CN113013152A - 基板及其所适用的制造方法及功率模块 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种基板及其所适用的制造方法及功率模块，该基板包含第一绝缘层、无源元件、第一通孔、第二绝缘层及第二电极。第一绝缘层具上表面及下表面；无源元件内埋于第一绝缘层内，且具有第一导接端；第一通孔形成于第一绝缘层内，并贯穿第一绝缘层，其中第一通孔包含导电部与设置在导电部内的绝缘部，且第一通孔的导电部与第一导接端连接而形成第一电极；第二绝缘层设置于第一通孔靠近第一绝缘层的下表面的一端的导电部的下方；第二电极至少部分设置于第二绝缘层的下方，并与第一绝缘层的下表面接触；其中，第二电极的投影与第一电极的投影在垂直上表面的方向上至少部分重叠，且第二电极为与第一电极不同的电极。

Description

基板及其所适用的制造方法及功率模块
技术领域
本公开涉及一种基板，尤其涉及一种将无源元件内埋于绝缘层内，且可减少整体厚度并提高散热效果的基板及其所适用的制造方法及功率模块。
背景技术
随着人类智能化生活要求的提升以及对智能型产品制造要求的提高、物联网等的兴起，社会对信息传输以及数据处理的需求也日益旺盛。其中针对集中式的数据处理中心而言，服务器可谓其最主要的关键单元，而此类服务器的主板则通常由中央处理单元(CPU)、芯片组(Chipsets)、内存等等数据处理数字芯片和其供电电源及必要外围元件所组成。然而随着单位体积内服务器处理能力的提升，也意味着这类数字芯片的数量、集成度亦需随之提升，进而导致空间占用率和功率耗损的提升。因此，为这些数字芯片所提供的电源转换器就被期望有更高的效率，更高的功率密度和更小的体积，来支持整个服务器乃至整个数据中心的节能和占用面积的缩减。
通常电源转换器会包含磁性元件、无源元件、裸功率芯片、电容元件等元件，且为了提升电源性能要求，会将磁性元件、无源元件、裸功率芯片、电容元件等元件集成于主要印刷电路板上，以形成功率模块。又为了再进一步提升电源转换器的转换效率及功率密度，遂有从例如无源元件(如磁性元件，电容元件)，裸功率芯片等角度进行独立优化。然而随着技术进步，单一组件独立优化已经逐渐达到了极致，无法进一步实现高效率、高功率密度及高散热能力。
因此，如何发展一种基板及其所适用的制造方法及功率模块，来解决现有技术所面临的问题，实为本领域所需面对的课题。
发明内容
本公开的目的在于提供一种基板及其所适用的制造方法及功率模块，其中基板可达到避免系统主板上空间的浪费、厚度较薄、减少连接阻抗及提升散热效率的技术效果。
为达上述目的，本公开的一优选实施方式为提供一种基板，包含：第一绝缘层，具上表面及下表面；至少一无源元件，内埋于第一绝缘层内，且具有第一导接端；至少一第一通孔，形成于第一绝缘层内而与无源元件的一侧相邻，并贯穿第一绝缘层，其中第一通孔包含导电部与设置在导电部内的绝缘部，且第一通孔的导电部与第一导接端连接而形成第一电极；第二绝缘层，设置于第一通孔靠近第一绝缘层的下表面的一端的导电部的下方；以及第二电极，至少部分设置于第二绝缘层的下方，并与第一绝缘层的下表面接触；其中，第二电极的投影与第一电极的投影在垂直上表面的方向上至少部分重叠，且第二电极为与第一电极不同的电极。
为达上述目的，本公开的另一优选实施方式为提供一种基板的制造方法，包含：(S1)提供有至少一第一导接端的无源元件；(S2)压合第一绝缘层于无源元件的周边，使无源元件嵌埋到第一绝缘层中；(S3)在第一绝缘层内形成至少一第一过孔，其中第一过孔穿过第一导接端；(S4)在第一绝缘层的上表面、下表面及第一过孔的内壁形成第一金属层；(S5)对第一过孔进行塞孔而填充绝缘材料，且执行去除程序，以去除部分第一金属层，使第一过孔形成第一通孔，第一通孔包含导电部和设置在导电部内部的绝缘部，同时形成与第一通孔的导电部断开并位于第一绝缘层的下表面的布线层，且第一通孔的导电部与第一导接端连接而形成第一电极；(S6)在第一通孔靠近第一绝缘层的下表面一端的导电部的下方设置第二绝缘层，其中第二绝缘层覆盖导电部；以及(S7)在第二绝缘层的下方设置第二金属层，第二金属层加厚了布线层，并形成第二电极，第二电极与第一绝缘层的下表面接触，其中第二电极的投影与第一电极的投影在垂直上表面的方向上至少部分重叠，且第二电极为与第一电极不同的电极。
为达上述目的，本公开的又一优选实施方式为提供一种功率模块，包含：一基板，包含：第一绝缘层，具上表面及下表面；至少一无源元件，内埋于第一绝缘层内，且具有第一导接端；至少一第一通孔，形成于第一绝缘层内而与无源元件的一侧相邻，并贯穿第一绝缘层，其中第一通孔包含导电部与设置在导电部内的绝缘部，且第一通孔的导电部与第一导接端连接而形成第一电极；第二绝缘层，设置于第一通孔靠近第一绝缘层的下表面的一端的导电部的下方；以及第二电极，至少部分设置于第二绝缘层的下方，并与第一绝缘层的下表面接触；其中，第二电极的投影与第一电极的投影在垂直上表面的方向上至少部分重叠，且第二电极为与第一电极不同的电极；以及至少一功率单元，设置于基板，其中功率单元包含至少一个半桥电路，半桥电路包含串联连接的第一功率开关管及第二功率开关管，第一功率开关管的第二端及第二功率开关管的第一端连接于连接点，连接点连接于第一电极。
为达上述目的，本公开的再一优选实施方式为提供一种功率模块，包含：一基板，包含：第一绝缘层，具上表面及下表面；至少一无源元件，内埋于第一绝缘层内，且具有第一导接端；至少一第一通孔，形成于第一绝缘层内而与无源元件的一侧相邻，并贯穿第一绝缘层，其中第一通孔包含导电部与设置在导电部内的绝缘部，且第一通孔的导电部与第一导接端连接而形成第一电极；第二绝缘层，设置于第一通孔靠近第一绝缘层的下表面的一端的导电部的下方；以及第二电极，至少部分设置于第二绝缘层的下方，并与第一绝缘层的下表面接触；其中，第二电极的投影与第一电极的投影在垂直上表面的方向上至少部分重叠，且第二电极为与第一电极不同的电极；至少一功率单元，设置于基板，其中功率单元包含至少一个半桥电路，半桥电路包含串联连接的第一功率开关管及第二功率开关管，第一功率开关管的一第二端及第二功率开关管的第一端连接于一连接点；第一载板，第一载板设置于功率单元与基板之间，连接点经由第一载板连接于第一电极；以及至少一输入电容，设置于功率单元与基板之间。
本发明的有益效果在于，本公开提供了基板及其所适用的制造方法及功率模块，其中由于本公开中连接到第一功率开关管与第二功率开关管之间的连接点的第一电极位于基板的上表面，因此不需要在系统主板上预留导接空间来连接功率单元内的第一功率开关管与第二功率开关管之间的连接点，故避免了系统主板上空间的浪费。此外，第一功率开关管与第二功率开关管之间的连接点为跳变点，而使用本公开的基板可有效解决了电磁干扰的影响。另外，由于无源元件内埋于基板的第一绝缘层内，又第一导接端及第二导接端为水平扇出，且位于电感L的本体的上、下表面之间，故可使得第一绝缘层的厚度可以较薄，即基板的厚度较薄。再者，由于第二电极与基板下表面的第一绝缘层的下表面接触，故可使基板的厚度再减低，并减少连接阻抗。
附图说明
图1为本公开第一优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图2为图1所示的基板所适用的电压转换电路的电路结构示意图；
图3为本公开第二优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图4为本公开第三优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图5为本公开第四优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图6为本公开第五优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图7为本公开第六优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图8为本公开第七优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图9为本公开第八优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图10为本公开第九优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图11为本公开第十优选实施例的基板的剖面结构示意图；
图12A至图12E为本公开优选实施例的基板的制造方法的步骤流程图；
图13为本公开的制造方法的第二去除步骤中的第一种钻孔方式所形成的基板的横截面示意图；
图14为本公开的制造方法的第二去除步骤中的第二种钻孔方式所形成的基板的横截面示意图；
图15A、图15B为本公开的制造方法的第二去除步骤中的第三种钻孔方式所形成的基板的截面示意图；
图16为本公开第一优选实施例的功率模块的结构示意图；
图17为本公开第二优选实施例的功率模块的结构示意图；
图18A为图17所示的功率模块沿A-A’方向的剖面示意图；
图18B为图17的功率模块沿A-A’方向的另一实施方式的剖面示意图；
图19为图17所示的功率模块所构成的电压转换电路的电路结构示意图；
图20A为本公开第三优选实施例的功率模块的结构示意图；
图20B为图20A所示的功率模块中位于第一载板与基板之间的输入电容的结构示意图；
图20C为图20A所示的功率模块沿c1-c1’方向的剖面示意图；
图20D为图20A所示的功率模块的功率单元的引脚排列示意图；
图20E为本公开第四优选实施例的功率模块的结构示意图；
图20F为本公开第五优选实施例的功率模块的结构示意图；
图20G为图20F所示的功率模块沿c2-c2’方向的剖面示意图；
图20H为图20F所示的功率模块中位于第一载板与基板之间的输入电容的结构示意图；
图20I为本公开第六优选实施例的功率模块的结构示意图；
图20J为本公开第七优选实施例的功率模块的结构示意图；
图21为本公开第八优选实施例的功率模块的结构示意图；
图22为本公开第九优选实施例的功率模块的结构示意图；
图23为本公开第十优选实施例的功率模块的结构示意图；
图24为本公开第十一优选实施例的功率模块的结构示意图；
图25为本公开第十二优选实施例的功率模块的结构示意图；
图26为本公开第十三优选实施例的功率模块的结构示意图；
图27A是为本公开第十四优选实施例的功率模块的结构示意图；
图27B为图27A所示的功率模块沿B-B’方向剖面后的俯视图。
附图标记说明：
1、2、3、4、5、6、7、8、9、21：基板
10：第一绝缘层
11：无源元件
12：第一通孔
13：第二绝缘层
14：第二电极
100：上表面
101：下表面
110：本体
111：第一导接端
112：第二导接端
120、150：导电部
121、151：绝缘部
122：侧壁金属层
123：表面金属层
15：第二通孔
16：第三绝缘层
17：第三电极
18、19：电压转换电路
Cin：输入滤波电容
L、L1、L2：电感
Co、203：输出电容
Vin：输入电压
Q1、Q3：第一功率开关管
Q2、Q4：第二功率开关管
A、A1、A2：连接点
Vout：输出电压
30：芯板
31：空槽
124、24：布线层
32：孔结构
d1、d2：孔径
d3：间距
33：槽结构
20、20a、20b、20c、20d、20e、30、40、50、60、70、80、90、200：功率模块
22：第一载板
23：功率单元
25：无源元件
25a、25f：输入电容
25b、25b’：上端面
25c、25c’：下端面
V+：第一载板的第一引脚
G：第一载板的第二引脚
81、81a、81a’、82a、82a'：铜块
T1、T2、T3：功率单元的第一引脚、第二引脚和第三引脚
26：信号引脚
26a：转接板
27、29：塑封层
29a：引脚
D1、D：箭头方向
190、191：功率单元
VO1：电感L1的另一端
VO2：电感2的另一端
113：导接端
41：塑封层
51：布线层
61：导线架
91：第二载板
201：第一引脚
202：第二引脚
204：第一端
205：第二端
G：接地端
VO：输出端
具体实施方式
体现本公开特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本公开能够在不同的实施方式上具有各种的变化，其皆不脱离本公开的范围，且其中的说明及附图在本质上是当作说明之用，而非用于限制本公开。
本公开的发明概念为一种基板，该基板包含第一绝缘层、至少一无源元件、至少第一通孔、第二绝缘层以及第二电极。第一绝缘层包含上表面及下表面。无源元件内埋于第一绝缘层内，且具有第一导接端。第一通孔形成于第一绝缘层内而与无源元件的一侧相邻，并贯穿第一绝缘层，其中第一通孔包含导电部与设置在导电部内的绝缘部，且第一通孔的导电部与第一导接端连接而形成第一电极。第二绝缘层设置于第一通孔靠近第一绝缘层的下表面的一端的导电部的下方，其中所述靠近包括紧挨着第一绝缘层下表面。第二电极至少部分设置于第二绝缘层的下方，并与第一绝缘层的下表面接触。其中第二电极的投影与第一电极的投影在垂直第一绝缘层的上表面的方向上至少部分重叠，且第二电极为与第一电极不同的电极(此处不同的电极是指当基板应用于各种电路架构中时，第二电极与第一电极在对应的该电路中为不同的连接点，而以下所提及的两个不同的电极皆适用)。而依据前述的发明概念，本公开的基板可有多种可能的实施方式，以下将进一步描述，然下述多种基板的实施方式其结构皆相似，故以下多个图标中仅以相同符号代表结构相似而不再赘述。
请参阅图1，其是为本公开第一优选实施例的基板的剖面结构示意图。如图所示，本实施例的基板1包含第一绝缘层10、至少一无源元件11、至少第一通孔12、第二绝缘层13以及第二电极14。其中第一绝缘层10具有上表面100及下表面101。无源元件11内埋于第一绝缘层10内，且无源元件11的个数可例如图1所示为一个，但不以此为限，亦可为多个，其中无源元件11还包含本体110及至少一第一导接端111，当然，无源元件11还可包含第二导接端112，而如图1所，第一导接端111及第二导接端112的个数可分别为一个，但不以此为限，亦可为多个，此外，第二导接端112与第一导接端111连接本体110，并且第二导接端112与第一导接端111可分别由本体110的两相对侧延伸而出(如图1所示)、两相邻侧延伸而出(未图示)或由同一侧延伸而出(未图示)。
第一通孔12形成于第一绝缘层10内，且对应于第一导接端111的位置而与无源元件11的一侧相邻，第一通孔12并贯穿第一绝缘层10，其中第一通孔12包含导电部120与设置在导电部120内的绝缘部121，且第一通孔 12的导电部120与第一导接端111导接而形成第一电极。另外，于本实施例中，第一通孔12连通上表面100及下表面101，故第一通孔12的导电部120 部分位于上表面100上，另有部分则位于下表面101上。
第二绝缘层13设置于第一通孔12靠近第一绝缘层10的下表面101的一端的导电部120的下方。第二电极14至少部分设置于第二绝缘层13的下方，更与第一绝缘层10的下表面101接触。其中第二电极14的投影与第一电极的投影在垂直上表面100的方向上至少部分重叠，且第二电极14为与第一电极不同的电极。
于上述实施例中，导电部120包含位于第一通孔12的内侧壁上的侧壁金属层122，还包含与侧壁金属层122相连接且位于第一绝缘层10的上表面 100及/或下表面101的表面金属层123，而如图1所示，导电部120具有位于上方及下方的两个表面金属层123，两个表面金属层123分别位于第一绝缘层10的上表面100上及下表面101上。而第二绝缘层13则覆盖第一通孔 12位于第一绝缘层10的下表面101的一端的表面金属层123。
另外，于一些实施例中，基板1还包含至少一第二通孔15、第三绝缘层 16及第三电极17。第二通孔15形成于第一绝缘层10内而与无源元件11的另一侧相邻，并贯穿第一绝缘层10，其中第二通孔15还包含导电部150与设置在导电部150内的绝缘部151，且第二通孔15的导电部150与第二导接端112连接而形成第四电极。第三绝缘层16设置于第二通孔15靠近第一绝缘层10的上表面100的一端的导电部150的上方。第三电极17至少部分设置于第三绝缘层16的上方，并与第一绝缘层10的上表面100接触。另外，第四电极的投影与第三电极17的投影在垂直第一绝缘层10的上表面100的方向上至少部分重叠，且第四电极为与第三电极17不同的电极。
于其它实施例中，无源元件11可为至少一电感，本体100为一磁芯，且第一导接端111及第二导接端112分别为电感的绕组的一部分，其中电感的绕组可为单匝或多匝。
请参阅图2并配合图1，其中图2为图1所示的基板所适用的电压转换电路的电路结构示意图。由于本公开的基板1内埋了无源元件11，故需使用到无源元件的各种电压转换电路皆可利用图1所示的基板1，而图2例示了可使用图1所示的基板1的降压型的电压转换电路18，电压转换电路18包含输入滤波电容Cin、功率单元、电感L以及输出电容Co。输入滤波电容 Cin是与电源端连接，以接收电源端所提供的输入电压Vin。功率单元可包含少一个半桥电路，如图2所示，功率单元包含由第一功率开关管Q1及第二功率开关管Q2所构成的半桥电路，其中第一功率开关管Q1的第一端连接于输入滤波电容Cin，第一功率开关管Q1的第二端与电感L及第二功率开关管Q2的第一端共同连接于一连接点A，第一功率开关管Q1是进行导通与截止的切换运行，以调整电压转换电路18的输入端传递至电压转换电路18的输出端的能量及调整电压转换电路18的输出端上的电压及电流。第二功率开关管Q2的第一端连接于第一功率开关管Q1与电感器L之间的连接点A，第二功率开关管Q2的第二端则连接接地端，第二功率开关管Q2 为电感L释放能量续流提供通道。电感L的一端连接于第一功率开关管Q1 与第二功率开关管Q2之间的连接点A，另一端连接于输出电容Co，电感L 与输出电容Co协同将第一功率开关管Q1与第二功率开关管Q2间的交互切换运行而形成的方波输出电压过滤成平均值，以产生输出电压Vout给负载 RL，其中电感L可由图1所示的基板1的无源元件11所构成。输出电容Co 是架构于吸收电感L所输出的电流纹波，以使输出电压VOut的电压纹波小于要求值。
而如图1及图2所示，第一电极与电感L(或称无源元件11)的第一导接端111导接，即第一电极与第一功率开关管Q1与第二功率开关管Q2之间的连接点A导接﹐第四电极与电感L(或称无源元件11)的第二导接端 112导接，即第四电极与电压转换电路18的输出端导接，第二电极14和第三电极17则可分别与电压转换电路18的输入端及接地端导接。此外，由于本实施例的基板1的下表面101上的电极，即第二电极和第四电极，可直接连接一系统主板(未图示)。连接到第一功率开关管Q1与第二功率开关管 Q2之间的连接点A的第一电极位于基板1的上表面100，因此不需要在系统主板上预留导接空间来连接第一功率开关管Q1与第二功率开关管Q2之间的连接点A，故避免系统主板上空间的浪费。此外，第一功率开关管Q1 与第二功率开关管Q2之间的连接点A为跳变点，而使用本公开的基板1可有效解决了电磁干扰的影响。另外，由于电感L的第一导接端111及第二导接端112为水平扇出，且位于电感L的本体110的上、下表面之间，又因电感L的本体110一般皆通过模具形成，公差较小，这样在电感L的本体110 的的上、下表面所形成的第一绝缘层10的厚度只需要包络电感L的本体110 的厚度公差即可，所以在本体110的上、下表面形成的第一绝缘层10的厚度可以较薄。再者，由于第二电极14与第一绝缘层10的下表面101接触，故可使基板1的厚度再减低，并减少连接阻抗。再者，由于基板1的厚度可以做到较薄，同时基板1的上表面100及下表面101通过第一通孔12连接，故使得基板1具有极佳的散热路径，进而可提升散热效率。
请参阅图3，其是为本公开第二优选实施例的基板的剖面结构示意图。如图所示，本实施例的基板2的结构相似于图1所示的基板1的结构，然而相较于图1所示的基板1具有第三绝缘层16，本实施例的基板2并不具有第三绝缘层，第二通孔15的导电部包含侧壁金属层150和上表面金属层152 及下表面金属层153，第二通孔15的导电部与第二导接端112连接形成一第四电极。
请参阅图4，其是为本公开第三优选实施例的基板的剖面结构示意图。如图所示，本实施例的基板3的结构相似于图1所示的基板1的结构，然而本实施例的基板3的第二电极14还至少部分由第一绝缘层10的下表面101 沿与第二电极14相邻的基板3的侧壁延伸至第一绝缘层10的上表面100，借此实现第二电极14在第一绝缘层10的下表面101及第一绝缘层10的上表面100上导通，以根据不同的电路需求。当然，第三电极17亦可有类似的变化而延伸至第一绝缘层10的下表面101。
请参阅图5，其是为本公开第四优选实施例的基板的剖面结构示意图。如图所示，本实施例的基板4的结构相似于图1所示的基板1的结构，然而本实施例的基板4的第一通孔12的导电部120并不具有如图1所示位于第一绝缘层10的下表面101上的表面金属层123，故第二绝缘层13设置于第一通孔12靠近第一绝缘层10的下表面101的一端的导电部120的下方时，第二绝缘层13实际上覆盖第一通孔12靠近第一绝缘层10的下表面101的一端的侧壁金属层122，并与侧壁金属层122接触，故第二绝缘层13与侧壁金属层122之间存在一接触面，且该接触面约与下表面101齐平，而如图5 所示，第二绝缘层13更位于第一绝缘层10的下表面101上。当然，第二通孔15及第三绝缘层16亦可类似于上述第一通孔12及第二绝缘层13的变化，于此不再赘述。
请参阅图6，其是为本公开第五优选实施例的基板的剖面结构示意图。如图所示，本实施例的基板5的结构相似于图5所示的基板4的结构，唯本实施例的基板5的第二绝缘层13与侧壁金属层122之间的接触面位于第一绝缘层10的上表面100及下表面101之间。
请参阅图7，其是为本公开第六优选实施例的基板的剖面结构示意图，如图所示，本实施例的基板6的结构相似于图5所示的基板4的结构，唯本实施例的基板6的第二绝缘层13并不位于第一绝缘层10的下表面101上，换言之，即第二绝缘层13的设置位置仅与第一通孔12的正下方相对应。
请参阅图8，其是为本公开第七优选实施例的基板的剖面结构示意图，如图所示，本实施例的基板7的结构相似于图6所示的基板5的结构，第一电极沿上表面100延伸到第二通孔15上方并与覆盖第三绝缘层16。另外，第二电极14也可沿下表面101延伸到第二通孔15的下方并与第二通孔15 的导电部连接。
于上述多个实施例中，皆可以蚀刻方式将位于第一绝缘层10的下表面101上且对应于第一通孔12的至少部分表面金属层123去除，以供第二绝缘层13及第二电极14设置，然而亦可以钻孔方式进行。请参阅图9，其是为本公开第八优选实施例的基板的剖面结构示意图于其它实施例中，如图9所示，本实施例的基板8的结构相似于图4所示的基板3的结构，唯相较于图 4所示的基板3以蚀刻方式将位于第一绝缘层10的下表面101上且对应于第一通孔12的部分表面金属层123去除，本实施例的基板8改以钻孔方式将位于第一绝缘层10的下表面101上且对应于第一通孔12的至少部分表面金属层123去除，而钻孔方式亦选择性将邻近于第一绝缘层10的下表面101 内的部分侧壁金属层122去除，因此在第三绝缘层16的设置位置上，是与图4所示的基板3的第三绝缘层16略有差异。其中上述蚀刻方式及钻孔方式将于后续提及制造方法时再进一步说明。
请参阅图10，其是为本公开第九优选实施例的基板的剖面结构示意图。如图所示，于一些实施例中，当无源元件11的本体110的上表面与下表面分别须与位于本体110内的第一导接端111与第二导接端112保持一定距离时，基板的第一导接端111位于本体110外的部分可往第一绝缘层10的上表面100折弯，而第二导接端112位于本体110外的部分可往第一绝缘层10 的下表面101折弯，以图9为例，基板8的第一导接端111位于本体110外的部分往第一绝缘层10的上表面100折弯，而第二导接端112位于本体110 外的部分往第一绝缘层10的下表面101折弯，即构成如图10所示基板8，如此一来，第一导接端111与第二导接端112分别朝向第一绝缘层10的上表面100及下表面101走的路径可缩短，故缩短了电流传输路径，从而降低了阻抗并提升效率。
请参阅图11，其是为本公开第十优选实施例的基板的剖面结构示意图。如图所示，于一些实施例中，当无源元件11的本体110的上表面与下表面分别须与位于本体110内的第一导接端111与第二导接端112保持一定距离时，基板9的第一导接端111位于本体110外的部分的厚度大于第一导接端 111位于本体110内的部分的厚度，第二导接端112位于本体110外的部分的厚度大于第二导接端112位于本体110内的部分的厚度。该结构增加了过流面积，使得相同路径长度下导通阻抗降低，效率得到提升。
以下将以形成图4所示的基板3为例来说明本公开的基板的制造方法，然下述的制造方法亦可用来形成于图1、图3及图5-图11中任一图所示的基板。请参阅图12A至图12E，其是为本公开优选实施例的基板的制造方法的步骤流程图。如图所示，首先，本公开的制造方法先执行第一步骤，即如图 12A所示，提供具有至少一第一导接端111的无源元件11。更进一步说明，在图12A中，除了提供无源元件11外，还可但不限于提供芯板30，其中芯板30的厚度与无源元件11的厚度接近，并可采用切割方式在芯板30上形成空槽31，以将无源元件11放置于空槽31之中，并同时利用贴附胶带(未图标)于无源元件11的下表面，以保持无源元件11与芯板30在同一水平面上。
接着，执行第二步骤，即如图12B所示，压合第一绝缘层10于无源元件11的周边，使无源元件11嵌埋到第一绝缘层10中。更进一步说明，在图12B中，利用压合方式先从芯板30和无源元件11的上方压入构成第一绝缘层10的绝缘材料，其中绝缘材料填充芯板30与无源元件11之间的所有间隙，并将无源元件11的上表面以及侧面完全包覆。然后，将目前基板半成品升高到一定温度，接着将胶带从芯板30和无源元件11的下表面撕掉。然后再从无源元件11的下方压入绝缘材料，以包覆无源元件11的下表面。最后，将整个基板半成本整体升温，使位于无源元件11周边的绝缘材料发生交联反应，并与芯板30粘结成一整体，而由绝缘材料与芯板30粘结成的整体即可视为第一绝缘层10。
接着，执行第三步骤，在第一绝缘层10内形成至少一第一过孔，其中第一过孔穿过第一导接端111。第一过孔可为圆孔，例如通过平头钻加工方式形成，也可以是腰型孔，例如通过铣槽方式形成，当然第一过孔也可以是特殊形状，于此不再逐一列举。
然后执行第四步骤，在第一绝缘层10的上表面100、下表面101及第一过孔的内壁形成第一金属层。于一些实施例中，在第一绝缘层10的上表面 100、下表面101及第一过孔的内壁形成第一金属层的方式可为电镀或者化学镀，也可以是在化学镀的基础上进一步通过电镀的方式提高第一金属层的厚度。另外，针对电镀的方式，可在第一绝缘层10的上表面100、下表面 101及第一过孔的内壁进行单一次的电镀，以让第一金属层直接到达所需的门坎厚度，但电镀的方式并不局限，亦可采用漏孔镀的方式，即可在第一绝缘层10的上表面100、下表面101及第一过孔的内壁进行第一次的电镀，使第一金属层低于所需的门坎厚度，然后在第一绝缘层10的上表面100、下表面101对应于位于第一过孔的位置加盖掩膜，并露出对应于第一过孔位置的一过孔区域，并经由过孔区域对第一过孔的内壁进行第二次的电镀。
然后执行第五步骤，对第一过孔进行塞孔而填充绝缘材料，且执行去除程序，以去除部分第一金属层，使第一过孔形成第一通孔12，其中第一通孔 12包含导电部120和设置在导电部120的内部的绝缘部121，同时形成与第一通孔12的导电部120断开并位于第一绝缘层10的下表面101的布线层 124，其中第一通孔12的导电部120与第一导接端111连接而形成第一电极。当执行完第三步骤、第四步骤以及第五步骤后，则基板的半成品如图12C所示。于一些实施例中，对第一过孔进行塞孔的方式可以是树脂塞孔或者绿油塞孔。
接着，执行第六步骤，即如图12D所示，在第一通孔12靠近第一绝缘层10的下表面101一端的导电部120的下方设置第二绝缘层13，其中第二绝缘层13覆盖导电部120。
最后，执行第七步骤，即如图12E所示，在第二绝缘层13的下方设置第二金属层，其中第二金属层叠合于布线层124上，故第二金属层加厚了布线层124，且第二金属层与布线层124形成第二电极14，第二电极14与第一绝缘层10的下表面101接触，其中第二电极14的投影与第一电极的投影在垂直上表面100的方向上至少部分重叠，且第二电极14为与第一电极不同的电极。而执行完第七步骤后，其可完成基板3的制造。
于一些实施例中，在第五步骤的去除程序中，包含去除位于第一绝缘层 10的下表面101上且对应于第一过孔的位置的第一金属层。
再者，在第五步骤的去除程序中，可以钻孔方式将第一金属层至少部分去除，并以钻孔方式将位于第一过孔内且邻近于第一绝缘层10的下表面101 内的部分第一金属层去除。
另外，在第五步骤完成后，导电部120实际上包含侧壁金属层122，和与侧壁金属层122相连接，且位于第一绝缘层10的上表面100及/或下表面 101的表面金属层123。而为了提供第二绝缘层13及第二电极14的设置位置，故本公开的制造方法在第五步骤及第六步骤之间还可包含一第一去除步骤，即去除位于第一绝缘层10的下表面101上且对应于第一通孔12的位置的部分表面金属层123，其中去除的方式可为将位于第一绝缘层10的下表面101上且对应于第一通孔12的位置的部分表面金属层123打薄。而当本公开的制造方法包含了第一去除步骤时，则制造方法最终可适用于形成例如图1 所示的基板1、图3所示的基板2及图4所示的基板3中的任一种基板。于一些实施例中，前述第一去除步骤可为但不限于以蚀刻实现。
而于一些实施例中，本公开的制造方法在第五步骤及第六步骤之间亦可改为包含一第二去除步骤，将位于第一绝缘层10的下表面101上且对应于第一通孔12的位置的表面金属层至少部分去除，例如完全去除，并选择性地将位于第一通孔12内且邻近于第一绝缘层10的下表面101内的部分侧壁金属层122去除。而当本公开的制造方法包含第二去除步骤时，则制造方法最终可适用于形成例如图6所示的基板5及图8所示的基板7中的任一种基板。于一些实施例中，前述第二去除步骤可为但不限于以蚀刻或钻孔实现。
另外，当基板3具有多个第一通孔12时，为了设置第二绝缘层13及第二电极14，在第二去除步骤中，需将位于第一绝缘层10的下表面101上且对应于每一第一通孔12的位置的表面金属层至少部分去除，例如完全去除，并将位于每一第一通孔12内且邻近于第一绝缘层10的下表面101内的部分侧壁金属层122去除，而针对上述情况，第二去除步骤中的钻孔的方式便可有多种可能实施方式，以下将以例如图9所示的基板8横截面的俯视示意图来示范性说明。请参阅图13，其是为本公开的制造方法的第二去除步骤中的第一种钻孔方式所形成的基板的横截面的俯视示意图。如图所示，在第二去除步骤中，可以单次钻孔方式在第一绝缘层10的下表面101对应于多个第一通孔12的位置分别形成孔结构32，且每一孔结构32的孔径d1大于对应的第一通孔12的孔径d2，其中为了避免破孔，相邻的两个孔结构32之间的间距d3更需大于门限值。
请参阅图14，其是为本公开的制造方法的第二去除步骤中的第二种钻孔方式所形成的基板的横截面示意图。如图所示，在第二去除步骤中，可以单次钻孔方式在第一绝缘层10的下表面101对应于多个第一通孔12的位置形成槽结构33，其中槽结构33的位置区域会涵盖到所有第一通孔12的位置。而在相同的无源元件11的导接端的面积下，采用槽结构33比孔结构32所能进行的通孔数量会更多，通流能力会更大。
请参阅图15A、图15B，其是为本公开的制造方法的第二去除步骤中的第三种钻孔方式所形成的基板的截面示意图。如图所示，在第二去除步骤中，可以在第一绝缘层10的下表面101对应相间隔的多个第一通孔的位置进行钻孔，例如图15A所示，基板3共具有由上到下四个第一通孔(由上到下分别称为第一个第一通孔、第二个第一通孔、第三个第一通孔及第四个第一通孔，并分别标示1、2、3、4)，依据前述内容，可先对在第一绝缘层10的下表面101对应相间隔的通孔，例如第一个第一通孔1与第三个第一通孔3的位置，进行第一次钻孔(以虚线表示)，然后对第一个第一通孔1与第三个第一通孔3进行塞孔，再对在第一绝缘层10的下表面101下对应剩余的通孔，例如第二个第一通孔2与第四个第一通孔4的位置进行第二次钻孔(以虚线表示)，然后对第二个第一通孔2与第四个第一通孔4进行塞孔，即如图15B所示。而通过两次钻孔的方式，可有效解决了一次钻孔带来的破孔问题。
以下将再进一步说明本公开的功率模块的各种实施方式，其中下述多个实施方式的功率模块的结构相似，故仅以相同符号标示来代表元件结构相似而不再赘述。
请参阅图16，其是为本公开第一优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，本实施例的功率模块20的实际电路架构可例如图2所示为降压型的电压转换电路18，且包含基板21、第一载板22及至少一功率单元23，其中基板21的结构可相似于图1、图3-图11中的任一基板，而以下将基板 21相似于图9所示的基板8来举例说明，且以相同符号标示来代表元件结构相似而不再赘述。功率单元23设置于基板21，例如设置于基板21上方，且功率单元23包含如图2所示的至少一个半桥电路，亦即功率单元包含构成半桥电路18的第一功率开关管Q1及第二功率开关管Q2，其中第一功率开关管Q1与第二功率开关管Q2之间的连接点A更连接于基板21的第一电极。于一些实施例中，功率单元可为裸芯片或者是对裸芯片经过一次封装后构成的一器件。
第一载板22设置于功率单元23与基板21之间，而功率单元23的第一功率开关管Q1与第二功率开关管Q2之间的连接点A则经由第一载板22连接于第一电极。另外，第一载板22可通过焊锡而设置于基板21上方，功率单元23可采用倒装方式焊接到第一载板22上。
于一些实施例中，第一载板22可为单层板，亦可为多层板，且第一载板22内具有布线层24，使功率单元23的第一功率开关管Q1与第二功率开关管Q2之间的连接点A经由第一载板22的布线层24连接于第一电极。
于其它实施例中，可通过焊锡而让基板21的第一绝缘层10的下表面101 上的电极(例如第二电极及/或第四电极)焊接于一系统板(未图示)上。于一些实施例中，基板21的第二电极14、第三电极17及第四电极可分别与电压转换电路18所连接的输入电源、接地端或电压转换电路18的输出端三者中的其中的一导接，例如第二电极14与电压转换电路18所连接的输入电源导接，第四电极与电压转换电路18的输出端导接，第三电极17与接地端导接。其中优选为第三电极17通过第一绝缘层10的侧壁延伸至第一绝缘层10 的下表面101，使得电压转换电路18所连接的输入电源、接地端及电压转换电路18的输出端分别与位于基板21的第一绝缘层10的下表面101上的对应电极连接，进而使功率模块20可直接与系统板导接。
于一些实施例中，功率模块20还包含可为电阻/或电容的至少一无源元件25，设置于基板21上方的第一载板22的上表面上，并可利用第一载板 22的布线层24而与基板21上对应的电极导接。
另外，又于一些实施例中，分别与电压转换电路18的输入电源、接地端所连接，且位于基板21的第一绝缘层10的下表面101上的电极，例如第二电极14及第三电极17，可沿第一绝缘层10的多个侧壁中相邻的侧壁延伸至第一绝缘层10的上表面100，即类似于图4所示，而由于第二电极14及第三电极17的走线设置于第一绝缘层10的侧壁上，故在相同空间内可提供更多的第一通孔12以及第二通孔15，以进行大电流的传输。
请参阅图17、图18A、图18B及图19，其中图17为本公开第二优选实施例的功率模块的结构示意图，图18A为图17所示的功率模块沿A-A’方向的剖面示意图，图18B为图17的功率模块沿A-A’方向的另一实施方式的剖面示意图，图19为图17所示的功率模块所构成的电压转换电路的电路结构示意图。如图所示，本公开的功率模块的实际电路架构并不局限于如图2所示，亦可为图19所示的电压转换电路19，其中电压转换电路19包含与电压转换电路19的输入端连接的两个功率单元190、191，及包含分别连接于两个功率单元190、191与电压转换电路19的输出端的两个电感L1、L2。功率单元190、191分别包含至少一个半桥电路，如图19所示，功率单元190 包含由第一功率开关管Q1及第二功率开关管Q2所构成的半桥电路，其中第一功率开关管Q1及第二功率开关管Q2连接于一第一连接点A1。电感L1 的一端连接于第一功率开关管Q1及第二功率开关管Q2之间的第一连接点 A1，电感L1的另一端连接于电压转换电路19的输出端(于此将电感L1的另一端标注为VO1)。相似的，功率单元191包含由第一功率开关管Q3及第二功率开关管Q4所构成的半桥电路，其中第一功率开关管Q3及第二功率开关管Q4连接于第二连接点A2。电感L2的一端连接于第一功率开关管 Q3及第二功率开关管Q4之间的第二连接点A2，电感L2的另一端连接于电压转换电路19的输出端(于此将电感L2的另一端暂标注为VO2)。
而本实施例的功率模块30相似于图16所示的功率模块20，然而相较于图16所示的功率模块20仅具有一个功率单元23，本实施例的功率模块30 为了构成如图19所示的电压转换电路19，故具有两个功率单元23。另外，对应于电压转换电路19具有两个电感L1、L2，且两个电感L1,L2反耦合，而每一电感具有两个导接端，故基板21内的无源元件11可为多路反耦合电感，并具有四个导接端113(如图18A、图18B所示)，其中两个导接端113 位于无源元件11的一侧，另两个导接端113位于无源元件11的另一侧，且四个导接端113与无源元件11的本体110构成两个电感L1、L2。另外，位于无源元件11的本体110一侧的两个导接端113可构成电感L1的两端而分别与第一功率开关管Q1及第二功率开关管Q2之间的第一连接点A1及电压转换电路19的输出端连接(如图18A标示的A1及VO1)，位于无源元件 11的本体110的另一侧的两个导接端113则可构成电感L2的两端而分别与第一功率开关管Q3及第二功率开关管Q4之间的第二连接点A2及电压转换电路19的输出端连接(如图18B标示的A2及VO2)。
然而四个导接端113的连接方式并不局限于此，于其它实施例中，如图 18B所示，位于无源元件11的本体110的两相对侧且位于本体110的一对角线的两个导接端113可构成电感L1的两端而分别与第一功率开关管Q1 及第二功率开关管Q2之间的第一连接点A1及电压转换电路19的输出端连接(如图18B左上至右下对角线所标示的A1及VO1)，位于无源元件11的本体110的两相对侧且位于本体110的另一对角在线的两个导接端113可构成电感L2的两端而分别与第一功率开关管Q3及第二功率开关管Q4之间的第二连接点A2及电压转换电路19的输出端连接(如图18B左下至右上对角线所标示的VO2及A2)。
而由上可知，无论是图16所示的功率模块20或图17所示的功率模块 30，其功率单元23皆设置对应的功率模块的外侧，故可与外部环境直接接触，进而将大部分热量直接扩散到外部环境。另外，为达到更好的散热效果，可例如在功率模块的顶部安装散热器，或者将功率模块置于液冷环境中。
请参阅图20A、图20B、图20C及图20D，其中图20A为本公开第三优选实施例的功率模块的结构示意图，图20B为图20A所示的功率模块中位于第一载板与基板之间的输入电容的结构示意图，图20C为图20A所示的功率模块沿c1-c1’方向的剖面示意图，图20D为图20A所示功率模块的功率单元的引脚排列示意图。如图所示，本实施例的功率模块20a的实际电路架构可例如图2所示的电压转换电路18或图19所示的电压转换电路19，此外，本实施例的功率模块20a相似于图17所示的功率模块30，然而本实施例的功率模块20a中部分的无源元件25除了可设置于第一载板22的上表面外，亦有部分的无源元件改为以贴附方式设置于第一载板22的下表面而位于第一载板22与基板21之间，即对应位于功率单元23及基板21之间，且位于第一载板22与基板21之间的无源元件可由电容构成，以作为输入电容。在图20A中将位于第一载板22与基板21之间的无源元件，即输入电容标示为 25a，该输入电容25a可以为传统意义的两引脚电容，即该输入电容25a具有一第一端和一第二端。输入电容25a的第一端连接到第一功率开关管Q1 的第一端，输入电容25a的第二端连接到第二功率开关管Q2的第二端。
结合图20A和图20B可得知，该第一载板22包含一第一引脚V+和一第二引脚G,其中该输入电容25a的第一端的上端面25b连接该第一载板22 的下表面的第一引脚V+，该输入电容25a的该第一端的下端面25c连接该基板21的上表面，该输入电容25a的该第二端的上端面25b’连接该第一载板22的下表面的第二引脚G，该输入电容25a的该第二端的下端面25c’连接该基板21的上表面。如此一来电流可以沿着输入电容25a的引脚而与上方的第一载板22及下方的基板21导通，使得该输入电容25a的该第一端和该第二端之间的电极叠层方向(如图20B所标示的箭头方向D)与该第一载板22和该基板21的堆叠方向平行。
再根据图20C并配合图20A可知，功率模块20a中电流的流通方向可以从功率模块20a的下表面即基板21的下表面，经基板21的布线层到达基板21的上表面，经该输入电容25a的该第一端的下端面25c和该第一端的上端面25b，到达第一载板22的下表面的第一引脚V+，再通过第一载板22 的布线层到达功率单元23的第一功率开关管Q1的第一端，然后从第二功率开关管Q2的第二端流经第一载板22的布线层到达第一载板22的下表面的第二引脚G，再经输入电容25a的该第二端的上端面25b’和该第二端的下端面25c’到达基板21的上表面，经基板21的布线层到达基板21的下表面即功率模块20a的下表面。由前述内容可知，本实施例不仅将输入电容25a设置在基板21和第一载板22之间，还通过输入电容25a的两引脚连接基板21 和第一载板22，以实现基板21和第一载板22之间的电流导通。相比图17 所示的功率模块结构30，本实施例的功率模块20a将输入电容25a放置在第一载板22与基板21之间且通过输入电容25a的两引脚导通基板21和第一载板22，便可使电流从基板21直接流到输入电容25a，而无需经过第一载板22的金属布线层到达输入电容25a，因此从基板21到输入电容25a的传导路径较短，进而减少电能损耗。
另外，如图20A和图20C所示，于一些实施例中，若功率模块20a的实际电路架构为图19所示的电压转换电路19时，功率模块20a更可包含至少一导电柱，例如铜块81a或81a’，每一铜块81a或81a’均包含上表面和下表面。铜块81a与连接点A1电性耦接。铜块81a’与连接点A2电性耦接。铜块81a设置于第一载板22与基板21之间并与第一载板22与基板21连接。铜块81a的上表面连接到第一载板22的下表面，再通过第一载板22的金属布线层连接到功率单元23的第一功率开关管Q1及第二功率开关管Q2之间的第一连接点A1。铜块81a’的上表面连接到第一载板22的下表面，再通过第一载板22的金属布线层连接到功率单元23的第一功率开关管Q3及第二功率开关管Q4的第二连接点A2。于其它实施例中，功率模块20a还包含信号引脚26，该信号引脚26可以通过转接板26a连接第一载板22和基板21，其中该转接板26a可以通过印刷电路板(PCB)实现，亦可以通过塑封工艺后通过金属化工艺形成，于此不做限制。
请再参考图20C及图20D，于一些实施例中，所述位于第一载板22的下表面的第一引脚V+和第二引脚G以阵列方式交错排布，由于输入电容25a 位于第一载板22和基板21之间，因此与第一载板22下表面连接的输入电容25a的上端面亦呈阵列式的交错排布，输入电容的25a下端面亦呈阵列式的交错排布。另外，如图20D所示，功率单元23包含多个第一引脚T1、多个第二引脚T2、多个第三引脚T3，其中每一第一引脚T1可与第一引脚V+ 电性耦接，每一第二引脚T2可与第二引脚G电性耦接，每一第三引脚T2 可与第一连接点A1或第二连接点A2电性耦接。其中，功率单元23的第一引脚T1和第二引脚T2以阵列方式交错排布，并和图20C中所示的第一载板的第一引脚V+和第二引脚G排布的阵列方式对应，可使得每一个输入电容25a到功率单元23的距离近似相等，因此均流效果明显，从而提升功率模块20a的供电效率。
由上述可知，由于功率模块皆需要一定数量的输入电容，因此相比于传统将输入电容放置在系统板上的方式，本实施例的功率模块20a将所需的输入电容25a放置在功率模块20a上而位于第一载板22与基板21之间，会明显减小输入电容25a到功率单元23之间的距离，使得输入/输出回路的路径明显缩短，故降低电能损耗，进而有效提升功率模块20a效率。与此同时，通过输入电容25a的引脚连接基板21和第一载板22以实现电流导通，避免引入额外部件进行导通，因此空间利用更为合理，如此一来，本实施例的功率模块20可以放置更多的输入电容，以满足更多不同的电源需求。
请参阅图20E，其为本公开第四优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，本实施例的功率模块20b相似于图20A所示的功率模块20a，然而本实施例的功率模块20b在图20A的基础上引入第一导电件，例如铜块 82a和82a’。该铜柱82a的上表面连接第一载板22的第一引脚V+，铜块82 a’的上表面连接第一载板22的第二引脚G，该铜柱82a和82a’的下表面连接基板21的上表面。由于传统意义电容的引脚的厚度较薄，例如10um，并不能满足一些大电流的需求，因此本实施例的功率模块20b便引入铜块82a和 82a’连接第一载板22和基板21，以提升通流能力。而由图20E所示可知，功率模块20b中电流的流通方向可以从功率模块20b的下表面即基板21的下表面，经基板21的布线层到达基板21的上表面，经该铜柱82a到达第一载板22的下表面的第一引脚V+，再通过第一载板22的布线层到达功率单元23的第一功率开关管Q1的第一端，然后从第二功率开关管Q2的第二端流经第一载板22的布线层到达第一载板22的下表面第二引脚G，再经铜柱 82a’到达基板21的上表面，经基板21的布线层到达基板21的下表面即功率模块20b的下表面。进一步可以发现，电流经基板21的布线层到达基板21 的上表面后，再经过铜柱82a到达第一载板22的下表面，然后经第一载板22的金属布线层到达输入电容25a的第一端，相比图20A的路径有所增加。但相比图20A的功率模块20a中的电流从基板21经输入电容25a的引脚到达第一载板22，再经第一载板22的金属布线层到达功率单元23，本实施例所述铜块81a的截面积远大于输入电容25a的引脚的截面积，因此本实施例的功率模块20b通流能力显着提升，可以实现大电流导通，仍可以降低电能损耗，进而有效提升功率模块20b的效率。
可选的，铜块81a突出第一载板22的下表面的高度可与输入电容25a 突出第一载板22的下表面的高度一致，或者铜块81a突出第一载板22的下表面的高度可大于输入电容25a突出第一载板22的下表面的高度。当铜块 81a突出第一载板22的下表面的高度大于输入电容25a突出第一载板22的下表面的高度时，可以有效避免输入电容25a碰到基板21，提升了功率模块 20b的可靠性。
请参阅图20F、图20G及图20H，其中图20F为本公开第五优选实施例的功率模块的结构示意图，图20G为图20F所示的的功率模块沿c2-c2’方向的剖面示意图，图20H为图20F所示的功率模块中位于第一载板与基板之间的输入电容的结构示意图。由于图20E所示的实施例乃是通过引入铜块81a 来提升通流能力，然如此一来将因空间限制对应减少输入电容25a的数量，因此本实施例的功率模块20c还包含引入具特殊结构(即叠层结构)的输入电容25f来取代图20E所示的输入电容25a，其中输入电容25f两个引脚间的电极叠层方向(如图20H所标示的箭头方向D1)垂直于第一载板22与基板21 的堆叠方向。此时，功率模块20c中的电流仍可以通过输入电容25f的第一端和第二端与上方的第一载板22及下方的基板21导通。将图20H所示的输入电容25f和传统意义的电容结构相比可知，本实施例的输入电容25f的每一叠层结构都可以让电流流通，因此可以充分满足大电流的需求。此外，相比图20E所示的实施例，本实施例的功率模块20c可以在有限空间内放置更多的输入电容25f，同时满足大电流的需求。因此有效减小电流从基板21到输入电容25f之间的距离，使得输入/输出回路的路径进一步缩短，损耗降低，有效提升功率模块20c的效率，此外，由于设置了输入电容25f，又输入电容25f的每一叠层结构都可以让电流流通，故可减少铜块81a的设置，使得本实施例的功率模块20c成本降低。
另外，相似于前述的输入电容25a，本实施例的输入电容25f的第一端的上端面25b连接该第一载板22的下表面的第一引脚V+，该输入电容25a 的该第二端的上端面25b’连接该第一载板22的下表面的第二引脚G，该输入电容25f的该第一端的下端面25c连接该基板21的上表面，该输入电容 25a的该第二端的下端面25c’连接该基板21的上表面。
继续参考功率模块20a，20b和20c，可以将至少部分的输入电容25f嵌埋到第一载板22内，且输入电容25f的第一端通过第一载板22的金属布线层连接到功率单元23的第一功率开关管Q1的第一端，和/或输入电容25f 的第二端通过第一载板22的金属布线层连接到功率单元23的第二功率开关管Q2的第二端。通过输入电容25f嵌埋到第一载板22内，相比功率模块20a、20b和20c，可使得输入电容25f到功率单元23的路径进一步缩短，借此降低传输损耗。而且，如果将位于第一载板22下表面的输入电容25a或 25f全部设置在第一载板22内，可以将第一载板22的下表面直接与基板21 的上表面连接，因此该功率模块的厚度尺寸减小，功率密度得到有效提升。
请参阅图20I，其为本公开第六优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，于一些实施例中，为了更进一步满足大电流需求，本实施例的功率模块20d基于图20A、图20E或图20F的结构(于图20I中以基于图20A 来举例说明)而包含塑封层27，以利用塑封层27将以贴附方式设置于第一载板22的下表面上的元件与第一载板22进行塑封(Molding)，即该塑封层27 包覆该输入电容25a和至少部分该第一载板22。另外，该塑封层27、该输入电容25a和该第一载板22更可形成了一塑封单元。通过金属化工艺于塑封单元上形成一第二导电件，其中该第二导电件可以从塑封单元的上表面沿着塑封单元的侧壁连接到塑封单元的下表面，以在塑封单元的上表面及下表面分别形成功率引脚和/或信号引脚，实现塑封单元双面同时存在引脚。相比功率模块20a，20b和20c，本实施例电流导通的路径数量增加，因此通流截面积增加，可以进一步提升通流能力。此外，于一些实施例中，第二导电件可以从塑封单元的上表面经由塑封单元的内部，例如以设置连接孔的方式，连接到塑封单元的下表面，塑封单元的上表面和下表面形成引脚。其中，当通过塑封单元的侧边连接塑封单元的上表面及下表面的引脚时，可提升功率模块20d内部的空间利用率。由前述内容可知，本实施例的功率模块20d相比前述的多个实施例可以省去转接板26a、导电柱81a或81a’和第一导电件 82a,82a’，因此本实施例的功率模块20d可以在有限空间内放置更多输入电容，进一步减少电能损耗，提升功率模块20d的效率。
请参阅图20J，其为本公开第七优选实施例的功率模块的结构示意图，如图所示，本实施例的功率模块20e相似于图20I所示的功率模块20d，然而相较于图20I的功率模块20d利用塑封层27将以贴附方式设置于第一载板22的下表面上的元件与第一载板22进行塑封(Molding)，本实施例的功率模块20e改为利用塑封层29将以贴附方式设置于第一载板22的上表面上的元件、下表面上的元件与至少部分该第一载板22一起进行塑封，即该塑封层29包覆该输入电容25a、至少部分该第一载板22和该功率单元23并可形成一塑封单元。然后通过金属化工艺使得塑封单元的上表面及下表导通，实现塑封单元双面同时存在引脚。此外，位于塑封单元上表面及下表面的引脚排布方式可完全一致，使得塑封单元的上表面可以与基板21的上表面连接，塑封单元的下表面也可以与基板21的上表面连接组成功率模块，因此本实施例的功率模块20e在应用上更加灵活。
于一些实施例中，位于塑封单元上表面的引脚，例如图20J所示的引脚 29a可覆盖至少部分功率单元23，以减少功率单元23向上的热阻，使得热量能更快的通过塑封单元的上表面散出。又于一些实施例中，可以在功率模块20e的上方，即塑封单元的上表面设置散热器(未图示)，而由于功率模块 20e具有将第一载板22的上表面及下表面同时塑封的塑封层29，故通过塑封层29可提升功率模块20e应用的可靠性，避免散热器接触到功率单元23，造成功率单元23的损伤，进而影响功率模块20e的正常工作。
请参阅图21，其是为本公开第八优选实施例的功率模块的结构示意图，本实施例的功率模块40的结构相似于图17所示的功率模块30的结构，然而本实施例的功率模块40还包含塑封层41，是设置于第一载板22的上表面上，且塑封了位于第一载板22的上表面上的功率单元23及无源元件25等，借此不但可阻断湿气侵入到功率模块40内，而第一载板22上的热能也可经由塑封层41扩散到外部环境中，进而提高了功率模块40散热效率，还可避免功率单元23的损伤，同时提供绝缘效果。于一些实施例中，功率单元23 的上表面可外露于塑封层51而与塑封层51的上表面齐平，借此提供功率单元23的散热。
请参阅图22，其是为本公开第九优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，本实施例的功率模块50的结构相似于图21所示的功率模块40 的结构，然而本实施例的功率模块50并不具有图21所示焊接在基板21上的第一载板22，而是改为在基板21的第一绝缘层10的上表面100上压合与第一绝缘层10相同类型的绝缘材料，从而形成与第一绝缘层10一体成型的绝缘介质层，利用金属化工艺在绝缘介质层内形成多个布线层51，使基板 21上的电极通过布线层51连接至该绝缘介质层的上表面，其中，每一功率单元23设置于布线层51上，且每一功率单元23内的功率开关管与第二功率开关管之间的连接点可则经由布线层51连接于基板21的第一绝缘层10 的上表面100上的电极，例如第一电极。
于其它实施例中，当布线层51为多个时，多个布线层51之间的互连可通过位于绝缘介质层内的导通孔实现，其中当导通孔位于无源元件11的本体110正上方时，导通孔可采用盲埋孔来实现，以避免导通孔的形成对无源元件11的本体110造成损伤，其中盲埋孔可以通过控深钻实现。
相较于图21所示的功率模块40，由于本实施例的功率模块50乃于无源元件11上方直接形成绝缘介质层及至少一布线层51，以让每一功率单元23 内的功率开关管与第二功率开关管之间的连接点可则经由布线层51连接于基板21的第一绝缘层10的上表面100上的电极，故本实施例的功率模块50 的厚度尺寸可较薄，因此整个功率模块50的路径会进一步缩短，使得功率密度和效率提升。
请参阅图23，其是为本公开第十优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，本实施例的功率模块60的结构相似于图21所示的功率模块40 的结构，然而相较于图21所示的功率模块40的功率单元23是设置于第一载板22的上表面上，本实施例的功率模块60是改为将功率单元23内埋于第一载板22内。而由于功率单元23内埋于第一载板22内，故功率模块60 还可包含内埋于第一载板22内的导线架61(Leadframe)作为基础框架，以垂直方向进行第一载板22的上下表面的导通，然而并不以此为限，亦可内埋印刷电路芯板作为基础框架，以垂直方向进行第一载板22的上下表面的导通。
又由于本实施例的功率模块60的功率单元23内埋于第一载板22内，故使得第一载板22的上表面有更多空间放置更多的无源元件25，进而提高了功率模块60的性能。
当然，图23所示的将功率单元23内埋的类似技术亦可以应用于图22，亦即将功率单元23内埋于图22所示的布线层51中。请参阅图24，其是为本公开第十一优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，本实施例的功率模块70的结构相似于图22所示的功率模块50的结构，然而相较于图 22所示的功率模块50的功率单元23是设置于布线层51上，本实施例的功率模块70的功率单元23可利用倒装芯片技术(Flip Chip)内埋于布线层51 中，其中功率单元23的出脚方式可利用凸块(bump)或锡球(solder ball)。
请参阅图25，其是为本公开第十二优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，本实施例的功率模块80的结构相似于图23所示的功率模块60的结构，然而本实施例的功率模块80还包含至少一铜块81，设置于与功率单元23的位置对应的第一载板22的上表面上。而通过于第一载板22的上表面上且与功率单元23的位置对应的铜块81，便可提升功率模块80的散热效率。
请参阅图26，其是为本公开第十三优选实施例的功率模块的结构示意图。如图所示，本实施例的功率模块90的结构相似于图22所示的功率模块 50的结构，然而本实施例的功率模块90还包含第二载板91，设置于布线层 51上，且功率单元23改为内埋于第二载板91内，故每一功率单元23内的功率开关管与第二功率开关管之间的连接点改经由该第二载板及布线层51 连接于基板21的第一绝缘层10的上表面100上的电极。
于一些实施例中，第二载板91的上表面亦可设置无源元件25，其中位于第二载板91的上表面的无源元件25的高度相对小于位于布线层51的上表面的无源元件25。另外，功率单元23嵌埋第二载板91的高度与位于布线层51的上表面的无源元件25高度近似相同。又于其它实施例中，功率单元 23的上表面可以增加一金属布线层，然后引出到第二载板91的上表面并焊接铜块(未图示)。
请参阅图27A及图27B，其中图27A是为本公开第十四优选实施例的功率模块的结构示意图，图27B为图27A所示的功率模块沿B-B’方向剖面后的俯视图。如图所示，本实施例的功率模块200的结构相似于图16所示的功率模块30的结构，然而本实施例的基板21更于第一绝缘层10的下表面101的下方设置至少第一引脚201及至少第二引脚202，且功率模块200 还包含至少一输出电容203，输出电容203用来例如构成例如图2所示的输出电容Co，输出电容203连接电压转换电路的输出端与接地端，例如图2 所示的电压转换电路18的输出端与接地端。输出电容203设置于无源元件 11的下方，例如输出电容203设置在基板21内或基板21的下表面101而位于无源元件11的下方，输出电容203具有位于水平相对侧的第一端204及第二端205，其中输出电容203的第一端204的上表面可与例如图2所示的电压转换电路18的接地端(于图27B中标示G)相连，输出电容203的第一端204的下表面与位于第一绝缘层10的下表面101的第一引脚201导接，输出电容203的第二端205的上表面与例如图2所示的电压转换电路18的输出端(于图27B中标示VO)相连，输出电容203的第二端205的下表面与位于第一绝缘层10的下表面101的第二引脚202导接，而当输出电容203 为多个时，由图27B可了解多个输出电容203的设置位置。该功率模块200 中集成了输出电容203，不仅节省了主板的空间，而且使得该功率模块200 与终端负载靠的更近，降低了该功率模块200与终端负载的连接阻抗。另外，该输出电容203不仅可以作为储能元件，还可以作为导电件实现电流的垂直导通。可选的，也可以引入图20H所示电容结构，用来作为输出电容，实现电流的垂直导通，满足大电流的通流需求。
于其它实施例中，功率模块200还包含含至少一铜块206，设置于与第一绝缘层10的下表面101上，而通过铜块206的设置，便可提升功率模块 200的散热效率，以及提升通流能力。
综上所述，本公开提供了基板及其所适用的制造方法及功率模块，其中由于本公开中连接到第一功率开关管与第二功率开关管之间的连接点的第一电极位于基板的上表面，因此不需要在系统主板上预留导接空间来连接功率单元内的第一功率开关管与第二功率开关管之间的连接点，故避免了系统主板上空间的浪费。此外，第一功率开关管与第二功率开关管之间的连接点为跳变点，而使用本公开的基板可有效解决了电磁干扰的影响。另外，由于无源元件内埋于基板的第一绝缘层内，又第一导接端及第二导接端为水平扇出，且位于电感L的本体的上、下表面之间，故可使得第一绝缘层的厚度可以较薄，即基板的厚度较薄。再者，由于第二电极与基板下表面的第一绝缘层的下表面接触，故可使基板的厚度再减低，并减少连接阻抗。再者，由于本公开的基板的厚度可以做到较薄，同时基板的上表面及下表面通过第一通孔连接，故使得基板具有极佳的散热路径，进而可提升散热效率。

Claims (49)

1.一种基板，包含：
一第一绝缘层，具一上表面及一下表面；
至少一无源元件，内埋于该第一绝缘层内，且具有一第一导接端；
至少一第一通孔，形成于该第一绝缘层内而与该无源元件的一侧相邻，并贯穿第一绝缘层，其中该第一通孔包含一导电部与设置在该导电部内的一绝缘部，且该第一通孔的该导电部与该第一导接端连接而形成一第一电极；
一第二绝缘层，设置于该第一通孔靠近该第一绝缘层的该下表面的一端的该导电部的下方；以及
一第二电极，至少部分设置于该第二绝缘层的下方，并与该第一绝缘层的该下表面接触；
其中，该第二电极的投影与该第一电极的投影在垂直该上表面的方向上至少部分重叠，且该第二电极为与该第一电极不同的电极。
2.如权利要求1所述的基板，其中该导电部包含一侧壁金属层和与该侧壁金属层相连接的至少一表面金属层。
3.如权利要求2所述的基板，其中该第一通孔位于该第一绝缘层的该下表面一端具有该表面金属层，且该第二绝缘层覆盖该第一通孔位于该第一绝缘层的该下表面的一端的该表面金属层。
4.如权利要求2所述的基板，其中该第二绝缘层覆盖该第一通孔靠近该第一绝缘层的该下表面一端的该侧壁金属层。
5.如权利要求4所述的基板，其中该第二绝缘层与该侧壁金属层之间的一接触面位于该第一绝缘层的该上表面及该下表面之间。
6.如权利要求4所述的基板，其中该第二绝缘层位于该第一绝缘层的该下表面。
7.如权利要求1所述的基板，其中该无源元件还具有一本体及一第二导接端，该第二导接端与该第一导接端连接该本体，并分别由该本体内部而往该本体的两相对侧或该本体的两相邻侧或该本体的同一侧延伸而出。
8.如权利要求7所述的基板，其中该基板还包含：
至少一第二通孔，形成于该第一绝缘层内而与该无源元件的另一侧相邻，并贯穿该第一绝缘层，其中该第二通孔还包含一导电部与设置在该第二通孔的该导电部内的一绝缘部，且该第二通孔的该导电部与该第二导接端连接而形成一第四电极；
一第三绝缘层，设置于该第二通孔靠近该第一绝缘层的该上表面的一端的该导电部的上方；以及
一第三电极，该第三电极至少部分设置于该第三绝缘层的上方，并与该第一绝缘层的该上表面接触；
其中，该第四电极的投影与该第三电极的投影在垂直该第一绝缘层的该上表面的方向上至少部分重叠，且该第四电极为与该第三电极不同的电极。
9.如权利要求7所述的基板，其中该基板还包含：
至少一第二通孔，形成于该第一绝缘层内而与该无源元件的另一侧相邻，并贯穿该第一绝缘层，其中该第二通孔还包含一导电部与设置在该第二通孔的该导电部内的一绝缘部，且该第二通孔的该导电部与该第二导接端连接；以及
一第三绝缘层，设置于该第二通孔靠近该第一绝缘层的该上表面的一端的该导电部的上方；
其中，该第一电极沿该第一绝缘层的该上表面延伸到该第二通孔上方并覆盖该第三绝缘层，该第二电极沿该第一绝缘层的该下表面延伸到该第二通孔的下方并与该第二通孔的该导电部连接。
10.如权利要求7所述的基板，其中该第一导接端位于该本体外的部分往该第一绝缘层的该上表面折弯。
11.如权利要求7所述的基板，其中该第一导接端位于该本体外的部分的厚度大于该第一导接端位于该本体内的部分的厚度。
12.如权利要求1所述的基板，其中该第一绝缘层还包含位于该上表面及该下表面之间的多个侧壁，该第二电极更至少部分由该第一绝缘层的该下表面沿相邻的该侧壁延伸至该第一绝缘层的该上表面。
13.如权利要求1所述的基板，其中该无源元件为一电感，且该第一导接端为该电感的绕组的一部分。
14.一种基板的制造方法，包含：
(S1)提供有至少一第一导接端的一无源元件；
(S2)压合一第一绝缘层于该无源元件的周边，使该无源元件嵌埋到该第一绝缘层中；
(S3)在该第一绝缘层内形成至少一第一过孔，其中该第一过孔穿过该第一导接端；
(S4)在该第一绝缘层的一上表面、一下表面及该第一过孔的内壁形成一第一金属层；
(S5)对该第一过孔进行塞孔而填充一绝缘材料，且执行一去除程序，以去除部分该第一金属层，使该第一过孔形成一第一通孔，该第一通孔包含一导电部和设置在该导电部内部的一绝缘部，同时形成与该第一通孔的该导电部断开并位于该第一绝缘层的该下表面的一布线层，且该第一通孔的该导电部与该第一导接端连接而形成一第一电极；
(S6)在该第一通孔靠近该第一绝缘层的该下表面一端的该导电部的下方设置一第二绝缘层，其中该第二绝缘层覆盖该导电部；以及
(S7)在该第二绝缘层的下方设置一第二金属层，该第二金属层加厚了该布线层，并形成一第二电极，该第二电极与该第一绝缘层的该下表面接触，其中该第二电极的投影与该第一电极的投影在垂直该上表面的方向上至少部分重叠，且该第二电极为与该第一电极不同的电极。
15.如权利要求14所述的基板的制造方法，其中在该步骤(S5)的该去除程序中，包含去除位于该第一绝缘层的该下表面上且对应于该第一过孔的位置的该第一金属层。
16.如权利要求14所述的基板的制造方法，其中在该步骤(S5)中，该导电部包含一侧壁金属层和与该侧壁金属层相连接的至少一表面金属层，其中在该步骤(S5)及该步骤(S6)之间还包含一第一去除步骤(S51)，去除位于该第一绝缘层的该下表面上且对应于该第一通孔的位置的至少部分该表面金属层。
17.如权利要求16所述的基板的制造方法，其中在该第一去除步骤(S51)中，将位于该第一绝缘层的该下表面上且对应于该第一通孔的位置的部分该表面金属层打薄。
18.如权利要求17所述的基板的制造方法，其中在该第一去除步骤(S51)中，是以蚀刻方式将位于该第一绝缘层的该下表面上且对应于该第一通孔的部分该表面金属层打薄。
19.如权利要求14所述的基板的制造方法，其中在该步骤(S5)及该步骤(S6)间，还包含一第二去除步骤(S52)，将位于该第一绝缘层的该下表面上且对应于该第一通孔的位置的该表面金属层至少部分去除，并选择性地将位于该第一通孔内且邻近于该第一绝缘层的该下表面内的部分侧壁金属层去除。
20.如权利要求19所述的基板的制造方法，其中在该第二去除步骤(S52)中，是以钻孔方式将位于该第一绝缘层的该下表面上且对应于该第一通孔的位置的该表面金属层至少部分去除，并以钻孔方式将位于该第一通孔内且邻近于该第一绝缘层的该下表面内的部分该侧壁金属层去除。
21.如权利要求20所述的基板的制造方法，其中该第一通孔的各数为多个。
22.如权利要求21所述的基板的制造方法，其中在该第二去除步骤(S52)中，是以钻孔方式在该第一绝缘层的该下表面对应于多个该第一通孔的位置分别形成多个孔结构，且相邻的两个该孔结构之间的间距大于一门限值，且每一该孔结构的孔径大于对应的该第一通孔的孔径。
23.如权利要求22所述的基板的制造方法，其中在该第二去除步骤(S52)中，是以钻孔方式在该第一绝缘层的该下表面对应于多个该第一通孔的位置形成一个槽结构。
24.如权利要求22所述的基板的制造方法，其中在该第二去除步骤(S52)中，在该第一绝缘层的该下表面对多个该第一通孔中相间隔的任意两个该第一通孔的对应位置进行钻孔并塞孔，再对剩余的该第一通孔的对应位置进行钻孔并塞孔。
25.如权利要求15所述的基板的制造方法，其中该导电部包含一侧壁金属层和与该侧壁金属层相连接的一表面金属层，且在该步骤(S5)的该去除程序中，是以钻孔方式将位于该第一绝缘层的该下表面上且对应于该第一过孔的位置的该第一金属层至少部分去除，并以钻孔方式将位于该第一过孔内且邻近于该第一绝缘层的该下表面内的部分该第一金属层去除。
26.一种功率模块，包含：
如权利要求1所述的基板；以及
至少一功率单元，设置于该基板，其中该功率单元包含至少一个半桥电路，该半桥电路包含串联连接的一第一功率开关管及一第二功率开关管，该第一功率开关管的一第二端及该第二功率开关管的一第一端连接于一连接点，该连接点连接于该第一电极。
27.如权利要求26所述的功率模块，其中该功率模块还包含一第一载板，该第一载板设置于该功率单元与该基板之间，该连接点经由该第一载板连接于该第一电极。
28.如权利要求27所述的功率模块，其中该功率模块还包含一塑封层，是设置于该第一载板的一上表面上，且塑封该功率单元。
29.如权利要求26所述的功率模块，其中该功率模块还包含一第一载板，该功率单元内埋于该第一载板内。
30.如权利要求29所述的功率模块，其中该功率模块还包含至少一铜块，设置于与该功率单元位置对应的该第一载板的一上表面上。
31.如权利要求26所述的功率模块，其中该功率模块还包含与该第一绝缘层一体成型的多个布线层，该多个布线层位于该无源元件的上方，该连接点经由多个该布线层连接于该第一电极。
32.如权利要求31所述的功率模块，该功率单元设置在多个该布线层上或多个布线层内。
33.如权利要求27所述的功率模块，其中该功率模块还包含一第二载板，该功率单元内埋于该第二载板内，且该第二载板设置于多个布线层上，该连接点经由该第二载板及多个该布线层连接于该第一电极。
34.如权利要求26所述的功率模块，其中该半桥电路的该第一功率开关管的一第一端连接一输入电源，该第二功率开关管的一第二端连接一接地端，该无源元件为一电感，且还具有一第二导接端，该无源元件的该第一导接端与该连接点连接，该无源元件的该第二导接端连接一输出端。
35.如权利要求34所述的功率模块，其中该第二电极与该输入电源、该接地端或该输出端导接。
36.如权利要求35所述的功率模块，其中该功率模块还包含至少一输出电容，该输出电容的一第一端及一第二端分别连接到该接地端和该输出端，该输出电容设置于该无源元件的下方。
37.如权利要求36所述的功率模块，其中该基板还包含位于该第一绝缘层的该下表面的下方的至少第一引脚及至少第二引脚，该输出电容设置在该基板内，该输出电容的该第一端的上表面与该接地端相连，该输出电容的该第一端的下表面与该基板的该下表面的该第一引脚电连接，该输出电容的第二端的上表面与该输出端相连，该输出电容的第二端的下表面与该基板的该下表面的该第二引脚电连接。
38.如权利要求26所述的功率模块，其中该功率模块包含多个该功率单元，该无源元件为一多路反耦合电感。
39.如权利要求26所述的功率模块，其中该第一绝缘层还包含位于该上表面及该下表面之间的多个侧壁，该第二电极更至少部分由该第一绝缘层的该下表面沿相邻的该侧壁延伸至该第一绝缘层的该上表面。
40.一种功率模块，包含：
如权利要求1所述的基板；
至少一功率单元，与该基板堆叠，其中该功率单元包含至少一个半桥电路，该半桥电路包含串联连接的一第一功率开关管及一第二功率开关管，该第一功率开关管的一第二端及该第二功率开关管的一第一端连接于一连接点；
一第一载板，该第一载板设置于该功率单元与该基板之间，该连接点经由该第一载板连接于该第一电极；以及
至少一输入电容，该输入电容具有一第一端和一第二端，该输入电容的该第一端的上端面连接到该第一功率开关管的一第一端，该输入电容的该第二端的上端面连接到该第二功率开关管的一第二端，该输入电容设置于该功率单元与该基板之间。
41.如权利要求40所述的功率模块，其中该输入电容设置于该第一载板的一下表面而位于该第一载板与该基板之间。
42.如权利要求40所述的功率模块，其中该输入电容的该第一端和该第二端之间的电极叠层方向与该第一载板和该基板的堆叠方向平行。
43.如权利要求42所述的功率模块，其中该输入电容的该第一端和该第二端的该上端面连接该第一载板的该下表面，该输入电容的该第一端和该第二端的该下端面连接该基板。
44.如权利要求41所述的功率模块，其中该功率模块还包含至少一第一导电件，该第一导电件设置于该第一载板与该基板之间并与该第一载板和该基板连接，该第一导电件与该第一功率开关的该第一端或者该第二功率开关的该第二端电性耦接。
45.如权利要求40所述的功率模块，其中该第一载板包含一第一引脚和一第二引脚，该第一载板的该第一引脚和该第二引脚位于该第一载板的下表面，该第一载板的该第一引脚连接到该第一功率开关的该第一端，该第一载板的该第二引脚连接到该第二功率开关的该第二端，该第一载板的该第一引脚和该第二引脚交错排布。
46.如权利要求40所述的功率模块，其中该输入电容的该第一端和该第二端之间的电极叠层方向与该第一载板和该基板的堆叠方向垂直。
47.如权利要求40所述的功率模块，其中该输入电容嵌埋到该第一载板内。
48.如权利要求40所述的功率模块，其中还包含一塑封层，该塑封层包覆该输入电容和至少部分该第一载板，该塑封层、该输入电容和该第一载板形成了一塑封单元，该塑封单元包含一第二导电件，该塑封单元的该第二导电件从该塑封单元的下表面延伸到该塑封单元的上表面，并在该塑封单元的上表面和下表面形成引脚。
49.如权利要求48所述的功率模块，该塑封层还包覆位于第一载板上表面的功率单元。
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