CN209947823U - 芯片封装结构 - Google Patents
芯片封装结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209947823U CN209947823U CN201921141240.8U CN201921141240U CN209947823U CN 209947823 U CN209947823 U CN 209947823U CN 201921141240 U CN201921141240 U CN 201921141240U CN 209947823 U CN209947823 U CN 209947823U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- electrically connected
- circuit board
- printed circuit
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48145—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本实用新型实施例公开了一种芯片封装结构,包括:第一基板,第一基板的第一表面设置有若干个第一焊盘,第二表面设置有若干个第二焊盘,第一基板内部形成有第一金属线路层,第一金属线路层分别与第一焊盘和第二焊盘电连接;形成在第一基板第二表面上的至少一个第一功能芯片,第一功能芯片与第二焊盘电连接;形成在至少一个第一功能芯片上的第一塑封层,第一塑封层内形成有至少一个导电通孔,与第二焊盘电连接;形成在导电通孔上的第三焊盘。与传统的封装方式相比,本实用新型实施例提供的技术方案,在该芯片封装结构的上表面及下表面都提供与外部元件连接的引脚,将传统的2D封装方式扩展为3D堆叠的封装方式,减小芯片面积,提高了空间利用率。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及半导体技术领域,尤其涉及一种芯片封装结构。
背景技术
随着社会信息化不断进步,当前的电子工业对产品的集成度要求越来越高,产业界希望在尽可能小的面积内集成更多的器件,这对电子封装技术提出更多的挑战。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种芯片封装结构,以满足现有技术中在尽可能小的面积内集成更多的器件的需求。
本实用新型实施例提供了一种芯片封装结构,包括:
基板,所述基板的第一表面设置有若干个第一焊盘,所述基板与所述第一表面相对的第二表面设置有若干个第二焊盘,所述基板内部形成有金属线路层,所述金属线路层分别与所述第一焊盘和所述第二焊盘电连接;
形成在所述基板第二表面上的至少一个第一功能芯片,所述功能芯片与所述第二焊盘电连接;
形成在所述至少一个第一功能芯片上的塑封层,包括芯片区和非芯片区,所述芯片区覆盖所述第一功能芯片,所述非芯片区内形成有至少一个导电通孔,与所述第二焊盘电连接;
形成在所述导电通孔上的第三焊盘,与所述导电通孔电连接。
可选的,还包括第一印刷电路板,所述第一印刷电路板上的引脚与所述第三焊盘电连接;或者,还至少一个第二功能芯片,所述第二功能芯片于所述第三焊盘电连接。
可选的,所述第一印刷电路板设置接地线。
可选的,所述金属线路层内包括无源器件。
可选的,所述无源器件包括电感。
可选的,还包括第二印刷电路板,所述第二印刷电路板上的引脚与所述第一焊盘电连接;或者,还包括至少一个第三功能芯片,所述第三功能芯片于所述第一焊盘电连接。
可选的,还包括第三印刷电路板和第四印刷电路板,所述第三印刷电路板上的引脚与所述第一焊盘电连接,所述第四印刷电路板上的引脚与所述第三焊盘电连接;或者,还包括至少一个第四功能芯片和至少一个第五功能芯片,所述第四功能芯片于所述第一焊盘电连接,所述第五功能芯片与所述第三焊盘电连接。
可选的,所述第四印刷电路板设置接地线。
可选的,所述金属线路层内包括无源器件。
可选的,所述无源器件包括电感。
本实用新型实施例提供的芯片封装结构,通过在第一功能芯片的上形成有第一塑封层,第一塑封层包括第一芯片区和第一非芯片区,所述第一芯片区覆盖所述第一功能芯片,所述第一非芯片区内形成有至少一个导电通孔,与所述第二焊盘电连接;形成在所述导电通孔上的第三焊盘,与所述导电通孔电连接,在该芯片封装结构的上表面及下表面都提供与外部元件连接的引脚,将传统的2D封装方式扩展为3D堆叠的封装方式,减小芯片面积,提高了空间利用率,以满足现有技术中在尽可能小的面积内集成更多的器件的需求。
附图说明
下面将通过参照附图详细描述本实用新型或现有技术的示例性实施例,使本领域的普通技术人员更清楚本实用新型的上述及其他特征和优点。
图1为本实用新型实施例提供的一种芯片封装结构的结构示意图;
图2为现有技术中一种芯片封装结构的结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的又一种芯片封装结构的结构示意图;
图4为本实用新型实施例提供的又一种芯片封装结构的结构示意图;
图5为本实用新型实施例提供的又一种芯片封装结构的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
本实用新型实施例提供了一种芯片封装结构的结构示意图。图1为本实用新型实施例提供的一种芯片封装结构的结构示意图,参见图1,该芯片封装结构包括:第一基板10,第一基板10的第一表面101设置有若干个第一焊盘11,基板10与第一表面101相对的第二表面102设置有若干个第二焊盘12,第一基板10内部形成有第一金属线路层13,第一金属线路层13分别与第一焊盘11和第二焊盘12电连接;形成在第一基板10第二表面102上的至少一个第一功能芯片20,图中示例性的示出三个,第一功能芯片20与第二焊盘12电连接;形成在至少一个第一功能芯片20上的第一塑封层30,包括第一芯片区30A和第一非芯片区30B,第一芯片区30A覆盖第一功能芯片20,第一非芯片区30B内形成有至少一个导电通孔31,与第二焊盘12电连接;形成在导电通孔31上的第三焊盘32,与导电通孔31电连接。可选的,还包括在第一基板10的第一表面101的第一钝化层14,暴露出第一焊盘11,还包括在第一基板第二表面102的第二钝化层15,暴露出第二焊盘12。示例性的,第一功能芯片20与第二焊盘12通过第一引线21或者第一锡球22电连接。
本实用新型实施例提供的封装结构是栅格阵列封装(Land Grid Array,LGA),栅格阵列封装属于面阵列封装形式的一种,这种封装器件一出现就因为其封装体积小、安装高度低、可靠性高受到广泛使用。
图2是现有技术中提供的一种栅格阵列封装结构的结构示意图,参见图2,该结构包括:第二基板40,第二基板40的第一表面401设置有若干个第四焊盘41,第二基板40与第一表面401相对的第二表面402设置有若干个第五焊盘42,第二基板40内部形成有第二金属线路层43,第二金属线路层43分别与第四焊盘41和第五焊盘42电连接;形成在第二基板40第二表面402上的至少一个第六功能芯片50,第六功能芯片50与第五焊盘42电连接;形成在至少一个第六功能芯片50上的第二塑封层60,包括第二芯片区60A和第二非芯片区60B,第二芯片区60A覆盖第六功能芯片50。还包括在第二基板40的第一表面401的第三钝化层44,暴露出第四焊盘41,还包括在第二基板40第二表面402的第四钝化层45,暴露出第五焊盘42。图中示例性的示出了3个第六功能芯片50。示例性的,第六功能芯片50与第五焊盘42通过第二引线51或者第二锡球52电连接。
本实用新型实施例提供的芯片封装结构,参见图1,第一功能芯片20的上形成有第一塑封层30,第一塑封层30包括第一芯片区30A和第一非芯片区30B,所述第一芯片区30A覆盖所述第一功能芯片20,所述第一非芯片区30B内形成有至少一个导电通孔31,与所述第二焊盘12电连接;形成在所述导电通孔31上的第三焊盘32,与所述导电通孔31电连接,第一功能芯片20与外接元件电连接的焊盘可以是第一焊盘11,也可以是第三焊盘32。
现有技术中的芯片封装结构参见图2,第六功能芯片50上的第二塑封层60没有设置导电通孔,因此,第六功能芯片50与外接元件电连接的焊盘只能是第四焊盘41,该芯片封装是一种2D封装方式。
因此,本实用新型实施例提供的芯片封装结构,通过在第一功能芯片20的上形成有第一塑封层30,第一塑封层30包括第一芯片区30A和第一非芯片区30B,所述第一芯片区30A覆盖所述第一功能芯片20,所述第一非芯片区内30B形成有至少一个导电通孔31,与所述第二焊盘12电连接;形成在所述导电通孔31上的第三焊盘32,与所述导电通孔31电连接,增加了芯片封装结构与外接元件电连接的引脚,在该芯片封装结构的上表面及下表面都提供与外部元件连接的引脚即焊盘,将传统的2D封装方式扩展为3D堆叠的封装方式,减小芯片面积,提高了空间利用率,以满足现有技术中在尽可能小的面积内集成更多的器件的需求。
在本实施例中,外接元件可以包括印刷电路板或者功能芯片。
本实施例提供的芯片封装结构,增加了芯片封装结构与外接元件电连接的引脚,在本实施例中表面为焊盘,那么可以在图1示出的芯片封装的上下堆叠其它外接元件,本实施例示例性的列出了如下三种堆叠情况:
第一种情况,可选的,在上述技术方案的基础上,参见图3,该芯片封装结构还包括第一印刷电路板70,第一印刷电路板70上的引脚与第三焊盘32电连接;或者,还至少一个第二功能芯片,第二功能芯片于第三焊盘32电连接(未示出)。
可选的,在上述技术方案的基础上,第一印刷电路板70设置接地线。本实施例中,将第一基板10设置在第一功能芯片20的上方,第一印刷电路板70设置接地线,第一金属线路层13与接地线距离较远,可以较少电学信号的串扰现象。
可选的,在上述技术方案的基础上,第一金属线路层13内包括无源器件。无源器件是微波射频器件中重要的一类,在微波技术中占有非常重要的地位。无源器件主要包括电阻,电容,电感,转换器,渐变器,匹配网络,谐振器,滤波器,混频器和开关等。
可选的,在上述技术方案的基础上,无源器件包括电感。第一金属线路层13中的电感与第一印刷电路板70中的接地线距离较远,可以减少电学信号的串扰现象。
第二种情况,参见图4,还包括第二印刷电路板71,第二印刷电路板71上的引脚与第一焊盘11电连接;或者,还包括至少一个第三功能芯片,第三功能芯片于第一焊盘11电连接(未示出)。此时,第二印刷电路板71距离第一金属线路层13较近,但是第二印刷电路板71内未设置接地线,避免对第一金属线路层13中的器件产生电学串扰问题。
第三种情况,参见图5,该芯片封装结构还包括第三印刷电路板72和第四印刷电路板73,第三印刷电路板72上的引脚与第一焊盘11电连接,第四印刷电路板73上的引脚与第三焊盘32电连接;或者,还包括至少一个第四功能芯片和至少一个第五功能芯片,第四功能芯片于第一焊盘11电连接,第五功能芯片与第三焊盘32电连接(未示出)。本实施例中的芯片封装结构,在该芯片封装结构的上表面及下表面都提供与外部元件连接的引脚,具体的,第三印刷电路板72上的引脚与第一焊盘11电连接,第四印刷电路板73上的引脚与第三焊盘32电连接;或者,还包括至少一个第四功能芯片和至少一个第五功能芯片,第四功能芯片于第一焊盘11电连接,第五功能芯片与第三焊盘32电连接,将传统的2D封装方式扩展为3D堆叠的封装方式,减小芯片面积,提高了空间利用率。
可选的,在上述技术分方案的基础上,第四印刷电路板73设置接地线。在本实施例中,第三印刷电路板72距离第一金属线路层13较近,但是第三印刷电路板72内未设置接地线,第四印刷电路板73设置接地线,第一金属线路层13与接地线距离较远,可以较少电学信号的串扰现象。
可选的,在上述技术分方案的基础上,第一金属线路层内包括无源器件。
可选的,在上述技术分方案的基础上,无源器件包括电感。在本实施例中,第三印刷电路板72距离第一金属线路层13内的电感较近,但是第三印刷电路板72内未设置接地线,第四印刷电路板73设置接地线,第一金属线路层13内的电感与接地线距离较远,可以较少电学信号的串扰现象。
本实施例提供的芯片封装结构,增加了芯片封装结构与外接元件电连接的引脚,在本实施例中表面为焊盘,那么可以在图1示出的芯片封装的上下堆叠其它外接元件,本实施例示例性的列出了上面三种堆叠情况,但是并不仅限于上面三种情况。
注意,上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本实用新型不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明,但是本实用新型不仅仅限于以上实施例,在不脱离本实用新型构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
第一基板,所述第一基板的第一表面设置有若干个第一焊盘,所述第一基板与所述第一表面相对的第二表面设置有若干个第二焊盘,所述第一基板内部形成有第一金属线路层,所述第一金属线路层分别与所述第一焊盘和所述第二焊盘电连接;
形成在所述第一基板第二表面上的至少一个第一功能芯片,所述第一功能芯片与所述第二焊盘电连接;
形成在所述至少一个第一功能芯片上的第一塑封层,包括第一芯片区和第一非芯片区,所述第一芯片区覆盖所述第一功能芯片,所述第一非芯片区内形成有至少一个导电通孔,与所述第二焊盘电连接;
形成在所述导电通孔上的第三焊盘,与所述导电通孔电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,
还包括第一印刷电路板,所述第一印刷电路板上的引脚与所述第三焊盘电连接;或者,还至少一个第二功能芯片,所述第二功能芯片于所述第三焊盘电连接。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,
所述第一印刷电路板设置接地线。
4.根据权利要求3所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一金属线路层内包括无源器件。
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构,其特征在于,所述无源器件包括电感。
6.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,
还包括第二印刷电路板,所述第二印刷电路板上的引脚与所述第一焊盘电连接;或者,还包括至少一个第三功能芯片,所述第三功能芯片于所述第一焊盘电连接。
7.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,
还包括第三印刷电路板和第四印刷电路板,所述第三印刷电路板上的引脚与所述第一焊盘电连接,所述第四印刷电路板上的引脚与所述第三焊盘电连接;或者,还包括至少一个第四功能芯片和至少一个第五功能芯片,所述第四功能芯片于所述第一焊盘电连接,所述第五功能芯片与所述第三焊盘电连接。
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,
所述第四印刷电路板设置接地线。
9.根据权利要求8所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一金属线路层内包括无源器件。
10.根据权利要求9所述的芯片封装结构,其特征在于,所述无源器件包括电感。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921141240.8U CN209947823U (zh) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 芯片封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921141240.8U CN209947823U (zh) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 芯片封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209947823U true CN209947823U (zh) | 2020-01-14 |
Family
ID=69120414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201921141240.8U Active CN209947823U (zh) | 2019-07-19 | 2019-07-19 | 芯片封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN209947823U (zh) |
-
2019
- 2019-07-19 CN CN201921141240.8U patent/CN209947823U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7539022B2 (en) | Chip embedded packaging structure | |
US7550857B1 (en) | Stacked redistribution layer (RDL) die assembly package | |
US8058714B2 (en) | Overmolded semiconductor package with an integrated antenna | |
KR100480437B1 (ko) | 반도체 칩 패키지 적층 모듈 | |
US7777351B1 (en) | Thin stacked interposer package | |
KR101046394B1 (ko) | 스택 패키지 | |
US20080217708A1 (en) | Integrated passive cap in a system-in-package | |
US20150022985A1 (en) | Device-embedded package substrate and semiconductor package including the same | |
US7129571B2 (en) | Semiconductor chip package having decoupling capacitor and manufacturing method thereof | |
US9362209B1 (en) | Shielding technique for semiconductor package including metal lid | |
US20090032927A1 (en) | Semiconductor substrates connected with a ball grid array | |
US7884458B2 (en) | Decoupling capacitor, wafer stack package including the decoupling capacitor, and method of fabricating the wafer stack package | |
US7829990B1 (en) | Stackable semiconductor package including laminate interposer | |
US8547681B2 (en) | Decoupling capacitor | |
CN111199957A (zh) | 一种芯片和天线集成的三维封装结构及其制备方法 | |
CN209947823U (zh) | 芯片封装结构 | |
KR100764682B1 (ko) | 집적회로 칩 및 패키지. | |
EP2228823B1 (en) | Flip chip assembly with improved HF-performance | |
CN211529945U (zh) | 集成多个芯片及元件的系统级封装 | |
KR100913722B1 (ko) | 멀티 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
CN211208440U (zh) | 一种芯片和天线集成的三维封装结构 | |
CN211529933U (zh) | Sip封装组件及其芯片 | |
WO2023010555A1 (zh) | 芯片封装结构及电子设备 | |
CN110299332A (zh) | 芯片封装结构 | |
US20060091564A1 (en) | System to control effective series resistance of decoupling capacitor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |