CN113122823B - 金属有机物化学气相沉积反应器 - Google Patents

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Abstract

一种金属有机物化学气相沉积反应器，包括：反应腔，顶部包括气体喷淋头，气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；前驱物输送管道组，与多种前驱物源连接；前驱物汇合输入管道，与前驱物输送管道组连通，用于汇合多种前驱物，连通第一输入端口；镁前驱物输入管道，与镁前驱物源连接，且连通第二输入端口；氮前驱物输送管道，与氮前驱物源连接，且连通气体喷淋头的第三输入端口。利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低反应器的复杂度，且提高发光二极管的发光强度。

Description

金属有机物化学气相沉积反应器
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种金属有机物化学气相沉积反应器。
背景技术
目前LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种固体照明，体积小、耗电量低、使用寿命长、亮度高、环保、坚固耐用等优点受到广大消费者认可，国内外生产LED的规模不断地扩大。
近年来，半导体材料氮化镓(GaN)被广泛应用于发光二极管，而氮化镓(GaN)在金属有机化学气相沉积反应器(金属有机化学气相沉积反应器) 内进行。通常在氮化镓(GaN)内掺杂镁离子作为发光二极管的正极，然而，现有的金属有机物化学气相沉积反应器通常使镁源与镓源汇合后通入反应腔内，使得镁源易残留在汇合后的管道内，那么，残留的镁源对后续外延结构层造成影响，使得二极管的发光强度降低。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种金属有机物化学气相沉积反应器，以降低镁离子对后续涂层的影响，提高发光强度。
为解决上述技术问题，本发明提供一种金属有机物化学气相沉积反应器，包括：反应腔，其顶部包括气体喷淋头，所述气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；前驱物输送管道组，与多种前驱物源连接；前驱物汇合输入管道，与前驱物输送管道组连通，用于汇合多种前驱物，连通所述气体喷淋头的第一输入端口；镁前驱物输入管道，与镁前驱物源连接，且连通所述气体喷淋头的第二输入端口；氮前驱物输送管道，与氮前驱物源连接，且连通所述气体喷淋头的第三输入端口。
可选的，所述气体喷淋头包括第一扩散空间、与第一扩散空间连接的第一输送管道、第二扩散空间以及与第二扩散空间连通的第二输送管道，所述第一扩散空间具有第一输入端口和第二输入端口，所述第二扩散空间具有第三输入端口。
可选的，所述前驱物输送管道组与前驱物汇合输入管道之间还设置有第一注入阀导，所述第一注入阀导包括第一通道和第二通道，第一通道和第二通道均与前驱物输送管道组连通，当第二通道开启时，第二通道与前驱物汇合管道连通。
可选的，还包括：镁前驱物传输管道、以及位于所述镁前驱物传输管道与镁前驱物输入管道之间的第二注入阀导，所述第二注入阀导包括第三通道和第四通道，第三通道和第四通道均与镁前驱物传输管道连通，当第四通道开启时，第四通道与镁前驱物输入管道连通。
可选的，所述前驱物输送管道组包括镓前驱物输送管道、铟前驱物输送管道和硅前驱物输送管道，所述多种前驱物源包括镓前驱物源、铟前驱物源和硅前驱物源，所述镓前驱物输送管道与镓前驱物源连接，所述铟前驱物输送管道与铟前驱物源连接，所述硅前驱物输送管道与硅前驱物源连接。
可选的，还包括：与第一注入阀导连接的第一排尾气管道，当第一通道开启时，使第一通道与第一排尾气管道连通，用于排出多种前驱物源。
可选的，还包括：与第二注入阀导连接的第二排尾气管道，当第三通道开启时，使所述第三通道与第二排尾气管道连通，用于排出镁前驱物源。
与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：
本发明技术方案提供的金属有机物化学气相沉积反应器中，前驱物输送管道组用于输送多种前驱物源，为了降低金属有机物化学气相沉积反应器的复杂度，将所述多种前驱物源进行汇合后通过前驱物汇合输入管道输送至气体喷淋头第一输入端口。而镁前驱物源通过镁前驱物输入管道连通所述气体喷淋头第二输入端口，即：多种前驱物源和镁前驱物源在进入反应腔之前未进行混合而是分别通过不同的管道被输送至气体喷淋头的不同端口，使得镁离子不会残留在汇合的管道内，那么后续在对多种待处理基片进行外延形成不需要掺杂镁的外延结构层时，不会因汇合的管道内残留镁而带来的镁污染，因此，有利于降低镁的影响，提高发光二极管的发光强度。综上，利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低金属有机物化学气相沉积反应器的复杂度，且提高发光二极管的发光强度。
附图说明
图1是本发明一种金属有机化学气相沉积反应器的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，利用现有金属有机化学气相沉积反应器形成光电二极管的发光强度较弱。
为了解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种金属有机化学气相沉积反应器，包括：反应腔，其顶部包括气体喷淋头，所述气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；前驱物输送管道组，与多种前驱物源连接；前驱物汇合输入管道，与前驱物输送管道组连通，用于汇合多种前驱物，连通所述气体喷淋头的第一输入端口；镁前驱物输入管道，与镁前驱物源连接，且连通所述气体喷淋头的第二输入端口；氮前驱物输送管道，与氮前驱物源连接，且连通所述气体喷淋头的第三输入端口。利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低金属有机物化学气相沉积反应器的复杂度，且提高发光二极管的发光强度。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明一种金属有机化学气相沉积反应器的结构示意图。
请参考图1，反应腔100，其顶部包括一气体喷淋头101，所述第一气体喷淋头101包括第一输入端口A、第二输入端口B和第三输入端口C；前驱物输送管道组102，与多种前驱物源109连接；前驱物汇合输入管道103，与前驱物输送管道组102连通，用于汇合多种前驱物源，连通所述气体喷淋头 101的第一输入端口A；镁前驱物输入管道105，与镁前驱物源110连接，且连通所述气体喷淋头101的第二输入端口B；氮前驱物输送管道113，与氮前驱物源114连接，且连通所述气体喷淋头101的第三输入端口C；旋转基座106，位于所述反应腔100内底部，与气体喷淋头101相对设置，用于支撑并驱动设置在旋转基座106上的基片托盘旋转，所述基片托盘用于固定一片或多片待处理基片。
所述反应腔100内用于在待处理基片上形成光电二极管所需的外延结构层，所述外延结构层自待处理基片表面向上依次包括过渡层、位于所述过渡层上的负极层、位于所述负极层上的发光层和位于发光层上的正极层，其中，所述正极层用于形成光电二极管的正极，所述负极层用于形成光电二极管的负极。
在本实施例中，所述过渡层的材料为未掺杂离子的氮化镓；所述负极层的材料为掺杂硅离子的氮化镓；所述发光层的材料为铟镓氮化合物；所述正极层的材料为掺杂镁离子的P型氮化镓。
所述前驱物输送管道组102包括镓前驱物输送管道102a、铟前驱物输送管道102b和硅前驱物输送管道102c，所述多种前驱物源109包括镓前驱物源109a、铟前驱物源109b和硅前驱物源109c，所述镓前驱物输送管道102a 与镓前驱物源109a连接，所述铟前驱物输送管道102b与铟前驱物源109b 连接，所述硅前驱物输送管道102c与硅前驱物源109c连接。
所述气体喷淋头101包括第一扩散空间101a、与第一扩散空间101a连接的第一输送管道101b、第二扩散空间101c以及与第二扩散空间101c连通的第二输送管道101d，所述第一扩散空间101a具有第一输入端口A和第二输入端口B，所述第二扩散空间101c具有第三输入端口C。
为了降低金属有机化学气相沉积反应器的复杂度，通常将所述多种前驱物源109进入反应腔100之前进行汇合，即：通过前驱物汇合输入管道103 输入气体喷淋头101的第一输入端口A。
所述前驱物输送管道组102与前驱物汇合输入管道103之间还设置有第一注入阀导104，所述第一注入阀导104包括第一通道(图中未示出)和第二通道(图中未示出)，第一通道和第二通道均与前驱物输送管道组102连通，当第二通道开启时，第二通道与前驱物汇合管道103连通，使所述多种前驱物被输送至反应腔100内。
将所述多种前驱物输送至反应腔100之前，通常需将多种前驱物源109 的流量特性调节平稳，因此，还设置有与第一注入阀导104连接的第一排尾气管道111，所述第一排尾气管道111用于排出多种前驱物源，使所述多种前驱物源的流量达到预定要求时，再将所述多种前驱物源输送至反应腔100 内。
所述镁前驱物输入管道105连通所述气体喷淋头101第二输入端口B，即：多种前驱物源和镁前驱物源在进入反应腔100之前未进行混合而是分别通过不同的管道被输送至气体喷淋头的不同端口，使得镁离子不会残留在汇合的管道内，那么后续在对多种待处理基片进行外延形成不需要掺杂镁的外延结构层时，不会因汇合的管道内残留镁而带来的镁污染，因此，有利于降低镁的影响，提高发光二极管的发光强度。综上，利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低金属有机物化学气相沉积反应器的复杂度，且提高发光二极管的发光强度。
金属有机化学气相沉积反应器还包括：镁前驱物传输管道108、以及位于所述镁前驱物传输管道108与镁前驱物输入管道105之间的第二注入阀导 107，所述第二注入阀导107包括第三通道(图中未示出)和第四通道(图中未示出)，第三通道和第四通道均与镁前驱物传输管道108连通，当第四通道开启时，第四通道与镁前驱物输入管道105连通。
金属有机化学气相沉积反应器还包括：与第二注入阀导107连接的第二排尾气管道112，当第三通道开启时，使所述第三通道与第二排尾气管道112 连通，用于排出镁前驱物源，以使镁前驱物源流量的稳定。
另外，即使所述第一气体扩散空间101a内残留部分镁前驱物，由于第一气体扩散空间101a的容积较大，使得后续将新的镁前驱体源输送至第一气体扩散空间101a后的速度较慢，使得新的镁前驱物源难以带走残留的镁前驱物源，使得进入反应腔100内镁前驱物源的量与预定值的差异较小，有利于提高光电二极管的可控性。
在本实施例中，金属有机化学气相沉积反应器还包括：托盘106，位于所述反应腔100内，与所述气体喷淋头101相对设置，所述托盘106内设置若干个基片槽(图中未示出)，各个所述基片槽用于容纳待处理基片；旋转装置150，用于驱动所述托盘106旋转；加热装置(图中未示出)，用于对所述托盘106进行加热。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (8)

1.一种金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，包括：
反应腔，其顶部包括气体喷淋头，所述气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；
前驱物输送管道组，与多种前驱物源连接，所述前驱物输送管道组包括镓前驱物输送管道、铟前驱物输送管道和硅前驱物输送管道，所述多种前驱物源包括镓前驱物源、铟前驱物源和硅前驱物源，所述镓前驱物输送管道与镓前驱物源连接，所述铟前驱物输送管道与铟前驱物源连接，所述硅前驱物输送管道与硅前驱物源连接；
前驱物汇合输入管道，与前驱物输送管道组连通，用于汇合多种前驱物，连通所述气体喷淋头的第一输入端口，用于向所述反应腔内输入镓前驱物、铟前驱物和硅前驱物；
镁前驱物输入管道，与镁前驱物源连接，且连通所述气体喷淋头的第二输入端口，用于向所述反应腔内输入镁前驱物；
氮前驱物输送管道，与氮前驱物源连接，且连通所述气体喷淋头的第三输入端口，用于向所述反应腔内输入氮前驱物；
所述气体喷淋头包括第一扩散空间、与第一扩散空间连接的第一输送管道、第二扩散空间以及与第二扩散空间连通的第二输送管道，所述第一扩散空间具有第一输入端口和第二输入端口，所述第二扩散空间具有第三输入端口。
2.如权利要求1所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，所述前驱物输送管道组与前驱物汇合输入管道之间还设置有第一注入阀导，所述第一注入阀导包括第一通道和第二通道，第一通道和第二通道均与前驱物输送管道组连通，当第二通道开启时，第二通道与前驱物汇合管道连通。
3.如权利要求1所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，还包括：镁前驱物传输管道、以及位于所述镁前驱物传输管道与镁前驱物输入管道之间的第二注入阀导，所述第二注入阀导包括第三通道和第四通道，第三通道和第四通道均与镁前驱物传输管道连通，当第四通道开启时，第四通道与镁前驱物输入管道连通。
4.如权利要求2所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，还包括：与第一注入阀导连接的第一排尾气管道，当第一通道开启时，使第一通道与第一排尾气管道连通，用于排出多种前驱物源。
5.如权利要求3所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，还包括：与第二注入阀导连接的第二排尾气管道，当第三通道开启时，使所述第三通道与第二排尾气管道连通，用于排出镁前驱物源。
6.如权利要求1所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，还包括：托盘，位于所述反应腔内，与所述气体喷淋头相对设置，所述托盘内设置若干个基片槽，各个所述基片槽用于容纳待处理基片。
7.如权利要求6所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，还包括：旋转装置，用于驱动所述托盘旋转。
8.如权利要求7所述的金属有机化学气相沉积反应器，其特征在于，还包括：加热装置，用于对所述托盘进行加热。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113502460B (zh) * 2021-09-09 2021-12-03 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202090055U (zh) * 2011-04-29 2011-12-28 中微半导体设备(上海)有限公司 气体输送装置及使用该气体输送装置的反应器
CN103098175A (zh) * 2010-08-16 2013-05-08 应用材料公司 具有气体注射分配装置的喷头组件
CN103952685A (zh) * 2014-04-14 2014-07-30 南昌大学 铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的mocvd生长气路及方法
CN108677167A (zh) * 2018-06-27 2018-10-19 沈阳拓荆科技有限公司 半导体镀膜设备的喷淋装置、化学气相沉积设备及其操作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103098175A (zh) * 2010-08-16 2013-05-08 应用材料公司 具有气体注射分配装置的喷头组件
CN202090055U (zh) * 2011-04-29 2011-12-28 中微半导体设备(上海)有限公司 气体输送装置及使用该气体输送装置的反应器
CN103952685A (zh) * 2014-04-14 2014-07-30 南昌大学 铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的mocvd生长气路及方法
CN108677167A (zh) * 2018-06-27 2018-10-19 沈阳拓荆科技有限公司 半导体镀膜设备的喷淋装置、化学气相沉积设备及其操作方法

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