粘性发生变化的情况，不会导致柔性基底与承载基板之间的粘结力不一致，进而不会出现剥离速度不一致的现象，避免出现柔性基底剥离损伤，可以提高剥离良率，进而提高纹路识别模组制备良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种纹路识别模组的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的沿图1中AA’的截面图；
图3为本申请实施例提供的一过孔图案的示意图；
图4为本申请实施例提供的另一过孔图案的示意图；
图5为本申请实施例提供的又一过孔图案的示意图；
图6为本申请实施例提供的另一种纹路识别模组的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种纹路识别模组的制备方法的流程图；
图8为本申请实施例提供的一种纹路识别模组的制备方法中承载基板的示意图；
图9为本申请实施例提供的一种纹路识别模组的制备方法中在承载基板上形成的柔性基底的示意图；
图10为本申请实施例提供的一种纹路识别模组的制备方法中在柔性基底形成第一过孔的示意图；
图11为本申请实施例提供的沿图10中BB’的截面图；
图12为本申请实施例提供的一种纹路识别模组的制备方法中奖柔性基底从承载基板上剥离的示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例的附图，对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本申请的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
除非另外定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本申请内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
本申请实施例提供了一种纹路识别模组，如图1、图2所示，纹路识别模组包括：
柔性基底1，包括纹路识别区2以及位于纹路识别区2之外的绑定区3；
多个纹路识别单元4，在纹路识别区2位于柔性基底1一侧；
多条信号线5，与纹路识别单元4位于柔性基底1同一侧且与纹路识别单元4电连接，每一信号线5从纹路识别区2延伸至绑定区3；
驱动芯片6，在绑定区3与信号线5绑定；
粘结剂层7，位于柔性基底1背离纹路识别单元4一侧，粘结剂层7在柔性基底1的正投影与绑定区3互不交叠。
需要说明的是，本申请实施例提供的纹路识别模组在制备过程中，将柔性基底通过粘结剂层与承载基板粘结，后续在柔性基底之上形成纹路识别单元、信号线等膜层之后，采用绑定工艺将驱动芯片在绑定区与信号线绑定，后续将承载基板与柔性基底剥离，粘结剂层保留在柔性基底背离纹路识别单元一侧。
本申请实施例提供的纹路识别模组，粘结剂层在柔性基底的正投影与绑定区互不交叠，即粘结剂层仅在纹路识别区设置，而未在绑定区设置，从而在纹路识别模组制备工艺中，当柔性基底通过粘结剂层与承载基板粘结，即便采用热压工艺绑定驱动芯片，由于绑定区未设置粘结剂层，且绑定工艺仅在绑定区进行，因此不会出现结剂层的粘性发生变化的情况，不会导致柔性基底与承载基板之间的粘结力不一致，进而不会出现剥离速度不一致的现象，避免出现柔性基底剥离损伤，可以提高剥离良率，进而提高纹路识别模组制备良率。
需要说明的是，图2例如可以是沿图1中AA’的截面图。
需要说明的是，本申请实施例提供的纹路识别模组，可以用于对指纹、掌纹等纹路进行识别。
在一些实施例中，如图2所示，柔性衬底1与纹路识别单元4之间还包括缓冲层13。
在一些实施例中，纹路识别单元包括：驱动电路以及与驱动电路电连接的光敏器件。即本申请实施例提供的纹路识别模组例如可以是光学式纹路识别模组。
在一些实施例中，驱动电路包括薄膜晶体管。在具体实施时，薄膜晶体管可以是顶栅、底栅等结构。以顶栅结构的薄膜晶体管为例，薄膜晶体管具体包括：在缓冲层之上依次设置的有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层、源极和漏极。源极和漏极通过贯穿层间绝缘层以及栅绝缘层的过孔分别与有源层接触。光敏器件与驱动电路之间还可以包括平坦化层，光敏器件通过平坦化层的过孔与薄膜晶体管的源极或漏极电连接。光敏器件之上例如还可以设置保护层。其中，栅绝缘层、层间绝缘层、平坦化层以及保护层可以延伸到绑定区。
在具体实施时，光敏器件例如可以是光敏二极管。如图2所示，在纹路识别单元之上还包括光学膜层14。光学膜层14可以仅在纹路识别区2覆盖纹路识别单元4。光学膜层例如包括准直光路薄膜以及滤光薄膜。在具体实施时，例如可以在保护层之上依次贴付准直光路薄膜以及滤光薄膜。
当然，在一些实施例中，本申请实施例提供的纹路识别模组也可以是超声纹路识别模组，纹路识别单元也可以包括驱动电路以及与驱动电路电连接的压电器件。
在一些实施例中，如图1所示，信号线5包括：在纹路识别区2沿第一方向Y延伸的多条第一信号线11，以及在纹路识别区2沿第二方向X延伸的多条第二信号线12；第一方向X和第二方向Y交叉；图1中以第一方向X和第二方向Y垂直为例进行举例说明；
柔性基底1包括两个绑定区3，两个绑定区3分别为：第一绑定区9，以及与第一绑定区9相邻的第二绑定区10；
第一绑定区9在第一方向Y与纹路识别区2相邻，第二绑定区10在第二方向X与纹路识别区2相邻。
在具体实施时，可以是如图1所示，每一绑定区3均设置驱动芯片。在具体实施时，驱动芯片可以通过柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)和/或覆晶薄膜(Chip OnFilm，COF)与信号线绑定。
在一些实施例中，如图1、图2所示，在绑定区3，柔性基底1具有至少一个贯穿其厚度的第一过孔8；信号线5在柔性基底1的正投影与第一过孔8互不交叠。
本申请实施例提供的纹路识别模组，在绑定区的柔性基底设置贯穿其厚度的第一过孔，从而在纹路识别模组制备过程中，使得未涂粘合剂层区域的柔性基底两侧气压保持一致，避免在后续在柔性基底上沉积膜层时在真空环境中发生柔性基底顶起导致的后续沉积膜层不平整，可以进一步提高纹路识别模组制备良率。
需要说明的是，图1中以第一过孔8的正投影形状为圆形为例进行举例说明。当然，第一过孔的正投影形状还可以是其他形状，例如矩形。
需要说明的是，图1中以绑定区3仅包括一个第一过孔8为例进行举例说明。当然，绑定区也可以包括多个第一过孔。在具体实施时，当柔性基底包括多个绑定区时，可以每一绑定区均设置贯穿柔性基底厚度的第一过孔。
在具体实施时，由于在柔性基底设置第一过孔，在绑定区位于柔性基底背离粘结剂层一侧沉积的与柔性基底接触的绝缘层(例如图2中的缓冲层13)不会出现不平整的情况，并且在沉积该绝缘层的工艺中，即便绝缘层材料填入第一过孔，也不会对后续膜层沉积造成影响。
在一些实施例中，如图3、图4、图5所示，柔性衬底具有至少一个过孔图案15；过孔图案15由多个第一过孔8围成。
需要说明的是，图3～5中仅示出部分绑定区3。
在具体实施时，当柔性基底具有多个绑定区时，可以是仅在一个绑定区柔性衬底具有过孔图案，也可以是在每一绑定区柔性衬底均具有过孔图案。
在一些实施例中，过孔图案复用为对位标记。
在具体实施时，过孔图案例如可以作为切割工艺、绑定工艺的对位标记，从而可以节省对位标记的制作工艺流程。
在一些实施例中，如图3所示，过孔图案15为十字形。
当然，过孔图案也可以是其他形状，在具体实施时，可以根据实际需要设置过孔图案的形状作为对位标记。
在一些实施例中，如图4所示，过孔图案15为数字。
在一些实施例中，如图5所示，过孔图案15为或字母。
在具体实施时，可以通过数字或者字母对纹路识别模组进行编号，过孔图案为数字或字母，即通过过孔图案记录纹路识别模组的变化，从而可以根据过孔图案的形状获得该纹路识别模组的生产信息。
需要说明的是，图4中以多个第一过孔8围成数字1为例进行举例说明。图4中以多个第一过孔8围成字母L为例进行举例说明。在具体实施时，过孔图案具体为何种数字或字母根据制作该纹路识别模组的编号进行选择。
在一些实施例中，当柔性基底具有多个第一过孔时，各第一过孔的正投影面积均相等。
在一些实施例中，当柔性衬底具有过孔图案时，沿过孔图案轮廓依次排列任意相邻两个第一过孔之间的距离相等。
在一些实施例中，如图6所示，纹路识别模组还包括：支撑膜16，位于粘结剂层7背离柔性基底1一侧。
这样，本申请实施例提供的纹路识别模组，可以通过支撑膜对柔性基底及其之上的纹路识别各功能层提供支撑。
在一些实施例中，柔性基底的材料包括：聚酰亚胺(PI)。
在一些实施例中，粘结剂层的材料包括：硅烷偶联剂。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种纹路识别模组的制备方法，如图7所示，纹路识别模组的制备方法包括：
S101、提供承载基板；其中，如图8所示，承载基板17包括：多个第一区18以及第一区18之外的第二区19；
S102、在承载基板的第二区域形成粘结剂层；
S103、将柔性基底通过粘结剂层贴付于承载基板；如图9所示，柔性基底1包括：多个纹路识别区2和多个绑定区3，每一纹路识别区2与至少一个绑定区3相邻；绑定区3在承载基板的正投影与第一区重合，纹路识别区2在承载基板的正投影落入第二区内；
S104、在柔性基底的纹路识别区形成多个纹路识别单元，以及在绑定区形成与纹路识别单元电连接的信号线，形成纹路识别母板；
S105、对纹路识别母板进行切割，获得多个纹路识别模组；其中，每一纹路识别模组中的柔性基底包括：一个纹路识别区和至少一个绑定区；
S106、在绑定区绑定驱动芯片；驱动芯片与信号线电连接；
S107、采用剥离工艺将纹路识别模组中的柔性基底从承载基板上剥离。
本申请实施例提供的纹路识别模组的制备方法，粘结剂层仅设置在承载基板的第二区，使得柔性基底在绑定区与承载基板之间无粘结剂层即便采用热压工艺绑定驱动芯片，由于绑定区未设置粘结剂层，且绑定工艺仅在绑定区进行，因此不会出现结剂层的粘性发生变化的情况，不会导致柔性基底与承载基板之间的粘结力不一致，进而不会出现剥离速度不一致的现象，避免出现柔性基底剥离损伤，可以提高剥离良率，进而提高纹路识别模组制备良率。
在一些实施例中，承载基板例如可以是玻璃基板。
需要说明的是，如图9所示，柔性基底还包括第三区20，第三区20为切割工艺中去除的区域。
在一些实施例中，步骤S102在承载基板的第二区域形成粘结剂层，具体包括：
在承载基板的第一区贴付可撕除膜；
在承载基板以及可撕除膜之上整面涂覆粘结剂材料，形成粘结剂层；
撕除可撕除膜。
在一些实施例中，在承载基板的第一区贴付可撕除膜具体包括：
在承载基板的第一区采用丝印工艺贴付蓝膜。
在一些实施例中，将柔性基底通过粘结剂层贴付于承载基板之后，且在柔性基底的纹路识别区形成多个纹路识别单元，以及在绑定区形成与纹路识别单元电连接的信号线之前，如图10所示，纹路识别模组制备方法还包括：
在绑定区3形成至少一个贯穿柔性基底1厚度的第一过孔8。
需要说明的是，图10中以第一过孔的正投影形状为矩形为例进行举例说明。沿图10中BB’的截面图例如可以是如图11所示。
在具体实施时，可以利用激光打孔工艺在柔性基底形成第一过孔。激光可以是准分子激光或者三倍频Nd:YAG调Q激光。
在一些实施例中，步骤S106在绑定区绑定驱动芯片，具体包括：
通过FPC和/或COF与信号线绑定，再将驱动芯片与FPC或COF绑定；
步骤S107采用剥离工艺将纹路识别模组中的柔性基底从承载基板上剥离，如图12所示，具体包括：
将承载基板置于真空吸台21，利用剥离设备的夹具24夹持FPC或COF 23，将FPC或COF 23作为机械抓手将柔性基底1从承载基板17上剥离。
需要说明的是，图12中仅示出柔性基底作为示意，而未示出柔性基底之上的纹路识别单元及信号线等膜层。在具体实施时，FPC或COF通过异方性导电胶膜22(AnisotropicConductive Film，ACF)固定并与信号线电连接。
需要说明的是，相关技术中，将柔性基底从承载基板上机械剥离要求将纹路识别母板切割为单个纹路识别模组时承载基板比柔性基底短出一截，此时相比于承载基板多出部分的柔性基底作为机械抓手，由于纹路识别单元尺寸很小，受切割精度的限制，不能保证预留出合适的柔性基底外延长度会导致柔性基底基材的浪费。
本申请实施例提供的纹路识别模组的制备方法，利用FPC或COF作为剥离工艺中的机械抓手，从而无需预留柔性基底作为机械抓手，可以避免基材浪费。即本申请实施例提供的纹路识别模组的制备方法，将纹路识别母板切割为单个纹路识别模组时承载基板比柔性基底的尺寸相同。
在一些实施例中，步骤S107采用剥离工艺将纹路识别模组中的柔性基底从承载基板上剥离之后，纹路识别模组制备方法还包括：
在柔性基底背离纹路识别单元一侧贴付支撑膜。
在一些实施例中，在绑定区绑定驱动芯片之后，且在将纹路识别模组中的柔性基底从承载基板上剥离之前，纹路识别模组制备方法还包括：
在纹路识别单元之上贴付光学膜片。
在一些实施例中，在纹路识别单元之上贴付光学膜片，具体包括：
在纹路识别单元之上依次贴付准直光路薄膜、滤光薄膜。
本申请实施例提供的一种显示装置，显示装置包括：显示面板，位于显示面板一侧的本申请实施例提供的纹路识别模组。
在一些实施例中，纹路识别模组背离显示面板的出光侧。
本申请实施例提供的显示装置为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本申请的限制。该显示装置的实施可以参见上述纹路识别模组的实施例，重复之处不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的纹路识别模组及其制备方法、显示装置，粘结剂层在柔性基底的正投影与绑定区互不交叠，即粘结剂层仅在纹路识别区设置，而未在绑定区设置，从而在纹路识别模组制备工艺中，当柔性基底通过粘结剂层与承载基板粘结，即便采用热压工艺绑定驱动芯片，由于绑定区未设置粘结剂层，且绑定工艺仅在绑定区进行，因此不会出现结剂层的粘性发生变化的情况，不会导致柔性基底与承载基板之间的粘结力不一致，进而不会出现剥离速度不一致的现象，避免出现柔性基底剥离损伤，可以提高剥离良率，进而提高纹路识别模组制备良率。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种纹路识别模组，其特征在于，所述纹路识别模组包括：
柔性基底，包括纹路识别区以及位于所述纹路识别区之外的绑定区；
多个纹路识别单元，在所述纹路识别区位于所述柔性基底一侧；
多条信号线，与所述纹路识别单元位于所述柔性基底同一侧且与所述纹路识别单元电连接，每一所述信号线从所述纹路识别区延伸至所述绑定区；
驱动芯片，在所述绑定区与所述信号线绑定；
粘结剂层，位于所述柔性基底背离所述纹路识别单元一侧，所述粘结剂层在所述柔性基底的正投影与所述绑定区互不交叠。
2.根据权利要求1所述的纹路识别模组，其特征在于，在所述绑定区，所述柔性基底具有至少一个贯穿其厚度的第一过孔；所述信号线在所述柔性基底的正投影与所述第一过孔互不交叠。
3.根据权利要求2所述的纹路识别模组，其特征在于，所述柔性衬底具有至少一个过孔图案；所述过孔图案由多个所述第一过孔围成。
4.根据权利要求3所述的纹路识别模组，其特征在于，所述过孔图案复用为对位标记；
所述过孔图案为十字形。
5.根据权利要求3所述的纹路识别模组，其特征在于，所述过孔图案为数字或字母。
6.根据权利要求1～5任一项所述的纹路识别模组，其特征在于，所述纹路识别模组还包括：支撑膜，位于所述粘结剂层背离所述柔性基底一侧。
7.一种纹路识别模组的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供承载基板；其中，所述承载基板包括：多个第一区以及所述第一区之外的第二区；
在所述承载基板的第二区域形成粘结剂层；
将柔性基底通过所述粘结剂层贴付于所述承载基板；所述柔性基底包括：多个纹路识别区和多个绑定区，每一所述纹路识别区与至少一个所述绑定区相邻；所述绑定区在所述承载基板的正投影与所述第一区重合，所述纹路识别区在所述承载基板的正投影落入所述第二区内；
在所述柔性基底的纹路识别区形成多个纹路识别单元，以及在所述绑定区形成与所述纹路识别单元电连接的信号线，形成纹路识别母板；
对所述纹路识别母板进行切割，获得多个纹路识别模组；其中，每一所述纹路识别模组中的所述柔性基底包括：一个所述纹路识别区和至少一个所述绑定区；
在所述绑定区绑定驱动芯片；所述驱动芯片与所述信号线电连接；
采用剥离工艺将所述纹路识别模组中的所述柔性基底从所述承载基板上剥离。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述承载基板的第二区域形成粘结剂层，具体包括：
在所述承载基板的所述第一区贴付可撕除膜；
在所述承载基板以及所述可撕除膜之上整面涂覆粘结剂材料，形成粘结剂层；
撕除所述可撕除膜。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，将柔性基底通过所述粘结剂层贴付于所述承载基板之后，且在所述柔性基底的纹路识别区形成多个纹路识别单元，以及在所述绑定区形成与所述纹路识别单元电连接的信号线之前，所述方法还包括：
在所述绑定区形成至少一个贯穿所述柔性基底厚度的第一过孔。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，采用剥离工艺将所述纹路识别模组中的所述柔性基底从所述承载基板上剥离之后，所述方法还包括：在所述柔性基底背离所述纹路识别单元一侧贴付支撑膜。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：显示面板，位于所述显示面板一侧的根据权利要求1～6任一项所述的纹路识别模组。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180247994A1 (en) * 2017-02-28 2018-08-30 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN108803164A (zh) * 2018-05-31 2018-11-13 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置
CN108962914A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 启耀光电股份有限公司 电子装置与其制造方法
CN109401651A (zh) * 2018-10-26 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种保护膜及其制备方法和显示母板组件
CN210324247U (zh) * 2019-08-22 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别模组和显示装置
CN111240510A (zh) * 2019-12-30 2020-06-05 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示装置
CN111402732A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180247994A1 (en) * 2017-02-28 2018-08-30 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN108962914A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 启耀光电股份有限公司 电子装置与其制造方法
CN108803164A (zh) * 2018-05-31 2018-11-13 厦门天马微电子有限公司 一种显示装置
CN109401651A (zh) * 2018-10-26 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种保护膜及其制备方法和显示母板组件
CN210324247U (zh) * 2019-08-22 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别模组和显示装置
CN111240510A (zh) * 2019-12-30 2020-06-05 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示装置
CN111402732A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板

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