CN113054149A

CN113054149A - 显示面板的制作方法和显示面板

Info

Publication number: CN113054149A
Application number: CN202110287203.3A
Authority: CN
Inventors: 金玉; 李磊; 陆蕴雷; 王恩来; 黄丽丽; 马明冬
Original assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Current assignee: Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date: 2021-03-17
Filing date: 2021-03-17
Publication date: 2021-06-29
Anticipated expiration: 2041-03-17
Also published as: CN113054149B

Abstract

本发明实施例公开了一种显示面板的制作方法和显示面板。显示面板的制作方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成驱动电路层并图案化，并在所述透光区位置露出部分所述衬底；在所述驱动电路层上形成平坦化层；对所述平坦化层进行图案化，并在所述透光区位置减薄处理或全部保留所述平坦化层、减薄或全部保留位于所述盲孔内的平坦化层；在所述平坦化层上形成阳极；在形成阳极后，去除位于所述透光区的平坦化层。与现有技术相比，本发明实施例避免了对透光区的衬底表面直接进行等离子体处理等制程，使得衬底表面能够保持其原本的光滑度，有利于光线在盲孔处进行镜面反射，减少漫反射的发生，从而提升了盲孔处衬底的光线透过率。

Description

显示面板的制作方法和显示面板

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板的制作方法和显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板的应用越来越广泛，显示面板的扩展功能也越来越多。例如，需要在显示面板中集成摄像头、传感器等器件。此时，需要在显示面板中设置盲孔(即透光区)，以容纳摄像头、传感器等器件。然而，现有的显示面板的制作工艺在形成盲孔时，会导致盲孔处的衬底(例如，玻璃)表面粗糙，影响了光线在盲孔处的传输。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板的制作方法和显示面板，以提升盲孔处衬底的光线透过率。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有透光区、围绕所述透光区的显示区，制作方法包括：

提供衬底，在所述衬底上形成驱动电路层并图案化，并在所述透光区位置露出部分所述衬底；

在所述驱动电路层上形成平坦化层；

对所述平坦化层进行图案化，以形成阳极过孔，并在所述透光区位置减薄处理或全部保留所述平坦化层；

在所述平坦化层上形成阳极；

在形成阳极后，去除位于所述透光区的平坦化层。

由上述技术方案可以看出，由于位于透光区的衬底表面覆盖有平坦化层，形成了衬底的保护层，避免了阳极镀膜和后续刻蚀工艺对衬底表面形貌造成的损伤，在所述透光区形成盲孔图案。与现有技术相比，本发明实施例避免了对透光区的衬底表面直接进行等离子体处理等制程，使得衬底表面能够保持其原本的光滑度，有利于光线在盲孔处进行镜面反射，减少漫反射的发生，从而提升了盲孔处衬底的光线透过率。

可选地，对所述平坦化层进行图案化包括：采用半色调掩膜版刻蚀所述平坦化层，以在形成阳极过孔的同时减薄位于所述透光区内的平坦化层。这样设置，能够采用一道光罩工艺，在形成阳极过孔的同时，减薄位于透光区内的平坦化层。以及，有利于通过调整半色调掩膜版不同区域的光透过率来调整减薄的平坦化层的厚度，以满足实际需求。

可选地，所述半色调掩膜版包括全透区、不透区和半透区；

所述全透区对应所述阳极过孔，所述半透区对应所述透光区，所述不透区对应所述阳极过孔和所述透光区以外的区域。

可选地，所述半色调掩膜版包括衬底和位于所述衬底上的透光调整材料；

所述衬底的材料包括氧化硅，所述半透区的透光调整材料包括氧化铬，所述不透区的透光调整材料包括铬。

可选地，通过调整所述半透区的光透过率来调整减薄的所述透光区的平坦化层的厚度。具体地，通过控制半透区的透光调整材料的厚度能够控制半透区的光透过率。透光调整材料的厚度越厚，半透区的光透过率越低，刻蚀掉的平坦化层的厚度越薄，剩余的平坦化层保护层的厚度越厚；相反，透光调整材料的厚度越薄，半透区的光透过率越高，刻蚀掉的平坦化层的厚度越厚，剩余的平坦化层保护层的厚度越薄。这样设置，使得显示面板的制作过程操作简单，有利于简化工艺流程，实用性更强。

可选地，减薄位于所述透光区的平坦化层后剩余的所述平坦化层的厚度范围为0.1μm～0.2μm。可选地，剩余的平坦化层保护层的厚度为0.1μm、0.12μm、0.14μm、0.16μm、0.18μm或0.2μm等。这样设置，有利于兼顾对衬底的保护效果和后续的去除工艺，实用性更强。具体地，剩余的平坦化层保护层的厚度越厚，对衬底的保护效果越好，但后续的去除工艺难度越大；剩余的平坦化层保护层的厚度越薄，越有利于后续的去除工艺，但对衬底的保护效果减弱。

可选地，在所述平坦化层上形成阳极之后，还包括：

在所述阳极上依次形成像素定义层、支撑柱、发光层和阴极；其中，所述阴极覆盖所述发光层和所述支撑柱；

在形成所述阴极之后，去除位于所述透光区内的平坦化层。

这样设置，不仅能够在形成阳极的过程中保护衬底的表面不受损伤，还能在形成OLED器件的过程中保护衬底的表面，有利于最大程度地提升衬底对应透光区的光透过率。

可选地，去除位于所述透光区的平坦化层的工艺包括：干灰化工艺；

可选地，所述干灰化工艺采用的气体包括六氟化硫和氧气。

可选地，在所述驱动电路层和所述透光区形成所述平坦化层的工艺包括：涂布工艺。

相应地，本发明还提供了一种显示面板，所述显示面板由本发明任意实施例所述的显示面板的制作方法制作而成。

本发明实施例通过在对所述平坦化层进行图案化的过程中减薄或全部保留位于所述盲孔内的平坦化层，由于位于透光区(对应盲孔)的衬底表面覆盖有平坦化层，形成了衬底的保护层，避免了阳极镀膜和后续刻蚀工艺对衬底表面形貌造成的损伤。与现有技术相比，本发明实施例避免了对透光区的衬底表面直接进行等离子体处理等制程，使得衬底表面能够保持其原本的光滑度，有利于光线在盲孔处进行镜面反射，减少漫反射的发生，从而提升了盲孔处衬底的光线透过率。

附图说明

图1为现有的显示面板的制作方法在各步骤中形成的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；

图3为图2提供的显示面板的制作方法在各步骤形成的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种阳极的形成过程示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法在各步骤形成的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种剩余的平坦化层的去除过程示意图；

图7为本发明实施例提供的又一种剩余的平坦化层的去除过程示意图；

图8为本发明实施例提供的又一种剩余的平坦化层的去除过程示意图；

图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图；

图10为图9提供的显示面板的制作方法在各步骤形成的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如背景技术所述，现有的显示面板的制作工艺在形成盲孔时，会导致盲孔处的衬底表面粗糙，影响了光线透过率。经发明人研究发现，出现该问题的原因如下。

图1为现有的显示面板的制作方法在各步骤中形成的结构示意图。参见图1，以LTPS-AMOLED(Low Temperature Poly-Silicon Active Matrix Organic Light-EmittingDiode，中文为低温多晶硅主动式有机发光二极管)显示面板为例进行说明。显示面板具有透光区120、围绕透光区120的显示区110。在显示面板的制作过程中，需要将透光区120对应的所有驱动电路层200(阵列膜层)全部去除，形成盲孔，以提升透光区120的光线透过率。例如，在透光区120内设置摄像头，较高的光线透过率能够提升拍照效果。

具体地，在阳极膜层401成膜前透光区120已经去除相关膜层，衬底100直接暴露。阳极膜层401采用磁控溅射镀膜的工艺，因此，在阳极膜层401成膜过程中，需要对透光区120的衬底100表面进行等离子体处理，使得衬底100表面变得粗糙，影响该区域阳极膜层401的膜质。进一步地，在阳极膜层401刻蚀后，在透光区120衬底100表面的位置留下微残留，形成粗糙的衬底表面。由此可见，由于阳极膜层401成膜和刻蚀工艺造成衬底100表面粗糙，使得透光区120发生漫反射，进而导致衬底100的透过率明显下降。

有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法。图2为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图，图3为图2提供的显示面板的制作方法在各步骤形成的结构示意图。参见图2和图3，该显示面板的制作方法包括以下步骤：

S110、提供衬底100，在衬底100上形成驱动电路层200并图案化，并在透光区120位置露出部分衬底100。

其中，衬底100包括显示区110和透光区120，在显示区110对应设置有薄膜晶体管、电容和像素等结构，在透光区120对应设置有摄像头和传感器等器件。衬底100的材料例如可以是玻璃等。可选地，在提供衬底100之前，还包括：先提供一基板(图中未示出)，然后在基板上形成衬底100，该基板对衬底100起到支撑的作用。

驱动电路层200是指用于形成薄膜晶体管TFT和电容C1等器件的膜层结构。图3中示例性地示出了，驱动电路层200包括有源层P1、第一金属层M1、第二金属层M2和第三金属层M3，在第一金属层M1上形成栅极和电容C1的第一极板，在第二金属层M2形成电容C1的第二极板；在第三金属层M3上形成源极、漏极、电源连接线和数据线等。例如，与有源层P1的源区连接的为薄膜晶体管TFT的源极，与有源层P1的漏区连接的为薄膜晶体管TFT的漏极，与电容C1的第二个极板连接的为电源连接线，与电容C1的第一个极板连接的为数据线。可选地，第一金属层M1、第二金属层M2和第三金属层M3中还可以根据实际需要设置其他的金属走线。在其他实施例中，驱动电路层200还包括第四金属层等膜层，在第四金属层上可以设置电源线等金属走线。

驱动电路层200还包括多层无机层或有机层等膜层，用以起到绝缘、保护和缓冲等作用。例如，在衬底100和有源层P1之间设置有缓冲层，可选地，缓冲层包括层叠设置的氮化硅层和氧化硅层。在有源层P1和第一金属层M1之间设置有栅极绝缘层，可选地，栅极绝缘层为氧化硅层。在第一金属层M1和第二金属层M2之间设置有中间层，可选地，中间层为氮化硅层。在第二金属层M2和第三金属层M3之间设置有层间绝缘层，可选地，层间绝缘层包括层叠设置的氮化硅层和氧化硅层。

在形成盲孔201的过程中，需要将对应透光区120的驱动电路层200全部刻蚀掉，仅保留衬底100，因此，衬底100对应透光区120的表面在驱动电路层200被刻蚀后处于暴露的状态。

S120、在驱动电路层200上形成平坦化层300。

其中，在第三金属层M3等金属膜层上形成平坦化层300，可以使得膜层表面平整，便于后续成膜，且平坦化层300还可以起到绝缘和保护第三金属层M3的作用，因此，平坦化层300的厚度一般较厚。在本发明实施例中，平坦化层300还起到了保护衬底100对应透光区120的表面平整的作用。

平坦化层300的材料通常为有机材料，例如，光刻胶等。可选地，在驱动电路层200上形成平坦化层300的工艺包括涂布工艺，通过涂布工艺将预设厚度的平坦化层300涂布于驱动电路层200上和衬底100对应透光区120的表面上。本发明实施例通过涂布工艺形成平坦化层300，可以使得平坦化层300的形成不会对裸露的衬底100表面造成影响，有利于提高衬底100对应透光区120的光透过率。

S130、对平坦化层300进行图案化，以形成阳极过孔301，并在透光区120位置减薄处理或全部保留平坦化层300。

其中，对平坦化层300进行图案化的工艺可以是光刻工艺，根据平坦化层300的材料特点，可以采用不同的光刻工艺。例如，平坦化层300的材料为正性光刻胶，平坦化层300上被光照射到的部分能够溶于显影液中，未被光照射到的部分不会溶于显影液，从而达到刻蚀的目的。

在现有技术中，阳极过孔301和盲孔201处的厚度相同，光照强度和光照时间等刻蚀条件也相同，因此，在形成阳极过孔301的同时，盲孔201处的平坦化层300也全部被刻蚀。本发明实施例在对平坦化层300的图案化过程中，仅减薄位于盲孔201内的平坦化层300，或者全部保留位于盲孔201内的平坦化层300(即仅刻蚀阳极过孔301)，有利于平坦化层300在后续步骤中起到保护衬底100对应透光区120的表面平整的作用，即保留的透光区120的平坦化层300也可以称作平坦化层保护层。

可选地，在光刻工艺中，仅对阳极过孔301对应的位置进行光照，可以全部保留位于盲孔201内的平坦化层300，即平坦化层保护层的厚度与平坦化层300的原始厚度相同。可选地，在光刻工艺中，减少位于盲孔201的平坦化层300的光照强度，可以减薄位于盲孔201内的平坦化层300。图3中示例性地示出了减薄位于盲孔201内的平坦化层300后的结构。

S140、在平坦化层300上形成阳极400；在形成阳极400后去除位于透光区120的平坦化层300。

示例性地，阳极400的材料为ITO/Ag/ITO，参见图4，阳极400的形成过程包括：首先，采用磁控溅射镀膜的工艺形成阳极膜层401，阳极膜层401覆盖整个平坦化层300的表面，包括位于显示区110的平坦化层300的表面和位于透光区120的平坦化层300的表面；其中，阳极膜层401通过阳极过孔与薄膜晶体管的源极(或漏极)接触电连接；然后，采用刻蚀工艺去除阳极400以外区域的阳极膜层401。

其中，由于位于透光区120的衬底100表面覆盖有平坦化层300，形成了衬底100的保护层，避免了阳极膜层401镀膜和后续刻蚀工艺对衬底100表面形貌造成的损伤。与现有技术相比，本发明实施例避免了对透光区120的衬底100表面直接进行等离子体处理等制程，使得衬底100表面能够保持其原本的光滑度，有利于光线在盲孔201处进行镜面反射，减少漫反射的发生，从而提升了盲孔201处衬底100的光线透过率。

在上述各实施例中，在后续步骤中去除位于盲孔201内的平坦化层300的选择有多种，下面就其中的几种进行说明。

图5为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法在各步骤形成的结构示意图。参见图5，在一种实施方式中，可选地，显示面板的制作方法包括以下步骤：

S210、提供衬底100，在衬底100上形成驱动电路层200并图案化，并在透光区120位置露出部分衬底100。

S220、在驱动电路层200上形成平坦化层300。

S230、对平坦化层300进行图案化，以形成阳极过孔301，并在透光区120位置减薄处理或全部保留平坦化层300。

S240、采用磁控溅射镀膜的工艺在平坦化层300上形成阳极膜层401，阳极膜层401覆盖整个平坦化层300的表面。

S250、采用刻蚀工艺去除阳极400以外区域的阳极膜层401。

S260、在阳极400上依次形成像素定义层500、支撑柱600、发光层700等膜层结构和阴极800。

其中，像素定义层500和支撑柱600的材料均与平坦化层300的材料类似，均为有机材料，例如，像素定义层500和支撑柱600的材料均为光刻胶。因此，形成像素定义层500和支撑柱600所采用的工艺也可以采用与形成平坦化层300类似的工艺制程。示例性地，像素定义层500的形成步骤包括：首先通过涂布工艺在阳极400上形成像素定义层500；然后，通过光刻工艺对像素定义层500进行图案化，形成暴露阳极400的过孔。该过孔定义了显示面板的像素发光区，用于在后续步骤中容纳发光层700等膜层结构，发光层700与阳极400接触电连接。类似的，支撑柱600的形成步骤包括：首先通过涂布工艺在像素定义层500上形成支撑柱膜层；然后，通过光刻工艺对支撑柱膜层进行图案化，形成位于像素定义层500上的多个支撑柱600。

其中，在对像素定义层500和支撑柱膜层进行光照和显影的过程中，不会对透光区120的平坦化层保护层造成影响。这是因为，在对平坦化层300进行光刻工艺的过程中，已经对平坦化层300进行了加热固化等操作，使得平坦化层300的膜质稳定，不再受光照影响。

其中，发光层700等膜层结构位于像素定义层500的过孔内，阳极400、发光层700和阴极800构成了显示面板的OLED器件。可选地，OLED器件还包括电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层和空穴传输层等膜层。发光层700等膜层结构的形成工艺例如可以是蒸镀工艺，采用精密掩膜板可以在像素定义层500的过孔内形成发光层700等膜层结构。阴极800的形成工艺例如可以是蒸镀+刻蚀工艺，具体地，首先采用通用掩膜板可以整面形成阴极800膜层，阴极800膜层覆盖发光层700、支撑柱600、像素定义层500和位于透光区120的平坦化层300；然后采用刻蚀工艺将阴极800膜层位于透光区120的部分刻蚀掉。

S270、在形成阴极800之后，去除位于透光区120的平坦化层300。

去除位于透光区120的平坦化层300的工艺包括干灰化工艺。在对平坦化层300进行干灰化去除的过程中，不会对衬底100的表面产生影响，因此，有利于提升盲孔201处衬底100的光线透过率。可选地，干灰化工艺采用的气体包括六氟化硫和氧气，以有利于对平坦化层300的去除效果。

进一步地，在后续工艺步骤中，还包括封装工艺等制程，封装工艺的具体步骤可以采用现有技术，此处不再赘述。

本发明实施例在形成阴极800之后去除位于透光区120的平坦化层300，不仅能够在形成阳极400的过程中保护衬底100的表面不受损伤，还能在形成OLED器件的过程中保护衬底100的表面，有利于最大程度地提升衬底100对应透光区120的光透过率。

需要说明的是，在上述实施例中，示例性地示出了在形成阴极800之后去除位于透光区120的平坦化层300，并非对本发明的限定。在其他实施例中，如图6所示，在一种实施方式中，还可以在形成阳极400之后即去除位于透光区120的平坦化层300，然后制作像素定义层500、支撑柱600、发光层700等膜层结构和阴极800。与阳极400的制作工艺采用磁控溅射镀膜工艺不同，像素定义层500和支撑柱600可以采用涂布+光刻的工艺，发光层和阴极800采用蒸镀工艺，对衬底100的表面损伤可以忽略。因此，与现有技术相比，在形成阳极400之后即去除位于透光区120的平坦化层300也能够提升透光区120(对应盲孔201)处衬底的光线透过率。

或者，如图7所示，在一种实施方式中，在形成像素定义层500之后去除位于盲孔201内的平坦化层300，然后制作支撑柱600、发光层700等膜层结构和阴极800；或者，如图8所示，在一种实施方式中，在形成支撑柱600之后去除位于透光区120的平坦化层300，然后制作发光层700等膜层结构和阴极800；或者，在一种实施方式中，在形成发光层700等膜层结构之后去除位于透光区120的平坦化层300，然后制作阴极800。

在上述各实施例的基础上，可选地，对平坦化层300进行图案化的工艺为半色调刻蚀工艺。具体地，图9为本发明实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图，图10为图9提供的显示面板的制作方法在各步骤形成的结构示意图。参见图9和图10，显示面板的制作方法包括以下步骤：

S310、在驱动电路层200上形成平坦化层300之后，采用半色调掩膜版900刻蚀平坦化层300，以在形成阳极过孔301的同时减薄位于透光区120的平坦化层300。

其中，半色调掩膜版900是指透射出的光线至少包括两种光照强度的掩膜版。可选地，半色调掩膜版900包括全透区910、不透区920和半透区930，全透区910对应阳极过孔301，半透区930对应透光区120，不透区920对应阳极过孔301和透光区120以外的区域。具体地，全透区910透射出的光照强度较高，有利于将阳极过孔301处的平坦化层300完全去除；半透区930透射出的光照强度较低，有利于在将透光区120的平坦化层300减薄的同时，保留部分厚度的平坦化层300。

可选地，半色调掩膜版900包括掩膜版衬底和位于掩膜版衬底上的透光调整材料；掩膜版衬底的材料包括氧化硅SiOx，半透区930的透光调整材料包括氧化铬CrxOy，y与x的比值在2～3之间。不透区920的透光调整材料包括铬Cr。这样，实现了半色调掩膜版900的部分区域(全透区910)全透光，部分区域(半透区930)半透光的功能。

示例性地，平坦化层300的材料为光刻胶，采用半色调掩膜版900通过一次光罩可以实现对平坦化层300的图案化。半色调掩膜版900刻蚀平坦化层300的具体步骤包括：首先，将平坦化层300的材料溶解在溶液中，形成感光溶液；然后，采用涂布的方式将感光溶液涂布在驱动电路层200上和透光区120的衬底100上；此时的感光溶液在光照条件下其化学键会被打断，进而容易被刻蚀液溶解；然后，通过半色调掩膜版900的全透区910对阳极过孔301进行光照，同时通过半色调掩膜版900的半透区930对透光区120进行光照；其中，由于阳极过孔301的光照强度较强，位于阳极过孔301内的全部的感光溶液的化学键被打断，由于透光区120的光照强度较弱，位于盲孔201内的上表面的部分感光溶液的化学键被打断；然后，采用刻蚀液溶解位于阳极过孔301内的全部感光溶液，以及溶解透光区120处于上表面的感光溶液，以形成暴露阳极400的阳极过孔301和减薄的平坦化层300。

S320、进行加热固化的工艺，形成稳定的膜层结构。

S330、采用磁控溅射镀膜的工艺在平坦化层300上形成阳极膜层401，阳极膜层401覆盖整个平坦化层300的表面。

S340、采用刻蚀工艺去除阳极400以外区域的阳极膜层401。

S350、在阳极400上依次形成像素定义层500和支撑柱600。

S360、依次形成发光层700等膜层结构和阴极800，在形成阴极800之后，去除位于透光区120的平坦化层300。

由此可见，本发明实施例通过采用半色调刻蚀工艺，在平坦化层300上形成阳极过孔301的同时使得位于透光区120的衬底100表面覆盖有减薄的平坦化层300，形成了衬底100的保护层，避免了阳极膜层401镀膜和后续刻蚀工艺对衬底100表面形貌造成的损伤。与现有技术相比，本发明实施例避免了对透光区120的衬底100表面直接进行等离子体处理等制程，使得衬底100表面能够保持其原本的光滑度，有利于光线在盲孔201处进行镜面反射，减少漫反射的发生，从而提升了盲孔201处衬底100的光线透过率。另外，由于位于透光区120的平坦化层300被减薄，有利于降低在后续工艺中的去除难度。具体地，采用干灰化工艺去除位于透光区120的平坦化层300，较薄的平坦化层300有利于采用较低的灰化气体强度，从而减少对显示面板中的其他膜层的影响。

可选地，减薄位于透光区120的平坦化层300后剩余的平坦化层300保护层的厚度范围为0.1μm～0.2μm。示例性地，剩余的平坦化层300保护层的厚度为0.1μm、0.12μm、0.14μm、0.16μm、0.18μm或0.2μm等。其中，剩余的平坦化层300保护层的厚度越厚，对衬底100的保护效果越好，但后续的去除工艺难度越大；剩余的平坦化层300保护层的厚度越薄，越有利于后续的去除工艺，但对衬底100的保护效果减弱；本发明实施例设置剩余的平坦化层300保护层的厚度范围为0.1μm～0.2μm，有利于兼顾对衬底100的保护效果和后续的去除工艺，实用性更强。

在上述各实施例中，可选地，通过调整半透区930的光透过率来调整减薄的透光区120的平坦化层300的厚度。具体地，通过控制半透区930的透光调整材料(例如Cr_xO_y，y与x的比值在2～3之间)的厚度能够控制半透区930的光透过率。透光调整材料Cr_xO_y的厚度越厚，半透区930的光透过率越低，刻蚀掉的平坦化层300的厚度越薄，剩余的平坦化层300保护层的厚度越厚；相反，透光调整材料Cr_xO_y的厚度越薄，半透区930的光透过率越高，刻蚀掉的平坦化层300的厚度越厚，剩余的平坦化层300保护层的厚度越薄。本发明实施例通过调整半透区930的光透过率来调整减薄的透光区120的平坦化层300的厚度，操作简单，有利于简化工艺流程，实用性更强。

示例性地，在采用半色调掩膜版进行光刻的过程中，半透区930的光透过率调整依据为，在将感光溶液涂布在驱动电路层200上和透光区120的衬底100上后，可以认为平坦化层300在各个位置处的厚度大致相等，即阳极过孔301处的平坦化层300的厚度和透光区120的平坦化层300的厚度相等。其中，对应阳极过孔301的位置，需要将平坦化层300全部刻蚀掉，露出阳极400。在通过半色调掩膜版900的全透区910对阳极过孔301进行光照时，其光照强度需要根据光照时间和刻蚀深度确定，该光照强度可以认为是透过半色调掩膜版900前的原始光照强度。与此同时，对应透光区120的位置，仅需要将平坦化层300减薄，也就是说，透光区120的平坦化层300被刻蚀的厚度小于阳极过孔301的平坦化层300被刻蚀的厚度。在通过半色调掩膜版900的半透区930对透光区120进行光照时，由于半透区930透光调整材料的作用，半透区930的光透过率减小，透射的光照强度减弱。此时，透过半色调掩膜版900前的原始光照强度已经由阳极过孔301的刻蚀条件确定，因此，通过半透区930的光透过率能够简单快捷地实现调整平坦化层300保护层的厚度的效果。

本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板由本发明任意实施例所提供的显示面板的制作方法制作而成，其技术原理和产生的效果类似，这里不再赘述。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims

1.一种显示面板的制作方法，所述显示面板具有透光区、围绕所述透光区的显示区，其特征在于，包括：

在所述驱动电路层上形成平坦化层；

在所述平坦化层上形成阳极；

在形成阳极后，去除位于所述透光区的平坦化层。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对所述平坦化层进行图案化包括：

采用半色调掩膜版刻蚀所述平坦化层，以在形成阳极过孔的同时减薄位于所述透光区的平坦化层。

3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述半色调掩膜版包括全透区、不透区和半透区；

4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述半色调掩膜版包括衬底和位于所述衬底上的透光调整材料；

5.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，通过调整所述半透区的光透过率来调整减薄的所述透光区的平坦化层的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，减薄位于所述透光区的平坦化层后剩余的所述平坦化层的厚度范围为0.1μm～0.2μm。

7.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述平坦化层上形成阳极之后，还包括：

在形成所述阴极之后，去除位于所述透光区的平坦化层。

8.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，去除位于所述透光区的平坦化层的工艺包括：干灰化工艺；

可选地，所述干灰化工艺采用的气体包括六氟化硫和氧气。

9.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，在所述驱动电路层和所述透光区形成所述平坦化层的工艺包括：涂布工艺。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板由权利要求1-9任一项所述的显示面板的制作方法制作而成。