CN113097280B - 显示面板的制备工艺及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请总体来说涉及显示装置领域，具体而言，涉及一种显示面板的制备工艺及显示面板，显示面板包括显示区和非显示区，显示区具有若干像素单元区和非像素单元区，在所述衬底基板形成阵列基层过程中设置占位部，去除所述占位部，并在所述阵列基层形成凹坑，所述凹坑对应所述非像素单元区，加工平坦化层，所述平坦化层填充所述凹坑，本方案通过占位后去除的方式在阵列基层上形成凹坑，相对于现有打孔做无机槽，减少了刻蚀时间，提高了OLED板的加工效率，平坦化层填充凹坑后，提高了OLED板的柔韧性及抗冲击能力。

Description

显示面板的制备工艺及显示面板

技术领域

本申请总体来说涉及显示装置领域，具体而言，涉及一种显示面板的制备工艺及显示面板。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示屏以其自发光，广视角、高对比度、响应速度快等特点成为当前显示主流趋势。当前，随着人们对极致显示体验的追求，全面屏、窄边框等成为当前显示领域中的开发热点，而柔性OLED显示屏更是炙手可热，成为一种潮流，其具有众多优点，屏幕超薄超轻，体积更小，在携带方便，客户体验感更强。

但现有OLED板耐弯折能力弱，抗冲击能力差，在应用方面受到很多限制，采用在无机层打孔做无机槽增加柔韧性的方法，对OLED板损伤大，且工艺复杂，刻蚀加工时间长，影响OLED板加工效率。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本申请内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了解决现有OLED板抗冲击能力差、加工工艺复杂的技术问题，本申请的主要目的在于，提供一种显示面板的制备工艺及显示面板。

为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：

一种显示面板的制备工艺，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括若干像素单元区和非像素单元区，包括：

在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部；

去除所述占位部后，在所述阵列基层形成凹坑；

所述去除所述占位部后，还包括：

设置金属层，且所述金属层覆盖所述凹坑的内壁及周侧，形成金属包边；

形成平坦化层，所述平坦化层填充所述凹坑。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部，包括：

在衬底基板涂覆氟基聚合物层，氟基聚合物的含氟量占比在40％-70％；

对所述氟基聚合物层光刻形成所述占位部，所述占位部在垂直所述衬底基板所做截面的形状为倒梯形。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部，包括：

在所述像素单元区形成多晶硅层；

沉积第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层覆盖所述多晶硅层；

在所述衬底基板涂覆氟基聚合物层；

对所述氟基聚合物层光刻形成所述占位部；

在所述衬底基板沉积第一栅极层、第二栅绝缘层及第二栅极层。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述去除所述占位部后，包括：

在所述阵列基层形成无机介电层，所述无机介电层在所述凹坑内形成无机包边。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述去除所述占位部后，包括：

在所述阵列基层形成有机介电层。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述去除所述占位部前包括：

在所述阵列基层沉积形成无机介电层。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述在所述平坦化层上加工形成阳极层、发光材料层及阴极层。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述衬底基板包括玻璃层、聚酰亚胺层及缓冲层，所述阵列基层形成于所述缓冲层。

一种显示面板，采用上述显示面板的制备工艺加工而成。

进一步的，在本申请的一些实施例中，上述显示面板包括阵列基层及平坦化层；

所述阵列基层在相邻两个像素单元区之间设置有多个凹坑，所述凹坑的横截面形状为圆形，所述平坦化层填充所述凹坑。

由上述技术方案可知，本申请的显示面板的制备工艺及显示面板的优点和积极效果在于：

提高OLED板的柔韧性及抗冲击能力，加工工艺简单，提高了OLED板的加工效率。

显示面板包括显示区和非显示区，显示区具有若干像素单元区和非像素单元区，在所述衬底基板形成阵列基层过程中设置占位部，去除所述占位部后，在所述阵列基层形成凹坑，所述凹坑对应所述非像素单元区，加工平坦化层，所述平坦化层填充所述凹坑，通过占位后去除的方式在阵列基层上形成凹坑，相对于现有打孔做无机槽，减少了刻蚀时间，提高了OLED板的加工效率，平坦化层填充凹坑后，相邻两个像素单元区之间具有平坦化层填充，提高了OLED板的柔韧性及抗冲击能力。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据实施例1实施方式示出的一种显示面板的制备工艺示意图。

图2是根据实施例2实施方式示出的一种显示面板的制备工艺示意图。

图3是根据实施例3实施方式示出的一种显示面板的制备工艺示意图。

图4是根据实施例4实施方式示出的一种显示面板的制备工艺示意图。

图5是根据实施例5实施方式示出的一种显示面板的制备工艺示意图。

图6是根据一示例性实施方式示出的一种显示面板的像素单元区与凹坑之间关系的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100-显示面板；110-显示区；120-非显示区；111-像素单元区；

1-玻璃层；2-聚酰亚胺层；3-缓冲层；4-氟基聚合物层；41-占位部；42-凹坑；5-多晶硅层；6-第一栅绝缘层；7-第一栅极层；8-第二栅绝缘层；9-第二栅极层；10-有机介电层；11-无机介电层；12-无机包边；13-金属层；14-金属包边；15-平坦化层。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围，因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

有机电致发光显示面板(Organic Electro luminesecent Display，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品，随着人们对显示设备使用增加，手机形态设计多样化，折叠卷曲等形态逐渐进入人们视野，但是对手机等设备的抗摔抗损伤要求逐渐增加，现有OLED板耐弯折能力弱，抗冲击能力差，限制了OLED板的应用，而采用在无机层打孔做无机槽增加柔韧性的方法，工艺复杂，刻蚀加工时间长，加工效率低。

本方案提供一种显示面板的制备工艺及显示面板100，显示面板100采用该面板制备工艺加工而成，其中显示面板的制备工艺包括：在所述衬底基板形成阵列基层过程中设置占位部41，去除所述占位部41后，在所述阵列基层形成凹坑42，所述凹坑42对应所述非像素单元区，然后加工平坦化层15，所述平坦化层15填充所述凹坑42，通过占位后去除的方式在阵列基层上形成凹坑42，通过占位法形成凹坑对OLED板的损伤小，相对于现有打孔做无机槽，减少了刻蚀时间，提高了OLED板的加工效率，平坦化层15填充凹坑42后，提高了OLED板的柔韧性及抗冲击能力。

实施例1

显示面板100包括显示区110和非显示区120，所述显示区110具有若干像素单元区111和非像素单元区，结合图1所示，显示面板的制备工艺包括：

步骤A01:在衬底基板涂覆氟基聚合物层4；

其中，衬底基板从下至上依次包括玻璃层1、聚酰亚胺层2及缓冲层3，缓冲层3有利于载流子传输。氟基聚合物具有耐腐蚀性能，本申请采用光敏氟基聚合物，其特性类似负性光致抗蚀剂的聚合物，氟基聚合物的含氟量占比在40％-70％，氟基聚合物不溶于PLN的溶剂，PLN是包括光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物或聚丙烯酸树脂的材料，PLN溶剂以非氟化有机溶剂作为主要成分。

步骤AO2:对所述氟基聚合物层4光刻形成所述占位部41；

本实施例中，占位部41为柱状结构，在平行衬底基板所做截面为圆形，在垂直衬底基板所做截面为倒梯形，占位部41的上端面大于下端面，直径2-8μm，在本领域技术人员的理解下，根据设计需求，占位部41在平行衬底基板所做的横截面形状还可以设计为“L”型、“T”型、“S”型、三边形、四边形等形状，相邻两个像素单元区之间为非像素单元区，占位部41形成于非像素单元区，因此，相邻两个像素单元区之间形成有占位部41。

步骤A03：在所述像素单元区111形成多晶硅层5；

步骤A03包括步骤A031和步骤A032。

步骤A031：在缓冲层3上沉积一层P-Si，即P型硅层，在占位部41处P型硅层被隔断，被隔断的P型硅位于占位部41顶部。

步骤A032：在P型硅层上沉积PR光刻胶层，占位部41隔断光刻胶，对光刻胶图案化，占位部41及像素单元区111的PR光刻胶保留，然后采用刻蚀图案化P型硅层，在像素单元区111形成多晶硅层5，占位部41和PR光刻胶的正交特性，占位部41保留。

步骤A04：依次形成第一栅绝缘层6、第一栅极层7、第二栅绝缘层8及第二栅极层9，所述占位部41隔断所述第一栅绝缘层6和所述第二栅绝缘层8。

在所述衬底基板形成阵列基层过程中设置占位部41，本实施例中，先在衬底基板上形成占位部41，再加工所述阵列基层，本实施中，阵列基层包括多晶硅层5、第一栅绝缘层6、第一栅极层7、第二栅绝缘层8及第二栅极层9。

具体的，步骤A04包括步骤A041、步骤A042、步骤A043、步骤A044、步骤A045、步骤A046。

步骤A041:在缓冲层3上沉积形成栅绝缘层；

将该栅绝缘层定义为第一栅绝缘层6，第一栅绝缘层6覆盖多晶硅层5，同时第一栅绝缘层6在占位处被隔断，第一栅绝缘层6材质为氮化硅或氧化硅。

步骤A042：在所述第一栅绝缘层6上沉积栅极层；

该栅极层的材料可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼合金、铬(Cr)、钽(Ta)、钕(Nd)或钛(Ti)中至少一种。

步骤A043：在栅极层上设置PR光刻胶层，并对PR光刻胶层图案化，通过刻蚀图案化栅极层形成位于像素单元区111的第一栅极层7。

步骤A044：在所述第一栅绝缘层6上沉积第二栅绝缘层8，第二栅绝缘层8覆盖所述第一栅极层7，占位部41将所述第二栅绝缘层8隔断。

步骤A045：在所述第二栅绝缘层8上沉积栅极层；

该栅极层的材料可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼合金、铬(Cr)、钽(Ta)、钕(Nd)或钛(Ti)中至少一种。

步骤A046：在栅极层上设置PR光刻胶层，并对PR光刻胶层图案化，通过刻蚀图案化栅极层形成位于像素单元区111的第二栅极层9。

步骤A05：在所述第二栅绝缘层8上沉积形成介电层；

介电层为无机介电层11，且采用无机光阻材料，本实施例为氧化硅或氮化硅，无机介电层11覆盖所述第二栅极层9，无机介电层11厚度为1um-1.8um，所述无机介电层11的杨氏模量小于或等于5Gpa，所述无机介电层11的耐热温度在350℃-500℃。

步骤A06:打孔并沉积金属层13；

具体的，在所述无机介电层11上进行开孔，形成第一开孔(未示出)，第一开孔从所述无机介电层11贯穿至所述缓冲层3的内部，第一开孔形成电极孔。在所述无机介电层11上沉积一金属层，并对该金属层进行图案化形成金属层13，所述金属层13具有源极和漏极，源极和漏极在图中未示出。

步骤A07：去除所述占位部41后，形成凹坑42，所述凹坑42对应所述非像素单元区；

在步骤A06对应的视图中可以看出，由于占位部41在垂直衬底基板所做截面为倒梯形，因此，占位部41隔断第一栅绝缘层6、第二栅绝缘层8及无机介电层10后，第一栅绝缘层6、第二栅绝缘层8及无机介电层10分别与占位部41之间具有一定间隙，方便溶剂对占位部41溶解去除。

本实施例中，利用氟基聚合物的溶剂特性，通过全氟溶剂溶解占位部41，相对于现有打孔做无机槽的方法，全氟溶剂溶解占位部41的过程中对OLED板损伤小，减少了刻蚀时间，提高了OLED板的加工效率。

步骤A08：加工平坦化层15，所述平坦化层15填充所述凹坑42；

平坦化层15采用有机光阻材料，结合图6所示，相邻两个像素单元区111之间设置有所述凹坑42，本领域技术人员可以根据相邻两个像素单元区111之间的距离设定凹坑42数量，通过凹坑42在非像素单元区填充有机材料，提高OLED的耐弯折及抗冲击力。

本实施例还提供一种显示面板100，显示面板100采用上述显示面板的制备工艺加工而成，参考图6所示，从功能上，显示面板100包括显示区110和非显示区120，显示区110包括像素单元区111和非像素单元区，结构上显示面板100包括阵列基层及平坦化层15，阵列基层在相邻两个像素单元区111之间设置有凹坑42，凹坑42可以设置有一个、两个或多个，凹坑42的横截面形状可以设计为圆形，便于凹坑42的均匀分布，且周长相同的情况下圆形的面积大于其它图形的面积，其填充量大，平坦化层15填充所述凹坑42，有效提高了OLED板的柔韧性及抗冲击能力。

实施例2

结合图2所示，本实施例提供一种显示面板的制备工艺及显示面板100，在阵列基层加工过程中设置占位部41，本实施例中显示面板的制备工艺与实施例1的区别在于，先在衬底基板上形成多晶硅层5及第一栅绝缘层6后，再涂覆氟基聚合物层4，并通过光刻对氟聚合物层图案化形成占位部41，使凹坑延伸至第一栅绝缘层6，在提高OLED板柔韧性及抗冲击能力的同时，提高凹坑42的耐水氧性能。

步骤B01:在衬底基板上沉积P-Si层，即P型硅层；

衬底基板包括玻璃层1、聚酰亚胺层2及缓冲层3，即在缓冲层3上沉积P型硅层。

步骤B02：对P型硅层图案化，形成位于像素单元区111的多晶硅层5，在所述缓冲层3上沉积第一栅绝缘层6，第一栅绝缘层6覆盖所述多晶硅层5；

步骤B03：在所述第一栅绝缘层6上涂覆氟基聚合物层4，氟基聚合物层4覆盖所述第一栅绝缘层6；

氟基聚合物的含氟量占比在40％-70％，氟基聚合物不溶于PLN的溶剂，PLN是包括诸如光致抗蚀剂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、硅化合物或聚丙烯酸树脂的材料，PLN溶剂以非氟化有机溶剂作为主要成分。

步骤B04：对氟基聚合物层4图案化形成所述占位部41；

步骤B05：在所述第一栅绝缘层6上依次形成第一栅极层7、第二栅绝缘层8及第二栅极层9，所述占位部41隔断所述第二栅绝缘层8；

具体的，步骤B05包括步骤B051、步骤B052、步骤B053、步骤B054、步骤B055、步骤B056。

步骤B051：在所述第一栅绝缘层6上沉积栅极层；

本实施例中，栅极层的材料可以包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、铜(Cu)、铜合金、钼(Mo)、钼合金、铬(Cr)、钽(Ta)、钕(Nd)或钛(Ti)中至少一种。

步骤B052：在栅极层上设置PR光刻胶层，并对PR光刻胶层图案化，通过刻蚀图案化栅极层形成位于像素单元区111的第一栅极层7；

步骤B053：在所述第一栅绝缘层6上沉积第二栅绝缘层8，第二栅绝缘层8覆盖所述第一栅极层7，同时占位部41将所述第二栅绝缘层8隔断；

步骤B054：在所述第二栅绝缘层8上沉积一栅极层；

步骤B055：在栅极层上设置PR光刻胶层，并对PR光刻胶层图案化，通过刻蚀图案化栅极层形成位于像素单元区111的第二栅极层9；

步骤B06:在所述第二栅绝缘层8上沉积形成无机介电层；

无机介电层11采用无机光阻材料，本实施例为氧化硅或氮化硅，无机介电层11厚度为1um-1.8um，所述无机介电层11的杨氏模量小于或等于5Gpa，所述无机介电层11的耐热温度在350℃-500℃。

步骤B07:打孔并沉积金属层13；

具体的，在所述无机介电层11上进行开孔，形成第一开孔(未示出)，第一开孔从所述无机介电层11贯穿至所述缓冲层3的内部，第一开孔形成电极孔。在所述无机介电层11上沉积一金属层，并对该金属层进行图案化形成金属层13，所述金属层13具有源极和漏极，源极和漏极在图中未示出。

步骤B08：去除所述占位部41，并形成凹坑42，所述凹坑42对应所述非像素单元区；

步骤B09：加工平坦化层15，所述平坦化层15填充所述凹坑42；

平坦化层15采用有机光阻材料，结合图6所示，相邻两个像素单元区111之间设置有所述凹坑42，本领域技术人员可以根据相邻两个像素单元区111之间的距离设定凹坑42数量，通过凹坑42在非像素单元区填充有机材料，提高OLED的耐弯折及抗冲击力。

本实施例还提供一种显示面板100，显示面板100采用上述显示面板的制备工艺加工而成，参考图6所示，显示面板100包括阵列基层及平坦化层15，阵列基层在相邻两个像素单元区111之间的非像素单元区上设置有凹坑42，凹坑42底部延伸至第一栅绝缘层6，有效避免水氧通过凹坑侵蚀缓冲层3，在提高OLED板柔韧性及抗冲击能力的同时，提高凹坑42的耐水氧性能。

实施例3

结合图3所示，本实施例提供一种显示面板的制备工艺及显示面板100，显示面板100采用该制备工艺加工而成，本实施例与实施例1的区别在于，在所述第二栅绝缘层8上形成所述无机介质层，随后去除所述占位部41，再以金属层13覆盖所述凹坑42的内壁及周侧，提高OLED板耐弯折性能的同时，提高凹坑42所经过的各层间密封性，提高OLED板的水氧性能，凹坑42周侧的金属包边14可防止OLED板在凹坑42处出现裂纹或断裂，提高OLED板的结构强度。

步骤C01:在衬底基板涂覆氟基聚合物层4；

步骤CO2:对所述氟基聚合物层4光刻形成所述占位部41；

步骤C03：在所述像素单元区111形成多晶硅层5；

步骤C04：依次形成第一栅绝缘层6、第一栅极层7、第二栅绝缘层8及第二栅极层9，所述占位部41隔断所述第一栅极层7、所述第二栅绝缘层8及所述第二栅极层9；

本实施例中步骤C01与步骤A01、步骤CO2与步骤A02、步骤C03与步骤A03及步骤C04与步骤A04相同，实施例1中已介绍，本实施例中不再赘述。

步骤C05：在所述第二栅绝缘层8上沉积形成无机介电层；

无机介电层11采用无机光阻材料，本实施例为氧化硅或氮化硅，无机介电层11厚度为1um-1.8um，所述无机介电层11的杨氏模量小于或等于5Gpa，所述无机介电层11的耐热温度在350℃-500℃。

步骤C06：去除所述占位部41，并形成凹坑42，所述凹坑42对应所述非像素单元区；

步骤C07:打孔并沉积金属层13；

具体的，在所述无机介电层11上进行开孔，形成第一开孔(未示出)，第一开孔从所述无机介电层11贯穿至所述缓冲层3的内部，第一开孔形成电极孔。金属层13覆盖所述凹坑42的内壁及周侧，提高凹坑42所经过的各层间密封性，提高OLED板的抗水氧性能，凹坑42周侧的金属包边14可防止OLED板在凹坑42处出现裂纹或断裂，提高OLED板的结构强度。

步骤C08:加工平坦化层15，所述平坦化层15填充所述凹坑42；

平坦化层15采用有机光阻材料，结合图6所示，相邻两个像素单元区111之间设置有所述凹坑42，凹坑42数量本领域技术人员可以根据相邻两个像素单元区111之间的距离设定，通过凹坑42在非像素单元区填充有机材料，提高OLED的耐弯折及抗冲击力。

本实施例还提供一种显示面板100，显示面板100采用上述显示面板的制备工艺加工而成，参考图6所示，显示面板100包括阵列基层及平坦化层15，阵列基层在相邻两个像素单元区111之间的非像素单元区上设置有凹坑42，金属层13覆盖所述凹坑42的内壁及周侧，在提高OLED板柔韧性及抗冲击能力的同时，提高凹坑42所经过的各层之间密封性，提高OLED板的抗水氧侵蚀的性能，凹坑42周侧的金属包边14可防止OLED板在凹坑42处出现裂纹或断裂，提高OLED板的结构强度。

实施例4

结合图3所示，本实施例提供一种显示面板的制备工艺及显示面板100，显示面板100采用该制备工艺加工而成，本实施例与实施例1的区别在于，对第二栅极层9图案化后，去除所述占位部41，在所述第二栅绝缘层8上沉积无机介质层，同时用无机介质做凹坑42的无机包边12，无机包边12提高凹坑42经过的各层件密封性，提高OLED板的抗水氧侵蚀性能，整体上相较于现有刻蚀形成凹坑的方法减少了刻蚀工艺，提高了加工效率。

步骤D01:在衬底基板涂覆氟基聚合物层4；

步骤DO2:对所述氟基聚合物层4光刻形成所述占位部41；

步骤D03：在所述像素单元区111形成多晶硅层5；

步骤D04：依次形成第一栅绝缘层6、第一栅极层7、第二栅绝缘层8及第二栅极层9，所述占位部41隔断所述第一栅绝缘层6及所述第二栅绝缘层8。

本实施例中步骤D01与步骤A01、步骤DO2与步骤A02、步骤D03与步骤A03及步骤D04与步骤A04相同，实施例1中已介绍，本实施例中不再赘述。

步骤D05：去除所述占位部41；

步骤D06：在所述第二栅绝缘层8上沉积无机介质层，在所述凹坑42内形成无机包边12；

步骤D07：打孔并沉积金属层13；

具体的，在所述无机介电层11上进行开孔，形成第一开孔(未示出)，第一开孔从所述无机介电层11贯穿至所述缓冲层3的内部，第一开孔形成电极孔。在所述无机介电层11上沉积一金属层，并对该金属层进行图案化形成金属层13，所述金属层13具有源极和漏极，源极和漏极在图中未示出。

步骤D08：加工平坦化层15，所述平坦化层15填充所述凹坑42；

平坦化层15采用有机光阻材料，结合图6所示，相邻两个像素单元区111之间设置有所述凹坑42，通过凹坑42在非像素单元区填充有机材料，提高OLED的耐弯折及抗冲击力。

本实施例还提供一种显示面板100，显示面板100采用上述显示面板的制备工艺加工而成，参考图6所示，显示面板100包括阵列基层及平坦化层15，阵列基层在相邻两个像素单元区111之间的非像素单元区上设置有凹坑42，所述凹坑42内形成无机包边12，在提高OLED板柔韧性及抗冲击能力的同时，提高凹坑42所经过的各层间密封性，提高OLED板的水氧性能，凹坑42周侧的金属包边14可防止OLED板在凹坑42处出现裂纹或断裂，提高OLED板的结构强度。

实施例5

结合图5所示，本实施例提供一种显示面板的制备工艺及显示面板100，显示面板100采用该制备工艺加工而成，本实施例与实施例1的区别在于，对第二栅极层9图案化后，去除所述占位部41，然后在所述第二栅绝缘层8上沉积有机介质层，有机介质层可以进一步提高OLED的柔韧性。

步骤E01:在衬底基板涂覆氟基聚合物层4；

步骤EO2:对所述氟基聚合物层4光刻形成所述占位部41；

步骤E03：在所述像素单元区111形成多晶硅层5；

步骤E04：依次形成第一栅绝缘层6、第一栅极层7、第二栅绝缘层8及第二栅极层9，所述占位部41隔断所述第一栅极层7、所述第二栅绝缘层8及所述第二栅极层9；

步骤E05：去除所述占位部41；

步骤E06：在所述第二栅绝缘层8上沉积有机介质层；

有机介质层可以进一步提高OLED板的柔韧性，本实施例有机介质层的材质为聚酰亚胺。

步骤E07：打孔并沉积金属层13；

具体的，在所述有机介电层10上进行开孔，形成第一开孔(未示出)，第一开孔从所述有机介电层10贯穿至所述缓冲层3的内部，第一开孔形成电极孔。在所述有机介电层10上沉积一金属层，并对该金属层进行图案化形成金属层13，所述金属层13具有源极和漏极，源极和漏极在图中未示出。

步骤E08：加工平坦化层15，所述平坦化层15填充所述凹坑42。

本实施例还提供一种显示面板100，显示面板100采用上述显示面板的制备工艺加工而成，参考图6所示，显示面板100包括阵列基层及平坦化层15，阵列基层在相邻两个像素单元区111之间的非像素单元区上设置有凹坑42，提高OLED板柔韧性及抗冲击能力。

在本申请中，平坦化层15之后继续加工加工形成阳极层、发光材料层及阴极层，由于本申请主要内容在于通过占位法形成凹坑42，在平坦化层15之后的工艺不做详细介绍，本领域技术人员可结合现有技术实现。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明总的发明构思的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备工艺，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区包括若干像素单元区和非像素单元区，其特征在于，包括：

在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部；

去除所述占位部后，在所述阵列基层形成凹坑；

所述去除所述占位部后，还包括：

设置金属层，且所述金属层覆盖所述凹坑的内壁及周侧，形成金属包边；

形成平坦化层，所述平坦化层填充所述凹坑。

2.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺，其特征在于，所述在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部，包括：

在衬底基板涂覆氟基聚合物层，氟基聚合物的含氟量占比在40％-70％；

对所述氟基聚合物层光刻形成所述占位部，所述占位部在垂直所述衬底基板所做截面形状为倒梯形。

3.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺，其特征在于，所述在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部，包括：

在所述像素单元区形成多晶硅层；

沉积第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层覆盖所述多晶硅层；

在所述衬底基板涂覆氟基聚合物层；

对所述氟基聚合物层光刻形成所述占位部；

在所述衬底基板沉积第一栅极层、第二栅绝缘层及第二栅极层。

4.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺，其特征在于，所述去除所述占位部后，包括：

在所述阵列基层形成无机介电层，所述无机介电层在所述凹坑内形成无机包边。

5.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺，其特征在于，所述去除所述占位部后，包括：

在所述阵列基层形成有机介电层。

6.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺，其特征在于，所述去除所述占位部前包括：

在所述阵列基层沉积形成无机介电层。

7.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺，其特征在于，在所述平坦化层上加工形成阳极层、发光材料层及阴极层。

8.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺，其特征在于，所述衬底基板包括玻璃层、聚酰亚胺层及缓冲层，所述阵列基层形成于所述缓冲层。

9.一种显示面板，其特征在于，采用权利要求1-8任一所述的显示面板的制备工艺加工而成。

10.如权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列基层及平坦化层；

所述阵列基层在相邻两个像素单元区之间设置有多个凹坑，所述凹坑的横截面形状为圆形，所述平坦化层填充所述凹坑。

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