CN113035568A - 复合电子组件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种复合电子组件，所述复合电子组件包括：电容器结构，包括介电层以及在第一方向上交替布置的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；熔断器结构，包括熔断器和熔断器主体；公共电极，设置在所述电容器结构的在与所述第一方向相交的第二方向上的一个表面与所述熔断器结构的在所述第二方向上的一个表面之间，并且连接到所述第一内电极和所述熔断器；第一外电极，设置在所述熔断器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述熔断器；以及第二外电极，设置在所述电容器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述第二内电极。
Description
本申请要求于2019年12月24日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0174305号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种复合电子组件。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC)(一种多层电子组件)可以是一种安装在诸如成像装置(包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)等)以及计算机、智能电话、移动电话等的各种电子产品的印刷电路板上的片式电容器，用于在其中充电或者从其放电。此外，MLCC在车辆的电控单元(ECU)中起到诸如稳定电源电压、去耦、高频噪声的衰减、DC阻断等的作用。
近来，由于车辆的自主驾驶、生态友好型车辆的引入等而导致使用的车用电气/电子组件的增加，因此车辆中使用的MLCC的数量已经增加。由于车用电气/电子组件的使用环境比一般电子组件的使用环境更苛刻，并且车辆与人的生命直接相关，因此对于在车用电气/电子组件中使用的MLCC可能需要相对高程度的可靠性。
具体地，MLCC具有能够通过堆叠相对薄的介电层和内电极来确保相对高水平的单位体积电容的优点。然而，为了确保相对高的容量，因为内部空间使用应当最大化，所以外部冲击可能对内部结构具有关键影响。如果由于外部冲击等而在MLCC内部出现裂纹，则具有不同极性的内电极可能被短路从而切断到负载的电力，并且会产生过电流。
另外，由于大多数MLCC可能在电路中并联配置，因此当并联配置的MLCC中的任意一者中发生故障时，电路可能不再起作用。
因此，需要开发一种能够解决当MLCC短路时发生的问题的复合电子组件。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种其中熔断器结构和电容器结构被组合以在MLCC短路时通过断开熔断器结构来保护电路免受过电流影响的复合电子组件。
然而，本公开的目的不限于上述描述，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易理解。
根据本公开的一方面，一种复合电子组件包括：电容器结构，包括介电层以及在第一方向上交替布置的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；熔断器结构，包括熔断器和熔断器主体；公共电极，设置在所述电容器结构的在与所述第一方向相交的第二方向上的一个表面与所述熔断器结构的在所述第二方向上的一个表面之间，并且连接到所述第一内电极和所述熔断器；第一外电极，设置在所述熔断器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述熔断器；以及第二外电极，设置在所述电容器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述第二内电极。
根据本公开的另一方面，一种复合电子组件包括：电容器结构，包括介电层以及在第一方向上交替布置的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；熔断器结构，包括聚合物和多个导电颗粒；公共电极，设置在所述电容器结构的在与所述第一方向相交的第二方向上的一个表面与所述熔断器结构的在所述第二方向上的一个表面之间，并且连接到所述第一内电极和所述熔断器；第一外电极，设置在所述熔断器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述熔断器；以及第二外电极，设置在所述电容器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述第二内电极。
根据本公开的另一方面，一种复合电子组件包括：电容器结构，包括介电层以及交替地布置的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层中的相应的一个介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；公共电极，直接连接到所述第一内电极；熔断器结构，包括熔断器和熔断器主体；第一外电极，设置在所述熔断器结构上；以及第二外电极，设置在所述电容器结构上并且连接到所述第二内电极。所述熔断器将所述公共电极和所述第一外电极彼此连接。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的复合电子组件的透视图。
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3是沿图1的线II-II′截取的截面图。
图4是沿图1的线III-III′截取的截面图。
图5是示出根据本公开的实施例的复合电子组件的等效电路的电路图。
图6是示出沿着图1的线I-I'截取的根据本公开的实施例的复合电子组件的修改示例的截面图。
图7是示出沿着图1的线III-III'截取的根据本公开的实施例的复合电子组件的修改示例的截面图。
图8是示意性地示出根据本公开的实施例的复合电子组件的另一修改示例的透视图。
图9是沿图8的线IV-IV′截取的截面图。
图10是沿图8的线V-V′截取的截面图。
图11是示意性地示出根据本公开的另一实施例的复合电子组件的透视图。
图12是沿图11的线VI-VI′截取的截面图。
图13是沿图11的线VII-VII′截取的截面图。
图14是示出沿图11的线VI-VI'截取的施加过电流并且熔断器断开的状态的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照具体实施例和附图描述本公开的实施例。然而，本公开的实施例可被修改为各种其他形式，并且本公开的范围不限于以下描述的实施例。此外，本公开的实施例可被提供用于向本领域普通技术人员更完整地描述本公开。因此，为了描述的清楚，可夸大附图中的元件的形状和尺寸，并且在附图中，通过相同的附图标记表示的元件可以是相同的元件。
在附图中，为了本公开的清楚起见，可省略与描述无关的部分，并且为了清楚地示出层和区域，可放大厚度。相同的附图标记将用于指示相同的组件。此外，在整个说明书中，除非另外明确表明，否则当元件被称为“包含”或“包括”元件时，意味着该元件也还可包括其他元件而不排除其他元件。
在附图中，X方向可被定义为第二方向、L方向或长度方向，Y方向可被定义为第三方向、W方向或宽度方向，且Z方向可被定义为第一方向、T方向或厚度方向。
复合电子组件
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的复合电子组件的透视图。
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3是沿图1的线II-II′截取的截面图。
图4是沿图1的线III-III′截取的截面图。
图5是示出根据本公开的实施例的复合电子组件的等效电路的电路图。
在下文中，将参照图1至图5详细描述根据本公开的实施例的复合电子组件1000。
根据本公开的实施例的复合电子组件1000包括：电容器结构110，包括介电层111以及在第一方向(例如，Z方向)上交替布置的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间；熔断器结构210，包括熔断器220和熔断器主体211；公共电极310，设置在电容器结构的在与第一方向相交(例如，与第一方向垂直)的第二方向(例如，X方向)上的一个表面与熔断器结构的在第二方向上的一个表面之间，并且连接到第一内电极121和熔断器220；第一外电极131，设置在熔断器结构210的在第二方向上的另一表面上，并且连接到熔断器220；以及第二外电极132，设置在电容器结构110的在第二方向上的另一表面上，并且连接到第二内电极122。
在电容器结构110中，介电层111和内电极121或122可交替地堆叠。
尽管电容器结构110的具体形状没有特别限制，但是如所示出的，电容器结构110可具有六面体形状等。由于电容器结构110中包含的陶瓷粉末在烧制工艺期间的收缩，电容器结构110可能不具有完全直线的完美六面体的形状，而是可具有整体上基本六面体的形状。
电容器结构110可具有：在厚度方向(Z方向)上彼此相对的第一表面和第二表面，连接到第一表面和第二表面且在长度方向(X方向)上彼此相对的第三表面和第四表面，以及连接到第一表面和第二表面、连接到第三表面和第四表面且在宽度方向(Y方向)上彼此相对的第五表面和第六表面。
形成电容器结构110的多个介电层111可处于烧制状态，并且相邻介电层111之间的边界可一体化到在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下难以识别边界的程度。
根据本公开的实施例，用于形成介电层111的原材料没有特别限制，只要可获得足够的电容即可。例如，可使用钛酸钡基材料、铅复合钙钛矿基材料、钛酸锶基材料等。钛酸钡基材料可包括BaTiO3基陶瓷粉末，并且陶瓷粉末的示例可包括BaTiO3或将钙(Ca)、锆(Zr)等部分地溶置于BaTiO3中制备的(Ba1-xCax)TiO3、Ba(Ti1-yCay)O3、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3或Ba(Ti1-yZry)O3。
作为用于形成介电层111的材料，根据本公开的目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到诸如钛酸钡(BaTiO3)的粉末中。在这种情况下，作为陶瓷添加剂，可使用诸如过渡金属氧化物或过渡金属碳化物、稀土元素、镁(Mg)、铝(Al)等的各种类型的添加剂。
电容器结构110可包括：电容形成部A，设置在电容器结构110中并且包括设置为彼此面对且介电层111介于它们之间的第一内电极121和第二内电极122，以形成电容；以及上保护层112和下保护层113，在上下方向上分别形成在电容形成部A上。
电容形成部A可以是用于对电容器的电容形成有贡献的部分，并且可通过重复地堆叠多个第一内电极121和第二内电极122且介电层111介于多个第一内电极121和第二内电极122之间而形成。
上保护层112和下保护层113可通过在竖直方向上分别在电容形成部的上表面和下表面上堆叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可主要用于防止因物理或化学应力而对内电极造成损坏。
上保护层112和下保护层113可不包括内电极，并且可包括与介电层111相同的材料。
内电极121和122可布置为彼此面对且介电层111介于其间。内电极121和122可包括交替地布置为彼此面对且介电层111介于它们之间的第一内电极121和第二内电极122。
第一内电极121可从电容器结构110的在第二方向(Y方向)上的一个表面暴露，并且第二内电极122可从电容器结构110的在第二方向(Y方向)上的另一表面暴露。第一内电极121可从电容器结构110的在第二方向(Y方向)上的一个表面暴露以连接到公共电极310。公共电极310可通过熔断器220连接到第一外电极131。第二内电极122可从电容器结构110的在第二方向(Y方向)上的另一表面暴露以连接到第二外电极132。第一内电极121和第二内电极122可具有不同的极性。
第一内电极121可设置为与电容器结构110的在第二方向(Y方向)上的所述另一表面间隔开，并且第二内电极122可设置为与电容器结构110的在第二方向(Y方向)上的所述一个表面间隔开。另外，第一内电极121和第二内电极122可通过介于它们之间的介电层111彼此电分离。
电容器结构110可通过在厚度方向(Z方向)上交替地堆叠其上印刷有第一内电极层121的介电层111以及其上印刷有第二内电极层122的介电层111，然后对其进行烧制来形成。
用于形成内电极121和122的材料没有特别限制，并且可使用具有优异导电性的材料。例如，内电极121和122可通过在陶瓷生片上印刷用于内电极的包含镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的一种或更多种的导电膏来形成。
作为用于内电极的导电膏的印刷方法，可使用丝网印刷法、凹版印刷法等，但是本公开不限于此。
熔断器结构210可包括熔断器220和熔断器主体211。
熔断器主体211可防止第一外电极131与公共电极310或内电极121和122彼此直接接触，并且可用于通过熔断器220连接第一外电极131和公共电极310。例如，第一外电极131和公共电极310可通过熔断器220彼此电连接，而不是使第一外电极131和公共电极310直接接触并电连接。为此，熔断器主体211可具有绝缘性能。
用于形成熔断器主体211的材料可仅需要具有绝缘性能，而没有具体限制。例如，熔断器主体211可使用诸如陶瓷、玻璃、树脂、橡胶等的绝缘材料形成。另外，熔断器主体211可使用与电容器结构110的介电层111相同的材料形成，并且可通过堆叠多个陶瓷生片来形成。
尽管熔断器主体211的具体形状没有特别限制，但是如所示出的，熔断器主体211可具有六面体形状等。熔断器主体211可不具有拥有完全直线的完美六面体的形状，而是可具有整体上基本六面体的形状。
另外，熔断器主体211的厚度和宽度可分别具有与电容器结构110的厚度和宽度相等或近似的值。熔断器主体211的长度不需要具体限制，并且可考虑熔断器220的长度(Fl)来确定。
熔断器220可用于阻挡电流流动，因为当施加过电流时，熔断器220由于过电流产生的热而熔化且被切断。
第一内电极121和第二内电极122可能由于MLCC的内部缺陷、外部冲击、外部浪涌等而短路。在MLCC短路的情况下，可能损坏MLCC的功能。在使用电源线的电压的情况下，由于(+)线和(-)线的短路，电压可能变为0V，这会导致包括MLCC的电路发生故障。另外，由于大部分MLCC在电路中并联配置，因此当并联配置的MLCC中的任意一个中发生故障时，电路可能不再起作用。
参照图5，图5是示出根据本公开的实施例的复合电子组件的等效电路的电路图，电容器结构110和熔断器结构210可串联连接。另外，当内电极121和122由于电容器结构110的内部缺陷、外部冲击、外部浪涌等而彼此短路时，过电流会在第一外电极131和第二外电极132之间流动。通过由于过电流产生的热，熔断器220可熔化且可被切断，并且在第一外电极131和第二外电极132之间的电流流动可被阻挡。因此，可防止复合电子组件1000连接到的整个电路被损坏。
熔断器220的形成没有具体限制，并且可考虑其中使用复合电子组件的电路的耐受电流(tolerance in current)来确定。例如，熔断器220可包括银(Ag)、铜(Cu)、锡(Sn)、锌(Zn)、钨(W)及它们的合金中的一种或更多种。
根据本公开的实施例，熔断器220可具有金属线形状。参照图2和图4，熔断器220的长度(Fl)、宽度(Fw)和厚度(Ft)可考虑使用复合电子组件的电路的耐受电流来确定。此外，金属线的截面可具有各种形状，诸如圆形、椭圆形、三角形、四边形等。
熔断器220可设置在熔断器主体211中，并且可从熔断器主体211的在第二方向(X方向)上的一个表面和另一表面暴露。熔断器220可从熔断器主体211的在第二方向(X方向)上的一个表面暴露以连接到公共电极310，并且可从熔断器主体211的在第二方向(X方向)上的另一表面暴露以连接到第一外电极131。
图6是示出沿着图1的线I-I'截取的根据本公开的实施例的复合电子组件的修改示例的截面图。图7是示出沿着图1的线III-III'截取的根据本公开的实施例的复合电子组件的修改示例的截面图。
参照图6和图7，熔断器220可设置为多个熔断器221、222、223和224。尽管示出了其中熔断器220被构造为四个熔断器的情况，但是本公开不限于此，并且熔断器220的数量可考虑使用复合电子组件的电路的耐受电流来确定。
图8是示意性地示出根据本公开的实施例的复合电子组件1000a的另一修改示例的透视图。图9是沿图8的线IV-IV′截取的截面图。图10是沿图8的线V-V′截取的截面图。
在根据本公开的实施例的复合电子组件的另一修改示例中，熔断器220a可设置为具有覆盖熔断器主体211a的外表面的金属薄膜。金属薄膜的厚度(Ft')没有具体限制，并且金属薄膜的厚度(Ft')可考虑使用复合电子组件的电路的耐受电流来确定。
在这种情况下，熔断器220a可以是金属釉。在这种情况下，金属釉可指通过将金属或金属氧化物与玻璃混合、将混合物印刷在熔断器主体211a的外表面上并在高温下烧制印刷混合物而制备的金属薄膜。所述金属或所述金属氧化物中的金属可以是镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金中的一种或更多种。
公共电极310可设置在电容器结构110的在第二方向上的一个表面与熔断器结构210a的在第二方向上的一个表面之间，并且可用于使电容器结构110和熔断器结构210a结合。另外，公共电极310可用于连接电容器结构110的第一内电极121和熔断器结构210a的熔断器220a。因此，电容器结构110和熔断器结构210a彼此可串联连接。
公共电极310可使用具有导电性的材料(诸如金属)形成，并且具体材料可考虑电特性、结构稳定性等来确定。例如，公共电极310可使用从由镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金组成的组中选择的一种或更多种形成。
在这种情况下，公共电极310可包括玻璃、树脂等以改善电容器结构110与熔断器主体211a之间的结合力。具体地，当使用电介质形成熔断器主体211a时，玻璃可包括在公共电极中以进一步改善电容器结构110和熔断器主体211a之间的结合力。另外，在熔断器主体211a使用聚合物形成的情况下，当公共电极包括玻璃和树脂时，电容器结构110和熔断器主体211a之间的结合力可进一步改善。
因此，公共电极310可包括导电金属，并且可包括玻璃和树脂中的一种或更多种。
另外，尽管在本公开的实施例中公共电极被示出为暴露在外部，但是本公开不限于此。此外，考虑到使用环境，公共电极可设置为不暴露在外部，或者公共电极的暴露部分可被覆盖部(未示出)覆盖以防止公共电极暴露在外部。
参照图2，第一外电极131可设置在熔断器结构210的在第二方向上的另一表面上，并且可连接到熔断器220，第二外电极132可设置在电容器结构的在第二方向上的另一表面上，并且可连接到第二内电极122。以与图2中示出的方式类似的方式，第一外电极131可通过熔断器220和公共电极310电连接到第一内电极121。
外电极131和132可使用诸如金属的任意材料形成，只要它们具有导电性即可，具体材料可考虑电特性、结构稳定性等来确定，并且外电极131和132可具有多层结构。
例如，外电极131和132可包括电极层131a和132a以及分别形成在电极层131a和132a上的镀层131b和132b。
作为电极层131a和132a的更具体示例，电极层131a和132a可以是包括导电金属和玻璃的烧结电极，或者包括导电金属和树脂的树脂基电极。
另外，电极层131a和132a可具有烧结电极和树脂基电极顺序地形成在电容器结构110或熔断器结构210上的形式。另外，电极层131a和132a可通过在电容器结构110或熔断器结构210上转印包括导电金属的片来形成，或者可通过在烧结电极上转印包括导电金属的片来形成。另外，第一电极层131a和第二电极层132a可使用原子层沉积(ALD)工艺、分子层沉积(MLD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、溅射工艺等形成。
用于电极层131a和132a的导电金属没有具体限制，只要它是可电连接到内电极以形成电容的材料即可。例如，可包括从由镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)及它们的合金组成的组选择中的一种或更多种。
作为镀层131b和132b的更具体的示例，镀层131b和132b可以是镍(Ni)镀层或锡(Sn)镀层，可具有镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层顺序地形成在电极层131a和132a上的形式，并且可具有锡(Sn)镀层、镍(Ni)镀层和锡(Sn)镀层顺序地形成的形式。另外，镀层131b和132b可包括多个镍(Ni)镀层和/或多个锡(Sn)镀层。
图11是示意性地示出根据本公开的另一实施例的复合电子组件的透视图。
图12是沿图11的线VI-VI′截取的截面图。
图13是沿图11的线VII-VII′截取的截面图。
图14是示出沿图11的线VI-VI'截取的施加过电流并且熔断器断开的状态的截面图。
在下文中，将参照图11至图14详细描述根据本公开的另一实施例的复合电子组件1000b。然而，为了避免重复描述，可省略与根据本公开的实施例的复合电子组件1000共同的描述。
根据另一实施例的复合电子组件1000b包括：电容器结构110，包括介电层111以及在第一方向(例如，Z方向)上交替布置的第一内电极121和第二内电极122，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间；熔断器结构210b，包括熔断器220b和聚合物211b，熔断器220b包括多个导电颗粒；公共电极310，设置在电容器结构的在与第一方向相交(例如，与第一方向垂直)的第二方向(例如，X方向)上的一个表面与熔断器结构210b的在第二方向上的一个表面之间，并且连接到第一内电极121和熔断器220b；第一外电极131，设置在熔断器结构210b的在第二方向上的另一表面上，并且连接到熔断器220b；以及第二外电极132，设置在电容器结构110的在第二方向上的另一表面上，并且连接到第二内电极122。
熔断器结构210b可包括熔断器220b和聚合物211b，以用作可复位熔断器。通常，熔断器不能重复使用，因为当过电流流动并且熔断器被切断为断开状态时熔断器的电不能再次流动。根据本公开的另一实施例的熔断器结构210b可用作可复位熔断器，熔断器结构210b可在出现过电流时断开，并且在过电流释放时可再次发生短路。因此，根据本公开的另一实施例的熔断器结构210b可重复使用，并且可防止复合电子组件的异常操作以改善复合电子组件的稳定性。
可复位熔断器通常称为高分子聚合物正系数温度(PPCT)元件。PPTC元件可利用包含导电填料的半结晶聚合物形成。当温度由于异常条件下的过电流(焦耳热的产生)而升高时，PPTC元件可在聚合物的熔融区域中热膨胀，以增大聚合物中的导电填料的颗粒之间的空间，从而将结晶结构改变为无定形结构。导体中的电阻可快速增加以中断电流的流动并且限制过电流。当过电流被释放并且温度下降时，可具有再次恢复到正常状态的特性。
参照图12，在过电流不流动的正常操作中，多个导电颗粒可设置为彼此连续连接的连接器，使得第一外电极131和第一内电极121可通过熔断器220b电连接。
参照图14，当由于异常情况(诸如在内电极121和122之间发生短路的状态下)，过电流在第一外电极131和第二外电极132之间流动时，通过过电流产生的热会引起聚合物211b'热膨胀。因此，可切断多个导电颗粒之间的连接，并且可断开熔断器220b'。
随后，当消除过电流的因素时，聚合物的温度可再次降低并且聚合物可收缩。以与图12中示出的方式类似的方式，多个导电颗粒可再次布置为彼此连续连接的连接器，从而通过熔断器220b电连接第一外电极131和第一内电极121。
熔断器220b可利用多个导电颗粒组成。
多个导电颗粒的至少一部分可设置为彼此连续连接的连接器，并且连接器可从熔断器结构210b的一个表面和另一表面暴露，以通过熔断器220b电连接第一外电极131和公共电极310。
在这种情况下，导电颗粒可包括碳颗粒。
可使用聚合物211b，只要它是通过由过电流产生的热可膨胀的聚合物即可，并且可考虑使用复合电子组件的电路的耐受电流来确定。例如，聚合物211b可以是聚乙烯、聚丙烯和线性低密度聚乙烯中的一种或更多种。
本公开的效果之一在于：由于复合电子组件包括电容器结构和熔断器结构，因此当电容器结构的内电极之间发生短路时，熔断器结构的熔断器可由于短路产生的过电流而断开。因此，可防止复合电子组件所连接到的电路被损坏。
本公开的效果之一在于：在包括电容器结构和熔断器结构的复合电子组件中，由于熔断器结构具有在出现过电流时断开并且在过电流释放时再次短路的可复位熔断器功能，因此可改善复合电子组件的稳定性。
然而，本公开的各种优点和效果不限于以上描述，并且将在描述本公开的具体实施例的过程中更容易理解。
尽管上面已经示出并描述了实施例，但是对于本领域技术人员将明显的是，可在不脱离本公开的由所附权利要求限定的范围的情况下进行修改和改变。
Claims (20)
1.一种复合电子组件，包括：
电容器结构，包括介电层以及在第一方向上交替布置的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；
熔断器结构，包括熔断器和熔断器主体；
公共电极，设置在所述电容器结构的在与所述第一方向相交的第二方向上的一个表面与所述熔断器结构的在所述第二方向上的一个表面之间，并且连接到所述第一内电极和所述熔断器；
第一外电极，设置在所述熔断器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述熔断器；以及
第二外电极，设置在所述电容器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述第二内电极。
2.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述第一内电极从所述电容器结构的在所述第二方向上的所述一个表面暴露，并且所述第二内电极从所述电容器结构的在所述第二方向上的所述另一表面暴露。
3.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述熔断器设置在所述熔断器主体中并且从所述熔断器主体的在所述第二方向上的一个表面和另一表面暴露。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的复合电子组件，其中，所述熔断器具有金属线形状。
5.根据权利要求4所述的复合电子组件，其中，所述熔断器设置为多个熔断器。
6.根据权利要求1或2所述的复合电子组件，其中，所述熔断器具有覆盖所述熔断器主体的外表面的金属薄膜形状。
7.根据权利要求6所述的复合电子组件，其中，所述熔断器是金属釉。
8.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述公共电极包括玻璃和树脂中的一种或更多种以及导电金属。
9.根据权利要求1所述的复合电子组件，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
10.一种复合电子组件，包括：
电容器结构，包括介电层以及在第一方向上交替布置的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；
熔断器结构，包括聚合物和熔断器，所述熔断器包括多个导电颗粒；
公共电极，设置在所述电容器结构的在与所述第一方向相交的第二方向上的一个表面与所述熔断器结构的在所述第二方向上的一个表面之间，并且连接到所述第一内电极和所述熔断器；
第一外电极，设置在所述熔断器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述熔断器；以及
第二外电极，设置在所述电容器结构的在所述第二方向上的另一表面上，并且连接到所述第二内电极。
11.根据权利要求10所述的复合电子组件，其中，所述第一内电极从所述电容器结构的在所述第二方向上的所述一个表面暴露，并且所述第二内电极从所述电容器结构的在所述第二方向上的所述另一表面暴露。
12.根据权利要求10所述的复合电子组件，其中，所述多个导电颗粒中的至少一部分被布置为彼此连续连接的连接器，
其中，所述连接器从所述熔断器结构的在所述第二方向上的所述一个表面和所述另一表面暴露。
13.根据权利要求10-12中的任一项所述的复合电子组件，其中，所述导电颗粒包括碳颗粒。
14.根据权利要求10所述的复合电子组件，其中，所述公共电极包括玻璃和树脂中的一种或更多种以及导电金属。
15.根据权利要求10所述的复合电子组件，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。
16.一种复合电子组件，包括：
电容器结构，包括介电层以及交替地布置的第一内电极和第二内电极，并且所述介电层中的相应的一个介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；
公共电极，直接连接到所述第一内电极；
熔断器结构，包括熔断器和熔断器主体；
第一外电极，设置在所述熔断器结构上；以及
第二外电极，设置在所述电容器结构上并且连接到所述第二内电极，
其中，所述熔断器将所述公共电极和所述第一外电极彼此连接。
17.根据权利要求16所述的复合电子组件，其中，所述熔断器的至少一部分设置在所述第一外电极和所述电容器结构之间。
18.根据权利要求16或17所述的复合电子组件，其中，所述熔断器具有嵌入所述熔断器主体中的线形状。
19.根据权利要求16或17所述的复合电子组件，其中，所述熔断器覆盖所述熔断器主体的外表面。
20.根据权利要求16或17所述的复合电子组件，其中，所述熔断器主体包括聚合物，并且所述熔断器包括分散在所述聚合物中的多个导电颗粒。
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