CN113156678B - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

阵列基板和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN113156678B
CN113156678B CN202110469516.0A CN202110469516A CN113156678B CN 113156678 B CN113156678 B CN 113156678B CN 202110469516 A CN202110469516 A CN 202110469516A CN 113156678 B CN113156678 B CN 113156678B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
array substrate
polar plate
disposed
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110469516.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113156678A (zh
Inventor
陆志涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110469516.0A priority Critical patent/CN113156678B/zh
Priority to US17/297,562 priority patent/US20240194699A1/en
Priority to PCT/CN2021/094410 priority patent/WO2022227136A1/zh
Priority to EP21730451.8A priority patent/EP4332668A1/en
Priority to JP2021529050A priority patent/JP7372969B2/ja
Priority to KR1020217020078A priority patent/KR102473484B1/ko
Publication of CN113156678A publication Critical patent/CN113156678A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113156678B publication Critical patent/CN113156678B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13318—Circuits comprising a photodetector
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2354/00—Aspects of interface with display user
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
    • G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

本发明提供一种阵列基板和显示面板；该阵列基板包括显示单元和光感单元，光感单元包括第一晶体管、第二晶体管以及第一电容，第一晶体管和第二晶体管同层设置，第一电容位于第一晶体管和第二晶体管上方，第一电容的第一极板和第二极板均为透明电极板，第一极板由新增的透明导电膜层形成，第二极板由显示单元的公共电极复用，且在一帧时间内显示单元和光感单元分时交替工作，如此使得第一电容能够透光，不会额外占用显示区面积，还不会影响显示面板显示，以缓解现有显示面板存在的开口率低的问题。

Description

阵列基板和显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，通过把光控传感器集成到显示面板中，并以激光作为操控源的远程交互技术被人们所关注。光控传感器主要包括光感薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)、存储电容等，光感薄膜晶体管感光后产生光电流，储存电容用于暂存光感薄膜晶体管感光后产生光电流的电量。其中存储电容的大小需要与这个改变的电量相匹配，而为了匹配这个电量，存储电容的面积需要做的比较大。同时由于存储电容的不透光性，导致较大的存储电容占用较大的显示面积，使显示面板的开口率降低。
因此，现有显示面板存在的开口率低的技术问题需要解决。
发明内容
本发明提供一种阵列基板和显示面板，以缓解现有显示面板存在的开口率低的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明实施例提供一种阵列基板，其包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的像素电路，所述像素电路包括驱动电路和光感电路，所述光感电路包括第一晶体管、第二晶体管和第一电容；其中：
所述第一晶体管的栅极与第一控制信号线连接，所述第一晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极连接；
所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第一极连接，所述第二极板与公共电压信号线连接；
其中，所述第一极板和所述第二极板均为透明电极板，所述驱动电路和所述光感电路共用所述公共电压信号线。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述光感电路还包括读出电路，所述第二晶体管的第二极与所述读出电路连接，所述第二晶体管的栅极与第二控制信号线连接。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括光感单元，所述光感电路设置于所述光感单元内，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管同层设置，所述第一电容设置于所述第一晶体管和所述第二晶体管远离所述衬底基板的一侧。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括：
第一无机层，设置于所述第一晶体管和所述第二晶体管远离所述衬底基板的一侧；
第二无机层，设置于所述第一无机层远离所述第一晶体管的一侧，且位于所述第一极板和所述第二极板之间。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括显示单元，所述驱动电路设置于所述显示单元内，所述显示单元包括：
第三晶体管，与所述第一晶体管同层设置；
像素电极，与所述第一极板或所述第二极板同层设置；
公共电极，复用为所述第二极板。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一极板设置于所述第一无机层上，所述第二极板设置于所述第二无机层上。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第二极板设置于所述第一无机层上，所述第一极板设置于所述第二无机层上。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述阵列基板还包括显示单元，所述驱动电路设置于所述显示单元内，所述显示单元包括：
第三晶体管，与所述第一晶体管同层设置；
像素电极，设置于所述第三晶体管上方，且与所述第三晶体管电连接；
公共电极，复用为所述第二极板；
其中，所述像素电极与所述第一极板和所述第二极板不同层设置。
在本发明实施例提供的阵列基板中，所述公共电压信号线与所述第一晶体管的栅极同层设置。
本发明实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的阵列基板，其中所述显示面板在一帧时间内分为显示阶段和光感阶段，显示单元用于在所述显示阶段工作，光感单元用于在所述光感阶段工作。
本发明的有益效果为：本发明提供的阵列基板和显示面板中第一电容的第一极板和第二极板均为透明电极板，第一极板由新增的透明导电膜层形成，第二极板由显示单元的公共电极复用，且在一帧时间内显示单元和光感单元分时交替工作，如此使得第一电容能够透光，不会额外占用显示区面积，还不会影响显示面板显示，提高了显示面板的开口率和显示效果。同时由于第一电容的极板为透明电极板，可以设置于显示区且不会影响显示，因此可以设置较大面积的第一电容，提高了光感效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的像素电路的框架结构示意图。
图2为本发明实施例提供的光感电路的电路结构示意图。
图3为本发明实施例提供的阵列基板的第一种膜层结构剖面示意图。
图4为本发明实施例提供的阵列基板的第二种膜层结构剖面示意图。
图5为本发明实施例提供的阵列基板的第三种膜层结构剖面示意图。
图6为本发明实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。
图7为本发明实施例提供的显示面板分时多工的时序示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本发明不限于此。
请结合参照图1至图3，图1为本发明实施例提供的像素电路的框架结构示意图，图2为本发明实施例提供的光感电路的电路结构示意图，图3为本发明实施例提供的阵列基板的第一种膜层结构剖面示意图。所述阵列基板100包括衬底基板10以及设置于所述衬底基板10上像素电路PC，所述像素电路PC包括驱动电路DC和光感电路LC。所述阵列基板100还包括设置于所述衬底基板10上的显示单元20和光感单元30，所述驱动电路DC设置于所述显示单元20内，用于驱动所述显示单元20内的像素进行显示，所述光感电路LC设置于所述光感单元30内，用于通过感测光强的变化使所述光感单元30实现触控、指纹识别、远距离光学交互等功能。
可选地，所述光感电路LC包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和第一电容C1。所述第一晶体管T1的栅极M1与第一控制信号线SVGG连接，所述第一晶体管T1的第一极S1与第一电源线SVDD连接，所述第一晶体管T1的第二极D1与所述第二晶体管T2的第一极S2连接。所述第一电容C1包括第一极板11和第二极板12，所述第一极板11与所述第一晶体管T1的第二极D1和所述第二晶体管T2的第一极S2连接，所述第二极板12与公共电压信号线Vcom连接。其中，所述第一极板11和所述第二极板12均为透明电极板，所述驱动电路DC和所述光感电路LC共用所述公共电压信号线Vcom。
进一步地，所述光感电路LC还包括读出电路，所述第二晶体管T2的第二极D2与所述读出电路连接，所述第二晶体管T2的栅极M2与第二控制信号线Gate连接。
可选地，所述读出电路包括运算放大器FD、第二电容C2、第一开关Sr，所述运算放大器FD包括反相输入端、同相输入端以及输出端(如图2中的运算放大器FD中标示的“-”表示反相输入端，“+”表示同相输入端)，所述同相输入端连接比较电压Vref，所述反相输入端连接所述第二晶体管T2的第二极D2。所述第二电容C2和所述第一开关Sr均与所述运算放大器FD并联连接，具体地，所述第二电容C2的一端和所述第一开关Sr的一端均与所述运算放大器FD的反相输入端连接，所述第二电容C2的另一端和所述第一开关Sr的另一端均与所述运算放大器FD的输出端连接。所述运算放大器FD的输出端还连接读出线Readout，所述读出线Readout用于输出光感信号。
需要说明的是，本发明的晶体管的第一极可以为晶体管的源极，晶体管的第二极可以为晶体管的漏极，比如所述第一晶体管T1的第一极S1即为所述第一晶体管T1的源极，所述第一晶体管T1的第二极D1即为所述第一晶体管T1的漏极，但本发明不限于此。另外，本发明的所述第一电容C1为存储电容，所述第二电容C2为积分电容，所述第一晶体管T1为光敏晶体管，所述第二晶体管T2为开关晶体管。
所述光感电路LC的工作过程包括：所述第一控制信号线SVGG给所述第一晶体管T1的栅极M1提供电压，使所述第一晶体管T1的所述第一极S1和所述第一晶体管T1的所述第二极D1导通，所述第一晶体管T1的沟道因被光照射而产生光生漏电流，并依光强的程度产生不同程度的漏电流。所述第一电源线SVDD的电信号从所述第一晶体管T1的第一极S1流向第二极D1，并到达所述第一电容C1的第一极板11，并因所述第一晶体管T1产生的光生漏电流而产生变化。所述第一电容C1的第二极板12连接所述公共电压信号线Vcom，则此时所述第一电容C1处于充电状态，其充电的电信号包含光感的信息。
同时所述第一电容C1的第一极板11还与所述第二晶体管T2的第一极S2连接，当所述第二控制信号线Gate给所述第二晶体管T2的栅极M2提供电压使所述第二晶体管T2的第一极S2和第二极D2导通时，则所述第一电容C1存储的电荷通过所述第二晶体管T2的第一极S2流向所述第二晶体管T2的第二极D2，使得所述第一电容C1通过所述第二晶体管T2放电。
所述第二晶体管T2的第二极D2与所述读出电路连接，所述读出电路接收所述第二晶体管T2的第二极D2流出的电荷，并把该电荷转换成电压信号输出。
继续参照图3，所述阵列基板100包括显示单元20和光感单元30，所述光感单元30的所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2同层设置，所述第一电容C1设置于所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2远离所述衬底基板10的一侧。所述显示单元20包括第三晶体管T3、像素电极13和公共电极14，所述第三晶体管T3与所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2同层设置，所述像素电极13设置于所述第三晶体管T3上方，且与所述第三晶体管T3电连接，所述公共电极14与所述像素电极13同层设置，且所述公共电极14复用为所述第一电容C1的第二极板12，也即所述像素电极13与所述第一电容C1的第二极板12同层设置。
可选地，所述衬底基板10可以为刚性基板或柔性基板；所述衬底基板10为刚性基板时，可包括玻璃基板等硬性基板；所述衬底基板10为柔性基板时，可包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜、超薄玻璃薄膜等柔性基板。
需要说明的是，所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2以及所述第三晶体管T3同层设置在指所述第一晶体管T1、所述第二晶体管T2以及所述第三晶体管T3的各膜层在制备工艺中，将相同材料形成的膜层进行图案化处理得到至少两个不同的特征。比如本实施例中的所述像素电极13与所述公共电极14经由同一透明导电层图案化处理后得到，则所述像素电极13与所述公共电极14同层设置。
可选地，所述阵列基板100包括依次层叠设置在所述衬底基板10上的第一金属层、栅极绝缘层40、半导体层以及第二金属层。其中图案化所述第一金属层形成所述第一晶体管T1的栅极M1、所述第二晶体管T2的栅极M2、所述第三晶体管T3的栅极M3以及公共电压信号线Vcom；图案化所述半导体层形成所述第一晶体管T1的有源层21、所述第二晶体管T2的有源层22以及所述第三晶体管T3的有源层23；图案化所述第二金属层形成所述第一晶体管T1的第一极S1和第二极D1、所述第二晶体管T2的第一极S2和第二极D2、所述第三晶体管T3的第一极S3和第二极D3以及用于连接所述第一晶体管T1的第二极D1与所述第二晶体管T2的第一极S2的连接走线24。
需要说明的是，所述半导体层和所述第二金属层可以通过同一光罩进行黄光工艺以同时形成晶体管的第一极、第二极、连接走线以及有源层图案等结构。具体地，在所述栅极绝缘层上依次层叠沉积所述半导体层、所述第二金属层，然后采用半色调掩膜光罩(Half-tone mask，HTM)或灰阶色调掩膜光罩(Gray Tone Mask，GTM)对所述半导体层、所述第二金属层进行黄光工艺，通过多次曝光、显影、蚀刻等工艺形成需要的图案结构。
所述第一晶体管T1的第一极S1和第二极D1与所述第一晶体管T1的有源层21直接接触，且所述第一晶体管T1的第一极S1和第二极D2之间具有间隔，对应该间隔的所述有源层21部分为所述第一晶体管T1的沟道。所述第二晶体管T2的第一极S2和第二极D2与所述第二晶体管T2的有源层22直接接触，且所述第二晶体管T2的第一极S2和第二极D2之间具有间隔，对应该间隔的所述有源层22部分为所述第二晶体管T2的沟道。所述第三晶体管T3的第一极S3和第二极D3与所述第三晶体管T3的有源层23直接接触，且所述第三晶体管T3的第一极S3和第二极D3之间具有间隔，对应该间隔的所述有源层23部分为所述第三晶体管T3的沟道。当然地，晶体管的第一极和第二极与有源层接触的部分还可设置欧姆接触层，以减小阻抗。
进一步地，所述阵列基板100还包括第一无机层50和第二无机层60，所述第一无机层50设置于所述第一晶体管T1和所述第二晶体管T2远离所述衬底基板10的一侧；第二无机层60设置于所述第一无机层50远离所述第一晶体管T1的一侧，且位于所述第一极板11和所述第二极板12之间。
具体地，所述第一无机层50覆盖在所述第一晶体管T1的第一极S1和第二极D1以及所述第二晶体管T2的第一极S2和第二极D2上，以及覆盖在所述栅极绝缘层40上。图案化所述第一无机层50形成第一开孔，所述第一开孔贯穿所述第一无机层50至所述连接走线24，以裸漏出部分所述连接走线24。所述第一无机层50的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)等无机物。
所述第一电容C1的所述第一极板11设置于所述第一无机层50上，所述第一电容C1的所述第二极板12设置于所述第二无机层60上。具体地，所述第一无机层50上设置有第一透明导电层，图案化所述第一透明导电层形成所述第一电容C1的第一极板11，所述第一极板11通过所述第一无机层50的第一过孔与所述连接走线连接，也即所述第一极板11与所述第一晶体管T1的第二极D1以及所述第二晶体管T2的第一极S2连接。所述第一透明导电层的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明导电材料。
所述第二无机层60覆盖在所述第一极板11以及所述第一无机层50上，图案化所述第二无机层60形成有第二开孔和第三开孔，所述第二开孔贯穿所述第二无机层60、所述第一无机层50以及所述栅极绝缘层40至所述公共电压信号线Vcom，以裸露出部分所述公共电压信号线Vcom。所述第三开孔贯穿所述第二无机层60和所述第一无机层50至所述第三晶体管T3的第二极D3，以裸露出部分所述第三晶体管T3的第二极D3。所述第一无机层50的材料包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)等无机物。
所述第二无机层60上设置有第二透明导电层，图案化所述第二透明导电层形成所述显示单元20的所述像素电极13和所述公共电极14，所述公共电极14通过所述第二过孔与所述公共电压信号线Vcom连接，且所述公共电极14复用为所述第一电容C1的第二极板12，其中所述公共电压信号线Vcom提供恒定的稳压电压信号。所述像素电极13通过所述第三过孔与所述第三晶体管T3的第二极D3连接。所述第二透明导电层的材料包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等透明导电材料。
在本实施例中，通过在所述阵列基板100上新增单独的透明导电膜作为所述光感单元30的第一电容C1的第一极板11，并把所述显示单元20的公共电极14复用为所述第一电容C1的第二极板12，如此使得第一电容C1能够透光，不会额外占用显示区面积，还不会影响使用该阵列基板100的显示面板的正常显示，提高了显示面板的开口率和显示效果。同时由于第一电容C1的极板为透明电极板，可以设置于显示区且不会影响显示，因此可以设置较大面积的第一电容C1，提高了光感效果。
在一种实施例中，请参照图4，图4为本发明实施例提供的阵列基板的第二种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，在所述阵列基板101的所述光感单元30内，所述第一电容C1的所述第二极板12设置于所述第一无机层50上，所述第一极板11设置于所述第二无机层60上。且所述显示单元20的所述像素电极13与所述第一电容C1的第一极板11同层设置，所述公共电极14复用为所述第一电容C1的第二极板12。
具体地，所述第二极板12通过所述第一无机层50的过孔与所述公共电压信号线Vcom连接，所述第一极板11通过所述第二无机层60的过孔与所述连接走线24连接，所述像素电极13通过所述第二无机层60的另一过孔与所述第三晶体管T3的第二极D3连接。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
在一种实施例中，请参照图5，图5为本发明实施例提供的阵列基板的第三种剖面结构示意图。与上述实施例不同的是，在所述阵列基板102的所述显示单元20内，所述像素电极13和所述公共电极14不同层设置，所述公共电极14复用为所述第一电容C1的第二极板12。
具体地，所述阵列基板100还包括第三无机层70，所述第一电容C1的第一极板11设置在所述第一无机层50上，所述公共电极14设置在所述第二无机层60上，所述像素电极13设置在所述第三无机层70上，所述第三无机层70的材料可以和所述第一无机材和/或所述第二无机层60的材料相同。所述公共电极14可以设置为整面的电极，如此可以设置更多的像素电极13，以提高分别率。其他说明请参照上述实施例，在此不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例其中之一的阵列基板，其中所述显示面板在一帧时间内分为显示阶段和光感阶段，显示单元20用于在所述显示阶段工作，光感单元30用于在所述光感阶段工作。
具体地，请结合参照图3、图6及图7，图6为本发明实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图，图7为本发明实施例提供的显示面板分时多工的时序示意图。所述显示面板1000为液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)面板，所述显示面板1000包括阵列基板100、与所述阵列基板100相对设置的彩膜基板200以及设置在所述阵列基板100和所述彩膜基板200之间的液晶层300。
因所述阵列基板100上集成有光感单元30，则包含所述阵列基板100的显示面板1000能够实现触控、指纹识别、远距离光学交互等功能，同时把光感单元30集成到所述显示面板1000内，还可减薄所述显示面板1000的整体厚度。
把所述光感单元30与所述显示单元20一块集成到阵列基板100上，为了不影响所述显示面板1000的显示，所述光感单元30和所述显示单元20可采用分时交替工作。具体地，请参照图7，在一帧时间内，所述显示面板1000分为显示阶段DD和光感阶段SD，在所述显示阶段DD栅极扫描线依次提供扫描信号(如图7中的G1至Gn-2、Gn-1、Gn)以控制所述显示单元20的晶体管打开和关闭，实现所述显示面板1000的显示功能；在所述光感阶段SD，栅极扫描线停止扫描，如图7中的G1至Gn-2、Gn-1、Gn在所述光感阶段DD全部置于低电平，以关闭所述显示面板1000的显示功能，使光感单元30在所述光感阶段SD工作。如此把所述显示面板1000的显示单元20和光感单元30分时交替工作，可以在不影响所述显示面板1000正常显示的同时，实现所述显示面板1000的触控、指纹识别、远距离光学交互等功能。
本发明实施例还提供一种显示装置，其包括前述实施例其中之一的显示面板、绑定于所述显示面板的电路板等器件以及覆盖在所述显示面板上的盖板等。所述显示装置包括手机、电视机、笔记本电脑等电子设备。
根据上述实施例可知：
本发明提供一种阵列基板和显示面板，所述阵列基板包括显示单元和光感单元，光感单元包括第一晶体管、第二晶体管以及第一电容，第一晶体管和第二晶体管同层设置，第一电容位于第一晶体管和第二晶体管上方；第一电容的第一极板和第二极板均为透明电极板，第一极板由新增的透明导电膜层形成，第二极板由显示单元的公共电极复用，且在一帧时间内显示单元和光感单元分时交替工作，如此使得第一电容能够透光，不会额外占用显示区面积，还不会影响显示面板显示，提高了显示面板的开口率和显示效果。同时由于第一电容的极板为透明电极板，可以设置于显示区且不会影响显示，因此可以设置较大面积的第一电容，提高了光感效果。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的像素电路和显示单元，所述像素电路包括驱动电路和光感电路，所述驱动电路设置在所述显示单元内，所述光感电路包括第一晶体管、第二晶体管和第一电容；其中：
所述第一晶体管的栅极与第一控制信号线连接，所述第一晶体管的第一极与第一电源线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第二晶体管的第一极连接；
所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第一极板与所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第一极连接，所述第二极板与公共电压信号线连接，所述第一电容在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一晶体管在所述衬底基板上的正投影；
其中，所述第一极板和所述第二极板均为透明电极板，所述驱动电路和所述光感电路共用所述公共电压信号线；所述显示单元包括公共电极，所述公共电极复用为所述第二极板。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光感电路还包括读出电路，所述第二晶体管的第二极与所述读出电路连接，所述第二晶体管的栅极与第二控制信号线连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括光感单元，所述光感电路设置于所述光感单元内，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管同层设置，所述第一电容设置于所述第一晶体管和所述第二晶体管远离所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第一无机层，设置于所述第一晶体管和所述第二晶体管远离所述衬底基板的一侧；
第二无机层，设置于所述第一无机层远离所述第一晶体管的一侧，且位于所述第一极板和所述第二极板之间。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述显示单元还包括：
第三晶体管，与所述第一晶体管同层设置；
像素电极，与所述第一极板或所述第二极板同层设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一极板设置于所述第一无机层上，所述第二极板设置于所述第二无机层上。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二极板设置于所述第一无机层上，所述第一极板设置于所述第二无机层上。
8.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述显示单元还包括：
第三晶体管，与所述第一晶体管同层设置；
像素电极，设置于所述第三晶体管上方且与所述第三晶体管电连接；
其中所述像素电极与所述第一极板和所述第二极板不同层设置。
9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电压信号线与所述第一晶体管的栅极同层设置。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项的阵列基板，其中所述显示面板在一帧时间内分为显示阶段和光感阶段，显示单元用于在所述显示阶段工作，光感单元用于在所述光感阶段工作。
CN202110469516.0A 2021-04-28 2021-04-28 阵列基板和显示面板 Active CN113156678B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110469516.0A CN113156678B (zh) 2021-04-28 2021-04-28 阵列基板和显示面板
US17/297,562 US20240194699A1 (en) 2021-04-28 2021-05-18 Array substrate and display panel
PCT/CN2021/094410 WO2022227136A1 (zh) 2021-04-28 2021-05-18 阵列基板和显示面板
EP21730451.8A EP4332668A1 (en) 2021-04-28 2021-05-18 Array substrate and display panel
JP2021529050A JP7372969B2 (ja) 2021-04-28 2021-05-18 アレイ基板及び表示パネル
KR1020217020078A KR102473484B1 (ko) 2021-04-28 2021-05-18 어레이 기판 및 디스플레이 패널

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110469516.0A CN113156678B (zh) 2021-04-28 2021-04-28 阵列基板和显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113156678A CN113156678A (zh) 2021-07-23
CN113156678B true CN113156678B (zh) 2023-02-28

Family

ID=76872252

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110469516.0A Active CN113156678B (zh) 2021-04-28 2021-04-28 阵列基板和显示面板

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240194699A1 (zh)
EP (1) EP4332668A1 (zh)
JP (1) JP7372969B2 (zh)
KR (1) KR102473484B1 (zh)
CN (1) CN113156678B (zh)
WO (1) WO2022227136A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113946241A (zh) * 2021-10-09 2022-01-18 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示终端
CN114171542B (zh) * 2021-12-06 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101452527A (zh) * 2007-12-06 2009-06-10 奇景光电股份有限公司 电容式指纹感应器及其面板
CN104155785A (zh) * 2014-08-07 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN110491886A (zh) * 2019-08-23 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN111584577A (zh) * 2020-05-14 2020-08-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4085369B2 (ja) * 2002-10-10 2008-05-14 日本ビクター株式会社 液晶表示装置
KR100957585B1 (ko) 2003-10-15 2010-05-13 삼성전자주식회사 광 감지부를 갖는 전자 디스플레이 장치
KR101032946B1 (ko) * 2004-04-01 2011-05-09 삼성전자주식회사 광센서 및 이를 구비한 표시 장치
US7688082B2 (en) * 2008-02-20 2010-03-30 Himax Technologies Limited Capacitive fingerprint sensor and the panel thereof
JP2010262268A (ja) 2009-05-06 2010-11-18 Samsung Electronics Co Ltd 情報認識表示装置
KR102139355B1 (ko) 2013-12-31 2020-07-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US10431164B2 (en) 2016-06-16 2019-10-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
US11805677B2 (en) 2019-08-27 2023-10-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display panel, and manufacturing method of display substrate
CN111725242B (zh) 2020-06-30 2022-09-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN111916464B (zh) 2020-09-15 2023-12-01 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法、显示面板
CN112306304B (zh) 2020-10-16 2022-04-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112415798B (zh) * 2020-11-10 2023-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101452527A (zh) * 2007-12-06 2009-06-10 奇景光电股份有限公司 电容式指纹感应器及其面板
CN104155785A (zh) * 2014-08-07 2014-11-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其驱动方法、显示装置
CN110491886A (zh) * 2019-08-23 2019-11-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN111584577A (zh) * 2020-05-14 2020-08-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113156678A (zh) 2021-07-23
KR20220149404A (ko) 2022-11-08
JP7372969B2 (ja) 2023-11-01
WO2022227136A1 (zh) 2022-11-03
EP4332668A1 (en) 2024-03-06
JP2023526876A (ja) 2023-06-26
KR102473484B1 (ko) 2022-12-01
US20240194699A1 (en) 2024-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109686770B (zh) 显示面板和显示装置
CN109031824B (zh) 阵列基板、显示屏及电子设备
TWI416214B (zh) 液晶顯示器裝置及製造其之方法
EP0573045A2 (en) Liquid crystal display device having photosensor
CN113156678B (zh) 阵列基板和显示面板
US20170178556A1 (en) Display Device and Array Substrate
US8355195B2 (en) Electrophoretic display device and electronic apparatus
KR101365176B1 (ko) 표시장치 및 이의 제조방법
JP2006503333A (ja) 指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置、及びこれの製造方法
CN101197381B (zh) 显示装置和电子设备
KR20090123141A (ko) 액정 표시 장치
TWI438540B (zh) 使用光感測器之電泳顯示裝置
KR20080068949A (ko) 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
CN109031823B (zh) 显示屏、电子设备及其控制方法
CN109477988B (zh) 显示面板、终端及显示控制方法
CN109031825B (zh) 阵列基板、显示屏及电子设备
CN112130698B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN106991922A (zh) 显示装置与移动电子终端
CN106991930A (zh) 显示面板与移动电子终端
KR102507151B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150137218A (ko) 액정표시장치 및 이의 제조 방법
US20190086720A1 (en) Liquid Crystal Display
JP2008158478A (ja) 液晶表示装置
EP1570311B1 (en) Active matrix display devices
KR20070002685A (ko) 표시기판, 이의 제조 방법 및 표시기판을 갖는 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant