CN113140655A - 一种背面选择性发射极topcon电池的制备方法 - Google Patents
一种背面选择性发射极topcon电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113140655A CN113140655A CN202110355312.4A CN202110355312A CN113140655A CN 113140655 A CN113140655 A CN 113140655A CN 202110355312 A CN202110355312 A CN 202110355312A CN 113140655 A CN113140655 A CN 113140655A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- polysilicon
- depositing
- front surface
- alkali
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims abstract description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 claims description 4
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910019213 POCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl chloride Substances ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明涉及一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，包括如下步骤：1）对N型硅片清洗制绒；2）正面硼扩散；3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作；5)背面磷扩散；6）去除正面第二层多晶硅；7）印刷掩膜层；8）酸洗去正背面PSG、碱洗，碱抛形成轻、重扩区；9）正面沉积氧化铝；10）正面减反膜沉积；11）背面钝化膜沉积；12）电极印刷。本发明在炉管内直接制备出SiOx+Poly Si+SiOx+Poly Si复合双层结构，同时只需在原有的TOPCON电池制备流程上增加一步掩膜工序，通过清洗工艺就可以一步形成重、轻扩区，降低了制造成本低，易于实现量产化。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池制备技术领域，具体涉及一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法。
背景技术
随着太阳能行业的不断发展，简单、高效成为太阳能电池的发展必然趋势。
TOPCON电池背面选择性发射极技术主要为通过改变poly硅即多晶硅的两种不同厚度，重扩区的poly硅厚度一般为60-250nm，轻扩区的poly硅厚度为10-100nm。
目前一般的背面选择性发射极结构的TOPCON电池制备流程为：N型硅片清洗制绒、正面B扩散制备PN结、背面酸洗、背面刻蚀去BSG&背面抛光、背面遂穿SiO2以及Poly Si、背面P扩散、背面蜡印掩膜层制备、正背面酸洗、正背面去poly，酸洗去BSG、正面氧化铝、正面&背面钝化膜沉积、正背面电极印刷、烧结、抗LID注入。由此可见，实现TOPCON电池背面的poly选择性发射极结构所需的流程较多，步骤复杂，其需要进行两次poly 硅的沉积，两次背面的P扩散，以及掩膜的图形化，复杂的流程以及繁琐的步骤将导致工艺稳定性难以控制，另外额外增加的步骤将提升电池制造成本以及难以实现量产化。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明的目的在于提供一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其工艺简单，制造成本低，且易于实现量产化。
为了实现上述目的，本发明的技术方案为：
一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，包括如下步骤：
1）对N型硅片清洗制绒；
2）正面硼扩散；
3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；
4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作：将硅片送入炉管内进行氧化，管温为500-750℃，在硅片正背面生长出厚度为1-2nm的第一层氧化硅；随后在炉管内通入SiH4，沉积生长得到厚度为40nm-200nm的第一层多晶硅；
调整炉内温度至500-600之间，并抽至低压后进行通氧，氧气流量5slm-20slm，随后进行恒压氧化3-5min形成均匀厚度的第二层氧化硅；随后在炉管内通入SiH4，调压至20pa-300pa之间，SiH4流量100sccm-1000sccm之间，沉积时间20-40min，形成均匀厚度的第二层多晶硅；
5)背面磷扩散；
6）去除正面第二层多晶硅；
7）使用丝网印刷，在背面制备出与电极图形一致的掩膜层；
8）酸洗去正背面PSG、碱洗，碱抛形成轻、重扩区；
9）正面沉积氧化铝；
10）正面减反膜沉积；
11）背面钝化膜沉积；
12）电极印刷。
作为本发明的进一步改进：由于步骤4）中生长了两层氧化硅以及多晶硅，而本步骤针对的是第二层较薄的氧化硅以及多晶硅进行的，为了保证第二层氧化硅不受到掺杂高温的破坏同时兼顾掺杂浓度，本发明使用先低温沉积然，后在不同温度进行推进，利用不同的温度控制将第二层氧化硅进行保护；步骤5）具体为：采用POCl3扩散，先低温沉积，沉积温度为750-800℃；后分段推进：先在温度为800-850℃进行推进，时间为5-30min，再在850-930℃高温推进，时间10-30min；最后进行降温至720-780之间。
作为本发明的优选方式：第二层多晶硅和氧化硅的厚度小于第一层多晶硅和氧化硅的厚度，别于后续工艺的顺利进行以及对轻重扩区的控制。
作为本发明的进一步改进：步骤8）具体为：使用浓度为1%-10%HF洗去除正背面的PSG，脱水后使用浓度为1%-10%的氨水和浓度为1%-20%的双氧水进行碱洗；随后进行碱抛，碱抛使用浓度为1%-15%的氢氧化钾或者氢氧化钠，温度40-80℃，时间1-10min，完成后进行酸洗。
本发明中重扩区与轻扩区不同的多晶硅厚度制备过程中使用掩膜层，利用掩膜层保护内层的氧化硅，随后通过清洗的方式在背面掩膜区形成重扩区，非掩膜区形成轻扩区；本发明通过配置适合的清洗工艺一步就可以形成重轻扩区不同的多晶硅厚度，简单实用。
本发明的创新点及优点在于：
1、设计出了新型制备工艺，并使工艺步骤简单化，避免进行两次poly 硅制备以及两次P掺杂；
2、同一步骤内在炉管内直接制备出SiOx+ Poly Si+ SiOx+ Poly Si 复合双层结构，同时只需在原有的TOPCON电池制备流程上增加一步掩膜工序，通过清洗工艺就可以一步形成重、轻扩区，降低了制造成本低，易于实现量产化；
3.充分利用氧化硅具有的保护作用，与减抛以及碱抛添加剂不反应；即本发明中利用氧化硅的保护作用进行清洗碱抛，清洗过程中可直接对上层多晶硅进行抛掉，而氧化硅以及下层的poly硅得到保护未参与反应，本发明利用该方法可以一次成型重扩与轻扩去不同的poly硅厚度，极大的节省了制备流程；
4.与一般选择性TOPCON电池相比，工艺步骤更简单，更易于工艺稳定性的控制，另外再电池的效率上也具有一定优势。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
实施例1，本实施例涉及一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，包括如下步骤：
1）选择N型硅片，电阻率0.1-3Ω·cm；
2）硅片去损伤层、清洗制绒；
3）正面硼扩散，采用BCI3或者BBr3或者旋涂B源方式进行B扩散；
4）背面酸洗去BSG清洗，酸或碱进行背面刻蚀或者抛光；
5）背面遂穿氧化以及镀多晶硅：将硅片单插片或者双插片送入炉管内，在620℃进行氧化12min，氧气流量15slm，压力从低压到常压，在硅片正背面双面生长厚度为1.6nm的第一层氧化硅；随后在炉管内继续通入SiH4，沉积时间40min，SiH4流量600sccm之间，压力100pa之间，得到整面均匀生长的厚度80nm的第一层多晶硅；
随后调整沉积温度，将沉积温度降低至540℃，抽至低压后进行通氧氧化3min，氧气流量10slm，随后进行恒压氧化4min，制备出均一性好的厚度为1.1nm的第二层氧化硅，均一性较好的氧化硅是后续保证清洗均一性的关键；随后进行第二层多晶硅的沉积，沉积温度540℃，沉积时间30min，SiH4流量500sccm，压力120pa，同样在较低温度下得到均一性较好的厚度为60nm的poly硅；
6)背面磷扩散，采用POCl3扩散，沉积温度为770℃，小氮流量为900sccm，沉积时间为15min，后在温度为820℃进行推进，时间为12min，随后再进行高温推进，温度为900℃，时间20min，最后进行降温至75之间；本发明使用先低温沉积然后在不同温度进行推进，利用不同的温度控制，将第二层的氧化硅保护；针对制备出的N型片方阻测试在40；
7）由于正面绕镀同样为两层氧化硅以及多晶硅结构，但是本发明的选择性结构重点是背面形成轻扩与重扩区厚度不同的多晶硅结构，所以需预先将正面第二层多晶硅去除，而氧化硅与碱不发生反应；故对正面单面酸洗，HF浓度为2%，脱水后进行碱抛，使用氢氧化钾或者氢氧化钠，浓度为6%，温度60℃，时间5min去除正面最外层的多晶硅；
8）使用丝网印刷，以印蜡的方式在背面制备出图形化的掩膜层，该掩膜层的图形与后续丝网印刷金属浆料电极制备的图形保持一致；
9）使用浓度为3%的HF酸洗去除正背面的PSG，脱水后进行碱洗，碱洗使用质量浓度为4%的氨水和质量浓度为10%的双氧水混合液，氨水和双氧水的混合比例为常用配比，随后进行碱抛，碱抛使用质量浓度为6%的氢氧化钾溶液，温度60℃，时间6min，去除背面上层的多晶硅，剩余下层多晶硅形成轻扩区，而蜡印所在区域形成重扩区，完成后进行酸洗。本步骤可以将正面绕镀区剩余的多晶硅完全去除，极大的优化了工艺步骤；
10）正面沉积氧化铝，在ALD腔室内真空条件下周期性通入TMA、N2、H2O双面沉积氧化铝5nm；
11）正面减反膜沉积，使用PECVD依次沉积SiNx或者SiOx、SiNx、SiON三者之间相互叠加的多层膜，总膜厚在70nm；
12）背面钝化膜沉积，使用PECVD沉积SiON、SiOx、SiNx，三者之中的一层或多层，总膜厚在100nm；
13）背面电极印刷、背面栅线印刷，正面电极以及栅线印刷，然后高温烧结；
14）抗LID注入，LIR或ELR。
经检测，对比本发明的太阳能电池与常规电池电性能效果，如下：
本实施例中像第一层氧化硅和多晶硅的制备等都可以采用常规工艺。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
1）对N型硅片清洗制绒；
2）正面硼扩散；
3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；
4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作：将硅片送入炉管内进行氧化，管温为500-750℃，在硅片正背面生长出厚度为1-2nm的第一层氧化硅；随后在炉管内通入SiH4，沉积生长得到厚度为40nm-200nm的第一层多晶硅；
调整炉内温度至500-600之间，并抽至低压后进行通氧，氧气流量5slm-20slm，随后进行恒压氧化3-5min形成均匀厚度的第二层氧化硅；随后在炉管内通入SiH4，调压至20pa-300pa之间，SiH4流量100sccm-1000sccm之间，沉积时间20-40min，形成均匀厚度的第二层多晶硅；
5)背面磷扩散；
6）去除正面第二层多晶硅；
7）使用丝网印刷，在背面制备出与电极图形一致的掩膜层；
8）酸洗去正背面PSG、碱洗，碱抛形成轻、重扩区；
9）正面沉积氧化铝；
10）正面减反膜沉积；
11）背面钝化膜沉积；
12）电极印刷。
2.根据权利要求1所述的一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于：步骤5）具体为：采用POCl3进行磷扩散，先低温沉积，沉积温度为750-800℃；后分段推进：先在温度为800-850℃进行推进，时间为5-30min，再在850-930℃高温推进，时间10-30min；最后进行降温至720-780之间。
3.根据权利要求1所述的一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于：第二层多晶硅和氧化硅的厚度小于第一层多晶硅和氧化硅的厚度。
4.根据权利要求1所述的一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，其特征在于：步骤8）具体为：使用浓度为1%-10%HF洗去除正背面的PSG，脱水后使用浓度为1%-10%的氨水和浓度为1%-20%的双氧水进行碱洗；随后进行碱抛，碱抛使用浓度为1%-15%的氢氧化钾或者氢氧化钠，温度40-80℃，时间1-10min，完成后进行酸洗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110355312.4A CN113140655B (zh) | 2021-04-01 | 2021-04-01 | 一种背面选择性发射极topcon电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110355312.4A CN113140655B (zh) | 2021-04-01 | 2021-04-01 | 一种背面选择性发射极topcon电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113140655A true CN113140655A (zh) | 2021-07-20 |
| CN113140655B CN113140655B (zh) | 2024-05-24 |
Family
ID=76810347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110355312.4A Active CN113140655B (zh) | 2021-04-01 | 2021-04-01 | 一种背面选择性发射极topcon电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113140655B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102176474A (zh) * | 2011-03-16 | 2011-09-07 | 常州天合光能有限公司 | 一膜多用的掩膜法制备的n型太阳能电池及其制备方法 |
| WO2012008061A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | シラクセル株式会社 | ボロン拡散層を有するシリコン太陽電池セル及びその製造方法 |
| WO2017186033A1 (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种基于自对准工艺的SiC MOSFET制造方法 |
| CN111524983A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-08-11 | 常州大学 | 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法 |
| CN111628047A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-04 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法 |
| CN112490304A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-12 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种高效太阳能电池的制备方法 |
-
2021
- 2021-04-01 CN CN202110355312.4A patent/CN113140655B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012008061A1 (ja) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | シラクセル株式会社 | ボロン拡散層を有するシリコン太陽電池セル及びその製造方法 |
| CN102176474A (zh) * | 2011-03-16 | 2011-09-07 | 常州天合光能有限公司 | 一膜多用的掩膜法制备的n型太阳能电池及其制备方法 |
| WO2017186033A1 (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种基于自对准工艺的SiC MOSFET制造方法 |
| CN111524983A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-08-11 | 常州大学 | 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法 |
| CN111628047A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-04 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种N型TOPCon太阳能电池的制作方法 |
| CN112490304A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-12 | 东方日升（常州）新能源有限公司 | 一种高效太阳能电池的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113140655B (zh) | 2024-05-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110197855B (zh) | 用于Topcon电池制作的poly-Si绕镀的去除方法 | |
| CN111524983B (zh) | 一种双面选择性发射极高效晶硅电池及其制备方法 | |
| CN111029438B (zh) | 一种n型钝化接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN110660881B (zh) | 一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法 | |
| CN111192935B (zh) | 一种管式perc太阳能电池背钝化结构及其制备方法 | |
| CN110106493B (zh) | 利用管式pecvd设备制备背面钝化膜的方法 | |
| WO2022037289A1 (zh) | 钝化接触电池及制备方法和钝化接触结构制备方法及装置 | |
| CN113604791B (zh) | 一种基于BCl3气体的LPCVD硼掺杂非晶硅水平镀膜方法及应用 | |
| CN115863480A (zh) | 背面多种元素掺杂的N型TOPCon太阳能电池的制备方法 | |
| CN115332366A (zh) | 一种背钝化接触异质结太阳电池及其制备方法 | |
| EP4220741A1 (en) | Solar cell, alox coating method therefor, cell back surface passivation structure, and method | |
| CN116741877A (zh) | 一种tbc电池制备方法及tbc电池 | |
| CN111261751A (zh) | 一种单面非晶硅的沉积方法 | |
| CN114883443A (zh) | poly-Si绕镀去除方法及在TopCon电池制备的应用 | |
| CN116666479B (zh) | 一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法 | |
| CN114335237A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 | |
| CN117038799A (zh) | 一种bc电池制备方法及bc电池 | |
| CN111584666A (zh) | 一种新的p型晶硅电池结构及其制备工艺 | |
| CN114597267B (zh) | 一种TOPCon电池及其制备方法 | |
| CN116314471A (zh) | 一种背面se结构制备方法 | |
| CN113140655A (zh) | 一种背面选择性发射极topcon电池的制备方法 | |
| CN114583016A (zh) | 一种TOPCon电池及其制备方法 | |
| CN113571411B (zh) | N型TOPCon太阳能电池的制作方法 | |
| CN113193082A (zh) | 一种TOPCon太阳能电池的制备方法 | |
| CN111584668A (zh) | 一种新的p型晶硅电池结构及其制备工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant |