CN113109964A - 一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置，阵列基板包括：衬底；数据线，位于所述衬底的一侧，多条所述数据线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向交叉；触控电极线，位于所述数据线远离所述衬底一侧；触控电极，位于所述触控电极线远离所述衬底一侧；每一所述触控电极与至少一条所述触控电极线电连接；加热电极，位于所述数据线远离所述衬底一侧。本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置，以解决液晶显示面板在低温状态下的显示不良。

Description

一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置。

背景技术

由于经常需要处于特殊的工作环境中，军用或者车载显示用液晶显示装置，要求能适应的环境温度范围较大，有时甚至会要求在-20℃至55℃温度范围内能正常工作。因此在军用或者车载显示用液晶显示装置研制中，必须采取措施，拓宽液晶显示装置的低温工作范围，确保其在低温环境中能正常工作。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、液晶显示面板和显示装置，以解决液晶显示面板在低温状态下的显示不良。

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括：

衬底；

数据线，位于所述衬底的一侧，多条所述数据线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向交叉；

触控电极线，位于所述数据线远离所述衬底一侧；

触控电极，位于所述触控电极线远离所述衬底一侧；每一所述触控电极与至少一条所述触控电极线电连接；

加热电极，位于所述数据线远离所述衬底一侧。

第二方面，本发明实施例提供一种液晶显示面板，包括第一方面所述的阵列基板、液晶层和彩膜基板，所述液晶层位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。

第三方面，本发明实施例提供一种显示装置，包括第二方面所述的液晶显示面板。

本发明实施例提供一种阵列基板，触控电极和触控电极线均设置于阵列基板中，实现了盒内触控，并提高了集成度。阵列基板还包括加热电极，加热电极、触控电极线以及触控电极均位于数据线所在膜层远离衬底一侧，从而触控电极与触摸主体(例如手指)的距离较近，有利于提高触控精度。由于液晶材料在低温时粘滞系数加大，阈值电压升高，响应速度变慢，甚至出现液晶结晶现象，使得液晶显示装置不能正常工作。以现有的宽温型液晶显示装置为例，常温型器件低温正常工作点为-5℃，宽温型器件低温正常工作点为-10℃，低于此温度后，液晶显示装置的响应速度就会变慢。本发明实施例中，加热电极位于数据线远离衬底一侧，加热电极与液晶层的距离较近，加热电极产生的热量更容易快速地到达液晶层，从而有利于加快对液晶层中液晶分子的加热速度，使液晶层中的液晶分子快速升温，防止液晶结晶，提高液晶显示面板在低温下的响应速度，解决液晶显示面板在低温状态下的显示不良。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图3为沿图2中AA’方向的剖面结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图7为沿图6中BB’方向的剖面结构示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图；

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图12为沿图11中CC’方向的剖面结构示意图；

图13为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图；

图14为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图15为沿图14中DD’方向的剖面结构示意图；

图16为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图；

图17为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图18为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的剖视结构示意图；

图19为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图，图2为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，图3为沿图2中AA’方向的剖面结构示意图，参考图1、图2和图3，阵列基板包括衬底10、数据线22、触控电极线30、触控电极51和加热电极40。数据线22位于衬底10的一侧，多条数据线22沿第一方向延伸并沿第二方向排列，第一方向与第二方向交叉。在一实施方式中，第一方向与第二方向可以相互垂直。在另一实施方式中，第一方向与第二方向可以呈大于0°并小于90°的夹角。触控电极线30位于数据线22远离衬底10一侧，数据线22所在膜层位于触控电极线30所在膜层与衬底10之间。触控电极51位于触控电极线30远离衬底10一侧，每一触控电极51与至少一条触控电极线30电连接，触控电极线30用于为触控电极51传输触控驱动信号或者触控感测信号。示例性地，触控电极线30用于为触控电极51传输触控信号。在自容式的触控架构下，触控电极线30用于为触控电极51传输触控驱动信号，触控电极51产生的触控感应信号通过触控电极线30输出到驱动芯片，即触控电极线30即用于传输触控驱动信号，又用于传输触控感应信号。在互容式的触控架构下，触控电极线30用于为触控电极51传输触控驱动信号。加热电极40位于数据线22远离衬底10一侧，数据线22所在膜层位于加热电极40所在膜层与衬底10之间。

本发明实施例提供一种阵列基板，触控电极和触控电极线均设置于阵列基板中，实现了盒内触控，并提高了集成度。阵列基板还包括加热电极40，加热电极40、触控电极线30以及触控电极51均位于数据线22所在膜层远离衬底10一侧，从而触控电极51与触摸主体(例如手指)的距离较近，有利于提高触控精度。由于液晶材料在低温时粘滞系数加大，阈值电压升高，响应速度变慢，甚至出现液晶结晶现象，使得液晶显示装置不能正常工作。以现有的宽温型液晶显示装置为例，常温型器件低温正常工作点为-5℃，宽温型器件低温正常工作点为-10℃，低于此温度后，液晶显示装置的响应速度就会变慢。本发明实施例中，加热电极40位于数据线22远离衬底10一侧，加热电极40与液晶层的距离较近，加热电极40产生的热量更容易快速地到达液晶层，从而有利于加快对液晶层中液晶分子的加热速度，使液晶层中的液晶分子快速升温，防止液晶结晶，提高液晶显示面板在低温下的响应速度，解决液晶显示面板在低温状态下的显示不良。

可选地，参考图1、图2和图3，阵列基板还包括显示区AA，显示区AA包括开口区A1和非开口区A2。其中，开口区A1为透光区，背光源发射的光线可以透过开口区A1出射到液晶显示面板外，实现预设的发光亮度和发光颜色。非开口区A2为遮光区，通常可以在非开口区A2设置有不透光的金属走线以及黑矩阵等元件。在一实施方式中，阵列基板可以仅包括显示区AA，从而使液晶显示面板实现全屏显示。在另一实施方式中，阵列基板还可以包括非显示区，非显示区位于显示区AA的外围。加热电极40包括第一加热电极41，第一加热电极41为透明电极，第一加热电极41采用透明导电材料制作形成，例如第一加热电极41可以采用氧化铟锡形成。本发明实施例中，第一加热电极41为透明电极，从而不会对光线造成遮挡，避免第一加热电极41对开口率造成影响，即避免了开口率损失，保证液晶显示面板具有较大的开口率，从而提升了液晶显示面板的开口率。

可选地，参考图1、图2和图3，第一加热电极41位于数据线22与触控电极51之间。垂直于衬底10的方向，第一加热电极41与开口区A1交叠。第一加热电极41至少部分位于开口区A1。本发明实施例中，在数据线22所在膜层与触控电极51所在膜层之间设置透明的第一加热电极41，第一加热电极41在衬底10上的垂直投影与开口区A1交叠，在开口区A1中设置有第一加热电极41，从而第一加热电极41更利于对开口区A1中液晶分子进行加热，有利于加快对液晶层中液晶分子的加热速度，提高液晶显示面板在低温下的响应速度。另一方面，开口区A1占据显示区AA中的大部分面积，第一加热电极41在衬底10上的垂直投影与开口区A1交叠，第一加热电极41有足够大的设置空间，保证设置足够大面积的第一加热电极41，有利于加快对液晶层中液晶分子的加热速度，提高液晶显示面板在低温下的响应速度。

可选地，参考图2，多个第一加热电极41沿第一方向延伸并沿第二方向排列。垂直于衬底10的方向，每一个第一加热电极41与多个沿第一方向排布的开口区A1交叠。每一个第一加热电极穿过第一方向排列的多个开口区A1。本发明实施例中，第一加热电极41可以设置为沿第一方向延伸的条状电极，每一个第一加热电极41与第一方向的多个开口区A1交叠，从而一个第一加热电极41可以为第一方向排列的多个开口区A1中液晶分子进行加热，有利于加快对液晶层中液晶分子的加热速度，提高液晶显示面板在低温下的响应速度。另一方面，每一个第一加热电极41与第一方向的多个开口区A1交叠，从而第一加热电极41有足够大的设置空间，保证设置足够大面积的第一加热电极41，有利于加快对液晶层中液晶分子的加热速度，提高液晶显示面板在低温下的响应速度。

图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，参考图4，第一加热电极41包括开口411，垂直于衬底10的方向，开口411与非开口区A2交叠。开口411可以设置于非开口区A2中。本发明实施例中，第一加热电极41为沿第一方向延伸的条状电极，第一加热电极41在非开口区A2设置有开口411，开口411可以用于设置过孔，即，第一加热电极41可以在设置过孔的位置处做开口设计，以避让过孔。示例性地，薄膜晶体管与像素电极通过过孔电连接，过孔穿过开口411。

图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，参考图5，加热电极40包括第一加热电极41和第二加热电极42，第一加热电极41为透明电极。第二加热电极42与触控电极线30同层，第二加热电极42与触控电极线30可以采用同种材料并在同一工艺中制作，以减少工艺制程。在其他实施方式中，第二加热电极42与触控电极线30可以同层设置，且采用不同的材料制作，本发明实施例对此不作限制。垂直于衬底10的方向，第二加热电极42与非开口区A2交叠，第二加热电极42至少部分位于非开口区A2。本发明实施例中，加热电极40包括第一加热电极41和第二加热电极42，第一加热电极41为透明电极，从而不会对光线造成遮挡。第二加热电极42在衬底10上的垂直投影与非开口区A2交叠，位于非开口区A2中的第二加热电极42可以避开开口区A1，从而不会对经过开口区A1的光线造成遮挡，避免第二加热电极42对开口率造成影响，即避免了开口率损失，保证液晶显示面板具有较大的开口率，从而提升了液晶显示面板的开口率。在其他实施方式中，加热电极40还可以仅包括第二加热电极42，第二加热电极42与触控电极线30同层，垂直于衬底10的方向，第二加热电极42与非开口区A2交叠。

示例性地，参考图5，虚设触控电极线31复用为第二加热电极42。多条第二加热电极42沿第一方向延伸并沿第二方向排列。沿第一方向，一条第二加热电极42由阵列基板的一侧边缘延伸至阵列基板的另一侧边缘。

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，图7为沿图6中BB’方向的剖面结构示意图，其中，图6中省略了触控电极51，参考图6和图7，多个第一加热电极41沿第一方向和第二方向矩阵排列。沿第一方向，多个第一加热电极41排列成一列。沿第二方向，多个第一加热电极41排列成一行。沿第一方向排布的相邻两个第一加热电极41之间存在间隙。本发明实施例中，第一加热电极41为岛状的加热电极块。垂直于衬底10的方向，第一加热电极41与开口区A1交叠，相邻第一加热电极41之间的间隙与非开口区A2交叠，故而，沿第一方向，相邻两个第一加热电极41之间的间隙可以设置过孔，由于无需在第一加热电极41上设置避让过孔的开口411，降低了第一加热电极41的设置难度，并避免了第一加热电极41在开口411处的断线风险。

以上各个实施方式中，主要从俯视图角度对加热电极40的设置做了描述，加热电极40在剖视图中还可以存在多种上下膜层的位置变化，本发明以示例的方式对加热电极40的上下膜层位置做进一步解释说明。

可选地，参考图3和图7中的任一幅，垂直于衬底10的方向，第一加热电极41位于触控电极线30与触控电极51之间。本发明实施例中，第一加热电极41所在膜层可以位于触控电极线30所在膜层与触控电极51所在膜层之间。即，在触控电极线30所在膜层与触控电极51所在膜层之间新增一个膜层用于设置第一加热电极41，由于第一加热电极41独立设置在一个单独的膜层，因此降低了第一加热电极41的设置难度。

示例性地，参考图3，第一加热电极41仅设置于开口区A1，第一加热电极41仅与开口区A1交叠，不与非开口区A2交叠。从而第一加热电极41可以对开口区A1中的液晶分子加热。

示例性地，参考图7，第一加热电极41设置于开口区A1和非开口区A2，第一加热电极41不仅与开口区A1交叠，第一加热电极41还可以与非开口区A2交叠。从而第一加热电极41可以对开口区A1和非开口区A2中的液晶分子加热。

图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图，参考图8，第一加热电极41与触控电极线30同层设置。本发明实施例中，第一加热电极41与触控电极线30同层设置，从而无需为第一加热电极41单独设置膜层，减小了阵列基板以及液晶显示面板的厚度。

示例性地，参考图8，虚设触控电极线31、触控电极线30以及第一加热电极41同层设置。在一实施方式中，还可以将虚设触控电极线31复用为第二加热电极42，此时，第一加热电极41、第二加热电极42以及触控电极线30可以同层设置。

图9为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图，参考图9，阵列基板还包括第一钝化层PV1，第一钝化层PV1位于数据线22与触控电极线30之间。本发明实施例中，在数据线22所在膜层与触控电极线30所在膜层之间还是设置有第一钝化层PV1，第一钝化层PV1可以包括无机层，无机层具有良好的水氧阻隔能力，从而避免水汽以及氧气对液晶层、像素电极等的侵蚀。

示例性地，参考图9，阵列基板还包括平坦化层PLN，平坦化层PLN位于数据线22与触控电极线30之间。即，平坦化层PLN位于数据线22所在膜层与触控电极线30所在膜层之间。第一钝化层PV1可以位于平坦化层PLN与触控电极线30所在膜层之间。

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图，参考图10，垂直于衬底10的方向，第一加热电极41位于数据线22与触控电极线30之间。本发明实施例中，第一加热电极41所在膜层位于数据线22所在膜层与触控电极线30所在膜层之间。

示例性地，参考图10，垂直于衬底10的方向，虚设触控电极线31与数据线22交叠，触控电极线30与数据线22交叠，从而减小了虚设触控电极线31与数据线22共同占据的空间，减小了触控电极线30与数据线22共同占据的空间，从而可以减小非开口区A2的面积，并增加开口区A1的面积，提高了开口率。在一实施方式中，虚设触控电极线31复用为第二加热电极42，此时，垂直于衬底10的方向，第二加热电极42与数据线22交叠，以提高开口率。

图11为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，图12为沿图11中CC’方向的剖面结构示意图，参考图11和图12，阵列基板还包括像素电极52，像素电极52位于触控电极51远离衬底10一侧。触控电极51所在膜层位于像素电极52所在膜层与衬底10之间。垂直于衬底10的方向，像素电极52与开口区A1交叠，第一加热电极41与像素电极52同层绝缘设置，第一加热电极41与像素电极52之间的距离大于0。垂直于衬底10的方向，第一加热电极41与非开口区A2交叠，第一加热电极41至少部分位于非开口区A2。本发明实施例中，第一加热电极41与像素电极52同层，因此可以采用同种材料，并在同一工艺中同时形成第一加热电极41和像素电极52，从而减少了工艺制程。在其他实施方式中，第一加热电极41与像素电极52可以同层设置，且采用不同的材料制作，本发明实施例对此不作限制。

可选地，参考图11和图12，多个第二加热电极42沿第一方向与第二方向阵列排布。沿第一方向，多个第二加热电极42排列成一列。沿第二方向，多个第二加热电极42排列成一行。沿第二方向，一个第一加热电极41与多个第二加热电极42电连接。本发明实施例中，每一条第一加热电极41与多个第二加热电极42电连接，因此可以通过第一加热电极41为与之电连接的多个第二加热电极42供电。进一步地，沿第一方向，相邻两个第二加热电极42独立设置，相邻两个第二加热电极42之间的距离大于0，从而相邻两个第二加热电极42之间的缝隙可以用于设置支撑柱。需要说明的是，支撑柱可以设置于与阵列基板对置的彩膜基板上，将彩膜基板与阵列基板对合后，支撑柱抵接到阵列基板上，并位于相邻两个第二加热电极42之间的缝隙，从而支撑柱不会抵接到设置有第二加热电极42的区域，因此无需改变支撑柱的高度。

在另一实施方式中，第二加热电极42还可以由阵列基板的一端延伸至阵列基板的另一端。多条第二加热电极42沿第一方向延伸并沿第二方向排列。多条第一加热电极41与多条第二加热电极42交叉。

在一些实施方式中，可以分别为第一加热电极41与第二加热电极42供电，第一加热电极41与第二加热电极42电绝缘，在另一些实施方式中，可以将第一加热电极41与第二加热电极42电性连接，本发明以示例的方式对第一加热电极41、第二加热电极42的电学性能做进一步解释说明。

可选地，参考图6和图7，第二加热电极42与第一加热电极41电连接。本发明实施例中，将第一加热电极41与第二加热电极42电连接，从而无需为相互电连接的第一加热电极41和第二加热电极42分别设置导线，减少了连接第一加热电极41和第二加热电极42的导线的数量。

示例性地，参考图6和图7，沿第一方向，每一条第二加热电极42与多个第一加热电极41电连接，因此可以通过第二加热电极42为与之电连接的多个第一加热电极41供电。

图13为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图，参考图13，垂直于衬底10的方向，触控电极线30与相邻第一加热电极41之间的缝隙交叠，也就是说，触控电极线30与第一加热电极41不交叠。第二加热电极42与第一加热电极41叠层接触电连接。本发明实施例中，第一加热电极41与第二加热电极42叠层设置，且第一加热电极41与第二加热电极42之间未设置绝缘层，因此叠层设置的第一加热电极41与第二加热电极42直接接触电连接。

可选地，参考图7和图12中的任意一幅，阵列基板还包括第二钝化层PV2，第二钝化层PV2位于第一加热电极41与第二加热电极42之间，第一加热电极41与第二加热电极42通过贯穿第二钝化层PV2的通孔电连接。本发明实施例中，第一加热电极41与第二加热电极42之间间隔有第二钝化层PV2，第一加热电极41与第二加热电极42通过贯穿第二钝化层PV2的通孔电连接。在其他实施方式中，第一加热电极41与第二加热电极42也可以同层并电连接。

示例性地，参考图7，垂直于衬底10的方向，第一加热电极41位于触控电极线30与触控电极51之间。第二加热电极42与触控电极线30同层。第一加热电极41与第二加热电极42可以通过贯穿第二钝化层PV2的过孔电连接。

示例性地，参考图12，第一加热电极41与像素电极52同层，第二加热电极42与触控电极线30同层，第一加热电极41与第二加热电极42可以通过贯穿第二钝化层PV2的过孔电连接。

示例性地，参考图11和图12，触控电极51所在膜层位于像素电极52所在膜层与触控电极线30所在膜层之间。在其他实施方式中，像素电极52所在膜层还可以位于触控电极51所在膜层与触控电极线30所在膜层之间。

图14为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，图15为沿图14中DD’方向的剖面结构示意图，参考图14和图15，加热电极40包括第二加热电极42，第二加热电极42与触控电极线30同层。垂直于衬底10的方向，第二加热电极42与非开口区A2交叠。本发明实施例中，加热电极40可以仅包括与触控电极线30同层的第二加热电极42，不包括第一加热电极41，从而无需改变现有阵列基板的制作工艺，也不会增加阵列基板以及液晶显示面板的厚度。

可选地，参考图15，垂直于衬底10的方向，第二加热电极42与触控电极51交叠。本发明实施例中，触控电极51在与第二加热电极42交叠的位置未设置刻缝，从而触控电极51可以作为第二加热电极42的屏蔽层，防止第二加热电极42上施加的电信号对液晶层中的液晶分子造成影响，防止第二加热电极42对液晶显示面板的发光显示造成不良影响。

图16为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖视结构示意图，参考图16，垂直于衬底10的方向，第二加热电极42与相邻触控电极51之间的缝隙交叠。本发明实施例中，触控电极51在与第二加热电极42交叠的位置设置刻缝，从而减小了第二加热电极42对触控电极51的电磁干扰，避免了第二加热电极42与触控电极51之间形成交叠电容，减小了触控电极51以及第二加热电极42上的负载。

本发明以示例的方式还对加热电极40应用到阵列基板中的情况做进一步解释说明。

示例性地，如图1所示，阵列基板还包括多条扫描线21，多条扫描线21沿第二方向延伸并沿第一方向排列，多条扫描线21与多条数据线22交叉限定多个像素区域Pixel。像素区域Pixel包括开口区A1和非开口区A2。多个像素区域Pixel在显示区AA内阵列排布。

示例性地，参考图1和图2，每一触控电极51对应多个像素区域Pixel。垂直于衬底10的方向上，多个像素区域Pixel与同一个触控电极51交叠。每一触控电极51存在至少一个触控电极线30与其电连接，触控电极51与触控电极线30电连接的过孔可以位于非开口区A2中，从而不会对开口区A1中的光线造成遮挡。需要说明的是，图2中以自容式触控电极51为例进行说明，并非对本发明的限定，在其他实施方式中，触控电极51还可以为互容式触控电极。

示例性地，参考图2和图3，触控电极51复用为公共电极。在显示阶段，通过触控电极线30向触控电极51施加公共电压信号。在触控阶段，通过触控电极线30向触控电极51施加触控驱动信号，或者，通过触控电极线30接收触控电极51产生的触控感测信号。

图17为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图，参考图17，阵列基板还包括多条虚设触控电极线31，虚设触控电极线31与触控电极线30同层并采用同种材料形成，因此可以在同一工艺中同时形成虚设触控电极线31和触控电极线30。与触控电极线30不同的是，虚设触控电极线31不与触控电极51电连接，虚设触控电极线31浮空，并用于遮挡光线。可以理解的是，如果仅设置触控电极线30，则设置触控电极线30的区域被遮挡的背光源的光线多，未设置触控电极线30的区域被遮挡的背光源的光线少。通过设置虚设触控电极线31，均衡各个区域中光线的透过率，提升液晶显示面板的显示均匀性。

示例性地，参考图17，多条虚设触控电极线31沿第一方向和第二方向阵列排布。沿第一方向，多条虚设触控电极线31排列成一列。

图18为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的剖视结构示意图，参考图18，液晶显示面板包括上述任一实施例中的阵列基板、液晶层80和彩膜基板，液晶层80位于阵列基板AR与彩膜基板CF之间。本发明实施例提供的液晶显示面板包括上述实施例中的阵列基板AR，从而加热电极40与液晶层80的距离较近，有利于加快对液晶层80中液晶分子的加热速度，解决液晶显示面板在低温状态下的显示不良。

示例性地，参考图18，彩膜基板CF包括对置基板71、黑矩阵72和多个色阻60。垂直于对置基板71的方向，黑矩阵72以及色阻60均位于对置基板71与液晶层80之间，黑矩阵72位于色阻60与对置基板71之间。多个色阻60可以包括红色色阻61、绿色色阻62和蓝色色阻63，红色色阻61将穿过其的光线过滤为红色，绿色色阻62将穿过其的光线过滤为绿色，蓝色色阻63将穿过其的光线过滤为蓝色。垂直于对置基板71的方向，开口区A1与相邻黑矩阵72之间的间隙交叠，非开口区A2与黑矩阵72交叠。开口区A1可以为显示区AA中未设置黑矩阵72的区域，非开口区A2可以为显示区AA中设置黑矩阵72的区域。

本发明实施例还提供了一种显示装置。图19为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图，参考图19，显示装置包括本发明实施例提供的任意一种液晶显示面板。显示装置具体可以为手机、平板电脑、车载显示装置以及智能可穿戴设备等。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

数据线，位于所述衬底的一侧，多条所述数据线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向交叉；

触控电极线，位于所述数据线远离所述衬底一侧；

触控电极，位于所述触控电极线远离所述衬底一侧；每一所述触控电极与至少一条所述触控电极线电连接；

加热电极，位于所述数据线远离所述衬底一侧。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括显示区，所述显示区包括开口区和非开口区；

所述加热电极包括第一加热电极和/或第二加热电极，所述第一加热电极为透明电极；

所述第二加热电极与所述触控电极线同层，垂直于所述衬底的方向，所述第二加热电极与所述非开口区交叠。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一加热电极位于所述数据线与所述触控电极之间，垂直于所述衬底的方向，所述第一加热电极与所述开口区交叠。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，多个所述第一加热电极沿所述第一方向延伸并沿所述第二方向排列；

垂直于所述衬底的方向，每一个所述第一加热电极与多个沿所述第一方向排布的所述开口区交叠。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一加热电极包括开口，垂直于所述衬底的方向，所述开口与所述非开口区交叠。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，多个所述第一加热电极沿所述第一方向和所述第二方向矩阵排列；

沿所述第一方向排布的相邻两个所述第一加热电极之间存在间隙。

7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，垂直于所述衬底的方向，所述第一加热电极位于所述触控电极线与所述触控电极之间。

8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一加热电极与所述触控电极线同层设置。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，还包括第一钝化层，所述第一钝化层位于所述数据线与所述触控电极线之间。

10.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，垂直于所述衬底的方向，所述第一加热电极位于所述数据线与所述触控电极线之间。

11.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括像素电极，所述像素电极位于所述触控电极远离所述衬底一侧，垂直于所述衬底的方向，所述像素电极与所述开口区交叠；

所述第一加热电极与所述像素电极同层绝缘设置，垂直于所述衬底的方向，所述第一加热电极与所述非开口区交叠。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，多个所述第二加热电极沿所述第一方向与第二方向阵列排布；

沿所述第二方向，一个所述第一加热电极与多个所述第二加热电极电连接。

13.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二加热电极与所述第一加热电极电连接。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，垂直于所述衬底的方向，所述触控电极线与相邻所述第一加热电极之间的缝隙交叠，所述第二加热电极与所述第一加热电极叠层接触电连接。

15.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，还包括第二钝化层，位于所述第一加热电极与所述第二加热电极之间，所述第一加热电极与所述第二加热电极通过贯穿所述第二钝化层的通孔电连接。

16.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，垂直于所述衬底的方向，所述第二加热电极与触控电极交叠。

17.一种液晶显示面板，其特征在于，包括权利要求1-16任一项所述的阵列基板、液晶层和彩膜基板，所述液晶层位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。

18.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求17所述的液晶显示面板。

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