CN112994645A - 弹性波器件封装结构 - Google Patents

Abstract

本发明的弹性波器件封装结构，包含具有压电材料的基板、位于所述基板的谐振子形成区域、包括所述谐振子形成区域的弹性波器件、设置于所述弹性波器件且用以形成封闭区域的壁体，及形成于所述壁体并在所述封闭区域与所述壁体共同配合界定出一空洞部的顶壁，所述壁体覆盖所述弹性波器件的部分或全部的所述谐振子形成区域。根据本发明，制作与原有的滤波器组件相同的电极图案的同时，还能实现多种具有相异特性的弹性波器件封装结构。因此，能统一多种弹性波器件的尺寸，并降低采购成本。

Description

弹性波器件封装结构

技术领域

本发明涉及通过在弹性表面波器件的表面设置壁体与顶壁而形成中空结构的弹性波器件封装结构。

背景技术

在如行动电话之类的移动通信设备中，诸如滤波器或双工器的射频装置愈来愈与前端模块(FEM)和功率放大器(PA)等集成在一起，而有作为整合多任务器的前端模块组(FEMiD)和整合多任务器的功率放大器模块(PAMiD)的集成化趋势。这些多芯片模块中，不仅是被封装在模具中的芯片零件，适用于晶圆级封装结构(WLP)制程的芯片级封装结构(CSP)的射频装置被安装的案例也逐渐增加。其中，也有作为WLP-CSP单元的成品而在市面上流通的零件。适用于晶圆级封装结构的芯片级封装结构WLP-CSP，通常具有节省面积与降低高度的优点，而适合作为多芯片模块的零件结构。

例如，专利文献1(特开2004-147220号公报)中描述的弹性表面波装置的芯片级封装，设有形成在基板上并界定出一封闭区域的壁体。在所述封闭区域中，通过所述壁体与顶壁形成一空洞部。换言之，在基板的表面设有IDT电极、反射器，及焊垫，而在设有IDT电极、反射器，及焊垫的基板表面上，还设有通过感光性树脂形成且位于IDT电极的电极指、反射器，及焊垫之外的区域的所述壁体。所述壁体是呈薄膜状的感光性树脂并被所述顶壁覆盖，所述空洞部形成于所述顶壁与所述基板间。用于连接到安装基板的外部端子贯穿所述壁体与所述顶壁并连接位于所述基板上的焊垫。

现有的WLP制程，在所述壁体与所述顶壁的制作过程中尚无法进行功能附加、功能选择、性能提升及性能调整。这是因为现有的WLP制程重视保持与装置特性和性能相关的晶圆状态的功能与性能，因而在所述背景下，无法在谐振子形成区域上形成或设置WLP制程的壁体。

因此，会按照期望的装置特性或性能调整及规格变更，从变更设置在基板表面上的IDT电极及反射器的导体图案的阶段开始而重新设计。借此，每当改变预期的装置特性或性能时，WLP制程前的装置设计变更及装置晶圆制作的作业工时与交货期就会增加。其中，为了降低横向模态的杂讯(spurious)，而调整IDT电极端的电极形状与电极金属的层状构造，往往需要花费更多的工时。再者，一般WLP-CSP的芯片尺寸与弹性表面波装置的芯片尺寸相当。作为示例，安装在标准1109封装结构(1.1mm×0.9m)中的芯片尺寸大约为0.9mm×0.7mm。超出标准尺寸的芯片的封装结构及安装，就需要超出标准尺寸专用的零件，因而让采购的成本上升。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的是提供一种能通过在WLP制程中进行功能附加、功能选择及特性提升，而获得各种功能或特性的弹性波器件封装结构。而且除了所述功能与特性外，也可通过尺寸的标准化而一并达成降低采购成本的目的。

本发明弹性波器件封装结构，包含具有压电材料的基板、位于所述基板的谐振子形成区域、包括所述谐振子形成区域的弹性波器件、设置于所述弹性波器件且用以形成封闭区域的壁体，及形成于所述壁体并在所述封闭区域与所述壁体共同配合界定出一空洞部的顶壁，所述壁体覆盖所述弹性波器件的部分或全部的所述谐振子形成区域。

因此，将所述壁体覆盖于部分或全部的谐振子形成区域，而能实现有和具有原有滤波器功能的弹性波器件封装结构的功效与特性不同的弹性波器件封装结构。因此，可统一多种弹性波器件封装结构的尺寸，并降低采购成本。

并且，为了实现所述弹性波器件封装结构，通过将所述壁体覆盖于部分或全部的谐振子形成区域，可获得与原有滤波器器件的功效和性能不同的装置。因此，能统一作为基底的装置电极图案。换言之，因为借由封装结构的制程中形成壁体的步骤，就能调整功效与特性，而能缩减开发多芯片模块的交货期。

本发明弹性波器件封装结构，所述谐振子形成区域中还具有冗余的谐振子形成区域，所述冗余的谐振子形成区域被所述壁体选择性覆盖，使其失去谐振子的特性。

因此，通过将所述壁体覆盖于一部份的谐振子形成区域，而让被所述壁体覆盖的部分失去运作弹性波的功效。借此，通过覆盖所述壁体，而能在不被所述壁体覆盖的谐振子形成区域上实现不同的功效，以降低采购成本。

本发明弹性波器件封装结构，所述壁体所覆盖的谐振子形成区域是覆盖有IDT电极的区域，所述IDT电极被所述壁体覆盖而形成电容。

借此，因为通过以所述壁体覆盖一部分的用于滤波器器件的IDT电极能形成电容器，所以能实现毋须个别设计具有不同尺寸的电容器的弹性波器件封装结构。因此，能实现与不被所述壁体覆盖的IDT电极通用，且具有电容器的功效的弹性波器件封装结构，并能降低采购成本。

本发明弹性波器件封装结构，所述弹性波器件还包括设置于所述谐振子形成区域的IDT电极与反射器，所述壁体覆盖至少一所述反射器的部分区域。

因此，借由将所述壁体覆盖于至少一所述反射器的部分区域，而能改变滤波器器件的谐振子的功效，而毋须针对具有不同电极结构的弹性波器件封装结构制备其他芯片。借此，能统一弹性波器件的晶圆与封装结构，并降低采购成本。

本发明弹性波器件封装结构，所述反射器具有对向设置的汇流条与多个连接在所述汇流条间的电极，所述反射器邻接于所述IDT电极，在所述反射器中，至少部分邻近汇流条的电极的部分区域被所述壁体覆盖而形成第一特性调整区域与第二特性调整区域，靠近所述IDT电极之一侧的所述第一特性调整区域与所述第二特性调整区域的间距，比远离所述IDT电极之一侧的所述第一特性调整区域与所述第二特性调整区域的间距还宽。

因此，借由让特性调整区域的相反两侧产生倾斜，在所述反射器的电极被覆盖的区域中，能降低从汇流条反射的弹性表面波的横向杂讯。

本发明弹性波器件封装结构，所述弹性波器件还包括设置于所述谐振子形成区域的IDT电极，所述IDT电极具有对向设置的第一汇流条、第二汇流条，及多个从所述第一汇流条往所述第二汇流条方向延伸的第一电极指，及多个从所述第二汇流条往所述第一汇流条方向延伸的第二电极指，所述第一汇流条与所述第二汇流条被所述壁体覆盖，所述第一电极指与所述第二电极指的部分区域被所述壁体覆盖而作为特性调整区域。

因此，通过让所述壁体覆盖一部分的电极指，能改变滤波器组件的谐振子的功效，而毋须针对具有不同电极结构的弹性波器件封装结构而制备其他芯片。因此，能统一弹性波器件的晶圆与封装结构，并降低采购成本。

本发明弹性波器件封装结构，所述特性调整区域是由被所述壁体覆盖的所述第一电极指的基端部与所述第二电极指的基端部形成。

因此，借由将所述壁体覆盖于IDT电极的基端部，能让基端部的弹性表面波的传播方向的速度变慢。因此，能实现可抑制横向模态的模式。借此，能抑制器件的横向模态杂讯，而提升弹性波器件的性能。并且，为了达成所述活塞模式，借由在多个谐振子形成区域中设置一部分或全部以所述壁体覆盖的区域，而能实现与IDT电极的基本图案相同且具有对应于用途的滤波器功效的弹性波器件封装结构。

本发明弹性波器件封装结构，所述特性调整区域包括被所述壁体覆盖的从第一汇流条至第二电极指的前端部的区域，与从第二汇流条至第一电极指的前端部的区域。

因此，通过以所述壁体覆盖所述IDT电极的电极指的前端部，能使所述前端部中弹性表面波的传播方向的速度，低于所述电极指交差排列的区域。借此，能实现抑制横向模态杂讯的活塞模式。因此，能抑制横向模态杂讯，并提升提升弹性波器件的性能。并且，为了达成所述活塞模式，借由在多个谐振子形成区域中设置一部分或全部以所述壁体覆盖的区域，而能实现与IDT电极的基本图案相同且具有对应于用途的滤波器功效的弹性波器件封装结构。

本发明弹性波器件封装结构，所述特性调整区域包括被所述壁体覆盖的所述第一电极指与所述第二电极指的各个前端部区域。

因此，通过以所述壁体覆盖所述IDT电极的电极指的前端部，能实现抑制横向模态杂讯的活塞模式。借此，能抑制横向模态杂讯，并提升弹性波器件的性能。并且，为了达成所述活塞模式，借由在多个滤波器组件中设置一部分或全部以所述壁体覆盖的区域，而能实现与IDT电极的基本图案相同，通过WLP制程提升滤波器性能的弹性波器件封装结构。本发明弹性波器件封装结构，所述壁体与所述顶壁的至少其中之一是由感光性树脂制成。

因此，通过以感光性树脂形成所述壁体或所述顶壁的至少其中之一，而能容易地以光刻技术制作上述结构。

本发明的有益效果在于：根据本发明，制作与原有的滤波器组件相同的电极图案的同时，还能实现多种具有相异特性的弹性波器件封装结构。因此，能统一多种弹性波器件的尺寸，并降低采购成本。

附图说明

本发明的其他的特征及功效，将于参照图式的实施方式中清楚地呈现，其中：

图1为本发明弹性波器件封装结构的第一实施例的谐振子形成区域的俯视图；

图2为图1沿A-A的该第一实施例的弹性波器件封装结构的剖视图；

图3为图1的弹性波器件封装结构中，被壁体覆盖的区域的俯视图；

图4为图3沿B-B的剖视图；

图5为图3沿C-C的剖视图；

图6至图13为该第一实施例的弹性波器件封装结构的制造流程的一个示例；

图14为本发明弹性波器件封装结构的第二实施例的组件与汇流条配置的俯视图；

图15为图14的弹性波器件封装结构的电路图；

图16为图14的弹性波器件封装结构的组件的部分电极配置俯视图；

图17为该第二实施例的壁体的形成区域的俯视图；

图18为图17的部分放大图；

图19为图18沿D-D的剖视图；

图20为本发明弹性波器件封装结构的第三实施例的俯视图；

图21为图20沿E-E的剖视图；

图22为本发明弹性波器件封装结构的第四实施例的壁体的形成区域的俯视图；

图23为图22的部分放大图；

图24为图23沿F-F的剖视图；

图25为本发明弹性波器件封装结构的第五实施例的壁体的形成区域的俯视图；

图26为图25的部分放大图；

图27为图26沿G-G的剖视图；及

图28为本发明实施例的电极图案的其他示例的俯视图。

具体实施方式

<第一实施例>

图1至图13说明本发明弹性波器件封装结构1的第一实施例。图1显示该第一实施例的弹性波器件封装结构1中谐振子形成区域的配置，图2显示图1沿A-A的该第一实施例的内部结构。但在图1的封装结构中，省略了用于形成空洞部的顶壁。所述弹性波器件封装结构1被设计成适用于晶圆级封装结构(WLP)的芯片级封装结构。

所述弹性波器件封装结构1包含具有作为基板(晶圆)且包含压电材料的基板2。也就是说，所述基板2不只是压电材料，而是由压电材料和其他材料层叠而构成。如图1所示，所述基板2上设有谐振子形成区域3A～3D与焊垫5。谐振子形成区域3A～3D，如图2中作为代表示例的谐振子形成区域3B，在所述基板2上设有IDT电极4、汇流条(图未示)，及作为反射器的电极。

形成所述谐振子形成区域3A～3D的基板2上，设有用以形成封闭区域的壁体6。所述壁体6的上方设有顶壁7。所述壁体6形成的封闭领域中，具有形成于所述顶壁7与所述基板2间的空洞部8，即顶壁7在所述封闭区域与所述壁体6共同配合界定出空洞部8。如图1所示，所述壁体6设置在谐振子形成区域3A～3D与焊垫5之外的区域。所述弹性波器件封装结构1还包含用于将所述弹性波器件封装结构1安装至一安装基板(图未示)的外部连接端子(Bump)9，所述外部连接端子9贯通顶壁7与壁体6，并连接于设有底层金属5a的焊垫5。

在该第一实施例中，通过让所述壁体6覆盖部分或全部的谐振子形成区域3A～3D，而改变整体的功能与特性。如图3所示，在谐振子形成区域3A～3D中，以实线标示的谐振子形成区域3B与谐振子形成区域3C并未被所述壁体6覆盖，而以虚线标示的谐振子形成区域3A与谐振子形成区域3D则完全被所述壁体6覆盖。

图4为图3沿B-B的剖面图，显示在谐振子形成区域3C上不被所述壁体6覆盖的区域具有一空洞部的状态。另外，图5是图3沿C-C的剖面图，显示在谐振子形成区域3D上被所述壁体6覆盖的区域不具有所述空洞部的状态。换言之，在该第一实施例中，通过以所述壁体6覆盖谐振子形成区域3A与谐振子形成区域3D，消除了谐振子传播表面波的功能。也就是说，谐振子形成区域3A与谐振子形成区域3D是冗余的区域，不具有弹性波器件的功能。另一方面，未被所述壁体6覆盖的谐振子形成区域3B与谐振子形成区域3C，保留了原本谐振子的功能。失去弹性波器件功能的谐振子形成区域3A与谐振子形成区域3D是覆盖有IDT电极的区域，所述IDT电极被所述壁体6覆盖而例如可以作为电容使用。

图6至图13说明该第一实施例的制作流程的一个示例。图6显示设有所述IDT电极4与所述焊垫5的所述基板2。要注意的是，所述基板2的材料可以是钽酸锂或铌酸锂。所述IDT电极4、所述焊垫5、反射器(图未示)及汇流条(配线)可以通过微影制程制作。上述IDT电极4与焊垫5等的材料，例如可以是金、铜、铝，或其合金。

如图6所示，在设有所述IDT电极4的基板2上黏附有用于形成所述壁体6的感光性树脂薄膜6X。为了形成所述壁体6，也可以不黏附所述薄膜，而以涂布感光性树脂作为替代。接着如图7所示，通过光罩(图未示)对所述感光性树脂薄膜6X曝光。之后通过显影形成所述壁体6的封闭区域。换言之，如图8所示，在所述感光性树脂薄膜6X中，受到光照射的区域会被保留，而未受光照射的区域会形成空洞6a及空洞6b。所述空洞6a选择性地形成于对应所述谐振子形成区域3A～3D的部分区域。所述空洞6b形成于对应所述焊垫5的区域。

如图3所示，在谐振子形成区域3B与谐振子形成区域3C形成所述空洞6a。另外，在谐振子形成区域3A与谐振子形成区域3D并未形成所述空洞6a。

接着如图9所示，在所述壁体6上黏附用于形成顶壁7的感光性树脂薄膜7X。然后如图10所示，通过光罩(图未示)对所述感光性树脂薄膜7X曝光。这里，没有被曝光的部分、也就是要被去除的感光性树脂薄膜7X的部分，与对应于图8中所述壁体6上的所述焊垫5所形成的空洞6b吻合。之后，通过显影而如图11所示地，在所述顶壁7对应于所述壁体6的空洞6b的部分形成空洞7a。

在设置所述空洞7a后，如图12所示，在设有空洞7a的焊垫5上设置外部连接端子9的底层金属5a。然后，通过金属网板10在所述顶壁7上涂布焊锡膏9X，而在所述顶壁7的空洞7a中填充焊锡膏。之后，借由回焊，如图13所示地，焊锡膏9X变成焊锡而形成外部连接端子9。接着，借由切割制程切分成多个封装结构。各个封装结构搭载于保护胶带(图未示)而能够被保管或运送。

在本第一实施例中，通过使用具有共通电极图案的晶圆、变更所述壁体6的图案、选择让所述壁体6部分覆盖、全部覆盖或不覆盖所述谐振子形成区域，而实现具有与原来的器件不同的功能与特性的弹性波器件封装结构，并能达成功能的附加与变更。因此，针对多种弹性波器件，可实现尺寸的规格化。借此，可使用规格化的保护胶带作为保管与运送多种弹性波器件封装结构的方法，因而能降低采购成本。

并且，制作所述弹性波器件封装结构时，不限于具有单一功能与特性的器件，也可以是具有多重功能与特性的器件，例如，制作冗余的谐振子形成区域3A与谐振子形成区域3D，所述壁体6选择性地部分或全部覆盖所述冗余的谐振子形成区域，可实现具有与原来的器件不同的功能与特性的器件。因此，可统一作为基准的器件的电极图案。换言之，由于具有形成所述壁体的封装结构制程能够调整器件的功能与特性，因此能缩短多芯片模块开发的交货期。

以下说明交货期的缩短。因为弹性波器件的功能和性能是在晶圆制程中制作的，与其他的芯片一同安装在安装基板上成为多芯片模块的弹性波器件封装结构后，通过评估得以让不良与改善点明确化。也就是说，在多次重复如下所示的开发流程后完成最终的产品。

第1阶段；芯片设计

第2阶段；制作用于晶圆制作的光罩

第3阶段；器件晶圆制造

第4阶段；组合工程(WLP)

第5阶段；模块安装

第6阶段；模块功能和性能的评估

在该第一实施例中，谐振子形成区域的电极图案是相同的，通过在封装阶段(第4阶段)中选择性覆盖器件的电极，得以调整功能和特性。因此，在调整功能和特性的过程中，第1步骤到第3步骤的制程可以被省略，反复试验的流程可以缩减至第4阶段到第6阶段。也就是说，图6之前的制程可以被统一，借由图6至图8的制程进行功能的选择与特性的调整，而能获得不同的功能与特性。因此能缩减开发的交货期。

<第二实施例>

图14至图19说明本发明弹性波器件封装结构的第二实施例。该第二实施例示例一种设置在移动电话等移动通信设备的前端模块中的滤波器。如图14所示，在包括压电材料的基板2上，设置连接在谐振子形成区域3E与谐振子形成区域3F、外部连接端子9A～9F、谐振子形成区域3E与谐振子形成区域3F相互之间、以及谐振子形成区域3E与谐振子形成区域3F和外部连接端子9A～9F中的任一的汇流条13a～13i。图15为图14的等效电路图。

如图14所示，谐振子形成区域3E设有IDT电极14a～14c、反射器15a及反射器15b。并且，谐振子形成区域3F设有IDT电极14d～14f、反射器15c及反射器15d。该第二实施例的弹性波器件具有信号接收端的滤波器的构造。并且，所述外部连接端子9A连接于天线(图未示)、所述外部连接端子9F连接于信号接收电路，其他的外部连接端子9B～9E接地。所述弹性波器件也可以使用信号接收端滤波器或其他滤波器功能所必需的电路。

图16显示该第二实施例的弹性波器件封装结构的组件的部分电极配置。该第二实施例中的反射器15a，是由多个等距且互相平行地设置在所述汇流条13c与所述汇流条13d间的线状的电极150构成。如图14所示的其他反射器15b～15d也具有同样的构造。所述IDT电极14a由多个从汇流条13c延伸的电极指140，与多个从汇流条13e延伸的电极指141交错平行排列的梳状电极构成。IDT电极14b由多个从汇流条13a(第一汇流条)延伸的电极指140(第一电极指)，与多个从汇流条13b(第二汇流条)延伸的电极指141(第二电极指)交错平行排列的梳状电极构成。其他的IDT电极14c～14f也具有同样的构造。

图17至图19示例说明通过以所述壁体6覆盖部分的反射器15a～15d的电极150，可以改变由谐振子形成区域3E与谐振子形成区域3F构成的滤波器组件的特性。在该第二实施例中，如图18与图19所示，反射器15a～15d的电极150在其邻近汇流条13c(第1汇流条)与汇流条13d(第2汇流条)的两端部，分别设有被所述壁体6覆盖而形成的特性调整区域6c(第1特性调整区域)与特性调整区域6d(第2特性调整区域)。如图18所示，分别形成于汇流条13c与汇流条13d上的特性调整区域6c与特性调整区域6d间的间距，呈现邻近所述IDT电极14a的一侧较宽，远离所述IDT电极14a的一侧较窄的锥型分布。换言之，特性调整区域6c的对向边6c1与特性调整区域6d的对向边6d1是沿弹性表面波传播的垂直方向倾斜α角的方向延伸。图19的W1表示图18沿D-D的剖面中所述壁体6覆盖于所述反射器15a的电极150的两端部中一者的宽度。所述宽度W1在所述反射器15a靠近所述IDT电极14a的一侧较宽。

因此，通过所述对向边6c1与对向边6d1倾斜，及所述壁体6覆盖所述反射器15a～15d的电极150，可降低从汇流条13c与汇流条13d反射的横向杂讯。换言之，只要图18中汇流条13c与汇流条13d的间隔为使用的波长的整数倍，就会产生横向模态的驻波。借此，能在滤波器的通过区域中产生扰动，因而让从汇流条13c与汇流条13d产生的反射波无法抵达对向侧，因为无法产生驻波，而能够防止横向模态的杂讯发生。通过特性调整区域6c与特性调整区域6d的设置，能实现对应于用途特性的滤波器。此外，在反射器15a中连接于所述电极指150两端的汇流条13c与汇流条13d间也可以是电绝缘的。反射器15c～15d也同样。

<第三实施例>

图20与图21说明本发明弹性波器件封装结构的第三实施例。该第三实施例在IDT电极14a与IDT电极14b中设有特性调整区域6e、6f，特性调整区域6e是指所述壁体6部分覆盖电极指140的基端部140a的区域，特性调整区域6f是指所述壁体6部分覆盖电极指141的基端部141a的区域。在图21中，所述壁体6不仅覆盖汇流条13a与汇流条13b，还横跨覆盖电极指140的基端部140a与电极指141的基端部141a，且其横跨的宽度均为W2。

因此，以所述壁体6覆盖汇流条、电极指140的基端部140a及电极指141的基端部141a设置特性调整区域6e与特性调整区域6f，可以降低特性调整区域6e与特性调整区域6f中弹性表面波的速度。借此，可抑制从电极指140与电极指141交错排列的区域Y，往汇流条13a、汇流条13b、汇流条13c及汇流条13e泄漏弹性表面波。结果，通过特性调整区域6e与特性调整区域6f的设置，得以实现电极指交错排列的区域Y中统一弹性表面波的活塞模式，并使Q值得以提升。此外，所述特性调整区域6e与特性调整区域6f可以设置在IDT电极14a～14f的其中一部分或全部上。

<第四实施例>

图22、图23及图24说明本发明弹性波器件封装结构的第四实施例。在该第四实施例中，谐振子形成区域14a～14c中的一部分设有特性调整区域6g与特性调整区域6h。换言之，如图23与图24所示地，从汇流条13a到电极指141的前端部141b覆盖有所述壁体6的特性调整区域6g。同样地，从汇流条13b到电极指140的前端部140b覆盖有所述壁体6的特性调整区域6h。在图24中，从汇流条13a与汇流条13b开始分别设有横跨宽度为W3的特性调整区域6g与特性调整区域6h。也就是说，从汇流条13a往临近于电极指141的前端部141b方向上的横跨宽度W3的区域被所述壁体6覆盖。同样地，从汇流条13b往临近于电极指140的前端部140b方向上的横跨宽度W3的区域被所述壁体6覆盖。

通过所述特性调整区域6g与特性调整区域6h的设置实现了活塞结构，而能降低所述电极指140的前端部140b与所述电极指141的前端部141b中弹性表面波的声速。相较于该第三实施例，该第四实施例更能实现活塞结构的效果。因此，能抑制从电极指140与电极指141交错排列的区域Y往汇流条13a与汇流条13b泄漏弹性表面波的杂讯，并能进一步提升Q值。此外，所述特性调整区域6g与特性调整区域6h可以设置在IDT电极14a～14f的其中一部分或全部上。

<第五实施例>

图25、图26及图27说明本发明弹性波器件封装结构的第五实施例。该第五实施例，借由将所述壁体6沿弹性表面波传播方向、也就是沿垂直方向，延伸覆盖在该谐振子形成区域15a的该IDT电极14a的电极指140的前端部140b及电极指141的前端部141b上，而形成覆盖有带状或线状的所述壁体6的特性调整区域6j与特性调整区域6i。

因此，借由以所述壁体6覆盖于电极指140的前端部140b及电极指141的前端部141b而分别形成的特性调整区域6j与特性调整区域6i的设置，而实现活塞结构，可降低所述前端部140b与前端部141b中的弹性表面波的速度。因此，与该第四实施例相同，可抑制从电极指140与电极指141交错排列的区域Y往汇流条泄漏弹性表面波的杂讯，并能进一步提升Q值。此外，所述特性调整区域6j与特性调整区域6i可以设置在IDT电极14a～14f的其中一部分或全部上。

前述第三到第五实施例并没有像例如特许第5221616号公报中记载的活塞结构那样变更电极指的前端部的厚度或是附加其他金属材料，就能降低横向模态的杂讯。换言之，没有附加金属材料，仅通过变更以感光性树脂型的壁体6图案就能实现活塞结构，而能得到抑制器件制造成本的功效。

图28是本发明实施例采用的IDT电极的其他示例。在该示例中，从汇流条13a延伸形成的相邻两个电极指140间设有短电极指140c。同样地，从汇流条13b延伸形成的相邻两个电极指141间设有短电极指141c。从汇流条13b延伸的短电极指141c，和对应的从汇流条13a延伸的电极指140的前端部140b间有一微小的间距。

借由如图28所示的电极结构的设置，可降低电极构造本身的横向模态杂讯。前述第一至第五实施例也可使用所述电极结构。所述短电极指140c及短电极指141c的长度，也可以沿所述电极指140与电极指141的排列方向变化。在所述短电极指140c及短电极指141c的长度变化的情况下，分别与所述短电极指140c及短电极指141c相对的电极指141与电极指140的长度，也会沿所述电极指141与电极指140的排列方向变化。

上述实施例以适用于晶圆级封装结构(WLP)制程的芯片级封装结构(CSP)示例，但本发明也可以实施在所述WLP以外的具有密封的中空结构的零件。

以上所述者，仅为本发明的实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即凡依本发明权利要求书及说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明的范围。

Claims (10)

1.一种弹性波器件封装结构，其特征在于：所述弹性波器件封装结构包含具有压电材料的基板、位于所述基板的谐振子形成区域、包括所述谐振子形成区域的弹性波器件、设置于所述弹性波器件且用以形成封闭区域的壁体，及形成于所述壁体并在所述封闭区域与所述壁体共同配合界定出一空洞部的顶壁，所述壁体覆盖所述弹性波器件的部分或全部的所述谐振子形成区域。

2.根据权利要求1所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述谐振子形成区域中还具有冗余的谐振子形成区域，所述冗余的谐振子形成区域被所述壁体选择性覆盖。

3.根据权利要求2所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述壁体所覆盖的谐振子形成区域是覆盖有IDT电极的区域，所述IDT电极被所述壁体覆盖而形成电容。

4.根据权利要求1所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述弹性波器件还包括设置于所述谐振子形成区域的IDT电极与反射器，所述壁体覆盖至少一所述反射器的部分区域。

5.根据权利要求4所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述反射器具有对向设置的汇流条与多个连接在所述汇流条间的电极，所述反射器邻接于所述IDT电极，在所述反射器中，至少部分邻近汇流条的电极的部分区域被所述壁体覆盖而形成第一特性调整区域与第二特性调整区域，靠近所述IDT电极之一侧的所述第一特性调整区域与所述第二特性调整区域的间距，比远离所述IDT电极之一侧的所述第一特性调整区域与所述第二特性调整区域的间距宽。

6.根据权利要求1所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述弹性波器件还包括设置于所述谐振子形成区域的IDT电极，所述IDT电极具有对向设置的第一汇流条、第二汇流条，及多个从所述第一汇流条往所述第二汇流条方向延伸的第一电极指，及多个从所述第二汇流条往所述第一汇流条方向延伸的第二电极指，所述第一汇流条与所述第二汇流条被所述壁体覆盖，所述第一电极指与所述第二电极指的部分区域被所述壁体覆盖而作为特性调整区域。

7.根据权利要求6所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述特性调整区域是由被所述壁体覆盖的所述第一电极指的基端部与所述第二电极指的基端部形成。

8.根据权利要求6所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述特性调整区域包括被所述壁体覆盖的从第一汇流条至第二电极指的前端部的区域，与从第二汇流条至第一电极指的前端部的区域。

9.根据权利要求6所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述特性调整区域包括被所述壁体覆盖的所述第一电极指的前端部区域与所述第二电极指的前端部区域。

10.根据权利要求1至9中任一项权利要求所述的弹性波器件封装结构，其特征在于：所述壁体与所述顶壁的至少其中之一是由感光性树脂制成。

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