CN112992884A - 显示模组、其制作方法及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种显示模组、其制作方法及电子设备。该制备方法包括提供背板，于背板上形成第一子金属层；提供外延结构，包括衬底和设于衬底的半导体结构；于半导体结构背离衬底的一侧形成平坦化层，并对平坦化层进行图案化处理；于平坦化层上形成第二子金属层；其中，第二子金属层透过各第一过孔与半导体结构电连接；透过第一子金属层和第二子金属层将外延结构和背板键合，并将衬底去除；对半导体结构进行图案化处理，以形成多个互相分离的发光单元；其中，发光单元在背板上的投影与第一过孔在背板上的投影有交叠。本申请的制作方法无需进行巨量转移，避免了巨量转移过程中引起对位精度不准确的问题，制得的显示模组具有高的光提取率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及显示模组、其制作方法及电子设备。
背景技术
现有的显示模组通常是先制备一个个的发光单元例如发光二极管(LED)、微发光二极管(Micro LED)及迷你发光二极管(Mini LED)等，再将发光单元通过巨量转移，焊接至背板电路(电路板)上，形成设有阵列排布的多个发光单元的显示模组，而巨量转移过程中由于发光单元尺寸较小，特别是Micro LED，容易引起对位精度不准确。此外，现有的发光单元出光效率低。
因此，如何解决巨量转移过程的对应精度差的问题，以及发光单元出光效率低的问题是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供显示模组的制作方法，旨在解决现有的发光单元巨量转移过程中对位精度差，发光单元出光效率低的问题。
此外，本申请实施例还提供一种显示模组。
此外，本申请实施例还提供一种电子设备。
本申请实施例提供一种显示模组的制作方法，其包括：
提供一背板，并于所述背板上形成一第一子金属层；
提供一外延结构，所述外延结构包括衬底和设于所述衬底上的半导体结构；
于所述半导体结构背离所述衬底的一侧形成一平坦化层，并对所述平坦化层进行图案化处理以形成若干贯穿所述平坦化层的第一过孔；
于所述平坦化层上形成一第二子金属层；其中，所述第二子金属层透过各所述第一过孔与所述半导体结构电连接；
透过所述第一子金属层和所述第二子金属层将所述外延结构和所述背板键合，并将键合完成后的所述外延结构中的所述衬底去除；
对所述半导体结构进行图案化处理，以形成多个互相分离的发光单元；其中，一所述发光单元在所述背板上的投影与一所述第一过孔在所述背板上的投影有交叠。
可选地，还包括：
在所述背板上沉积一掩膜层，并对所述掩膜层进行图案化处理以使相邻发光单元之间的平坦化层部分露出；
在图案化后的所述掩膜层的遮蔽下，对所述平坦化层和键合后的所述第一子金属层、第二子金属层进行刻蚀。
可选地，还包括：
于所述背板上形成一绝缘保护层；其中，所述绝缘保护层覆盖所述发光单元、所述平坦化层及所述第二子金属层；
对所述绝缘保护层进行图案化处理以使所述发光单元背离所述基板一侧的表面部分露出；
在所述背板上形成一导电层，所述导电层透过露出的表面与所述发光单元电连接。
可选地，所述形成平坦化层的步骤之前，还包括：
于所述半导体结构背离所述衬底的一侧形成一欧姆接触层；所述对所述平坦化层和键合后的所述第一子金属层、第二子金属层进行刻蚀还包括对所述欧姆接触层进行刻蚀。
可选地，所述将键合完成后的所述外延结构中的所述衬底去除的步骤包括：
采用湿法刻蚀工艺将键合完成后的所述外延结构中的所述衬底去除。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示模组，其包括：
一背板；所述背板上设有一第一子金属层；以及
一外延结构；所述外延结构上设有一第二子金属层；所述背板与所述外延结构透过所述第一子金属层和所述第二子金属层键合；
其中，所述外延结构还包括一平坦化层和设于所述平坦化层上的半导体结构，所述平坦化层位于所述第二子金属层背离所述第一子金属层一侧，所述半导体结构透过若干贯穿所述平坦化层的过孔与所述第二子金属层电连接。
可选地，还包括：
一欧姆接触层，所述欧姆接触层形成于所述平坦化层与所述半导体结构之间；所述半导体结构经由所述欧姆接触层和所述过孔与所述第二子金属层电连接。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示模组，其包括：
一背板；以及
多个发光单元，各所述发光单元阵列设置于所述背板的一侧表面；
其中，所述发光单元包括依次叠设于所述背板上的金属反射部、平坦化部及半导体结构部，所述半导体结构部透过贯穿所述平坦化部的第一过孔与所述金属反射部电连接。
可选地，所述发光单元还包括：
一欧姆接触部，所述欧姆接触部形成于所述平坦化部与所述半导体结构部之间；所述半导体结构部经由所述欧姆接触部和所述第一过孔与所述第二子金属层电连接。
可选地，还包括：
一绝缘保护层，形成并覆盖于各所述发光单元上。
可选地，还包括：
一导电层，形成于所述绝缘保护层上，并透过若干贯穿所述绝缘保护层的第二过孔分别与各所述发光单元电连接，各所述发光单元透过所述导电层实现互连。
可选地，所述金属反射部包括依次叠设于所述背板上的第一子金属层和第二子金属层。
可选地，所述背板包括若干第一电极，所述第一电极与所述金属反射部电连接。
可选地，所述背板还包括若干第二电极，所述第二电极与所述导电层电连接。
可选地，所述半导体结构部包括依次层叠设置的第一半导体部、发光部及第二半导体部，所述第一半导体部与所述金属反射部电连接。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括本申请所述的显示模组。
本申请的显示模组的制作方法，通过第一子金属层和第二子金属层将半导体结构键合至背板，再进行图形化，形成多个发光单元，从而省略了巨量转移的步骤，有效避免了巨量转移过程中引起对位精度不准确的问题。同时，第二子金属层与平坦化层形成了全方位反射镜结构，可以更多的将出射至第二子金属层的光线反射回去，使得制得的显示模组具有更好的光提取率。
附图说明
图1为本申请一实施例的显示模组的制作方法的流程示意图。
图2为本申请实施例的显示模组的制作方法的流程图。
图3为本申请又一实施例的显示模组的制作方法的流程示意图。
图4为本申请又一实施例的显示模组的制作方法的流程图。
图5本申请实施例的显示模组的剖视结构示意图。
图6本申请又一实施例的显示模组的剖视结构示意图。
图7为本申请图6实施例的显示模组的俯视结构示意图。
图8为本申请实施例的电子设备的结构示意图。
附图标记说明：
300-显示模组 351-金属反射部
310-背板 353-平坦化部
301-第一过孔 355-半导体结构部
311-第一子金属层 35a-第一半导体部
312-第一电极 35b-发光部
314-第二电极 35c-第二半导体部
330-外延结构 357-欧姆接触部
331-衬底 332-第二子金属层
333-半导体结构 334-平坦化层
3331-第一半导体层 336-欧姆接触层
3333-发光层 370-绝缘保护层
3335-第二半导体层 390-导电层
350-发光单元 400-电子设备
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
现有的显示模组通常是先制备一个个的发光单元例如发光二极管(LED)、微发光二极管(Micro LED)及迷你发光二极管(Mini LED)等，再将发光单元通过巨量转移，焊接至背板电路(电路板)上，形成设有阵列排布的多个发光单元的显示模组，而巨量转移过程中由于发光单元尺寸较小，特别是Micro LED，容易引起对位精度不准确。此外，现有的发光单元由于尺寸小，导致出光效率低。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
请参见图1和图2，本申请第一方面第一实施例提供的显示模组300的制作方法包括：
S101，提供一背板310，并于背板310上形成一第一子金属层311；
可选地，背板310为(Under Bump Metallurgy，凸点下金属层)背板310。第一子金属层311包括但不限于包括依次层叠设置的铬层(Cr)、铂层(Pt)及金层(Au)。
可选地，第一子金属层311可以通过但不限于通过溅射、蒸镀等方式进行制备。
S102，提供一外延结构330，外延结构330包括衬底331和设于衬底331上的半导体结构333；
可选地，衬底331可以为但不限于为GaAs(砷化镓)衬底331。
可选地，半导体结构333包括依次叠设的第一半导体层3331、发光层3333及第二半导体层3335，第二半导体层3335相较于第一半导体层3331靠近衬底331设置。在一实施例中，第一半导体层3331为P型半导体层，第二半导体层3335为N型半导体层，发光层3333可以为但不限于为双异质结或量子阱结构。可选地，发光层3333可以包括但不限于包括AlGaInP、InGaP、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN中的一种或多种。
S103，于半导体结构333背离衬底331的一侧形成一平坦化层334，并对平坦化层334进行图案化处理以形成若干贯穿平坦化层334的第一过孔301；
可选地，平坦化层334可以为但不限于为无机绝缘层。无机绝缘层可以为但不限于为二氧化硅(SiO2)、SiNx、SiO及TiO2，本申请不作具体限定。当平坦化层334为二氧化硅时，还可以增加下述第二子金属层332与欧姆接触层336之间的粘着力，防止平坦化层334与下述的第二子金属层332形成的全方位反射镜结构出现剥落(peeling)的问题。此外，平坦化层334还可以改善第二子金属层332表面的不平整现象。
可选地，平坦化层334可以采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)进行制备。
可选地，可以采用第一道黄光和蚀刻技术等方法，对平坦化层334进行刻蚀，在平坦化层334上形成阵列排布的多个第一过孔301。具体地，黄光工艺包括但不限于匀胶、曝光、显影等步骤。
S104，于平坦化层334上形成一第二子金属层332；其中，第二子金属层332透过各第一过孔301与半导体结构333电连接；
可选地，通过蒸镀、溅射等方式在平坦化层334背离衬底331的表面制备第二子金属层332，并使第二子金属层332填充第一过孔301，以使第二子金属层332与半导体结构333的第一半导体层3331(P型半导体层)电连接。
第二子金属层332包括依次层叠设置的多层金属层，在一具体实施例中，第二子金属层332包括依次层叠设置的铬层(Cr)、铂层(Pt)及金层(Au)。采用铬层(Cr)、铂层(Pt)及金层(Au)作为第二子金属层332，第二子金属层332与平坦化层334形成了全方位反射镜结构(omni-directional reflector，ODR)，可以更多的将出射至第二子金属层332的光线反射回去，使得制得的显示模组300具有更好的光提取率。
应该理解，步骤S101与步骤S102-S104之间没有顺序之分，步骤S101可以放在步骤S102之前，也可以放在步骤S104之后。
S105，透过第一子金属层311和第二子金属层332将外延结构330和背板310键合，并将键合完成后的外延结构330中的衬底331去除；
具体地，可经由第一子金属层311和第二子金属层332将外延结构330与背板310通过金属键合的方式结合，随后可再采用湿法刻蚀工艺将键合完成后的外延结构330中的衬底331去除。示例性地，金属键合可以包括先将具有第一子金属层311的背板310和具有第二子金属层332的外延结构330预对准，再通过一键合装置(图未示)对外延结构330或背板310施加适当压力，再放进退火炉中退火。退火时，可在预定保护气氛下进行，并设置升温速率、退火温度、退火时间、降温速率等。在退火过程中，金属间、金属与半导体间发生扩散、互熔融等，通过金属键、共价键、氢键、范德华力、熔融流体力或原子扩散等牢靠地键合在一起。
S106，对半导体结构333进行图案化处理，以形成多个互相分离的发光单元350；其中，一发光单元350在背板310上的投影与一第一过孔301在背板310上的投影有交叠。
具体地，采用黄光工艺及Mesa(台阶)刻蚀方法进行刻蚀，形成阵列排布于背板310一侧的多个发光单元350。
本申请的显示模组300的制作方法，通过第一子金属层311和第二子金属层332将半导体结构333键合至背板310，再进行图形化，形成多个发光单元350，从而省略了巨量转移的步骤，有效避免了巨量转移过程中引起对位精度不准确的问题。同时，第二子金属层332与平坦化层334形成了全方位反射镜结构，可以更多的将出射至第二子金属层332的光线反射回去，使得制得的显示模组300具有更好的光提取率。
请参见图3和图4，本申请第一方面第二实施例提供的显示模组300的制作方法包括：
S201，提供一背板310，并于背板310上形成一第一子金属层311；
S202，提供一外延结构330，外延结构330包括衬底331和设于衬底331上的半导体结构333；
步骤S201和步骤S202与第一实施例相同的部分，请参见上述第一实施例的描述，在此不再赘述。
S203，于半导体结构333背离衬底331的一侧形成一欧姆接触层336；
具体地，在半导体结构333的第一半导体层3331背离衬底331的表面形成欧姆接触层336。
具体地，欧姆接触层336可以为氧化铟锡(ITO)层。欧姆接触层336使得第一半导体层3331与下述的第二子金属层332之间形成欧姆接触，这样有利于电流的输入和输出，可以有效降低第二子金属层332与第一半导体层3331之间的阻抗。
S204，于欧姆接触层336背离衬底331的一侧形成一平坦化层334，并对平坦化层334进行图案化处理以形成若干贯穿平坦化层334的第一过孔301；
S205，于平坦化层334上形成一第二子金属层332；其中，第二子金属层332透过各第一过孔301与半导体结构333电连接；
应该理解，步骤S201与步骤S202-S205之间没有顺序之分，步骤S201可以放在步骤S202之前，也可以放在步骤S205之后。
S206，透过第一子金属层311和第二子金属层332将外延结构330和背板310键合，并将键合完成后的外延结构330中的衬底331去除；
S207，对半导体结构333进行图案化处理，以形成多个互相分离的发光单元350；其中，一发光单元350在背板310上的投影与一第一过孔301在背板310上的投影有交叠；
步骤S204-步骤S207与第一实施例相同的部分，请参见上述第一实施例的描述，在此不再赘述。
S208，在背板310上沉积一掩膜层，并对掩膜层进行图案化处理以使相邻发光单元350之间的平坦化层334部分露出；
S209，在图案化后的掩膜层的遮蔽下，对平坦化层334、欧姆接触层336和键合后的第一子金属层311、第二子金属层332进行刻蚀。
S210，于背板310上形成一绝缘保护层370；其中，绝缘保护层370覆盖发光单元350、平坦化层334及第二子金属层332；
可选地，绝缘保护层370可以为无机绝缘层。无机绝缘层可以为但不限于为二氧化硅层(SiO2)，本申请不作具体限定。
可选地，绝缘保护层370可以但不限于采用等离子体增强化学的气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)进行制备。
S211，对绝缘保护层370进行图案化处理以使发光单元350背离基板一侧的表面部分露出；
具体地，可以采用第一道黄光和蚀刻技术对绝缘保护层370进行刻蚀。
S212，在背板310上形成一导电层390，导电层390透过露出的表面与发光单元350电连接。
具体地，通过溅射、蒸镀等方式，在绝缘保护层370背离背板310的表面制备导电层390，使导电层390与发光单元350电连接。导电层390包括但不限于包括氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡中的一种或多种。
请参见图5，本申请第二方面实施例提供一种显示模组300，其包括：一背板310；背板310上设有一第一子金属层311；以及一外延结构330；外延结构330上设有一第二子金属层332；背板310与外延结构330透过第一子金属层311和第二子金属层332键合；其中，外延结构330还包括一平坦化层334和设于平坦化层334上的半导体结构333，平坦化层334位于第二子金属层332背离第一子金属层311一侧，半导体结构333透过若干贯穿平坦化层334的第一过孔301与第二子金属层332电连接。
本申请的显示模组300的第二子金属层332和平坦化层334形成全方位反射镜结构(omni-directional reflector，ODR)，可以更多的将出射至第二子金属层332的光线反射回去，使得制得的显示模组300具有更好的光提取率。同时，通过第一子金属层311和第二子金属层332键合，从而省略了巨量转移的步骤，有效避免了巨量转移过程中引起对位精度不准确的问题。
可选地，平坦化层334可以为但不限于为无机绝缘层。无机绝缘层可以为但不限于为二氧化硅(SiO2)、SiNx、SiO及TiO2，本申请不作具体限定。当平坦化层334为二氧化硅时，还可以增加下述第二子金属层332与下述欧姆接触层336之间的粘着力，防止平坦化层334与的第二子金属层332形成的全方位反射镜结构出现剥落(peeling)的问题。此外，平坦化层334还可以改善第二子金属层332表面的不平整现象。
可选地，第一子金属层311包括依次层叠设置的铬层(Cr)、铂层(Pt)及金层(Au)。第二子金属层332包括依次叠设于背板310一侧的金层(Au)、铂层(Pt)及铬层(Cr)。
可选地，半导体结构333包括依次叠设的第一半导体层3331、发光层3333及第二半导体层3335，第二半导体层3335相较于第一半导体层3331远离背板310设置。在一实施例中，第一半导体层3331为P型半导体层，第二半导体层3335为N型半导体层，发光层3333可以为但不限于为双异质结或量子阱结构。可选地，发光层3333可以包括但不限于包括AlGaInP、InGaP、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN中的一种或多种。
在一些实施例中，本申请实施例的显示模组300还包括：一欧姆接触层336，欧姆接触层336形成于平坦化层334与半导体结构333之间；半导体结构333经由欧姆接触层336和过孔与第二子金属层332电连接。欧姆接触层336使得第一半导体层3331与第二子金属层332之间形成欧姆接触，这样有利于电流的扩散，可以有效降低第二子金属层332与第一半导体层3331之间的阻抗。
在一些实施例中，本申请实施例的显示模组300还包括：设置于第二半导体层3335背离背板310的表面的衬底331。
本实施例的显示模组300与本申请第一方面实施例相同的部分请参见本申请第一方面实施例，在此不再赘述。
请参见图6和图7，本申请第二方面又实施例提供一种显示模组300，其包括：一背板310；以及多个发光单元350，各发光单元350阵列设置于背板310的一侧表面；其中，发光单元350包括依次叠设于背板310上的金属反射部351、平坦化部353及半导体结构部355，半导体结构部355透过贯穿平坦化部353的第一过孔301与金属反射部351电连接。
本申请的显示模组300的金属反射部351和平坦化部353形成全方位反射镜结构(omni-directional reflector，ODR)，可以更多的将出射至金属反射部351的光线反射回去，使得制得的显示模组300具有更好的光提取率。
可选地，金属反射部351包括依次叠设于背板310上的第一子金属层311和第二子金属层332。可选地，第一子金属层311和第二子金属层332均包括但不限于包括铬层(Cr)、铂层(Pt)及金层(Au)。
可选地，平坦化部353可以为但不限于为无机绝缘层。无机绝缘层可以为但不限于为二氧化硅(SiO2)、SiNx、SiO及TiO2，本申请不作具体限定。当平坦化层334为二氧化硅时，还可以增加下述第二子金属层332与下述欧姆接触部357之间的粘着力，防止平坦化部353与的第二子金属层332形成的全方位反射镜结构出现剥落(peeling)的问题。此外，平坦化部353还可以改善第二子金属层332表面的不平整现象。
可选地，半导体结构部355包括依次层叠设置第一半导体部35a、发光部35b及第二半导体部35c，第一半导体部35a与金属反射部351电连接。
在一实施例中，第一半导体部35a为P型半导体部，用于产生空穴；第二半导体部35c为N型半导体部，用于产生电子；发光部可以为但不限于为单异质结构、双异质结构、双侧双异质结构、多量子阱结构或量子点结构，发光部35b用于辐射预定波长的光线。当第一半导体部35a和第二半导体部35c通电后，P型半导体部产生的空穴及N型半导体部产生的电子分别向发光部35b移动，在发光部35b，空穴和电子产生辐射复合，从而进行发光。
可选地，可选地，发光部35b可以包括但不限于包括AlGaInP、InGaP、GaN、AlGaN、InGaN及AlGaInN中的一种或多种。
在一些实施例中，发光单元350还包括：一欧姆接触部357，欧姆接触部357形成于平坦化部353与半导体结构部355之间；半导体结构部355经由欧姆接触部357和第一过孔301与第二子金属层332电连接。欧姆接触部357用于降低金属反射部351和第一半导体部35a之间的阻抗。欧姆接触部357使得第一半导体部333与第一半导体部35a之间形成欧姆接触，这样有利于电流的输入和输出，可以有效降低金属反射部351与第一半导体部35a之间的阻抗。
在一些实施例中，本申请实施例的显示模组300，还包括：一绝缘保护层370，形成并覆盖于各发光单元350上。
在一些实施例中，本申请实施例的显示模组300，还包括：一导电层390，形成于绝缘保护层370上，并透过若干贯穿绝缘保护层370的第二过孔302分别与各发光单元350电连接，各发光单元350透过导电层390实现互连。可选地，导电层390包括但不限于包括氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化锌及氧化锌锡中的一种或多种透光材料制得。
可选地，背板310包括若干第一电极312及若干第二电极314，第一电极312与金属反射部351电连接，第二电极314与导电层390电连接。可选地，第一电极312为P电极或者正电极，第二电极314为N电极或者负电极。在一些实施例中，第一电极312和第二电极314均可以为但不限于为导电金属或导电合金。
请参见图8，本申请实施例还提供一种电子设备400，所述电子设备100包括本申请实施例的显示模组300。
本申请的电子设备400包括但不限于包括手机、平板电脑、电视机、显示器、智能手表、手环、电子阅读器、智能眼镜等带有显示功能的电子设备。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。
Claims (16)
1.一种显示模组的制作方法，其特征在于，包括：
提供一背板，并于所述背板上形成一第一子金属层；
提供一外延结构，所述外延结构包括衬底和设于所述衬底上的半导体结构；
于所述半导体结构背离所述衬底的一侧形成一平坦化层，并对所述平坦化层进行图案化处理以形成若干贯穿所述平坦化层的第一过孔；
于所述平坦化层上形成一第二子金属层；其中，所述第二子金属层透过各所述第一过孔与所述半导体结构电连接；
透过所述第一子金属层和所述第二子金属层将所述外延结构和所述背板键合，并将键合完成后的所述外延结构中的所述衬底去除；
对所述半导体结构进行图案化处理，以形成多个互相分离的发光单元；其中，一所述发光单元在所述背板上的投影与一所述第一过孔在所述背板上的投影有交叠。
2.如权利要求1所述的显示模组的制作方法，其特征在于，还包括：
在所述背板上沉积一掩膜层，并对所述掩膜层进行图案化处理以使相邻发光单元之间的平坦化层部分露出；
在图案化后的所述掩膜层的遮蔽下，对所述平坦化层和键合后的所述第一子金属层、第二子金属层进行刻蚀。
3.如权利要求2所述的显示模组的制作方法，其特征在于，还包括：
于所述背板上形成一绝缘保护层；
对所述绝缘保护层进行图案化处理以使所述发光单元背离所述基板一侧的表面部分露出；
在所述背板上形成一导电层，所述导电层透过露出的表面与所述发光单元电连接。
4.如权利要求2所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述形成平坦化层的步骤之前，还包括：
于所述半导体结构背离所述衬底的一侧形成一欧姆接触层；所述对所述平坦化层和键合后的所述第一子金属层、第二子金属层进行刻蚀还包括对所述欧姆接触层进行刻蚀。
5.如权利要求1-4任一项所述的显示模组的制作方法，其特征在于，所述将键合完成后的所述外延结构中的所述衬底去除的步骤包括：
采用湿法刻蚀工艺将键合完成后的所述外延结构中的所述衬底去除。
6.一种显示模组，其特征在于，包括：
一背板；所述背板上设有一第一子金属层；以及
一外延结构；所述外延结构上设有一第二子金属层；所述背板与所述外延结构透过所述第一子金属层和所述第二子金属层键合；
其中，所述外延结构还包括一平坦化层和设于所述平坦化层上的半导体结构，所述平坦化层位于所述第二子金属层背离所述第一子金属层一侧，所述半导体结构透过若干贯穿所述平坦化层的过孔与所述第二子金属层电连接。
7.如权利要求6所述的显示模组，其特征在于，还包括：
一欧姆接触层，所述欧姆接触层形成于所述平坦化层与所述半导体结构之间；所述半导体结构经由所述欧姆接触层和所述过孔与所述第二子金属层电连接。
8.一种显示模组，其特征在于，包括：
一背板；以及
多个发光单元，各所述发光单元阵列设置于所述背板的一侧表面；
其中，所述发光单元包括依次叠设于所述背板上的金属反射部、平坦化部及半导体结构部，所述半导体结构部透过贯穿所述平坦化部的第一过孔与所述金属反射部电连接。
9.如权利要求8所述的显示模组，其特征在于，所述发光单元还包括：
一欧姆接触部，所述欧姆接触部形成于所述平坦化部与所述半导体结构部之间；所述半导体结构部经由所述欧姆接触部和所述第一过孔与所述第二子金属层电连接。
10.如权利要求8所述的显示模组，其特征在于，还包括：
一绝缘保护层，形成并覆盖于各所述发光单元上。
11.如权利要求10所述的显示模组，其特征在于，还包括：
一导电层，形成于所述绝缘保护层上，并透过若干贯穿所述绝缘保护层的第二过孔分别与各所述发光单元电连接，各所述发光单元透过所述导电层实现互连。
12.如权利要求8所述的显示模组，其特征在于，所述金属反射部包括依次叠设于所述背板上的第一子金属层和第二子金属层。
13.如权利要求11所述的显示模组，其特征在于，所述背板包括若干第一电极，所述第一电极与所述金属反射部电连接。
14.如权利要求13所述的显示模组，其特征在于，所述背板还包括若干第二电极，所述第二电极与所述导电层电连接。
15.如权利要求8-14任一项所述的显示模组，其特征在于，所述半导体结构部包括依次层叠设置的第一半导体部、发光部及第二半导体部，所述第一半导体部与所述金属反射部电连接。
16.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求6-15任一项所述的显示模组。
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- 2020-12-08 CN CN202011423215.6A patent/CN112992884A/zh active Pending
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