CN113125864A - 静电感测系统与静电感测组件 - Google Patents
静电感测系统与静电感测组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113125864A CN113125864A CN202010082645.XA CN202010082645A CN113125864A CN 113125864 A CN113125864 A CN 113125864A CN 202010082645 A CN202010082645 A CN 202010082645A CN 113125864 A CN113125864 A CN 113125864A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrostatic
- sensing
- fluid
- protective cover
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 89
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 30
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- BRDOFYPYQFDHOQ-UHFFFAOYSA-N butyl acetate;hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O.CCCCOC(C)=O BRDOFYPYQFDHOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
- G01R29/14—Measuring field distribution
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/60—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrostatic variables, e.g. electrographic flaw testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/24—Arrangements for measuring quantities of charge
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/045—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere
- H02H9/046—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage adapted to a particular application and not provided for elsewhere responsive to excess voltage appearing at terminals of integrated circuits
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Abstract
本发明公开一种静电感测系统与静电感测组件,其中该静电感测系统用以检测一流体传输元件内的一流体的静电信息。静电感测系统包含一静电感测组件、一信号放大元件及一模拟数字转换元件。静电感测组件包含一感测元件及一保护罩。感测元件用以设置于流体传输元件,且感测元件贯穿流体传输元件而部分位于流体传输元件内。保护罩将感测元件位于流体传输元件内的部分围绕于内,且保护罩的至少部分位于感测元件的上游处。信号放大元件电连接于感测元件。模拟数字转换元件电连接于信号放大元件。其中,保护罩具有一开口,感测元件与开口相分离。
Description
技术领域
本发明涉及一种静电感测系统与静电感测组件,特别是涉及一种接触式的静电感测系统与静电感测组件。
背景技术
近年来,随着电子零件的细微化和高集成化,静电放电(ESD)引起的静电破坏情况不断增大。但是肉眼看不见静电,因此存在难以捕捉其现象并预防的问题。所谓静电破坏,就是由于静电导致本来绝缘的线路模型之间短路,致使集成线路(IC)等电子零件损坏的现象。集成线路(IC)等电子零件若因静电放电导致大量电流流过,则绝缘性高的氧化硅等薄膜(绝缘层)会遭到破坏,进而破坏到内部线路。特别是近年来随着电子零件转往小型集中化发展,对静电故障的敏感性也变得非常大。例如:半导体产业,只需大约80~100V的电压,就会丧失作为半导体的功能。而人体只需大约3KV的电压就会感觉到稍微刺痛。因此,制造厂商需要更进一步的对静电对策做管理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种静电感测系统与静电感测组件,除了提升静电感测系统与静电感测组件的感测精准度外,又可以避免静电感测系统与静电感测组件污染受感测的流体。
本发明的一实施例所揭露的静电感测系统,用以检测一流体传输元件内的一流体的静电信息。静电感测系统包含一静电感测组件、一信号放大元件及一模拟数字转换元件。静电感测组件包含一感测元件及一保护罩。感测元件用以设置于流体传输元件,且感测元件贯穿流体传输元件而部分位于流体传输元件内。保护罩将感测元件位于流体传输元件内的部分围绕于内,且保护罩的至少部分位于感测元件的上游处。信号放大元件电连接于感测元件。模拟数字转换元件电连接于信号放大元件。其中,保护罩具有一开口,感测元件与开口相分离。
本发明的另一实施例所揭露的静电感测组件包含一感测元件及一保护罩。感测元件用以设置于流体传输元件,且感测元件贯穿流体传输元件而部分位于流体传输元件内。保护罩将感测元件位于流体传输元件内的部分围绕于内,且保护罩的至少部分位于感测元件的上游处。其中,保护罩具有一开口,感测元件与开口相分离。
根据上述实施例的静电感测系统与静电感测组件,通过保护罩将感测元件位于流体传输元件内的部分围绕于内,且保护罩的至少部分位于感测元件的上游处,以及感测元件与开口相分离的设计,能进一步让流体传输元件内的流体流至感测元件的流速接近为零甚或等于零。
以上关于本发明内容的说明及以下实施方式的说明是用以示范与解释本发明的原理,并且提供本发明的权利要求更进一步的解释。
附图说明
图1为本发明第一实施例所述的静电感测组件装设于流体传输元件的剖面示意图;
图2为本发明第一实施例所述的静电感测系统的方块示意图;
图3为本发明第二实施例所述的静电感测系统的方块示意图。
符号说明
10、10a...静电感测系统
20...流体传输元件
22...环形内壁面
100...静电感测组件
110...感测元件
120...保护罩
121...第一环体
1211...第一内表面
122...第二环体
1221...第二内表面
150...电阻元件
200...静电匹配元件
300...信号放大元件
310...电阻元件
400...模拟数字转换元件
500...信号处理元件
600...放电控制元件
C...流道
D...距离
O...开口
W...直径
θ...夹角
具体实施方式
请参阅图1。图1为根据本发明第一实施例所述的静电感测组件装设于流体传输元件的剖面示意图。
本实施例的静电感测组件100用以检测一流体传输元件20内的一流体的静电信息。流体传输元件20例如为流管或泵,其流管或泵的外壳的材质例如为具绝缘特性的铁氟龙,如四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(PFA)。流体传输元件20具有一环形内壁面22,且环形内壁面22围绕出一流道C。流道C用以供流体流动。流体例如为高纯度有机溶剂,如负显影液(NTD)、超纯水或乙酸正丁酯(butyl acetate)。流体在流体传输元件20内流动时,流体会与流体传输元件20摩擦并产生静电。
静电感测组件100包含一感测元件110及一保护罩120。感测元件110用以设置于流体传输元件20,且感测元件110贯穿流体传输元件20而部分位于流体传输元件20内。也就是说,本实施例的感测元件110是采用直接接触流体的方式来感测流体的静电信息,以提升静电感测组件100的感测精准度。
保护罩120的材质为绝缘材料,如铁氟龙。保护罩120贯穿流体传输元件20而部分位于流体传输元件20内。保护罩120将感测元件110位于流体传输元件20内的部分围绕于内,且保护罩120的至少部分位于感测元件110的上游处。
保护罩120包含一第一环体121及一第二环体122。第一环体121的一第一内表面1211与环形内壁面22实质上垂直。第二环体122的一第二内表面1221与第一环体121的第一内表面1211间的夹角大于90度且小于270度。在本实施例中,第二环体122的第二内表面1221与第一环体121的第一内表面1211的夹角θ大于90度且小于180度,但并不以此为限。在其他实施例中,第二环体的第二内表面与第一环体的第一内表面也可以为大于180度且小于等于270度的任一角度。惟,当第二环体的第二内表面与第一环体的第一内表面大于180度时,需对应调整(增大)第一环体的内径,以避免第二环体产生干涉的问题。
第二环体122远离第一环体121的一侧环绕出一开口O,且感测元件110与开口O保持一距离D。也就是说,感测元件110与保护罩120都凸出于环形内壁面22,且保护罩120凸出于环形内壁面22的长度大于感测元件110凸出于环形内壁面22的长度。
在本实施例中,保护罩120的开口O具有一开口方向A,且开口方向A与流体的流动方向F1、F3实质上垂直。所谓的实质上垂直是指垂直或因制造公差而接近垂直。不过开口方向A与流动方向F1、F3实质上垂直并非用以限制本发明。在其他实施例中,开口方向与流体的流动方向也可呈锐角、钝角等非平行的关系。
通过感测元件110与开口O于感测元件110的延伸方向上保持一距离D的设计,能进一步让流体传输元件20内的流体流至感测元件110的流速接近为零甚或等于零。详细来说,当流体沿方向F1流向静电感测组件100时,感测元件110会受到保护罩120的止挡而免于受到流体的冲击。接着,受到保护罩120止挡的流体会绕开保护罩120并沿方向F2自保护罩120的开口O流比保护罩120内。也就是说,流体会变成慢慢流至感测元件110,使得流体流至感测元件110的流速接近为零甚或等于零。接着,受感测元件110检测后的流体会继续流出保护罩120,并沿方向F3朝远离静电感测组件100的方向流动。
在本实施例中,开口O的直径W与距离D的比值例如介于1/1至1/3,如1/2。举例来说,当开口O的直径W为0.5毫米(mm),且感测元件110与开口O的距离D约保持为1毫米(mm)时,接触到感测元件110的流体的流速接近于零,甚或等于零。此外,当开口O的直径W为1毫米(mm),且感测元件110与开口O的距离D约保持为2毫米(mm)时,接触到感测元件110的流体的流速接近于零,甚或等于零。当开口O的直径W为2毫米(mm),且感测元件110与开口O的距离D约保持为5毫米(mm)时,接触到感测元件110的流体的流速接近于零,甚或等于零。当开口O的直径W为5毫米(mm),且感测元件110与开口O的距离D约保持为10毫米(mm)时,接触到感测元件110的流体的流速接近于零,甚或等于零。
也就是说,在开口O的直径W与距离D的比值介于1/1至1/3时,感测元件110会因受到保护罩120的保护,使得流体传输元件20内的流体流至感测元件110的流速接近为零甚或等于零,故能够免于受到流体传输元件20内的流体的破坏。如此一来,感测元件110的表层材料就不会因流体的冲击而掉落碎屑,进而维持流体的纯度,以提升后续制作工艺的良率。
在本实施例中,保护罩120贯穿流体传输元件20,但并不以此为限。在其他实施例中,保护罩也可不贯穿流体传输元件,而是仅位于流体传输元件内,如流管内,只要保护罩仍维持于将感测元件位于流体传输元件内的部分围绕于内,且保护罩的至少部分位于感测元件的上游处即可。
接着说明静电感测系统10,请参阅图1与图2,图2为根据本发明第一实施例所述的静电感测系统的方块示意图。静电感测系统10包含一静电感测组件100、一静电匹配元件200、一信号放大元件300、一模拟数字转换元件400、一放电控制元件600。静电感测系统10还可以包含一信号处理元件500。
静电感测组件100包含一感测元件110及一保护罩120。如上所述,感测元件110用以设置于流体传输元件20,且感测元件110贯穿流体传输元件20而部分位于流体传输元件20内。保护罩120将感测元件110位于流体传输元件20内的部分围绕于内,且保护罩120的至少部分位于感测元件110的上游处。静电匹配元件200电连接感测元件110。信号放大元件300还包含一电阻元件310,电阻元件310电连接于静电匹配元件200。模拟数字转换元件400电连接于信号放大元件300的电阻元件310。放电控制元件600电连接于感测元件110与静电匹配元件200,以让静电信号匹配于信号放大元件300的电阻元件310。信号处理元件500用以处理所接获的静电信号。
请参阅图1与图3,图3为根据本发明第二实施例所述的静电感测系统的方块示意图。静电感测系统10a包含一静电感测组件100、一电阻元件150、一静电匹配元件200、一信号放大元件300、一模拟数字转换元件400、一放电控制元件600。静电感测系统10a还可以包含一信号处理元件500。
静电感测组件100包含一感测元件110及一保护罩120。如上所述,感测元件110用以设置于流体传输元件20,且感测元件110贯穿流体传输元件20而部分位于流体传输元件20内。保护罩120将感测元件110位于流体传输元件20内的部分围绕于内,且保护罩120的至少部分位于感测元件110的上游处。电阻信号电连接于感测元件110。静电匹配元件200电连接电阻元件150,以避免静电信号过大。信号放大元件300电连接于静电匹配元件200。模拟数字转换元件400电连接于信号放大元件300。放电控制元件600电连接于电阻元件150与静电匹配元件200,以让静电信号匹配于信号放大元件300。信号处理元件500用以处理所接获的静电信号。
根据上述实施例的静电感测系统与静电感测组件,通过感测元件与开口于感测元件的延伸方向上保持一距离的设计,能进一步让流体传输元件内的流体流至感测元件的流速接近为零甚或等于零。
此外,当开口的直径与距离的比值例如介于1/1至1/3,如1/2能进一步地让流体流至感测元件的流速更接近为零甚或等于零。
Claims (15)
1.一种静电感测系统,用以检测流体传输元件内的流体的静电信息,其特征在于,该静电感测系统包含:
静电感测组件,包含:
感测元件,用以设置于该流体传输元件,且该感测元件贯穿该流体传输元件而部分位于该流体传输元件内;以及
保护罩,将该感测元件位于该流体传输元件内的部分围绕于内,且该保护罩的至少部分位于该感测元件的上游处;
信号放大元件,电连接于该感测元件;以及
模拟数字转换元件,电连接于该信号放大元件;
其中,该保护罩具有一开口,该感测元件与该开口相分离。
2.如权利要求1所述的静电感测系统,其中该开口具有一开口方向,该开口方向与该流体的流动方向非平行。
3.如权利要求2所述的静电感测系统,其中该开口方向与该流动方向实质上垂直。
4.如权利要求1所述的静电感测系统,其中该流体传输元件具有环形内壁面,该感测元件与该保护罩都凸出于该环形内壁面,且该保护罩凸出于该环形内壁面的长度大于该感测元件凸出于该环形内壁面的长度。
5.如权利要求1所述的静电感测系统,其中该保护罩包含第一环体及第二环体,该第一环体的第一内表面与该第二环体的第二内表面间的夹角大于90度且小于270度。
6.如权利要求5所述的静电感测系统,其中该流体传输元件具有环形内壁面,该第一环体的该第一内表面与该环形内壁面实质上垂直。
7.如权利要求1所述的静电感测系统,其中该感测元件与该开口于该感测元件的延伸方向上保持一距离,且该开口的直径与该距离的比值介于1/1至1/3。
8.如权利要求7所述的静电感测系统,其中该开口的直径与该距离的比值为1/2。
9.如权利要求1所述的静电感测系统,其中该保护罩的材质为绝缘材料。
10.如权利要求9所述的静电感测系统,其中该保护罩的材质为铁氟龙。
11.如权利要求1所述的静电感测系统,还包含电阻元件,该电阻元件电连接该感测元件与该信号放大元件。
12.如权利要求1所述的静电感测系统,其中该信号放大元件还包含电阻元件,该电阻元件电连接于该感测元件与该模拟数字转换元件。
13.如权利要求12所述的静电感测系统,还包含静电匹配元件,该静电匹配元件电连接该感测元件与该信号放大元件。
14.如权利要求1所述的静电感测系统,还包含放电控制元件,该放电控制元件电连接于该感测元件。
15.一种静电感测组件,其特征在于,包含:
感测元件,用以设置于该流体传输元件,且该感测元件贯穿该流体传输元件而部分位于该流体传输元件内;以及
保护罩,将该感测元件位于该流体传输元件内的部分围绕于内,且该保护罩的至少部分位于该感测元件的上游处;
其中,该保护罩具有一开口,该感测元件与该开口相分离。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW108148274A TWI744760B (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 靜電感測系統與靜電感測組件 |
TW108148274 | 2019-12-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113125864A true CN113125864A (zh) | 2021-07-16 |
CN113125864B CN113125864B (zh) | 2024-07-30 |
Family
ID=
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303693A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Kajima Corp | 照明制御システム |
JP2008058141A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Kasuga Electric Works Ltd | 防爆構造型静電気測定器 |
US20080265902A1 (en) * | 2006-10-23 | 2008-10-30 | Ntt Docomo, Inc. | Specific absorption rate measurement system and method |
JP2009192414A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Audio Technica Corp | 表面電位計 |
TW201333792A (zh) * | 2011-09-13 | 2013-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 靜電容式觸控面板感測器基板的製造方法、靜電容式觸控面板感測器基板及顯示裝置 |
US20150268027A1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-24 | Medusa Scientific Llc | Electric field sensing and e field visualization |
CN108267648A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 具有静电防护功能的检测设备 |
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003303693A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Kajima Corp | 照明制御システム |
JP2008058141A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Kasuga Electric Works Ltd | 防爆構造型静電気測定器 |
US20080265902A1 (en) * | 2006-10-23 | 2008-10-30 | Ntt Docomo, Inc. | Specific absorption rate measurement system and method |
JP2009192414A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Audio Technica Corp | 表面電位計 |
TW201333792A (zh) * | 2011-09-13 | 2013-08-16 | Toppan Printing Co Ltd | 靜電容式觸控面板感測器基板的製造方法、靜電容式觸控面板感測器基板及顯示裝置 |
US20150268027A1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-24 | Medusa Scientific Llc | Electric field sensing and e field visualization |
CN108267648A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 致茂电子(苏州)有限公司 | 具有静电防护功能的检测设备 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
李晓辉: "静电除尘在广电机房中的应用", 《通讯世界》, no. 20, pages 236 - 237 * |
杨能: "集成电路器件的保护罩", 《电工技术》, no. 7, pages 3 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202125762A (zh) | 2021-07-01 |
JP7134215B2 (ja) | 2022-09-09 |
US20210199704A1 (en) | 2021-07-01 |
US11913981B2 (en) | 2024-02-27 |
JP2021110732A (ja) | 2021-08-02 |
TWI744760B (zh) | 2021-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6465848B2 (en) | Low-voltage-triggered electrostatic discharge protection device and relevant circuitry | |
US8575723B2 (en) | Detection circuit and method for detecting damage to a semiconductor chip | |
US10126151B2 (en) | Wafer-level chip package structure and packaging method | |
JP4421511B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
US7679872B2 (en) | Electrostatic-discharge protection using a micro-electromechanical-system switch | |
US8143690B2 (en) | Semiconductor device having electrostatic discharge protection circuit and method of manufacturing the same | |
US9786654B1 (en) | Electrostatic discharge protection semiconductor device | |
TWI744760B (zh) | 靜電感測系統與靜電感測組件 | |
CN113125864B (zh) | 静电感测系统与静电感测组件 | |
US20080158748A1 (en) | Electrical Overstress Protection | |
US9105753B2 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and method for manufacturing the same | |
EP2625513B1 (en) | Electrostatic discharge protection for ion sensitive field effect transistor | |
US20070247771A1 (en) | Analog Input/Output Circuit with ESD Protection | |
EP2293403B1 (en) | Protection circuit | |
US7622792B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2006210926A (ja) | Esd保護回路を備える半導体素子 | |
US9948000B2 (en) | Antenna module | |
US7122757B2 (en) | Contact sensor package structure | |
KR20050066558A (ko) | 광검출 회로를 이용하여 보안성을 강화한 반도체 소자 | |
CN105632998A (zh) | 半导体装置 | |
US4996512A (en) | Overvoltage resistor and method for its manufacture | |
KR100261256B1 (ko) | 집적회로 보호용 회로구성 | |
JP2024038511A (ja) | 圧力センサ | |
JPH07169551A (ja) | サージ保護システム | |
WO2009030159A1 (en) | Electrostatic discharge protection circuit and electronic product with the protection circuit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant |