CN113009722A - 一种显示面板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板及其制作方法、显示装置,其中,显示面板包括:相对设置的第一基板和第二基板以及导电结构,第一基板包括:基底和设置在基底靠近第二基板的一侧的接地连接点;基底包括显示区域和非显示区域;接地连接点位于非显示区域;接地连接点的表面不平坦,导电结构与接地连接点直接接触,且与第二基板连接,用于将第二基板中的静电导出。本申请通过设置接地连接点的表面不平坦,增大了接地连接点与导电结构的接触面积,避免了导电结构扩散至显示面板边缘,能够在显示面板进行测试时,避免ESD损伤,进而提高了显示面板的产品良率。

Description

一种显示面板及其制作方法、显示装置
技术领域
本文涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,显示技术已被广泛应用于电视、手机以及公共信息的显示中。在显示面板中,静电的预防非常重要,若静电进入到显示面板内部回导致显示面板异常,为此,显示面板设置有银浆和银浆点,其中,银浆设置在银浆点上,用于将静电导出。
相关技术中,在银浆点上形成银浆时,银浆无法固定在银浆点上,而是会扩散至显示面板的边缘,在对显示面板进行测试时,扩散至显示面板边缘的银浆会向显示面板引入静电,造成静电释放(Electro-Static discharge,简称ESD)损伤,进而降低了显示面板的产品良率。
发明内容
本申请提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置,能够在显示面板进行测试时,避免ESD损伤,进而提高了显示面板的产品良率。
第一方面,本申请提供了一种显示面板,包括:相对设置的第一基板和第二基板以及导电结构,所述第一基板包括:基底和设置在基底靠近第二基板的一侧的接地连接点;所述基底包括显示区域和非显示区域;所述接地连接点位于非显示区域;
所述接地连接点的表面不平坦,导电结构与所述接地连接点直接接触,且与所述第二基板连接,用于将所述第二基板中的静电导出。
可选地,所述接地连接点包括:第一连接电极和第二连接电极;
所述第二连接电极设置在所述第一连接电极靠近所述第二基板的一侧,且与所述第一连接电极直接接触,所述第二连接电极在基底上的正投影覆盖所述第一连接电极在基底上的正投影;
其中,所述第一连接电极接地,所述第二连接电极的厚度为700~900埃。
可选地,所述第一连接电极为狭缝电极;
所述狭缝电极包括多个条状电极,所述条状电极的纵向截面呈梯形。
可选地,所述第一基板还包括:位于显示区域的薄膜晶体管和像素电极;
所述第一连接电极与薄膜晶体管的源漏电极同层设置,所述第二连接电极与像素电极同层设置。
可选地,所述第一基板还包括:第一绝缘层和第二绝缘层;
所述第一绝缘层位于所述薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧,所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离基底的一侧;
所述第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔用于暴露所述第一连接电极,所述第二过孔在基底上的正投影与所述薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,所述第二绝缘层开设有第三过孔,所述第三过孔用于暴露所述第一过孔。
可选地,所述接地连接点还包括:第三连接电极;
所述第三连接电极设置在所述第一连接电极靠近所述基底的一侧,且与所述第一连接电极直接接触。
可选地,所述第三连接电极与薄膜晶体管的栅电极同层设置,且为板状电极。
可选地,所述第一基板还包括:第三绝缘层;
所述第三绝缘层位于所述薄膜晶体管的栅电极远离基底的一侧;所述第三绝缘层开设有第四过孔,所述第四过孔用于暴露所述第三连接电极。
可选地,所述导电结构包括:导电银浆。
可选地,所述第一连接电极包括:第一导电层、第二导电层和第三导电层;
所述第二导电层位于所述第一导电层和所述第三导电层之间,所述第一导电层位于所述第二导电层靠近基底的一侧。
第二方面,本申请还提供一种显示装置,包括:上述显示面板。
第三方面,本申请还提供一种显示面板的制作方法,用于制作上述显示面板,所述方法包括:
提供一基底;所述基底包括:显示区域和非显示区域;
在所述基底的非显示区域形成接地连接点,以形成第一基板;
提供第二基板;
将第一基板和第二基板对盒设置;
在所述接地连接点上形成导电结构,所述导电结构与所述接地连接点直接接触,且与所述第二基板连接,用于将所述第二基板中的静电导出。
可选地,所述在所述基底的非显示区域形成接地连接点包括:
在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极和第一连接电极;
在薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;所述第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔用于暴露所述第一连接电极,所述第二过孔在基底上的正投影与所述薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,所述第二绝缘层开设有第三过孔,所述第三过孔用于暴露所述第一过孔;
在第二绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极和第二连接电极,以形成包括第一连接电极和第二连接电极的接地连接点。
可选地,所述在所述基底的非显示区域形成接地连接点包括:
在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅电极和第三连接电极;
在薄膜晶体管的栅电极远离基底的一侧形成第三绝缘层;所述第三绝缘层开设有第四过孔,所述第四过孔用于暴露所述第三连接电极;
在第三绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极和第一连接电极;
在薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;所述第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔用于暴露所述第一连接电极,所述第二过孔在基底上的正投影与所述薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,所述第二绝缘层开设有第三过孔,所述第三过孔用于暴露所述第一过孔;
在第二绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极和第二连接电极,以形成包括第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极的接地连接点。
本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,其中,显示面板包括:相对设置的第一基板和第二基板以及导电结构,第一基板包括:基底和设置在基底靠近第二基板的一侧的接地连接点;基底包括显示区域和非显示区域;接地连接点位于非显示区域;接地连接点的表面不平坦,导电结构与接地连接点直接接触,且与第二基板连接,用于将第二基板中的静电导出。本申请通过设置接地连接点的表面不平坦,增大了接地连接点与导电结构的接触面积,避免了导电结构扩散至显示面板边缘,能够在显示面板进行测试时,避免ESD损伤,进而提高了显示面板的产品良率。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解,并且构成说明书的一部分,与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案,并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为本申请实施例提供的显示面板的一个结构示意图;
图2为本申请实施例提供的第一连接电极的俯视图;
图3为本申请实施例提供的显示面板的第一俯视图;
图4为本申请实施例提供的显示面板的第二俯视图;
图5为本申请实施例提供的显示面板的第三俯视图;
图6为本申请实施例提供的显示面板的另一结构示意图;
图7为本申请实施例提供的显示面板的第四俯视图;
图8为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程图;
图9A~图9D为图1提供的显示面板的制作方法的示意图;
图10A~图10F为图3提供的显示面板的制作方法的示意图。
具体实施方式
本申请描述了多个实施例,但是该描述是示例性的,而不是限制性的,并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是,在本申请所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合,并在具体实施方式中进行了讨论,但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外,任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用,或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
本申请包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本申请已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合,以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合,以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此,应当理解,在本申请中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此,除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外,实施例不受其它限制。此外,可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
此外,在描述具有代表性的实施例时,说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而,在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上,该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的,其它的步骤顺序也是可能的。因此,说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外,针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤,本领域技术人员可以容易地理解,这些顺序可以变化,并且仍然保持在本申请实施例的精神和范围内。
除非另外定义,本申请实施例公开使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述的对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本申请一些实施例提供一种显示面板,图1为本申请实施例提供的显示面板的一个结构示意图,如图1所示,本申请实施例提供的显示面板包括:相对设置的第一基板10和第二基板20以及导电结构30,第一基板10包括:基底11和设置在基底11靠近第二基板20的一侧的接地连接点40;基底11包括显示区域AA和非显示区域AA’;接地连接点40位于非显示区域AA’。
具体的,接地连接点40的表面不平坦,导电结构30直接与接地连接点40接触,且与第二基板20连接,用于将第二基板20中的静电导出。
其中,第一基板10为阵列基板,第二基板20为彩膜基板,第一基板10中设置有接地信号区,接地连接点40通过导线与接地信号区连接。
具体的,本申请实施例提供的显示面板还包括:设置在第一基板10和第二基板20之间的液晶层50。
具体的,第二基板20包括:同层设置的黑矩阵层和彩色滤光片,其中,导电结构30分别与黑矩阵层和彩色滤光片连接。
可选地,基底11可以为刚性衬底或柔性衬底,其中,刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种;柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
其中,显示面板还包括:设置在第一基板10和第二基板20之间的封框胶60,设置在第一基板10远离第二基板20一侧的偏光片以及设置在第二基板20远离第一基板10的一侧的偏光片。
本申请实施例提供的显示面板包括:相对设置的第一基板和第二基板以及导电结构,第一基板包括:基底和设置在基底靠近第二基板的一侧的接地连接点;基底包括显示区域和非显示区域;接地连接点位于非显示区域;接地连接点的表面不平坦,导电结构与接地连接点直接接触,且与第二基板连接,用于将第二基板中的静电导出。本申请通过设置接地连接点的表面不平坦,增大了接地连接点与导电结构的接触面积,加大了导电结构与接地连接点的粘附力,使得导电结构能够很好地固定在接地连接点上,避免了导电结构扩散至显示面板边缘,能够在显示面板进行测试时,避免ESD损伤,进而提高了显示面板的产品良率。
可选地,导电结构包括:导电银浆。
具体的,导电银浆可以含有粘胶材料。具体地,本申请实施例提供的上述显示面板中,接地连接点上涂覆的导电银浆内掺有粘胶材料,这样可以提升银浆固化后的挠性,提升银浆对外力的耐受性,即可以提高银浆的耐温冲、温变的性能和拉拔耐受性。在具体实施时,本申请实施例提供的上述显示面板中,粘胶材料可以为树脂或粘结剂。具体地,本申请实施例提供的上述显示面板中,为了提高银浆固化后的挠性,提升银浆对外力的耐受性,可以在银浆内掺树脂或粘结剂,当然也可以掺入其他可以提高银浆对外力的耐受性的粘胶材料,在此不作限定。
需要说明的是,导电银浆涂覆在接地连接点上,且电性连接第一基板和第二基板,可选地,导电银浆指示导电结构的一个示例,可以采用其他的导电结构,本申请实施例对此任何限定。
可选地,如图1所示,本申请实施例提供的接地连接点40包括:第一连接电极41和第二连接电极42。
具体的,第二连接电极42设置在第一连接电极41靠近第二基板20的一侧,且与第一连接电极41直接接触,第二连接电极42在基底11上的正投影覆盖第一连接电极41在基底11上的正投影。
其中,第一连接电极41接地,与第一基板10上的接地信号区连接。
可选地,图2为本申请实施例提供的第一连接电极的俯视图,如图1和2所示,本申请实施例提供的第一连接电极41为狭缝电极。
具体的,狭缝电极包括:狭缝电极包括多个条状电极,条状电极的纵向截面呈梯形。
需要说明的是,由于制作工艺的影响,第一连接电极41的边缘不是矩形,而是梯形。
本实施例中,第二连接电极可以为板状电极,或者可以为狭缝电极,本申请实施例对此不作任何限定。
可选地,如图1所示,本申请实施例提供的第一连接电极41包括:第一导电层411、第二导电层412和第三导电层413,第二导电层412位于第一导电层411和第三导电层413之间,第一导电层411位于第二导电层412靠近基底11的一侧。
可选地,第一导电层411、第二导电层412和第三导电层413的制作材料为金属,可选地,第一导电层411的制作材料包括:钛Ti,第一导电层411的厚度为300~500埃,第二导电层412的制作材料包括:铝Al,第二导电层412的厚度为1500~2000埃,第三导电层413的制作材料包括:钛Ti,第三导电层413的厚度为300~500埃。
其中,薄膜晶体管的源漏电极与第一连接电极41的电极结构相同,均为三层金属结构。
可选地,第一连接电极41还可以单层金属结构,本申请实施例对此不做任何限定。
可选地,第二连接电极42可以为狭缝电极,或者可以为板状电极,本申请实施例对此不做任何限定。
可选地,第二连接电极42的制作材料为透明导电材料,透明导电材料包括:氧化锌锡、氧化锌锡等,本申请实施例对此不做任何限定。
可选地,第二连接电极42的厚度为700~900埃,第二连接电极的厚度较窄,因此,第二连接电极42的形状会随着第一连接电极41的结构的变化为变化,也就是说,第一连接电极的形状的变化对接地连接点的膜层平整度影响较小。
可选地,如图1所示,本申请实施例提供的第一基板10还包括:位于显示区域AA的薄膜晶体管12和像素电极13,第一连接电极41与薄膜晶体管的源漏电极123同层设置,第二连接电极42与像素电极13同层设置。
具体的,薄膜晶体管12包括:有源层121、栅电极122和源漏电极123,本实施例中,源漏电极指的是源电极或者漏电极中的其中一个电极。
本实施例中,图3为本申请实施例提供的显示面板的第一俯视图,图4为本申请实施例提供的显示面板的第二俯视图,图5为本申请实施例提供的显示面板的第三俯视图,如图2~5所示,本申请实施例提供的显示面板中的第一基板还包括:第一绝缘层124和第二绝缘层125。
具体的,第一绝缘层124位于薄膜晶体管的源漏电极123远离基底11的一侧,第二绝缘层125位于第一绝缘层124远离基底11的一侧。
其中,第一绝缘层124开设有第一过孔V1和第二过孔V2,第一过孔V1用于暴露第一连接电极41,第二过孔V2在基底11上的正投影与薄膜晶体管12在基底11上的正投影不存在重叠区域,第二绝缘层125开设有第三过孔V3,第三过孔V3用于暴露第一过孔V1。
具体的,第一过孔V1在基底11上的正投影覆盖第一连接电极41在基底11上的正投影,第三过孔V3在基底11上的正投影覆盖第一过孔V1在基底11上的正投影。
本实施例中,第二连接电极42在基底11上的正投影覆盖第三过孔V3在基底11上的正投影,或者第三过孔V3在基底11上的正投影覆盖第二连接电极42在基底11上的正投影。
本实施例中第一绝缘层124设置有第二过孔V2能够避免形成导电结构时,导电材料流向显示区域,防止导电银浆对显示区域造成影响,进一步保证显示面板的显示效果。
本实施例中,第一绝缘层124为平坦层,第二绝缘层125为钝化层。
可选地,第一绝缘层124的制作材料可以为有机材料例如聚酰亚胺等。
可选地,第二绝缘层125的制作材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物。
可选地,图6为本申请实施例提供的显示面板的另一结构示意图,图7为本申请实施例提供的显示面板的第四俯视图,如图6和图7所示,本申请实施例提供的显示面板还包括:第三连接电极43,第三连接电极43设置在第一连接电极41靠近基底11的一侧,且与第一连接电极41直接接触。
可选地,为了简化制作工艺,如图6所示,本申请实施例提供的第三连接电极43与薄膜晶体管12的栅电极122同层设置,且为板状电极。
可选地,第三连接电极43的制作材料为金属,例如钼Mo,或者其他金属,本申请实施例对此不做任何限定。
本申请通过设置第三连接电极,增大了接地连接点的横截面积,进而减少了接地连接点的电阻,能够使得接地连接点更加迅速的传导静电。
可选地,如图6和图7所示,本申请实施例提供的显示面板中的第一基板还包括:第三绝缘层126,第三绝缘层126位于薄膜晶体管的栅电极122远离基底11的一侧。
具体的,第三绝缘层126开设有第四过孔V4,第四过孔V4用于暴露第三连接电极43。
具体的,第四过孔V4在基底11上的正投影覆盖第三连接电极43在基底11上的正投影。
其中,第三绝缘层126为层间介质层,可选地,第三绝缘层126的制作材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物,本申请实施例对此不作任何限定。
可选地,如图1和图6所示,本申请实施例提供的显示面板中的第一基板还包括:第四绝缘层127,第四绝缘层127设置在薄膜晶体管12的栅电极122靠近基底11的一侧。
其中,第四绝缘层127为栅绝缘层,第四绝缘层127覆盖整个基底11。可选地,第四绝缘层127的制作材料可以为氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的复合物,本申请实施例对此不作任何限定。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法,用于制作显示面板,图8为本申请实施例提供的显示面板的制作方法的流程图,如图8所示,本申请实施例提供的显示面板的制作方法具体包括以下步骤:
步骤S1、提供一基底。
具体的,基底包括:显示区域和非显示区域;可选地,基底可以为刚性衬底或柔性衬底,其中,刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种;柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
步骤S2、在基底的非显示区域形成接地连接点,以形成第一基板。
步骤S3、提供第二基板。
具体的,步骤S3包括:提供一基底,在基底靠近第一基板的一侧形成同层设置的黑矩阵层和彩色滤光片。
步骤S4、将第一基板和第二基板对盒设置。
具体的,步骤S4包括:将第一基板和第二基板对盒设置,并填充液晶。
步骤S5、在接地连接点远离基底的一侧形成导电结构。
具体的,接地连接点且分别与接地连接点和第二基板连接,用于将第二基板中的静电导出。
具体的,步骤S5包括:在接地连接点远离基底的一侧通过涂覆工艺形成导电结构。
可选地,导电结构包括导电银浆。
其中,显示面板为前述实施例提供的显示面板,其实现原理和实现效果类似,在此不再赘述。
在本申请实施例中,构图工艺可以包括成膜工艺,或者包括光刻工艺,或者包括光刻工艺及刻蚀步骤,同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图案的工艺。其中,成膜工艺是指采用涂覆、溅射、印刷或蒸镀等方式形成薄膜的工艺。光刻工艺是指经过成膜、曝光、显影等光刻步骤形成预定图案的工艺。光刻工艺可以利用光刻胶、掩模板、曝光机等,采用上述光刻步骤形成预定图案。具体的,可根据本申请实施例中所形成的结构选择相应的构图工艺。
作为一种实施方式,步骤S2包括:在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极和第一连接电极;在薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,第一过孔用于暴露第一连接电极,第二过孔在基底上的正投影与薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,第二绝缘层开设有第三过孔,第三过孔用于暴露第一过孔;在第二绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极和第二连接电极,以形成包括第一连接电极和第二连接电极的接地连接点。
具体的,在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极和第一连接电极包括:在基底的一侧依次形成有源层、第四绝缘层、栅电极和第三绝缘层。
作为另一种实施方式,步骤S2包括:在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅电极和第三连接电极;在薄膜晶体管的栅电极远离基底的一侧形成第三绝缘层;第三绝缘层开设有第四过孔,第四过孔用于暴露第三连接电极;在第三绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极和第一连接电极;在薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,第一过孔用于暴露第一连接电极,第二过孔在基底上的正投影与薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,第二绝缘层开设有第三过孔,第三过孔用于暴露第一过孔;在第二绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极和第二连接电极,以形成包括第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极的接地连接点。
具体的,在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅电极和第三连接电极包括:在基底的一侧依次形成有源层和第四绝缘层,在第四绝缘层上通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅电极和第三连接电极。
具体的,形成第一连接电极的构图工艺中的刻蚀步骤采用干刻工艺。
结合图9A~图9D进一步说明本申请图1提供的显示面板的制作方法,具体说明如下:
步骤110、提供一基底11,在基底11上依次形成有源层121、第四绝缘层127、栅电极122和第三绝缘层126,具体如图9A所示。
步骤120、在第三绝缘层126上通过一次构图工艺形成源漏电极123和第一连接电极41,具体如图9B所示。
其中,第一连接电极41包括:第一金属层411、第二金属层412和第三金属层413。
步骤130、在源漏电极123远离基底11的一侧依次形成第一绝缘层124和第二绝缘层125,具体如图9C所示。
具体的,第一绝缘层124开设有第一过孔V1和第二过孔,第一过孔用于暴露第一连接电极,第二过孔在基底上的正投影与薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,第二绝缘层125开设有第三过孔V3,第三过孔V3用于暴露第一过孔V1。
步骤140、在第二绝缘层125远离基底11的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极13和第二连接电极42,以形成包括第一连接电极和第二连接电极的接地连接点40,进而形成第一基板10,具体如图9D所示。
步骤150、提供第二基板20,将第一基板10和第二基板20对盒设置,并填充液晶,形成液晶层50,在接地连接点40远离基底11的一侧形成导电结构30。具体如图1所示。
结合图10A~图10F,进一步说明本申请图3提供的显示面板的制作方法,具体说明如下:
步骤210、提供一基底11,在基底11上依次形成有源层121和第四绝缘层127,具体如图10A所示。
步骤220、在第四绝缘层127上通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅电极122和第三连接电极43,具体如图10B所示。
步骤230、在薄膜晶体管的栅电极122远离基底11的一侧形成第三绝缘层126,具体如图10C所示。
具体的,第三绝缘层126开设有第四过孔V4,第四过孔V4用于暴露第三连接电极43。
步骤240、在第三绝缘层126远离基底11的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极123和第一连接电极41,具体如图10D所示。
步骤250、在薄膜晶体管的源漏电极123远离基底11的一侧依次形成第一绝缘层124和第二绝缘层125,具体如图10E所示。
具体的,第一绝缘层124开设有第一过孔V1和第二过孔,第一过孔V1用于暴露第一连接电极41,第二过孔V2在基底11上的正投影与薄膜晶体管在基底11上的正投影不存在重叠区域,第二绝缘层125开设有第三过孔V3,第三过孔V3用于暴露第一过孔V1。
步骤260、在第二绝缘层125远离基底11的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极13和第二连接电极42,以形成包括第一连接电极41、第二连接电极42和第三连接电极43的接地连接点40,并形成第一基板10,具体如图10F所示。
步骤270、提供第二基板20,将第一基板10和第二基板20对盒设置,并填充液晶,形成液晶层50,在接地连接点40远离基底11的一侧形成导电结构30,具体如图3所示。
基于同一发明构思,本申请实施例还提供一种显示装置,包括:显示面板。
其中,显示面板为前述实施例提供的显示面板,其实现原理和实现效果类似,在此不再赘述。
可选地,显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的,在此不做赘述,也不应作为对本申请的限制。
本申请实施例附图只涉及本申请实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
为了清晰起见,在用于描述本申请的实施例的附图中,层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
虽然本申请所揭露的实施方式如上,但所述的内容仅为便于理解本申请而采用的实施方式,并非用以限定本申请。任何本申请所属领域内的技术人员,在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下,可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化,但本申请的专利保护范围,仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种显示面板,其特征在于,相对设置的第一基板和第二基板以及导电结构,所述第一基板包括:基底和设置在基底靠近第二基板的一侧的接地连接点;所述基底包括显示区域和非显示区域;所述接地连接点位于非显示区域;
所述接地连接点的表面不平坦,所述导电结构与所述接地连接点直接接触,且与所述第二基板连接,用于将所述第二基板中的静电导出。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述接地连接点包括:第一连接电极和第二连接电极;
所述第二连接电极设置在所述第一连接电极靠近所述第二基板的一侧,且与所述第一连接电极直接接触,所述第二连接电极在基底上的正投影覆盖所述第一连接电极在基底上的正投影;
其中,所述第一连接电极接地,所述第二连接电极的厚度为700~900埃。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接电极为狭缝电极;
所述狭缝电极包括多个条状电极,所述条状电极的纵向截面呈梯形。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括:位于显示区域的薄膜晶体管和像素电极;
所述第一连接电极与薄膜晶体管的源漏电极同层设置,所述第二连接电极与像素电极同层设置。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括:第一绝缘层和第二绝缘层;
所述第一绝缘层位于所述薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧,所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离基底的一侧;
所述第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔用于暴露所述第一连接电极,所述第二过孔在基底上的正投影与所述薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,所述第二绝缘层开设有第三过孔,所述第三过孔用于暴露所述第一过孔。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述接地连接点还包括:第三连接电极;
所述第三连接电极设置在所述第一连接电极靠近所述基底的一侧,且与所述第一连接电极直接接触。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第三连接电极与薄膜晶体管的栅电极同层设置,且为板状电极。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一基板还包括:第三绝缘层;
所述第三绝缘层位于所述薄膜晶体管的栅电极远离基底的一侧;所述第三绝缘层开设有第四过孔,所述第四过孔用于暴露所述第三连接电极。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电结构包括:导电银浆。
10.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一连接电极包括:第一导电层、第二导电层和第三导电层;
所述第二导电层位于所述第一导电层和所述第三导电层之间,所述第一导电层位于所述第二导电层靠近基底的一侧。
11.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1~10任一项所述的显示面板。
12.一种显示面板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1~10任一项所述的显示面板,所述方法包括:
提供一基底;所述基底包括:显示区域和非显示区域;
在所述基底的非显示区域形成接地连接点,以形成第一基板;
提供第二基板;
将第一基板和第二基板对盒设置;
在所述接地连接点上形成导电结构,所述导电结构与所述接地连接点直接接触,且与所述第二基板连接,用于将所述第二基板中的静电导出。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述在所述基底的非显示区域形成接地连接点包括:
在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极和第一连接电极;
在薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;所述第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔用于暴露所述第一连接电极,所述第二过孔在基底上的正投影与所述薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,所述第二绝缘层开设有第三过孔,所述第三过孔用于暴露所述第一过孔;
在第二绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极和第二连接电极,以形成包括第一连接电极和第二连接电极的接地连接点。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述在所述基底的非显示区域形成接地连接点包括:
在基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅电极和第三连接电极;
在薄膜晶体管的栅电极远离基底的一侧形成第三绝缘层;所述第三绝缘层开设有第四过孔,所述第四过孔用于暴露所述第三连接电极;
在第三绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的源漏电极和第一连接电极;
在薄膜晶体管的源漏电极远离基底的一侧依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;所述第一绝缘层开设有第一过孔和第二过孔,所述第一过孔用于暴露所述第一连接电极,所述第二过孔在基底上的正投影与所述薄膜晶体管在基底上的正投影不存在重叠区域,所述第二绝缘层开设有第三过孔,所述第三过孔用于暴露所述第一过孔;
在第二绝缘层远离基底的一侧通过一次构图工艺同时形成像素电极和第二连接电极,以形成包括第一连接电极、第二连接电极和第三连接电极的接地连接点。
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Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102640041A (zh) * 2009-11-27 2012-08-15 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
CN202905715U (zh) * 2012-09-21 2013-04-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN103149750A (zh) * 2005-12-05 2013-06-12 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件
CN103365009A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 乐金显示有限公司 玻璃上布线型液晶显示器件及其制造方法
CN104460070A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN105467646A (zh) * 2016-01-06 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN105739193A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 乐金显示有限公司 内嵌式触摸液晶显示装置及其制造方法
US20160231604A1 (en) * 2015-02-09 2016-08-11 Omnivision Technologies, Inc. Liquid Crystal On Silicon Panels And Associated Methods
CN106783737A (zh) * 2017-04-07 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN107146857A (zh) * 2017-05-22 2017-09-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置
CN107731854A (zh) * 2017-09-28 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置
CN109192704A (zh) * 2018-09-05 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN109541825A (zh) * 2018-09-30 2019-03-29 重庆惠科金渝光电科技有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板
CN109917596A (zh) * 2019-03-21 2019-06-21 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110071165A (zh) * 2019-05-14 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103149750A (zh) * 2005-12-05 2013-06-12 株式会社半导体能源研究所 液晶显示器件
CN102640041A (zh) * 2009-11-27 2012-08-15 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置
CN103365009A (zh) * 2012-03-29 2013-10-23 乐金显示有限公司 玻璃上布线型液晶显示器件及其制造方法
CN202905715U (zh) * 2012-09-21 2013-04-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN105739193A (zh) * 2014-12-31 2016-07-06 乐金显示有限公司 内嵌式触摸液晶显示装置及其制造方法
CN104460070A (zh) * 2014-12-31 2015-03-25 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
US20160231604A1 (en) * 2015-02-09 2016-08-11 Omnivision Technologies, Inc. Liquid Crystal On Silicon Panels And Associated Methods
CN105467646A (zh) * 2016-01-06 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN106783737A (zh) * 2017-04-07 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
CN107146857A (zh) * 2017-05-22 2017-09-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法和显示装置
CN107731854A (zh) * 2017-09-28 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置
CN109192704A (zh) * 2018-09-05 2019-01-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN109541825A (zh) * 2018-09-30 2019-03-29 重庆惠科金渝光电科技有限公司 一种显示面板的制作方法和显示面板
CN109917596A (zh) * 2019-03-21 2019-06-21 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110071165A (zh) * 2019-05-14 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板

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