CN113066840A - 显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

显示面板及其制作方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113066840A
CN113066840A CN202110305856.XA CN202110305856A CN113066840A CN 113066840 A CN113066840 A CN 113066840A CN 202110305856 A CN202110305856 A CN 202110305856A CN 113066840 A CN113066840 A CN 113066840A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoelectric sensor
display panel
light
substrate
base plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110305856.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113066840B (zh
Inventor
谢蒂旎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN202110305856.XA priority Critical patent/CN113066840B/zh
Publication of CN113066840A publication Critical patent/CN113066840A/zh
Priority to US17/405,974 priority patent/US20220302225A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN113066840B publication Critical patent/CN113066840B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。显示面板，包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和发光单元，所述显示面板还包括：位于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的光电传感器；与所述光电传感器连接的开关薄膜晶体管；设置在所述光电传感器入光侧的准直结构；其中，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于相邻发光单元之间的间隙内。

Description

显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
光电传感器可以将光信号转换成电信号，不同的光强能够产生不同的电流强度，因此可以利用光电传感器实现摄影功能。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够实现显示基板集成摄像功能。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种显示面板，包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和发光单元，所述显示面板还包括：
位于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的光电传感器；
与所述光电传感器连接的开关薄膜晶体管；
设置在所述光电传感器入光侧的准直结构；
其中，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于相邻发光单元之间的间隙内。
一些实施例中，所述显示面板还包括：
位于所述发光单元和所述光电传感器之间的黑矩阵，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
一些实施例中，所述显示面板还包括：
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述发光单元位于所述像素界定层限定出的像素区域内，所述像素界定层采用不透光材料制作，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内。
一些实施例中，所述显示面板还包括：
位于所述准直结构远离所述光电传感器一侧的彩膜层。
一些实施例中，所述准直结构包括：
遮光图形和位于所述遮光图形内的微孔，所述微孔在所述衬底基板上的正投影位于所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影内。
一些实施例中，所述光电传感器与所述显示面板的子像素一一对应；或每一光电传感器对应多个所述子像素。
一些实施例中，所述显示面板还包括：
覆盖所述发光单元的封装层，所述光电传感器设置在所述封装层远离所述发光单元的一侧表面。
一些实施例中，所述显示面板还包括：
与所述显示基板相对设置的封装盖板，所述光电传感器设置在所述封装盖板朝向所述显示基板的一侧。
本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
本发明的实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和发光单元，所述制作方法包括：
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成光电传感器和与所述光电传感器连接的开关薄膜晶体管；
在所述光电传感器的入光侧形成准直结构；
其中，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于相邻发光单元之间的间隙内。
一些实施例中，所述制作方法还包括：
在所述发光单元和所述光电传感器之间形成黑矩阵，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
一些实施例中，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上采用不透光材料形成像素界定层，所述发光单元位于所述像素界定层限定出的像素区域内，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内。
一些实施例中，所述制作方法还包括：
在所述准直结构远离所述光电传感器的一侧形成彩膜层。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在光电传感器的入光侧设置有准直结构，外界光线在经过准直结构后进入光电传感器，通过在入光侧设置准直结构，每个光电传感器就只能探测到其正前方的光线信息，而不会受到旁边光线的干扰，从而使光电传感器阵列能够拍摄到相对清晰的图像，提升摄影质量，本实施例的方案实现成本低，容易实现量产。
附图说明
图1和图2为本发明实施例显示面板的结构示意图；
图3和图4为光线进入光电传感器的示意图；
图5和图6为本发明实施例光电传感器阵列的示意图。
附图标记
1 衬底基板
2 薄膜晶体管阵列
3 黑矩阵
4 发光层
5 阴极
6 封装层
7 光学胶层
8 光电传感器
9 开关薄膜二极管
10 平坦层
11 彩膜层
12 衬底基板
13 准直结构
14 微孔
15 子像素
161 第一滤光单元
162 第二滤光单元
163 第三滤光单元
17 彩色图片
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
在屏幕中集成光电传感器阵列可以实现摄像功能，还可以在光电传感器的入光侧设置红、绿、蓝三原色的彩膜来实现光电传感器对不同色彩光强的感应功能，然而在光线进入光电传感器之前，还需要对光线进行汇聚，否则获取到的图像将会是模糊的图像。
本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够实现显示基板集成摄像功能且保证摄影质量。
本发明的实施例提供一种显示面板，如图1和图2所示，包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板1上的薄膜晶体管阵列2和发光单元，所述显示面板还包括：
位于所述发光单元远离所述衬底基板1一侧的光电传感器8；
与所述光电传感器8连接的开关薄膜晶体管9；
设置在所述光电传感器8入光侧的准直结构13；
其中，所述光电传感器8在所述衬底基板1上的正投影位于相邻发光单元之间的间隙内。
当采用光电传感器阵列对显示面板前方的彩色或黑白图片进行摄像、拍照时，如图3所示，在光电传感器8获取彩色图片17的图像时，每个光电传感器8探测到的光线信息是附近一定面积内光线信息的叠加，获取到的图像是模糊的影像；因此需要对光线进行汇聚，如果在光电传感器前设置液晶透镜来实现光线的汇聚功能，实现困难不易量产。本实施例中，如图4所示，在光电传感器8的入光侧设置有准直结构13，外界光线在经过准直结构13后进入光电传感器8，通过在入光侧设置准直结构13，每个光电传感器8就只能探测到其正前方的光线信息，而不会受到旁边光线的干扰，从而使光电传感器阵列能够拍摄到相对清晰的图像，提升摄影质量，本实施例的方案实现成本低，容易实现量产。
如图1和图2所示，准直结构13包括遮光图形和设置在遮光图形中的微孔14，微孔14是一个长而直的孔，微孔14在所述衬底基板1上的正投影位于所述光电传感器8在所述衬底基板1上的正投影内，通过微孔14，光电传感器8只会探测到其正前方的光线信息，而不会受到旁边光线的干扰。
本实施例中，每一准直结构13可以包括一个微孔14，也可以包括多个微孔14，在准直结构13包括多个微孔14时，多个微孔14在所述衬底基板1上的正投影均位于对应的光电传感器8在所述衬底基板1上的正投影内，这样可以确保微孔14透过的光线不会传输到其他区域。
为了避免遮光图形对显示面板的显示造成影响，准直结构13设置在相邻像素区域之间，不会对像素区域出射的光造成遮挡。
本实施例中，光电传感器8具体可采用光电二极管。
一些实施例中，如图1和图2所示，所述显示面板还包括：
位于所述发光单元和所述光电传感器8之间的黑矩阵3，所述光电传感器8在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵3在所述衬底基板1上的正投影内。
在显示面板工作时，发光单元会发出光线，如果光电传感器8接收到发光单元的光线，会对光电传感器的工作造成干扰，影响光电传感器8的成像质量，为了保证成像质量，本实施例在发光单元和光电传感器8之间设置黑矩阵3，黑矩阵3能够遮挡发光单元发出的光线，避免光电传感器8的成像受到干扰。如图1和图2所示，显示面板的发光显示和光电传感器8的环境光探测互不干扰。
本实施例中，可以通过专门的构图工艺在显示基板上形成黑矩阵3，也可以采用不透光材料制作显示基板的绝缘膜层，将显示基板不透光的绝缘膜层复用为黑矩阵。
一些实施例中，所述显示面板还包括：
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述发光单元位于所述像素界定层限定出的像素区域内，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内，这样光电传感器设置在相邻像素区域之间，与像素区域错开，能够不影响显示面板的开口率。
像素界定层可以采用透光材料制作，也可以采用不透光材料制作，若像素界定层采用不透光材料制作，则像素界定层可以复用为黑矩阵，这样无需通过专门的构图工艺在显示基板上制作黑矩阵，能够简化显示基板的结构和制作流程。
一些实施例中，如图1和图2所示，所述显示面板还包括：
位于所述准直结构13远离所述光电传感器8一侧的彩膜层11，这样可以实现彩色图像的成像。彩膜层11可以与光电传感器8均设置在显示基板上；也可以均设置在显示基板的对向基板上，比如封装盖板上；还可以是彩膜层11设置在封装盖板上，光电传感器8设置在显示基板上。
彩膜层11包括多个不同颜色的滤光单元，如图4所示，彩膜层11可以包括第一滤光单元161、第二滤光单元162和第三滤光单元163。
本实施例中，光电传感器8在显示面板上阵列排布，能够均匀接收外界的光线，实现成像。
一些实施例中，如图5所示，所述光电传感器8与所述显示面板的子像素15一一对应，光电传感器8位于同一行相邻的两个子像素15之间，这样显示面板包括足够多的光电传感器8，摄像得到的图像的分辨率高，能够保证成像质量。
一些实施例中，还可以是每一光电传感器8对应多个所述子像素15，如图6所示，可以是每3个子像素15设置一个光电传感器8，也可以是更多个子像素15设置一个光电传感器8，这样光电传感器8的数量较少，能够降低显示面板的成本，且对显示面板的开口率的影响小。
一些实施例中，显示面板包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和发光单元，所述显示面板还包括：覆盖所述发光单元的封装层，所述光电传感器设置在所述封装层远离所述发光单元的一侧表面。与所述光电传感器连接的开关薄膜晶体管也可以设置在所述封装层远离所述发光单元的一侧表面，准直结构可以设置在光电传感器远离衬底基板的一侧，彩膜层可以位于准直结构远离衬底基板的一侧。本实施例中，在衬底基板采用柔性基板时，可以实现柔性显示面板。
一些实施例中，如图1和图2所示，所述显示面板包括衬底基板1，位于衬底基板1上的薄膜晶体管阵列2，黑矩阵3，发光层4，阴极5，封装层6，光学胶层7；所述显示面板还包括：与所述显示基板相对设置的封装盖板，封装盖板包括衬底基板12，设置在衬底基板12上的彩膜层11，位于彩膜层11远离衬底基板12一侧的准直结构13，平坦层10，位于平坦层10远离准直结构13一侧的光电传感器8以及与光电传感器8连接的开关薄膜二极管9，将封装盖板与显示基板对盒后，封装盖板与显示基板通过光学胶层7结合在一起，光电传感器8位于封装盖板朝向所述显示基板的一侧。
在显示面板工作时，通过开关薄膜晶体管9可以控制光电传感器的工作状态，在需要进行摄像时，打开开关薄膜晶体管9，光电传感器8感知外界光线产生的电信号传输至相关电路，进行成像。在不需要进行摄像时，关闭开关薄膜晶体管9，光电传感器8感知外界光线产生的电信号将不会传输至相关电路。通过本实施例的技术方案，可以实现屏下摄影功能，拓宽了显示面板的功能，可以提升产品竞争力。
本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
本发明实施例提供的显示装置为电致发光显示装置，电致发光显示装置可以为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode Display，简称OLED)，也可以为量子点电致发光显示装置(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)。以有机电致发光显示装置为例，有机电致发光显示装置可以为PMOLED(被动式有机电激发光二极管，Passive Matrix OLED)，也可以为AMOLED(主动式有机电激发光二极管，Active MatrixOLED)中的一种。
显示面板包括显示基板以及用于封装显示基板的封装层。此处，封装层可以为封装薄膜；也可以为封装盖板。在封装层为封装薄膜的情况下，对于封装层包括的封装薄膜的层数不进行限定，可以是封装层包括一层封装薄膜，也可以是封装层包括层叠设置的两层或两层以上封装薄膜。在一些实施例中，封装层包括依次层叠设置的三层封装薄膜。
在封装层包括依次层叠设置的三层封装薄膜的情况下，可选的，位于中间层的封装薄膜的材料为有机材料，位于两侧的封装薄膜的材料为无机材料。
此处，对于有机材料不进行限定，有机材料例如可以为P M M A。对于无机材料不进行限定，示例的，无机材料可以为SiNx(氮化硅)、SiOx(氧化硅)或SiOxNy(氮氧化硅)中的一种或多种。
在此基础上，可以利用喷墨打印工艺(Ink Jet Printer，简称IJP)制作位于中间层的封装薄膜。此外，可以利用化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)分别制作位于两侧的封装薄膜。
本发明实施例中提供的显示基板可以为顶发光型，在此情况下，阳极呈不透光态，阴极呈透光态。显示基板也可以为底发光型，在此情况下，阳极呈透光态，阴极呈不透光态。显示基板当然还可以为双面发光型，在此情况下，阳极和阴极均呈透光态。
在一些实施例中，有机功能层包括发光层。在另一些实施例中，有机功能层除包括发光层外，还包括电子传输层(election transporting layer，简称ETL)、电子注入层(election injection layer，简称EIL)、空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)以及空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)中的一层或多层。
本发明的实施例还提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和发光单元，所述制作方法包括：
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成光电传感器和与所述光电传感器连接的开关薄膜晶体管；
在所述光电传感器的入光侧形成准直结构；
其中，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于相邻发光单元之间的间隙内。
本实施例中，如图4所示，在光电传感器8的入光侧设置有准直结构13，外界光线在经过准直结构13后进入光电传感器8，通过在入光侧设置准直结构13，每个光电传感器8就只能探测到其正前方的光线信息，而不会受到旁边光线的干扰，从而使光电传感器阵列能够拍摄到相对清晰的图像，提升摄影质量，本实施例的方案实现成本低，容易实现量产。
如图1和图2所示，准直结构13包括遮光图形和设置在遮光图形中的微孔14，微孔14是一个长而直的孔，微孔14在所述衬底基板1上的正投影位于所述光电传感器8在所述衬底基板1上的正投影内，通过微孔14，光电传感器8只会探测到其正前方的光线信息，而不会受到旁边光线的干扰。
本实施例中，每一准直结构13可以包括一个微孔14，也可以包括多个微孔14，在准直结构13包括多个微孔14时，多个微孔14在所述衬底基板1上的正投影均位于对应的光电传感器8在所述衬底基板1上的正投影内，这样可以确保微孔14透过的光线不会传输到其他区域。
为了避免遮光图形对显示面板的显示造成影响，准直结构13设置在相邻像素区域之间，不会对像素区域出射的光造成遮挡。
一些实施例中，所述制作方法还包括：
在所述发光单元和所述光电传感器之间形成黑矩阵，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
在显示面板工作时，发光单元会发出光线，如果光电传感器8接收到发光单元的光线，会对光电传感器的工作造成干扰，影响光电传感器8的成像质量，为了保证成像质量，本实施例在发光单元和光电传感器8之间设置黑矩阵3，黑矩阵3能够遮挡发光单元发出的光线，避免光电传感器8的成像受到干扰。如图1和图2所示，显示面板的发光显示和光电传感器8的环境光探测互不干扰。
本实施例中，可以通过专门的构图工艺在显示基板上形成黑矩阵3，也可以采用不透光材料制作显示基板的绝缘膜层，将显示基板不透光的绝缘膜层复用为黑矩阵。
一些实施例中，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上采用不透光材料形成像素界定层，所述发光单元位于所述像素界定层限定出的像素区域内，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内，这样光电传感器设置在相邻像素区域之间，与像素区域错开，能够不影响显示面板的开口率。
像素界定层可以采用透光材料制作，也可以采用不透光材料制作，若像素界定层采用不透光材料制作，则像素界定层可以复用为黑矩阵，这样无需通过专门的构图工艺在显示基板上制作黑矩阵，能够简化显示基板的结构和制作流程。
一些实施例中，所述制作方法还包括：
在所述准直结构远离所述光电传感器的一侧形成彩膜层，这样可以实现彩色图像的成像。彩膜层11可以与光电传感器8均设置在显示基板上；也可以均设置在显示基板的对向基板上，比如封装盖板上；还可以是彩膜层11设置在封装盖板上，光电传感器8设置在显示基板上。
彩膜层11包括多个不同颜色的滤光单元，如图4所示，彩膜层11可以包括第一滤光单元161、第二滤光单元162和第三滤光单元163。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (13)

1.一种显示面板，包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和发光单元，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的光电传感器；
与所述光电传感器连接的开关薄膜晶体管；
设置在所述光电传感器入光侧的准直结构；
其中，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于相邻发光单元之间的间隙内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述发光单元和所述光电传感器之间的黑矩阵，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述衬底基板上的像素界定层，所述发光单元位于所述像素界定层限定出的像素区域内，所述像素界定层采用不透光材料制作，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
位于所述准直结构远离所述光电传感器一侧的彩膜层。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述准直结构包括：
遮光图形和位于所述遮光图形内的微孔，所述微孔在所述衬底基板上的正投影位于所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影内。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光电传感器与所述显示面板的子像素一一对应；或每一光电传感器对应多个所述子像素。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
覆盖所述发光单元的封装层，所述光电传感器设置在所述封装层远离所述发光单元的一侧表面。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：
与所述显示基板相对设置的封装盖板，所述光电传感器设置在所述封装盖板朝向所述显示基板的一侧。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示基板，所述显示基板包括位于衬底基板上的薄膜晶体管阵列和发光单元，其特征在于，所述制作方法包括：
在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧形成光电传感器和与所述光电传感器连接的开关薄膜晶体管；
在所述光电传感器的入光侧形成准直结构；
其中，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于相邻发光单元之间的间隙内。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述发光单元和所述光电传感器之间形成黑矩阵，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影内。
12.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上采用不透光材料形成像素界定层，所述发光单元位于所述像素界定层限定出的像素区域内，所述光电传感器在所述衬底基板上的正投影位于所述像素界定层在所述衬底基板上的正投影内。
13.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述准直结构远离所述光电传感器的一侧形成彩膜层。
CN202110305856.XA 2021-03-22 2021-03-22 显示面板及其制作方法、显示装置 Active CN113066840B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110305856.XA CN113066840B (zh) 2021-03-22 2021-03-22 显示面板及其制作方法、显示装置
US17/405,974 US20220302225A1 (en) 2021-03-22 2021-08-18 Display panel and manufacturing method thereof, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110305856.XA CN113066840B (zh) 2021-03-22 2021-03-22 显示面板及其制作方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113066840A true CN113066840A (zh) 2021-07-02
CN113066840B CN113066840B (zh) 2024-05-24

Family

ID=76562996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110305856.XA Active CN113066840B (zh) 2021-03-22 2021-03-22 显示面板及其制作方法、显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20220302225A1 (zh)
CN (1) CN113066840B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115768211A (zh) * 2022-10-31 2023-03-07 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 显示屏及电子设备
WO2023108688A1 (zh) * 2021-12-14 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106229331A (zh) * 2016-08-31 2016-12-14 上海箩箕技术有限公司 自发光显示像素
CN109148528A (zh) * 2018-08-20 2019-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法、移动终端
CN110970481A (zh) * 2019-12-18 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US20200134284A1 (en) * 2019-07-31 2020-04-30 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Array substrate and display device
US20200203445A1 (en) * 2018-12-25 2020-06-25 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
CN112380964A (zh) * 2020-11-11 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 光电检测基板和显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100911993B1 (ko) * 2008-06-03 2009-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5512800B2 (ja) * 2010-04-16 2014-06-04 シャープ株式会社 半導体装置
CN108242462B (zh) * 2018-01-12 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN109065753A (zh) * 2018-08-02 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发光型oled显示面板及其制备方法
CN109887963B (zh) * 2019-02-18 2021-07-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106229331A (zh) * 2016-08-31 2016-12-14 上海箩箕技术有限公司 自发光显示像素
CN109148528A (zh) * 2018-08-20 2019-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法、移动终端
US20200203445A1 (en) * 2018-12-25 2020-06-25 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
US20200134284A1 (en) * 2019-07-31 2020-04-30 Xiamen Tianma Micro-Electronics Co., Ltd. Array substrate and display device
CN110970481A (zh) * 2019-12-18 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN112380964A (zh) * 2020-11-11 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 光电检测基板和显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023108688A1 (zh) * 2021-12-14 2023-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备
US12073650B2 (en) 2021-12-14 2024-08-27 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and electronic device
CN115768211A (zh) * 2022-10-31 2023-03-07 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 显示屏及电子设备
CN115768211B (zh) * 2022-10-31 2023-12-19 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 显示屏及电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20220302225A1 (en) 2022-09-22
CN113066840B (zh) 2024-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110783384B (zh) 显示面板及显示装置
US20230083099A1 (en) Display panel and display device
US20230083071A1 (en) Light-transmitting display module, display panel and method for manufacturing the same
CN111682048B (zh) 透光显示面板和显示面板
US20210367008A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display panel
CN110660356B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US20180301515A1 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus
CN103000655B (zh) 显示器和电子装置
US8872200B2 (en) Display device and electronic apparatus
CN111370458A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
US11864415B2 (en) Display panel and preparation method thereof, and display apparatus
CN111341820B (zh) 显示面板及显示装置
CN113066840B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US9608044B2 (en) OLED display panel, method for manufacturing the same, display device and electronic product
KR102462981B1 (ko) 표시 패널 및 단말 장치
US20220140293A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same, and display apparatus
CN112968135A (zh) 显示基板及相关装置
US11348978B2 (en) Display panel and method for manufacturing the same, and display device
CN112366217A (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN111933673A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
US20220190050A1 (en) Display panel and display device including the same
KR100700491B1 (ko) 아이콘부를 구비하는 유기 전계 발광 표시 장치
CN112068732B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN220326166U (zh) 显示基板及显示装置
JP4341201B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法、電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant