CN112967953A - 半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备、及存储介质 - Google Patents

半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备、及存储介质 Download PDF

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CN112967953A CN202110151133.9A CN202110151133A CN112967953A CN 112967953 A CN112967953 A CN 112967953A CN 202110151133 A CN202110151133 A CN 202110151133A CN 112967953 A CN112967953 A CN 112967953A
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Abstract

本申请公开了一种半导体处理设备、半导体处理设备的使用方法、及非易失性计算机可读存储介质。半导体处理设备包括设有开口的处理腔室、位于处理腔室内的激光器、及设于开口处的遮挡件，遮挡件设置在开口处并能够调节开口的开合度。半导体处理设备的使用方法包括：获取开口的开合度；及当开口的开合度超过预设的安全阈值时，降低激光器的输出功率或激光器停止发光。本申请实施方式的半导体处理设备及半导体处理设备的使用方法中，激光器与开口的开合度关联，当开口的开合度超过预设的安全阈值时，可降低激光器的输出功率，或激光器停止发光。如此，无论开口的开合度处于任何状态，均能够保护开口处的操作人员的眼睛安全。

Description

半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备、及存储介质
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，更具体而言，涉及一种半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备、及非易失性计算机可读存储介质。
背景技术
在配置有激光光源的半导体处理设备中，由于激光对人体有伤害，尤其是对眼睛的伤害最为严重，在半导体处理设备的使用中需要有一定的安全防护措施，来避免因为操作不当而造成的人身伤害。
发明内容
本申请实施方式提供一种半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备、及非易失性计算机可读存储介质。
本申请实施方式的半导体处理设备的使用方法应用于所述半导体处理设备。所述半导体处理设备包括设有开口的处理腔室、位于所述处理腔室内的激光器、及设于所述开口处的遮挡件，所述遮挡件设置在所述开口处并能够调节所述开口的开合度。所述使用方法包括：获取所述开口的开合度；及当所述开口的开合度超过预设的安全阈值时，降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
本申请实施方式的半导体处理设备包括处理腔室、位于所述处理腔室内的激光器、及遮挡件。所述处理腔室设有开口。所述激光器用于处理所述处理腔室内的工件。所述遮挡件设置在所述开口处并能够调节所述开口的开合度，当所述遮挡件的开合度超过预设的安全阈值时，降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
本申请实施方式的非易失性计算机可读存储介质，所述非易失性计算机可读存储介质包含计算机程序，当所述计算机程序被一个或多个处理器执行时，使得所述处理器执行半导体处理设备的使用方法，所述半导体处理设备包括设有开口的处理腔室、位于所述处理腔室内的激光器、及设于所述开口处的遮挡件，所述遮挡件设置在所述开口处并能够调节所述开口的开合度。该使用方法包括：获取所述开口的开合度；及当所述开口的开合度超过预设的安全阈值时，降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
本申请实施方式的半导体处理设备的使用方法、半导体处理设备及非易失性计算机可读存储介质中，激光器与开口的开合度关联，当开口的开合度超过预设的安全阈值时，可以降低激光器的输出功率，或者激光器停止发光。如此，无论开口的开合度处于任何状态，均能够保护开口处的操作人的眼睛安全。
本申请的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实施方式的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本申请某些实施方式的半导体处理设备的立体结构示意图；
图2是本申请某些实施方式的半导体处理设备的平面结构示意图；
图3是本申请某些实施方式的半导体处理设备的使用方法的流程示意图；
图4是本申请某些实施方式的半导体处理设备的使用方法的流程示意图；
图5是本申请某些实施方式的半导体处理设备的使用方法的流程示意图；
图6是本申请某些实施方式的半导体处理设备的使用方法的流程示意图；
图7是本申请某些实施方式的半导体处理设备的使用方法的流程示意图；
图8是本申请某些实施方式的半导体处理设备的使用方法的流程示意图；
图9是本申请某些实施方式的非易失性计算机可读存储介质的结构示意图；
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中，相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本申请的实施方式，而不能理解为对本申请的实施方式的限制。
请参阅图1至图3，本申请实施方式提供一种半导体处理设备100，及半导体处理设备100的使用方法。半导体处理设备100包括设有开口20的处理腔室10、位于处理腔室10内的激光器30、及设于开口20处的遮挡件40，遮挡件40设置在开口20处并能够调节开口20的开合度。半导体处理设备100的使用方法包括：
01：获取开口20的开合度；及
02：当开口20的开合度超过预设的安全阈值时，降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光。
其中，激光器30可用于执行01及02中的方法。在一个实施例中，激光器30内置的处理器可用于获取开口20的开合度、及当开口20的开合度超过预设的安全阈值时，激光器30降低输出功率或停止发光。在另一个实施例中，激光器30与控制器(图未示出)电连接，控制器可用于获取开口20的开合度，当开口20的开合度超过预设的安全阈值时控制器控制激光器30停止发光。
开口20的开合度用于衡量开口20的被遮挡程度(或开放程度)。具体地，开口20的当前开合度为开口20当前未被遮挡的部分(开放的部分)占开口20完全开放的部分的占比。例如开口20完全开放时面积为100cm2，当开口20所在的平面中开口20被遮挡15cm2时，开口20的开合度为(100cm2-15cm2)/100cm2*100％＝85％。
半导体处理设备100可用于检测或加工各类半导体工件，例如用于检测晶圆的表面缺陷、检测光学膜厚、加工晶圆表面等。激光器30用于按预定的功率发射激光以用于对半导体工件做处理。在使用半导体处理设备100对半导体工件做处理时，一方面要考虑环境中光线的干扰，另一方面要考虑激光对人体的伤害，因此，对半导体工件的检测或加工在封闭的处理腔室10内进行，以避免对半导体工件做处理时受外部的环境光干扰，且避免激光照射到人体产生危害。
请结合图2，半导体处理设备100还可包括半导体处理装置50，半导体处理装置50能够传输激光器30发射的激光至待处理的工件。激光器30可单独使用以处理半导体工件，或与半导体处理装置50配合使用，共同用于处理半导体工件。由于需要对激光器30和半导体处理装置50进行调试，处理腔室10至少包括一个开口20，以便于调试半导体处理设备100中的激光器30、半导体处理装置50、或处理腔室10内的其他装置或仪器。为确保处理腔室10的光密封性，在开口20处设有遮挡件40，以根据需求调节开口20的开合度，在需要调试设备时开放开口20，在需要封闭处理腔室10时关闭开口20。
当遮挡件40开放至少部分开口20时，激光器30发射的激光可能从开口20向处理腔室10的外侧泄漏，例如激光器30发射的激光发生泄露、激光器30发射的激光经反射后发生泄露、激光器30发射的激光经折射后发生泄露、激光器30发射的激光经散射后发生泄露等。如果操作人员在开口20处调试设备，则可能受到激光造成的伤害。其中，激光对人眼造成的伤害尤为严重，必须严格防范。
根据处理腔室10内激光器30和半导体处理装置50、或根据处理腔室10内的其他装置或仪器的具体布置位置和角度的设置，可以找到开口20的开合度的安全阈值。具体地，当开口20的开合度未达到安全阈值时，处理腔室10内的激光不会从开口20处泄露，或者即便有激光从开口20处泄露，也不会照射到开口20处的操作人员；当开口20的开合度超过安全阈值时，则表示有激光从开口20处泄露，且会照射到开口20处的操作人员而对人体产生危害。
当开口20的开合度未超过预设的安全阈值时，允许激光器30发光。
当开口20的开合度超过预设的安全阈值时，需要降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光，以避免激光照射到开口20处的操作人员。操作人员可以在激光完全关闭后使遮挡件40继续开放，以调试设备，或者在激光功率降低后在激光无法照射到的位置调试设备。
当开口20的开合度等于预设的安全阈值时，可以允许激光器30正常发光(不降低输出功率发光)，也可以降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光，优选地，处于安全考虑，当开口20的开合度等于预设的安全阈值时同样需要降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光，以避免激光照射到开口20处的操作人员。
在一个实施例中，安全阈值为激光无法照射到操作人员时，遮挡件40处于安全极限开放位置时的开口20的大小与遮挡件40完全打开时开口20的大小的比值，其中，遮挡件40处于安全极限开放位置时，开口20的大小刚好能保证泄露的激光30不伤害到操作人员，如果遮挡件40超过安全极限开放位置并使开口20的大小超过遮挡件40处于极限开放位置时的开口20的大小，泄露的激光30则会伤害到操作人员。例如安全阈值为70％，当开口20的开合度超过70％，则激光可能从开口20处泄露照射到开口20处的操作人员。
在另一个实施例中，安全阈值可包括多个，分别对应激光器30的多个功率。安全阈值越高，则对应的激光器30功率越小。例如第一安全阈值为50％，对应功率300mW(千瓦)；第二安全阈值为70％，对应功率100mW；第三安全阈值为90％，对应功率5mW。则当开口20的开合度超过50％时，激光器30的功率不得超过300mW；则当开口20的开合度超过70％时，激光器30的功率不得超过100mW；则当开口20的开合度超过90％时，激光器30的功率不得超过5mW。
本申请的实施方式中，激光器30与开口20的开合度关联。当开口20的开合度未达到预设的安全阈值时，激光器30允许发光。当开口20的开合度超过预设的安全阈值时，可以降低激光器30的输出功率，以确保即便有激光从开口20处泄露，也不会照射到开口20处的操作人员；或者激光器30停止发光。如此，无论开口20的开合度处于任何状态，均能够保护开口20处的操作人员不会被激光照射到，以保护使用半导体处理设备100的操作人员免受激光的伤害。
请参阅图1、图2及图4，在某些实施方式中，01：获取开口20的开合度，包括：
011：检测遮挡件40的位置信息；及
013：根据位置信息获取开口20的开合度。
在某些实施方式中，半导体处理设备100还包括检测器60，检测器60用于检测执行011及013中的方法。即，检测器60用于检测遮挡件40的位置信息、及根据位置信息获取开口20的开合度。激光器30可以读取检测器60检测到的开合度信息。
在某些实施方式中，处理腔室10的至少一个侧壁设有开口20，例如处理腔室10的一个、两个、三个、四个等侧壁可以设有开口20，在此不作限制。同一侧壁面上开口20的数量可以为一个或多个，例如同一侧壁面设有1个、2个、3个、4个、5个等开口20，在此不一一列举。同一开口20可对应一个或多个遮挡件40，例如同一个开口20对应1个、2个、3个、4个、5个等遮挡件40，在此不一一列举。其中，同一开口20对应多个遮挡件40时，多个遮挡件40能够共同调节开口20的开合度，例如同一开口20对应第一遮挡件40和第二遮挡件40，假设开口20完全开放时面积为100cm2，当第一遮挡件40遮挡15cm2的开口20，且第二遮挡件40遮挡25cm2的开口20时，开口20的开合度为(100cm2-15cm2-25cm2)/100cm2*100％＝60％。
为获取开口20的开合度，可以人工读取开口20的开合度，例如开口20所在的壁面上设有指示线，遮挡件40上设有多条刻度线，每条刻度线有对应的开合度，当指示线与刻度线对应时，刻度线所对应的开合度即为开口20当前的开合度。
人工读取开口20的开合度可能存在读取不准确的问题，因此可以通过设置检测器60检测遮挡件40的位置信息，以能够根据位置信息获取开口20的开合度。例如，检测器60检测到遮挡件40在完全不遮挡开口20的位置处的第一位置信息，则根据第一位置信息可以获取开口20的开合度为100％。再例如，检测器60检测到遮挡件40在完全遮挡开口20的位置处的第二位置信息，则根据第二位置信息可以获取开口20的开合度为0％。再例如，检测器60检测到遮挡件40在能够遮挡50％的开口20的第三位置处的第三位置信息，则根据第三位置信息可以获取开口20对应的开合度为50％。
进一步地，请参阅图1、图2及图5，在某些实施方式中，检测器60可包括发射器61和接收器62。遮挡件40位于预设位置时对应开口20的预设的安全阈值。011：检测遮挡件40的位置信息，包括：
0111：通过发射器61发射检测信号；及
0113：通过接收器62接收检测信号，其中，当接收器62能够接收到检测信号时，则遮挡件40未超过预设位置，当接收器62未接收到检测信号时，则遮挡件40超过预设位置。
在某些实施方式中，发射器61用于执行0111中的方法，接收器62用于执行0113中的方法。即，发射器61用于发射检测信号、接收器62用于接收检测信号。
遮挡件40可以是推拉式遮挡件40。例如，遮挡件40可以在平行于开口20所在的平面内相对开口20上下移动或左右移动，以通过选择性地遮挡开口20实现调节开口20的开合度。发射器61和接收器62相对设置在预设位置所在的轴线上，遮挡件40的移动路径经过预设位置所在的轴线。具体地，遮挡件40的移动路径上的预设位置对应开口20的预设的安全阈值，当遮挡件40位于预设位置时开口20的开合度与预设的安全阈值一致，发射器61和接收器62相对设置在预设位置所在的轴线上，当接收器62能够接收到检测信号时，说明遮挡件40未超过预设位置；当接收器62未接收到检测信号时，说明遮挡件40超过预设位置，导致遮挡件40遮挡接收器62。
接收器62能够根据检测到的遮挡件40的位置信息(遮挡件40是否超过预设位置)获取开口20的开合度。具体地，接收器62更够获取“未超过安全阈值”及“超过安全阈值”两种类型的开合度信息，当遮挡件40未超过预设位置时，接收器62获取开合度信息“未超过安全阈值”，并将开合度信息“未超过安全阈值”传输至激光器30，此时激光器30允许正常发光(解释同前)；当遮挡件40超过预设位置时，接收器62获取开合度信息“超过安全阈值”，并将开合度信息“超过安全阈值”传输至激光器30，此时激光器30降低输出功率或停止发光。
请参阅图1、图2及图6，在某些实施方式中，检测器60还可包括角度传感器63。遮挡件40位于预设位置时对应开口20的预设的安全阈值。011：检测遮挡件40的位置信息，包括：
0115：检测遮挡件40相对开口20的转动的角度；
在某些实施方式中，角度传感器63用于执行0115中的方法。即，角度传感器63用于检测遮挡件40相对开口20的转动的角度。
遮挡件40还可以是开合式遮挡件40，能够绕遮挡件40的转轴41转动实现开合，例如，遮挡件40可以绕遮挡件40的转轴41转动远离开口20所在的平面，以相对开口20朝处理腔室10内侧打开，或相对开口20朝处理腔室10外侧打开，减少对开口20的遮挡。反之，遮挡件40可以绕遮挡件40的转轴41转动靠近开口20所在的平面，增大对开口20的遮挡。
以遮挡件40的初始位置为完全遮挡开口20，使开口20的开合度为0％的位置为例，遮挡件40在初始位置时，遮挡件40与开口20所在的平面平行，此时角度传感器63检测到遮挡件40相对开口20转动的角度为0°。当遮挡件40相对开口20的转动的角度未超过预定角度时，说明遮挡件40未超过预设位置；当遮挡件40相对开口20的转动的角度超过预定角度时，说明遮挡件40超过预设位置，当遮挡件40相对开口20的转动的角度为预定角度时，既可以认为遮挡件40未超过预设位置，也可以认为遮挡件40超过预设位置，在此不作限制。
角度传感器63能够根据检测到的遮挡件40的位置信息(遮挡件40是否超过预设位置)获取开口20的开合度。具体地，角度传感器63更够获取“未超过安全阈值”及“超过安全阈值”两种类型的开合度信息，当遮挡件40未超过预设位置时，角度传感器63获取开合度信息“未超过安全阈值”，并将开合度信息“未超过安全阈值”传输至激光器30，此时激光器30允许正常发光(解释同前)；当遮挡件40超过预设位置时，角度传感器63获取开合度信息“超过安全阈值”，并将开合度信息“超过安全阈值”传输至激光器30，此时激光器30降低输出功率或停止发光。
请参阅图1及图2，在某些实施方式中，处理腔室10的至少一个内侧壁11设有保护板70，例如处理腔室10的一个、两个、三个、四个等内侧壁11可以设有保护板70，在此不作限制。保护板70上可设有吸光材料，吸光材料用于吸收由激光器30发出并传输至保护板70的光线。
具体地，吸光材料能够吸收直接照射在保护板70的激光、及经反射、折射、散射后照射在保护板70的激光。激光照射到吸光材料后部分被吸收，部分漫反射至处理腔室10，这部分漫反射的光的能量密度相对照射到吸光材料前的激光的能量密度大大降低，对人体的危害也大大降低，进一步提高了半导体处理设备100对操作人员的防护。
在一些场合中，需要将开口20开放至一定程度才能调试处理腔室10中的激光器30、半导体处理装置50、或处理腔室10内的其他装置或仪器，此时检测器60强制处于安全状态，无法根据开口20的开合度确定开口20附近激光的照射情况。此时，可以根据如下使用方法防护激光。
请参阅图1、图2及图7，在某些实施方式中，半导体处理设备100还可包括温度传感器80及提示器90，使用方法还包括：
03：检测保护板70的温度；
04：当温度超过预设温度阈值时，发出提示信息；及
05：根据提示信息降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光。
请结合图2，在某些实施方式中，温度传感器80用于执行03中的方法，提示器90用于执行04中的方法，激光器30用于执行05中的方法。即，温度传感器80用于检测保护板70的温度、提示器90用于当温度超过预设温度阈值时，发出提示信息、激光器30用于根据提示信息降低输出功率或停止发光。
当激光照射在保护板70上时，能量会传输至保护板70上，从而导致保护板70的温度增加。温度传感器80用于检测保护板70的温度，并将检测到的温度信息传输至提示器90。当保护板70的温度超过预设温度阈值时，说明处理腔室10内激光的能量较大，可能对人体造成伤害。
在一个实施例中，提示器90可以是扬声器、显示器、振动器、蜂鸣器等提示操作人员的提示器90，提示信息可包括声音、文字、图案等，在此不作限制。当提示器90接收到的温度信息超过预设温度阈值时发出提示信息，以提示操作人员降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光。
在另一个实施例中，提示器90可以是一种控制器，当提示器90接收到的温度信息超过预设温度阈值时，提示器90能够发出提示信息控制激光器30降低输出功率，或控制激光器30停止发光。
在另一实施例中，提示器90还可以位于半导体处理设备的其他位置，具体的，提示器90设于遮挡件40的外侧表面，并通过有线或无线方式与激光器30通信连接，以对激光器30进行控制。
如此，可以避免操作人员调试设备时被较大能量的激光照射，导致受到伤害。
请参阅图1、图2及图8，在某些实施方式中，保护板70可设有光显层，使用方法还包括：
06：检测光显层上的光斑；
07：根据光斑调节激光器30的出射方向和/或出射位置；及
08：当检测到光显层的光斑时，降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光。
请结合图2，在某些实施方式中，半导体处理设备100还可包括图像采集装置。图像采集装置用于执行06中的方法，激光器30还用于执行07及08中的方法。即，图像采集装置用于采集光显层的光斑图像以检测光显层上的光斑，激光器30用于根据光斑调节出射方向和/或出射位置、及当检测到光显层的光斑时，降低输出功率或停止发光。
具体地，光显层可以是荧光涂层，激光照射到荧光涂层后会显示肉眼可见的光斑，具体的，所述荧光涂层在接收激光器30发出的激光光线后，能够对激光光线进行吸收，并发射出在可见光波段的荧光，从而方便操作人员对激光的光斑位置进行观察。其中，光斑的位置、形状、大小可以帮助判断激光器30的出射方向和/或出射位置，因此操作人员可以根据光斑的位置、形状、大小调整激光器30的出射方向和/或出射位置。
由于当光显层出现光斑时处理腔室10内仍存在激光，可能会对人体造成伤害，因此半导体处理设备100还可包括图像采集装置以检测光斑，例如图像采集装置能够拍摄光显层，以检测光显层上的光斑，并获取光斑图像。
在一个实施例中，操作人员能够根据采集到的光斑图像调节激光器30的出射方向和/或出射位置。
在另一个实施例中，半导体处理设备100还包括机械手或可移动平台等用于调节激光器30的位置的装置。机械手或可移动平台能够根据采集到的光斑图像调节激光器30的位置和角度，以调节激光器30的出射方向和/或出射位置。
为避免操作人员调试设备时被较大能量的激光照射，当图像采集装置检测到光显层的光斑时，激光器30降低输出功率或停止发光，以防护操作人员免受激光造成的伤害。
请参阅图9，本申请实施方式还提供一种包含计算机程序301的非易失性计算机可读存储介质300。当计算机程序301被处理器400执行时，使得处理器400执行上述任一实施方式的半导体处理设备100的使用方法。
请结合图1及图2，例如，当计算机程序301被处理器400执行时，使得处理器400执行以下半导体处理设备100的使用方法：
01：获取开口20的开合度；及
02：当开口20的开合度超过预设的安全阈值时，降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光。
又例如，当计算机程序301处理器400执行时，使得处理器400执行以下半导体处理设备100的使用方法：
01：获取开口20的开合度；
02：当开口20的开合度超过预设的安全阈值时，降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光；
03：检测保护板70的温度；
04：当温度超过预设温度阈值时，发出提示信息；
05：根据提示信息降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光；
06：检测光显层上的光斑；
07：根据光斑调节激光器30的出射方向和/或出射位置；及
08：当检测到光显层的光斑时，降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光。
综上所述，本申请实施方式的半导体处理设备100的使用方法及半导体处理设备100能够在操作人员需要开放开口20调试设备时，当开口20的开合度超过预设的安全阈值时，降低激光器30的输出功率或激光器30停止发光以保护操作人员免受激光造成的伤害；或者保护板70的当温度超过预设温度阈值时，发出提示信息提示操作人员处理腔室10内含有高能量的激光，且激光器30能够根据提示信息降低输出功率或停止发光以保护操作人员免受激光造成的伤害；或者当检测到光显层的光斑时，激光器30能够降低输出功率或停止发光以保护操作人员免受激光造成的伤害。如此，能够确保半导体处理设备100的使用方法及半导体处理设备100对操作人员的防护可靠，避免因为操作不当而造成的人身伤害。
在本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个例子中”、“示例地”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本申请的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本申请的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
尽管上面已经示出和描述了本申请的实施方式，可以理解的是，上述实施方式是示例性的，不能理解为对本申请的限制，本领域的普通技术人员在本申请的范围内可以对上述实施方式进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种半导体处理设备的使用方法，其特征在于，所述半导体处理设备包括设有开口的处理腔室、位于所述处理腔室内的激光器、及设于所述开口处的遮挡件，所述遮挡件设置在所述开口处并能够调节所述开口的开合度，所述使用方法包括：
获取所述开口的开合度；及
当所述开口的开合度超过预设的安全阈值时，降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
2.根据权利要求1所述的使用方法，其特征在于，所述获取所述开口的开合度，包括：
检测所述遮挡件的位置信息；及
根据所述位置信息获取所述开口的开合度。
3.根据权利要求1所述的使用方法，其特征在于，所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板，所述使用方法还包括：
检测所述保护板的温度；
当所述温度超过预设温度阈值时，发出提示信息；及
根据所述提示信息降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
4.根据权利要求1所述的使用方法，其特征在于，所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板，所述保护板设有光显层，所述使用方法还包括：
检测所述光显层上的光斑；及
根据所述光斑调节所述激光器的出射方向和/或出射位置。
当检测到所述光显层的光斑时，降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
5.一种半导体处理设备，其特征在于，包括：
处理腔室，所述处理腔室设有开口；
位于所述处理腔室内的激光器，所述激光器用于处理所述处理腔室内的工件；及
遮挡件，所述遮挡件设置在所述开口处并能够调节所述开口的开合度，当所述遮挡件的开合度超过预设的安全阈值时，降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包括检测器，所述检测器用于检测所述遮挡件的位置信息，以能够根据所述位置信息获取所述开口的开合度。
7.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板，所述保护板上设有吸光材料，所述吸光材料用于吸收由所述激光器发出并传输至所述保护板的光线。
8.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板，所述半导体处理设备还包括温度传感器及提示器，所述温度传感器用于检测所述保护板的温度，
所述提示器用于在所述保护板的温度超过预设温度阈值时发出提示信息；及
当所述保护板的温度超过预设温度阈值时，所述提示器发出提示信息，降低所述激光器的输出功率或所述激光器停止发光。
9.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述处理腔室的至少一个内侧壁设有保护板，所述保护板设有光显层，所述光显层用于在接收到所述激光器发出的光线时，显示出光斑，所述半导体处理设备还包括图像采集装置，所述图像采集装置用于采集所述光显层的光斑图像。
10.一个或多个存储有计算机程序的非易失性计算机可读存储介质，其特征在于，当所述计算机程序被一个或多个处理器执行时，实现权利要求1至4任意一项所述的半导体处理设备的使用方法。
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