CN113066805A - 显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法 - Google Patents

显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本公开关于显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法,涉及显示技术领域。本公开的显示面板包括衬底、第一导电层、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第二导电层、层间介质层、孔状结构和源漏层。第一导电层设于衬底一侧且包括第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;第一栅绝缘层覆盖第一导电层;有源层设于第一栅绝缘层背离衬底的表面;第二栅绝缘层覆盖有源层和第一栅绝缘层;第二导电层设于第二栅绝缘层背离衬底的表面且包括第二栅极,第二栅极与第一栅极连接;层间介质层设于第二导电层背离衬底的一侧;孔状结构贯露出所述衬底,第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内;源漏层设于层间介质层背离衬底的表面且包括源极和漏极。

Description

显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示装置、显示面板、驱动背板及驱动背板的制造方法。
背景技术
目前,采用微米量级尺寸的LED(发光二极管)直接作为发光单元来显示图像的显示面板已经成为研究热点,微米量级尺寸的LED可以包括小于100μm的Micro LED,和尺寸在100μm-300μm之间Mini LED。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
公开内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法,可简化工艺。
根据本公开的一个方面,提供一种驱动背板,包括:
衬底;
第一导电层,设于所述衬底一侧,且包括间隔设置的第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;所述第一栅极包括第一区域;
第一栅绝缘层,覆盖所述第一导电层;
有源层,设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面,且所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一区域在所述衬底上的正投影存在交叠;
第二栅绝缘层,覆盖所述有源层和所述第一栅绝缘层;
第二导电层,设于所述第二栅绝缘层背离所述衬底的表面,且包括第二栅极,所述第二栅极在所述第一栅绝缘层上的正投影位于所述有源层的范围内,且所述第二栅极与所述第一栅极连接;
层间介质层,设于所述第二导电层背离所述衬底的一侧;
孔状结构,贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层,且露出所述衬底,所述第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内;
源漏层,设于所述层间介质层背离所述衬底的表面,且包括源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;所述源极或所述漏极与所述第一绑定部连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一导电层还包括多个信号线,至少一所述信号线与所述源漏层连接,至少一所述信号线与所述第二绑定部连接,且所述源漏层和所述第二绑定部连接于不同的所述信号线。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一栅极还包括第二区域;所述第二导电层还包括:
转接部,所述转接部在所述衬底上的正投影与所述第二区域在所述衬底上的正投影存在交叠;所述转接部与所述第二栅极连接,所述第二区域与所述转接部连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动背板还包括电容层;
所述层间介质层包括:
第一介质层,覆盖所述第二导电层和所述第二栅绝缘层;所述电容层设于所述第一介质层背离所述衬底的表面,且所述电容层与所述第二栅极之间形成电容;
第二介质层,覆盖所述电容层和所述第一介质层;所述源极和漏极设于所述第二介质层背离所述衬底的表面。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动背板还包括:
反光层,覆盖所述孔状结构的侧壁,所述第一绑定部和所述第二绑定部在所述衬底上正投影位于所述反光层在所述衬底上的正投影围绕的范围内。
在本公开的一种示例性实施例中,所述反光层由所述层间介质层背离所述衬底的表面沿所述孔状结构的侧壁延伸至所述衬底。
在本公开的一种示例性实施例中,所述反光层与所述源漏层的材料相同。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动背板还包括:
保护层,覆盖所述源漏层和所述层间介质层,且沿所述反光层背离所述孔状结构侧壁的表面延伸至所述孔状结构内,并覆盖所述反光层。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动背板还包括:
保护层,覆盖所述源漏层和所述层间介质层,所述孔状结构贯穿所述保护层。
根据本公开的一个方面,提供一种驱动背板的制造方法,包括:
在衬底一侧形成第一导电层,所述第一导电层包括间隔设置的第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;
形成覆盖所述第一导电层的第一栅绝缘层;
在所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面的有源层,所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一栅极的第一区域在所述衬底上的正投影存在交叠;
形成覆盖所述有源层和所述第一栅绝缘层的第二栅绝缘层;
在所述第二栅绝缘层背离所述衬底的表面形成第二导电层,所述第二导电层包括第二栅极,所述第二栅极在所述第一栅绝缘层上的正投影位于所述有源层的范围内,且所述第二栅极与所述第一栅极连接;
在所述第二导电层背离所述衬底的一侧形成层间介质层;
由所述层间介质层向所述衬底开设露出所述衬底的孔状结构,所述第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内;
在所述层间介质层背离所述衬底的表面形成源漏层,所述源漏层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;所述源极或所述漏极与所述第一绑定部连接。
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,包括:
上述任意一项所述的驱动背板;
发光器件,具有第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一绑定部绑定,所述第二电极与所述第二绑定部绑定。
根据本公开的一个方面,提供一种显示装置,包括上述任意一项所述的显示面板。
本公开的显示装置、显示面板、驱动背板及驱动背板的制造方法,可将发光器件置于孔状结构内,并与第一绑定部和第二绑定部绑定,从而通过驱动背板驱动发光器件发光。同时,由于第一绑定部和第二绑定部与第一栅极位于同一层,即第一导电层,可通过一次构图工艺同时形成,避免分别独立形成,从而可简化工艺,降低成本,且不影响发光器件的绑定。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开驱动背板一实施方式的示意图。
图2为本公开驱动背板另一实施方式的示意图。
图3为本公开驱动背板再一实施方式的示意图。
图4为本公开显示面板一实施方式的示意图。
图5为本公开显示面板一实施方式的局部俯视示意图。
图6为本公开的第一种制造方法一实施方式的流程图。
图7为本公开的第一种制造方法另一实施方式的流程图。
图8为对应于第一种制造方法的步骤S160的示意图。
图9为对应于第一种制造方法的步骤S170的示意图。
图10为对应于第一种制造方法的步骤S180和步骤S190的示意图。
图11为本公开的第二种制造方法一实施方式的流程图。
图12为本公开的第二种制造方法另一实施方式的流程图。
图13为对应于第二种制造方法的步骤S180的示意图。
附图标记说明:
1、衬底;2、第一导电层;21、第一栅极;211、第一区域;212、第二区域;22、第一绑定部;23、第二绑定部;24、信号线;241、第一电源线;242、第二电源线;3、第一栅绝缘层;4、有源层;5、第二栅绝缘层;6、第二导电层;61、第二栅极;62、转接部;7、层间介质层;71、第一介质层;72、第二介质层;8、源漏层;81、源极;82、漏极;9、电容层;10、保护层;11、反光层;
100、孔状结构;200、发光器件;201、第一电极;202、第二电极;300、扫描线。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。此外,附图仅为本公开的示意性图解,并非一定是按比例绘制。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等;用语“第一”、“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
相关技术中,Micro LED显示面板和Mini LED显示面板通常包括驱动背板和发光器件,驱动背板上设有绑定焊盘,驱动背板中设有驱动电路,绑定焊盘与驱动电路连接。发光器件可为Micro LED或Mini LED,与绑定焊盘固定连接,从而可在驱动电路的驱动下发光,以显示图像。
绑定焊盘的材料通常为铜或其它金属材料,为了防止绑定焊盘被氧化,绑定焊盘靠近衬底的一侧需要避免与水汽阻隔性能较差的有机材料膜层直接接触,因而需要至少增加一层无机绝缘层,从而增加驱动背板的膜层数量,增加工艺复杂度。另一方面,由于发光器件的出光角度较大,从而显示面板的正视角内的出光亮度不足,影响显示效果,且光线的利用率较低。
本公开实施方式提供了一种驱动背板,如图1-图5所示,本公开的驱动背板可包括衬底1、第一导电层2、第一栅绝缘层3、有源层4、第二栅绝缘层5、第二导电层6、层间介质层7和源漏层8和孔状结构100,其中:
第一导电层2设于衬底1一侧,且包括间隔设置的第一栅极21、第一绑定部22和第二绑定部23;第一栅极21包括第一区域211;
第一栅绝缘层3覆盖第一导电层2;
有源层4设于第一栅绝缘层3背离衬底1的表面,且有源层4在衬底1上的正投影与第一栅极21的第一区域211在所述衬底上的正投影存在交叠;
第二栅绝缘层5覆盖有源层4和第一栅绝缘层3;
第二导电层6设于第二栅绝缘层5背离衬底1的表面,且包括第二栅极61,第二栅极61在第一栅绝缘层3上的正投影位于有源层4的范围内,且第二栅极61与第一栅极21连接;
层间介质层7设于第二导电层6背离衬底1的一侧;
孔状结构100,贯穿层间介质层7、第二栅绝缘层5和第一栅绝缘层3,且露出衬底1,第一绑定部22和第二绑定部23均位于孔状结构100内;
源漏层8设于层间介质层7背离衬底1的表面,且包括源极81和漏极82,源极81和漏极82连接于有源层4的两端;源极81或漏极82与第一绑定部22连接。
本公开的驱动背板,可将发光器件200置于孔状结构100内,并与第一绑定部22和第二绑定部23绑定,从而通过驱动背板驱动发光器件200发光。同时,由于第一绑定部22和第二绑定部23与第一栅极21位于同一层,即第一导电层2,可通过一次构图工艺同时形成从而可简化工艺,降低成本,且不影响发光器件200的绑定。可以理解的是,孔状结构100的形状应当和待与第一绑定部22和第二绑定部23绑定的发光器件200的形状相适配。
下面对本公开驱动背板进行详细说明:
如图1-图3所示,衬底1可为单层或多层结构,例如,衬底1可包括基底和层叠于基底一侧的缓冲层,基底的材料可以是玻璃等硬质材料,也可是聚酰亚胺等柔性材料。缓冲层的材料可为氧化硅或氮化硅等绝缘材料。当然,衬底1也可以是其它结构,在此不做特殊限定。
如图4所示,衬底1上可设有用于驱动发光器件200发光的驱动电路,驱动电路可包括多个薄膜晶体管和电容,还包括用于与发光器件200绑定的绑定部,以双栅型薄膜晶体管为例,驱动背板可包括第一栅极21、第一栅绝缘层3、有源层4、第二栅绝缘层5、第二栅极61、层间介质层7、源漏层8以及用于与发光器件200绑定的第一绑定部22和第二绑定部23,发光器件200可包括第一电极201和第二电极202,第一绑定部22可与第一电极201绑定,第二绑定部23与第二电极202绑定,以便接收驱动信号而发光。此外,驱动电路还可包括电源线、数据线、扫描线等信号线。
为了便于描述,下文中以一个双栅型薄膜晶体管为例对驱动背板进行说明:
如图1-图4所示,衬底1一侧设有第一导电层2,例如,第一导电层2设于缓冲层背离基底的表面。第一导电层2可包括相互间隔的第一栅极21、第一绑定部22和第二绑定部23,即在第一导电层2内,三者互不连接。第一绑定部22和第二绑定部23用于与发光器件200绑定。位于第一导电层2中的第一栅极21、第一绑定部22和第二绑定部23可通过一次构图工艺同时形成,进而第一栅极21、第一绑定部22和第二绑定部23可同层设置,从而简化工艺。第一导电层2的材料可以是铜或其它金属。第一栅极21包括互不重合的第一区域21和第二区域22。
如图1-图4所示,第一栅绝缘层3覆盖第一导电层2和衬底1未被第一导电层2覆盖的区域。第一栅绝缘层3的材料可包括氧化硅和氮化硅中至少一种,当然,还可以包括其它绝缘材料。
如图1-图4所示,有源层4设于第一栅绝缘层3背离衬底1的表面,且有源层4在衬底1上的正投影与第一栅极21的第一区域211在衬底1上的正投影存在交叠区域,例如二者重合。第一区域211为第一栅极21的局部区域,其具体位置在此不做特殊限定。有源层4的材料可为多晶硅、非晶硅,还可以是金属氧化物等。
如图1-图4所示,第二栅绝缘层5覆盖有源层4和第一栅绝缘层3未被有源层4覆盖的区域,第二栅绝缘层5的材料可包括氧化硅和氮化硅中至少一种,当然,还可以包括其它绝缘材料。
如图1-图4所示,第二导电层6设于第二栅绝缘层5背离衬底1的表面,且第二导电层6可包括第二栅极61,第二栅极61在第一栅绝缘层3上的正投影位于有源层4的范围内,且第二栅极61与第一栅极21连接,从而与第一栅极21构成双栅结构。举例而言,为了将第二栅极61与第一栅极21连接,第二导电层6还可包括转接部62,转接部62在衬底1上的正投影与第一栅极21的第二区域212在所述衬底上的正投影存在交叠,例如二者可以重合,而第二区域212与第一区域211为第一栅极21的不同区域,二者不重合。转接部62可通过贯穿第一栅绝缘层3和第二栅绝缘层5的过孔与第一栅极21的第二区域212连接,且转接部62与第二栅极61连接,从而将第一栅极21和第二栅极61连接,在驱动薄膜晶体管时,可同时向第一栅极21和第二栅极61输入信号。
如图1-图4所示,层间介质层7设于第二导电层6背离衬底1的一侧,层间介质层7可以是单层或多层结构,举例而言:
在本公开的一些实施方式中,层间介质层7包括第一介质层71和第二介质层72,其中:第一介质层71覆盖第二导电层6和第二栅绝缘层5,第二介质层72覆盖第一介质层71。第一介质层71和第二介质层72的材料均可包括氮化硅和氧化硅中的至少一种,当然,还可以包括其它绝缘材料。
如图1-图4所示,本公开的驱动背板还可包括电容层9,电容层9可设于第一介质层71背离衬底1的表面,且电容层9在第二栅绝缘层5上的正投影与第二栅极61至少部分重合,从而可通过电容层9与第二栅极61形成电容。第二介质层72覆盖电容层9和第一介质层71。
如图1-图4所示,驱动背板还可包括孔状结构100,孔状结构100至少可贯穿层间介质层7、第二栅绝缘层5和第一栅绝缘层3,且露出衬底1。孔状结构100可用于容纳发光器件200,第一绑定部22和第二绑定部23均位于孔状结构100内,以便与发光器件200绑定。
如图1-图4所示,孔状结构100可为,沿背离衬底1的方向,其平行于衬底1所在平面的截面面积逐渐增大的结构,例如,孔状结构100沿垂直于衬底1的方向的截面为倒梯形,以便向背离衬底1的方向出光。孔状结构100的侧壁与衬底1之间可呈指定夹角α,该指定夹角α的角度可为60°-70°。
如图1-图4所示,源漏层8设于层间介质层7背离衬底1的表面,例如,源漏层8设于第二介质层72背离衬底1的表面。源漏层8可包括源极81和漏极82,源极81和漏极82可分别通过过孔连接于有源层4的两端,源极81和漏极82中的一个与第一绑定部22连接,以便向发光器件200输入信号。
源漏层8可为单层或多层结构,只要能够导电即可,举例而言,源漏层8可包括向背离衬底1的方向依次层叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层,第一金属层和第三金属层的材料相同,但与第二金属层的材料不同,例如,第一金属层和第三金属层的材料可为钛,第二金属层的材料可为铝,当然,还可采用其它金属。
需要说明的是,上述的源极81和漏极82中的一个与第一绑定部22连接,并非限定每个薄膜晶体管的源极81和漏极82均有一个与第一绑定部22连接,而是为了更加全面的说明,描述了与第一绑定部22连接的一薄膜晶体管。
进一步的,如图1-图4所示,第一导电层2还包括多个信号线24,各信号线24位于第一导电层2,即可与第一栅极21同层设置,并可通过一次构图工艺同时形成,进一步简化工艺。至少一信号线24与源漏层8连接,至少一信号线24与第二绑定部23连接,且源漏层8和第二绑定部23连接于不同的信号线24。举例而言,各信号线24中可包括第一电源线241和第二电源线242,第一电源线241可与源极81直接或间接连接,第二电源线242可与第二绑定部23连接,当然,第二电源线242与第二绑定部23可为一体式结构。同时,漏极82可与第一绑定部22连接,使得发光器件200连接于第一电源线241和第二电源线242之间。第一电源线241可通过过孔与第二导电层6的连接层连接,该连接层与第二栅极61间隔设置,连接层可通过过孔与源漏层8的走线连接,该走线可与源极81连接,从而将第一电源线241与源极81连接。第二电源线242可在第一导电层2内与第二绑定部23连接。当然,第一导电层2还可包括其它走线,在此不再详述。
为了提高光线的利用率,提高正面视角的亮度,防止发光器件200的光线过于发散,如图1-图4所示,在本公开的一些实施方式中,可在孔状结构100的侧壁设置反光层11,避免发光器件200的光线向外扩散,且第一绑定部22和第二绑定部23位于反光层11围绕的范围内,即第一绑定部22和第二绑定部23在衬底1上的正投影位于反光层11在衬底1上的正投影围绕的范围内,且与第一绑定部22和第二绑定部23相互绝缘。可以理解的是,反光层11在衬底1上的正投影围绕的范围即为反光层11在衬底1上的正投影的形状轮廓构成的封闭或半封闭图形。
进一步的,反光层11与源漏层8的材料相同,并可采用一次构图工艺同时形成,以便简化工艺。且反光层11可由层间介质层7背离衬底1的表面沿孔状结构100的侧壁延伸至衬底1。
此外,如图1和图4所示,驱动背板还包括保护层10,其可覆盖源漏层8和层间介质层7,且保护层10可沿反光层11背离孔状结构100侧壁的表面延伸至孔状结构100内,并覆盖反光层11,即保护层10在孔状结构100位置凹陷,从而覆盖反光层11,但不覆盖第一绑定部22和第二绑定部23。保护层10的材料可包括氮化硅、氧化硅等无机材料,也可以是有机材料,只要能起到阻隔水汽的作用即可。
在本公开的另一些实施方式中,如图2所示,可将反光层11与源漏层8分别形成,且在形成源漏层8后,继续形成覆盖源漏层8和层间介质层7的保护层10,再通过光刻工艺在保护层10上开设露出衬底1的孔状结构100,即通过一次光刻工艺,在需要设置孔状结构100的区域依次去除保护层10、层间介质层7、第二栅绝缘层5和第一栅绝缘层3,以暴露出第一绑定部22和第二绑定部23。在形成孔状结构100前,第一绑定部22和第二绑定部23始终被保护层10、层间介质层7、第二栅绝缘层5和第一栅绝缘层3覆盖,避免被氧化和侵蚀。相较于上文中孔状结构100的实施方式,本实施方式中的孔状结构100还贯穿保护层10,孔状结构100内无保护层10。此外,在形成孔状结构100后,可制备覆盖孔状结构100的侧壁的反光层11,提高正面视角的亮度。当然,进一步的,还可通过防护层覆盖保护层10的防护层,防护层的材料可包括氮化硅、氧化硅等,且防护层沿反光层11背离孔状结构100侧壁的表面向衬底1延伸,防止反光层11被氧化。
当然,在本公开的其它实施方式中,如图3所示,也可以不设置反光层11,直接在保护层10上开设露出衬底1的孔状结构100即可,第一绑定部22和第二绑定部23均位于孔状结构100内。
本公开实施方式提供了第一种驱动背板的制造方法,该驱动背板可以是上述实施方式中的驱动背板,如图6、图8-图10所示,该制造方法可包括步骤S110-步骤S180,其中:
步骤S110、在衬底一侧形成第一导电层,所述第一导电层包括间隔设置的第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;
步骤S120、形成覆盖所述第一导电层的第一栅绝缘层;
步骤S130、在所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面的有源层,所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一栅极的第一区域在所述衬底上的正投影存在交叠,例如二者重合;
步骤S140、形成覆盖所述有源层和所述第一栅绝缘层的第二栅绝缘层;
步骤S150、在所述第二栅绝缘层背离所述衬底的表面形成第二导电层,所述第二导电层包括第二栅极,所述第二栅极在所述第一栅绝缘层上的正投影位于所述有源层的范围内,且所述第二栅极与所述第一栅极连接;
步骤S160、在所述第二导电层背离所述衬底的一侧形成层间介质层;
步骤S170、在所述层间介质层背离所述衬底的表面形成源漏层,所述源漏层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;所述源极或所述漏极与所述第一绑定部连接;
步骤S180、由所述层间介质层向所述衬底开设露出所述衬底的孔状结构,所述第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内。
在本公开的一些实施方式中,本公开的制造方法还可包括:
步骤S190、形成覆盖所述孔状结构的侧壁的反光层,使得反光层在所述衬底上的正投影围绕所述第一绑定部和所述第二绑定部在所述衬底上的正投影设置。
进一步的,反光层和源漏层同时形成,即,步骤S190和步骤S170同时进行。
在本公开的一些实施方式中,如图7所示,制造方法还包括:
步骤S200、形成覆盖所述源漏层和所述层间介质层的保护层,且所述保护层沿所述反光层背离所述孔状结构侧壁的表面延伸至所述孔状结构内,并覆盖所述反光层。
本公开还提供了第二种驱动背板的制造方法,该驱动背板可为上述驱动背板的实施方式中的驱动背板,如图11和图13所示,该制造方法可包括:
步骤S110、在衬底一侧形成第一导电层,所述第一导电层包括间隔设置的第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;
步骤S120、形成覆盖所述第一导电层的第一栅绝缘层;
步骤S130、在所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面的有源层,所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一栅极的第一区域重合;
步骤S140、形成覆盖所述有源层和所述第一栅绝缘层的第二栅绝缘层;
步骤S150、在所述第二栅绝缘层背离所述衬底的表面形成第二导电层,所述第二导电层包括第二栅极,所述第二栅极在所述第一栅绝缘层上的正投影位于所述有源层的范围内,且所述第二栅极与所述第一栅极连接;
步骤S160、在所述第二导电层背离所述衬底的一侧形成层间介质层;
步骤S170、在所述层间介质层背离所述衬底的表面形成源漏层,所述源漏层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;所述源极或所述漏极与所述第一绑定部连接;
步骤S180、形成覆盖所述源漏层和所述层间介质层的保护层;
步骤S190、由所述保护层向所述衬底开设露出所述衬底的孔状结构,所述第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内。
在本公开的一些实施方式中,如图12所示,本公开的制造方法还包括:
步骤S200、形成覆盖所述孔状结构的侧壁的反光层,所述第一绑定部和所述第二绑定部在所述衬底上的正投影位于所述反光层在所述衬底上的正投影围绕的范围内。
上述驱动背板的各膜层的具体结构和效果,已在上文驱动背板的实施方式中进行了详细说明,在此不再赘述。
需要说明的是,尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中制造方法的各个步骤,但是,这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤,或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的,可以省略某些步骤,将多个步骤合并为一个步骤执行,以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施方式提供一种显示面板,如图4所示,其可包括驱动背板和发光器件200,其中:
驱动背板可为上文中任意实施方式的驱动背板,其结构和效果可参考驱动背板及其制造方法的实施方式,在此不再详述。
发光器件200可为LED,其可具有第一电极201和第二电极202,发光器件200设于孔状结构100内,且第一电极201与第一绑定部22绑定,第二电极202与所述第二绑定部23绑定,即第一电极201可与第一绑定部22贴合并焊接,第二电极202可与第二绑定部23贴合并焊接,从而将发光器件200固定于驱动背板上,并与驱动电路连接。
显示面板包括多个发光器件200,相应的,驱动背板设有多个孔状结构100,每个孔状结构100内和设有一个发光器件200,以上仅以一个发光器件200的绑定为例进行说明。
如图5所示,至少部分信号线24可沿列方向延伸,且沿行方向分布,扫描线300沿行方向延伸,且沿列方向分布。扫描线300可与第二栅极61同层设置,即第二导电层6可包括扫描线300。信号线24均与扫描线300交错设置,从而围成多个像素区域,每个像素区域内设有多个孔状结构100,每个孔状结构100内设有一个发光器件200,且同一像素区域内至少设有多个发光颜色不同的发光器件200,例如,同一像素区域内设有三个孔状结构100和对应的三个发光器件200,三个发光器件200均发出单色光,且发光的颜色不同,发光的颜色可包括红、蓝和绿。上述的信号线24可以是第一电源线241和第二电源线242。
本公开实施方式还提供一种显示装置,该显示装置可包括上述任意实施方式的显示面板,该显示面板的结构已在上文驱动背板和显示面板的实施方式中进行了详细说明,在此不再详述。本公开的显示装置可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、电视等具有图像显示功能的电子设备,在此不在一一列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后,将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (12)

1.一种驱动背板,其特征在于,包括:
衬底;
第一导电层,设于所述衬底一侧,且包括间隔设置的第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;所述第一栅极包括第一区域;
第一栅绝缘层,覆盖所述第一导电层;
有源层,设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面,且所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一区域在所述衬底上的正投影存在交叠;
第二栅绝缘层,覆盖所述有源层和所述第一栅绝缘层;
第二导电层,设于所述第二栅绝缘层背离所述衬底的表面,且包括第二栅极,所述第二栅极在所述第一栅绝缘层上的正投影位于所述有源层的范围内,且所述第二栅极与所述第一栅极连接;
层间介质层,设于所述第二导电层背离所述衬底的一侧;
孔状结构,贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层,且露出所述衬底,所述第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内;
源漏层,设于所述层间介质层背离所述衬底的表面,且包括源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;所述源极或所述漏极与所述第一绑定部连接。
2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一导电层还包括多个信号线,至少一所述信号线与所述源漏层连接,至少一所述信号线与所述第二绑定部连接,且所述源漏层和所述第二绑定部连接于不同的所述信号线。
3.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述第一栅极还包括第二区域;所述第二导电层还包括:
转接部,所述转接部在所述衬底上的正投影与所述第二区域在所述衬底上的正投影存在交叠;所述转接部与所述第二栅极连接,所述第二区域与所述转接部连接。
4.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动背板还包括电容层;
所述层间介质层包括:
第一介质层,覆盖所述第二导电层和所述第二栅绝缘层;所述电容层设于所述第一介质层背离所述衬底的表面,且所述电容层与所述第二栅极之间形成电容;
第二介质层,覆盖所述电容层和所述第一介质层;所述源极和漏极设于所述第二介质层背离所述衬底的表面。
5.根据权利要求1-4任一项所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动背板还包括:
反光层,覆盖所述孔状结构的侧壁,所述第一绑定部和所述第二绑定部在所述衬底上正投影位于所述反光层在所述衬底上的正投影围绕的范围内。
6.根据权利要求5所述的驱动背板,其特征在于,所述反光层由所述层间介质层背离所述衬底的表面沿所述孔状结构的侧壁延伸至所述衬底。
7.根据权利要求5所述的驱动背板,其特征在于,所述反光层与所述源漏层的材料相同。
8.根据权利要求5所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动背板还包括:
保护层,覆盖所述源漏层和所述层间介质层,且沿所述反光层背离所述孔状结构侧壁的表面延伸至所述孔状结构内,并覆盖所述反光层。
9.根据权利要求1-4任一项所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动背板还包括:
保护层,覆盖所述源漏层和所述层间介质层,所述孔状结构贯穿所述保护层。
10.一种驱动背板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底一侧形成第一导电层,所述第一导电层包括间隔设置的第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;
形成覆盖所述第一导电层的第一栅绝缘层;
在所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面的有源层,所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一栅极的第一区域在所述衬底上的正投影存在交叠;
形成覆盖所述有源层和所述第一栅绝缘层的第二栅绝缘层;
在所述第二栅绝缘层背离所述衬底的表面形成第二导电层,所述第二导电层包括第二栅极,所述第二栅极在所述第一栅绝缘层上的正投影位于所述有源层的范围内,且所述第二栅极与所述第一栅极连接;
在所述第二导电层背离所述衬底的一侧形成层间介质层;
由所述层间介质层朝向所述衬底开设露出所述衬底的孔状结构,所述第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内;
在所述层间介质层背离所述衬底的表面形成源漏层,所述源漏层包括源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;所述源极或所述漏极与所述第一绑定部连接。
11.一种显示面板,其特征在于,包括:
权利要求1-9任一项所述的驱动背板;
发光器件,具有第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一绑定部绑定,所述第二电极与所述第二绑定部绑定。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求11的显示面板。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035809A (zh) * 2011-10-10 2013-04-10 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN109859647A (zh) * 2019-03-29 2019-06-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111354787A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及使用该薄膜晶体管的显示面板
CN111477589A (zh) * 2020-04-08 2020-07-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103035809A (zh) * 2011-10-10 2013-04-10 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN111354787A (zh) * 2018-12-20 2020-06-30 乐金显示有限公司 薄膜晶体管及使用该薄膜晶体管的显示面板
CN109859647A (zh) * 2019-03-29 2019-06-07 上海天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US20200312831A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-01 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Display panel and display device
CN111477589A (zh) * 2020-04-08 2020-07-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置

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