CN112952015A - 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 377
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 19
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 344
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 52
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 31
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 31
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 15
- 239000012045 crude solution Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 10
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 5
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 4
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- IXUZXIMQZIMPSQ-ZBRNBAAYSA-N [(4s)-4-amino-4-carboxybutyl]azanium;(2s)-2-amino-4-hydroxy-4-oxobutanoate Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC[NH3+].[O-]C(=O)[C@@H](N)CC(O)=O IXUZXIMQZIMPSQ-ZBRNBAAYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 mercaptoacids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- XVDBWWRIXBMVJV-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(N(C)C)N(C)C XVDBWWRIXBMVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- RVEZZJVBDQCTEF-UHFFFAOYSA-N sulfenic acid Chemical class SO RVEZZJVBDQCTEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- RSPCKAHMRANGJZ-UHFFFAOYSA-N thiohydroxylamine Chemical class SN RSPCKAHMRANGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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Abstract
本申请提供一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层。所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度。所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
量子点是一种重要的荧光纳米材料。在显示领域，将量子点作为显示设备的发光层材料，越来越受到关注。
目前量子点显示设备存在电子和空穴注入不平衡的问题，影响量子点显示设备的器件效率和使用寿命。
发明内容
根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板。所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层；
所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；
所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm；和/或，
所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm；和/或，
所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中的量子点及所述第二量子点发光层中的量子点分别包括核壳结构，所述核壳结构的材料包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnSZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS及ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一种。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm；所述第二量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的材料与所述第二量子点发光层中量子点的材料相同或不同；和/或，
所述第一量子点发光层中量子点的尺寸与所述第二量子点发光层中量子点的尺寸相同或不同。
在一个实施例中，所述发光器件层还包括电子传输层和空穴传输层；
所述发光器件层为多电子体系，所述电子传输层位于所述第二量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述电子传输层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第二量子点发光层与所述阳极层之间。
根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成发光器件层；所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；
所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。
在一个实施例中，在所述衬底上形成发光器件层，包括：
形成所述阳极层、形成所述阴极层、形成所述第一量子点发光层以及形成所述第二量子点发光层；
形成所述第一量子点发光层，包括：采用自组装量子点溶液来形成第一量子点发光层。
根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的显示基板。
根据本申请实施例的第四方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示面板。
本申请实施例所达到的主要技术效果是：
本申请实施例提供的显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置，发光器件层中第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于第二量子点发光层中量子点排列的紧密度，则第一量子点发光层对空穴和电子的传输性能优于第二量子点发光层；发光器件层为多电子体系时，通过设置所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，可限制电子注入量，从而有助于调节发光器件层中电子和空穴注入速率实现平衡；发光器件层为多空穴体系时，通过设置所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间，可限制空穴注入量，从而有助于发光器件层达到电子和空穴注入的平衡。因而，本申请实施例提供的显示基板，可通过设置第一量子点发光层和第二量子点发光层的位置，来实现发光器件层中电子和空穴注入的平衡，从而有助于提升显示基板的器件效率及使用寿命。并且，第一量子点发光层和第二量子点发光层的厚度可调节，更有助于达到空穴与电子注入的平衡。
附图说明
图1是本申请一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图；
图2是本申请另一示例性实施例提供的显示基板的结构示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施例并不代表与本申请相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。
本申请实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例中的特征可以相互补充或相互组合。
本申请实施例提供了一种显示基板。参见图1与图2，所述显示基板100包括衬底10及形成于所述衬底10上的发光器件层20。
所述发光器件层20包括阳极层21、阴极层22、以及位于所述阳极层21与所述阴极层22之间的第一量子点发光层23和第二量子点发光层24，所述第一量子点发光层23中量子点201排列的紧密度大于所述第二量子点发光层24中量子点201排列的紧密度。
图1所示的显示基板100中，所述发光器件层20为多电子体系，所述第二量子点发光层24位于所述第一量子点发光层23与所述阴极层22之间。图2所示的显示基板100中，所述发光器件层20为多空穴体系，所述第二量子点发光层24位于所述第一量子点发光层23与所述阳极层21之间。
第一量子点发光层23中量子点201排列的紧密度较大，对电子和空穴的传输性能较好；第二量子点发光层24中量子点201排列的紧密度较小，对电子和空穴的传输性能较差。为了实现发光器件中电子和空穴注入的平衡，对于多电子体系的发光二极管和多空穴体系的发光二极管，第一量子点发光层23和第二量子点发光层24的位置不同。
本申请实施例提供的显示基板，发光器件层20中第一量子点发光层23中量子点排列的紧密度大于第二量子点发光层24中量子点排列的紧密度，则第一量子点发光层对空穴和电子的传输性能优于第二量子点发光层；发光器件层为多电子体系时，通过设置所述第二量子点发光层24位于所述第一量子点发光层23与所述阴极层22之间，可限制电子注入量，从而有助于调节发光器件层中电子和空穴注入速率实现平衡；发光器件层为多空穴体系时，通过设置所述第二量子点发光层24位于所述第一量子点发光层23与所述阳极层21之间，可限制空穴注入量，从而有助于发光器件层达到电子和空穴注入的平衡。因而，本申请实施例提供的显示基板，可通过设置第一量子点发光层和第二量子点发光层的位置，来实现发光器件层中电子和空穴注入的平衡，从而有助于提升显示基板的器件效率及使用寿命。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层23中量子点201排列的有序度大于所述第二量子点发光层24中量子点201排列的有序度。如此设置，第一量子点发光层23对电子和空穴的传输性能更优于第二量子点发光层24对电子和空穴的传输性能，更有利于使发光器件层达到电子和空穴注入的平衡。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层23可采用自组装量子点溶液形成。自组装量子点溶液中量子点排列比较紧密有序，可使得形成的第一量子点发光层23中量子点排列的紧密度及有序度较大。在一个示例性实施例中，第一量子点发光层23可通过旋涂或喷墨打印自组装量子点溶液来形成。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层23可采用未进行自组装的量子点溶液，即无规则排列的量子点溶液形成。未进行自组装的量子点溶液中量子点排列比较不规则，且紧密度较小，可使得形成的第二量子点发光层24中量子点排列的紧密度及有序度较低。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层23的厚度范围为10nm～100nm。如此设置，可避免第一量子点发光层23的厚度较小，导致第一量子点发光层23的膜层不均匀，膜层较薄的区域出现漏电的问题；也可避免第一量子点发光层23的厚度较大，导致发光器件层20的驱动电压较大。在一些实施例中，第一量子点发光层23的厚度例如为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm等。
进一步地，所述第一量子点发光层23的厚度范围为10nm～30nm。如此更有助于实现发光器件层中电子与空穴注入的平衡，提升发光器件层的器件效率。
在一个实施例中，所述第二量子点发光层24的厚度范围为10nm～100nm。如此设置，可避免第二量子点发光层24的厚度较小，导致第二量子点发光层24的膜层不均匀，膜层较薄的区域出现漏电的问题，以及避免第二量子点发光层24的厚度较小导致第二量子点发光层24无法有效阻挡空穴或电子；也可避免第二量子点发光层24的厚度较大，导致发光器件层20的驱动电压较大。在一些实施例中，第二量子点发光层24的厚度例如为10nm、20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm等。
进一步地，所述第二量子点发光层24的厚度范围为10nm～30nm。如此更有助于实现发光器件层中电子与空穴注入的平衡，提升发光器件层的器件效率。
在一个实施例中，再次参见图1与图2，所述发光器件层20还包括电子传输层25和空穴传输层26。
图1所示的显示基板100中，所述发光器件层20为多电子体系，所述电子传输层25位于所述第二量子点发光层24与所述阴极层22之间，所述空穴传输层26位于所述第一量子点发光层23与所述阳极层21之间。
图2所示的显示基板100中，所述发光器件层20为多空穴体系，所述电子传输层25位于所述第一量子点发光层23与所述阴极层22之间，所述空穴传输层26位于所述第二量子点发光层24与所述阳极层21之间。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层与所述第二量子点发光层中的量子点包括核壳结构及包裹核壳结构的表面配体。量子点的核壳结构的材料包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnSZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS及ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一种。
其中，量子点的核壳结构包括两种材料，指的是量子点的核壳结构具有核和一层壳。例如，量子点的核壳结构的材料为CdS/ZnS指的是，核壳结构的核的材料为CdS，核壳结构的壳的材料为ZnS。量子点的核壳结构包括三种材料时，指的是核壳结构具有核和两层壳。例如，核壳结构的材料为ZnTe/ZnSe/ZnS指的是，核壳结构的核的材料为ZnTe，核壳结构最外层的壳的材料为ZnS，核壳结构的位于核和最外层的壳之间的壳的材料为ZnSe。
量子点的表面配体通常为长链烷烃配体(例如包括八个及八个上的碳原子的烷烃配体)或短链配体。长链烷烃配体可选自：三辛基膦、三丁基膦、油酸、硬脂酸、油胺、长链烷基胺、长链烷基膦、长链烷基膦酸等。短链配体可选自：硫醇、二硫醇、巯基酸、巯基醇、巯基胺、卤素配体等。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm；所述第二量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm。如此设置，通过调节第一量子点发光层与第二量子点发光层中量子点的直径，可使得第一量子点发光层与第二量子点发光层发出红色、绿色及蓝色的光，可实现显示基板的彩色显示。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点的材料与所述第二量子点发光层中量子点的材料相同或不同；所述第一量子点发光层中量子点的尺寸与所述第二量子点发光层中量子点的尺寸相同或不同。可通过选择第一量子点发光层与第二量子点发光层中的量子点的材料及尺寸，使第一量子点发光层与第二量子点发光层发出的光的峰位相同，也即是二者发出光的颜色相同。
在一个实施例中，发光器件层20还包括空穴注入层27，空穴注入层27位于阳极层21与空穴传输层26之间。
在一个实施例中，阳极层21为单层膜层，阳极层21的材料为氧化铟锡或银；或者阳极层21包括两层氧化铟锌膜层及位于两层氧化铟锌膜层之间的银膜层。阳极层21可包括多个间隔设置的阳极块。发光器件层可包括多个子像素，每一子像素包括一个阳极块。如此，显示基板的每一子像素可单独进行控制，可提升显示面板的显示效果。
在一个实施例中，阴极层22为单层膜层，阴极层22的材料为铝、镁银合金、氧化铟锌或银；或者，阴极层22包括两层氧化铟锌膜层及位于两层氧化铟锌膜层之间的银膜层。
在一个实施例中，显示基板还可包括像素电路层，像素电路层位于发光器件层20与衬底10之间。像素电路层包括像素驱动电路，像素驱动电路驱动显示基板的子像素。
图1与图2所示的显示基板为正置结构，阳极层21位于下方，阴极层22位于阳极层21背离衬底10的一侧。在其他实施例中，显示基板也可以为倒置结构，阴极层22位于下方，阳极层21位于阴极层22背离衬底10的一侧。
在一个实施例中，显示基板可为顶发射结构，光线从显示基板背离衬底的一侧出射。在其他实施例中，显示基板也可为底发射结构，光线从显示基板的衬底出射。
本申请实施例还提供了一种显示基板的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：
首先，提供衬底。
随后，在所述衬底上形成发光器件层。
所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度。
所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。
在一个实施例中，所述在所述衬底上形成发光器件层的步骤，包括：形成所述阳极层、形成所述阴极层、形成所述第一量子点发光层以及形成所述第二量子点发光层。
所述形成所述第一量子点发光层，包括：采用自组装量子点溶液来形成第一量子点发光层。自组装量子点溶液中量子点排列比较紧密有序，可使得形成的第一量子点发光层23中量子点排列的紧密度及有序度较大。在一个示例性实施例中，自组装量子点溶液可通过旋涂或喷墨打印的方式来形成第一量子点发光层23。
所述形成所述第二量子点发光层，包括：采用未进行自组装的量子点溶液来形成所述第二量子点发光层。未进行自组装的量子点溶液中量子点排列比较不规则，且紧密度较小，形成的第二量子点发光层24中量子点排列的紧密度及有序度较低。未进行自组装的量子点溶液可通过旋涂或喷墨打印的方式来形成第二量子点发光层24。
下面以显示基板为正置结构、且显示基板的发光器件层为多电子体系为例介绍显示基板的制备过程：
首先，提供衬底。
随后，在衬底上形成阳极层。
随后，在阳极层上形成空穴注入层。
在一个实施例中，可通过旋涂聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸盐(PSS)来形成空穴注入层。
随后，在空穴注入层上形成空穴传输层。
随后，在空穴传输层上旋涂自组装量子点溶液，形成第一量子点发光层。
自组装量子点指的是量子点进行组装，排列构成的一维、二维或三维纳米结构。自组装量子点分散在溶剂中得到的溶液为自组装量子点溶液。自组装量子点溶液中量子点排列比较紧密、有序，量子点之间的间隙较小。采用自组装量子点溶液形成的第一量子点发光层中量子点的排列比较紧密、有序，量子点之间的间隙较小。
随后，在第一量子点发光层上旋涂未进行自组装的量子点溶液，形成第二量子点发光层。
未进行自组装的量子点溶液中量子点排列的有序度较小，量子点之间的间隙较大。未进行自组装的量子点溶液指的是量子点分散在溶剂中得到的溶液。
由于第一量子点发光层中量子点之间的间隙较小，在其上方旋涂未进行自组装的量子点溶液时不会影响第一量子点发光层。
随后，在第二量子点发光层上形成电子传输层。
在一个实施例中，电子传输层的材料可以是ZnMgO。
随后，在电子传输层上形成阴极层。
在一个实施例中，自组装量子点可采用化学方法、物理方法、溶液方法以及外加力场来制备。化学方法包括补丁粒子法和模板法；物理方法包括刮涂法、旋涂法及表面结构的构筑法；溶液方法包括液滴蒸发法和沉积法；外加力场的方法是指通过施加电场或者磁场来调控量子点的组装行为的方法。
量子点溶液中的量子点之间存在静电力、范德华力和氢键等相互作用，趋向于团聚或自组装有序微结构，这些相互作用产生的空间排斥力和吸引力受量子点的表面配体分子、量子点形状和溶剂极性的影响。表面配体分子是通过氨基和羧基等官能团的共价键结合到量子点的核壳结构的表面，表面配体分子的疏水性长链使得量子点良好地分散在有机溶剂中。基于此，量子点溶液中的量子点可进行自组装形成有序排列的结构。
下面介绍钙钛矿量子点溶液的制备过程。利用无机钙钛矿CsPbBr3对溶剂极性的敏感性，首先采用良性溶剂正己烷作为自组装触发剂促使量子点在一维方向进行组装；随后使用非良性溶剂乙酸乙酯终止量子点在一维方向的组装，并借助量子点之间的吸引力驱动量子点在二维方向的组装，此时量子点表面的有机表面配体分子会进行收缩以阻止非良溶剂的渗透，导致一些有机表面配体分子从量子点表面脱落，使有机表面配体分子的表面积减小；最后将非良溶剂去除，以结束量子点在二维方向的组装，得到自组装量子点，量子点呈角对角或边对边的排列方式。
正己烷的极性指数为0.06，对无机钙钛矿CsPbBr3的溶解性较好，可作为良性溶剂；乙酸乙酯的极性指数为4.3，对无机钙钛矿CsPbBr3的溶解性较差，可作为非良溶剂。选择合适的良性溶剂、非良溶剂及表面配体，有效地激活并调控量子点的自组装行为，是制备排列紧密且界面缺陷少的自组装量子点的关键。
下面具体介绍几种量子点溶液及自组装量子点溶液的制备过程。
在一个实施例中，InP/ZnS/ZnS量子点溶液的制备过程如下：
首先，取0.34mmol InX3(X代表卤元素)、2.2mmol ZnX2和5mLODE(十八烯)加入到容量为50mL的三颈瓶，得到混合物。
随后，在100℃的条件下对三颈瓶中的混合物进行抽气60min，以除去混合物中的水和氧气。
随后，向三颈瓶中通入惰性气体例如氩气，并对三颈瓶进行加热，当三颈瓶中的混合物的温度达到200℃时，将0.45mL(DMA)3P(三(二甲氨基)膦)与1mL油胺的混合液快速注入三口瓶中，三颈瓶中的混合液开始反应。
随后，待三颈瓶中的混合液反应20min，对三颈瓶进行加热，当三颈瓶中的混合液的温度达到300℃时，向三颈瓶中注入6.6mmol(也即是1.5mL)DDT(双对氯苯基三氯乙烷)和6mL锌前驱体(1.5g硬脂酸锌与6mL ODE的混合液)，之后待三颈瓶中的混合液反应45min后冷却到室温。通过该步骤可得到InP/ZnS量子点粗溶液。
随后，对InP/ZnS量子点粗溶液进行提纯。
在一个实施例中，对InP/ZnS量子点粗溶液进行提纯的过程如下：首先，将InP/ZnS量子点粗溶液与10mL正己烷混合，并将InP/ZnS量子点与正己烷的混合液进行离心，以去除杂质。离心处理的转速可为10000rpm，离心时间可为3min。然后，取离心处理得到的上清液与乙醇按照体积比为1:1的比例进行混合，并进行离心处理，离心处理的转速可为10000rpm，离心时间可为3min，离心处理得到的上清液为InP/ZnS量子点溶液。
随后，重复三次上述提纯过程，得到提纯后的InP/ZnS量子点溶液。
随后，将提纯后的InP/ZnS量子点溶液和5mL OLA(Octadecenylamine，油胺)加入到容量为50mL的三颈瓶中。
随后，在100℃的条件下对三颈瓶中的混合物进行抽气60min，以除去混合物中的水和氧气。
随后，向三颈瓶中通入惰性气体例如氩气，并对三颈瓶进行加热，当混合物的温度达到250℃时，将2.2mL的锌前驱体与2.2mL的硫前驱体注入三颈瓶中，三颈瓶中的混合液开始反应。待反应60min后将三颈瓶中的混合液降至室温，得到InP/ZnS/ZnS量子点粗溶液。其中硫前驱体指的是混合有S粉的TOP(三丁基膦)混合液。
随后，对InP/ZnS/ZnS量子点粗溶液进行提纯，InP/ZnS/ZnS量子点粗溶液的提纯过程与InP/ZnS量子点粗溶液的提纯过程相同，不再进行赘述。最终得到提纯后的InP/ZnS/ZnS量子点溶液。
在一个实施例中，CdSe/ZnS量子点溶液的制备过程如下：
首先，将CdO、醋酸锌、油酸及ODE加入到三颈瓶中，在惰性气氛下除去三颈瓶中的混合液中的水和氧气。
随后，在惰性气氛下对三颈瓶进行加热，三颈瓶中的混合液的温度达到310℃时，向三颈瓶中快速注入混有Se粉和S粉的TOP混合液。
随后，待三颈瓶中的混合液反应一段时间后，将三颈瓶中的混合液降至室温。并将三颈瓶中的混合液进行离心处理，以使量子点析出。其中，离心处理的转速可为8000rpm。
随后，取离心得到的上清液，并向上清液中加入甲苯和过量的甲醇进行提纯。重复提纯三次，得到提纯后的量子点。
随后，将提纯后的量子点溶于甲苯中，得到CdSe/ZnS量子点溶液。
在一个实施例中，无机钙钛矿CsPbBr3量子点的制备过程如下：
首先，制备Cs前驱体溶液。
在一个实施例中，Cs前驱体溶液的制备过程如下：首先，取3mmol的CsCO3加入到1mL OA(Oleic acid，油酸)与19mL ODE(1-Octadecene，十八)的混合液中，在真空条件下对混合液边加热边进行搅拌，至混合也的温度达到150℃；然后将得到的混合液自然冷却至室温，得到透明淡棕色Cs前驱体溶液。可将得到的Cs前驱体溶液保存在20mL锥形瓶中备用。
随后，采用Cs前驱体溶液制备CsPbBr3量子点。
向三颈瓶中注入1.5mL OA和3mLOLA混合液及0.271mmol PbBr2，再向三颈瓶中注入15mLODE；然后向在三颈瓶中持续通入N2，在N2的保护下对三颈瓶中的混合液同时进行加热和搅拌，直至三颈瓶中的混合液的温度达到150℃，并维持30min，得到淡黄色的溶液；继续对三颈瓶中的混合液进行加热，当三颈瓶中的混合液的温度达到170℃时，向三颈瓶中快速注入0.257mL的Cs前驱体溶液，待三颈瓶中的混合液反应5-10s后迅速将三颈瓶放置于冰水混合物中进行冷却，得到CsPbBr3量子点粗溶液；然后将CsPbBr3量子点粗溶液用80mL丙酮进行洗涤并将CsPbBr3量子点分散在正己烷溶液中，得到CsPbBr3量子点溶液。
在一个实施例中，自组装的CsPbBr3量子点的制备过程如下：
首先，制备CsPbBr3量子点粗溶液。
CsPbBr3量子点粗溶液的制备过程与上述实施例中CsPbBr3量子点粗溶液的制备过程可相同，不再进行赘述。
随后，对CsPbBr3量子点粗溶液进行提纯。先将2mL正己烷加入到20mLCsPbBr3量子点粗溶液中，并将二者的混合液进行离心处理，离心处理的转速可为8500rpm，离心时长可为5min。
随后，取离心处理得到的沉淀物，将其分散在4mL正己烷中，并向正己烷中加入16mL乙酸乙酯，然后将得到的混合液进行离心处理，离心处理的转速可为8500rpm，离心时长可为5min。
随后，取离心处理得到的沉淀物，将其分散在4mL正己烷中，即得到自组装的CsPbBr3量子点溶液。
在一个实施例中，将自组装CsPbBr3量子点溶液进行旋涂，既可得到第一量子点发光层。在一些实施例中，可取90μL自组装CsPbBr3量子点溶液进行旋涂得到第一量子点发光层。
在一个实施例中，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm。
在一个实施例中，所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm。
在一个实施例中，所述发光器件层还包括电子传输层和空穴传输层。所述发光器件层为多电子体系，所述电子传输层位于所述第二量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第一量子点发光层与所述阳极之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述电子传输层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第二量子点发光层与所述阳极层之间。
本申请实施例提供的显示基板的制备方法，发光器件层中第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于第二量子点发光层中量子点排列的紧密度，则第一量子点发光层对空穴和电子的传输性能优于第二量子点发光层；发光器件层为多电子体系，通过设置所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，可限制电子注入量，有助于发光器件层达到电子和空穴传输的平衡；发光器件层为多空穴体系，通过设置所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间，可限制空穴注入量，有助于发光器件层达到电子和空穴注入的平衡。因而，本申请实施例提供的显示基板，有助于达到发光器件层中电子和空穴注入的平衡，有助于提升显示基板的器件效率及使用寿命。并且，在制备过程中可调节第一量子点发光层和第二量子点发光层的厚度，有助于调控载流子的平衡。
由于显示面板的制备方法与显示面板属于同一发明构思，具体细节及有益效果相同，可互相参见，在此不再进行赘述。
本申请实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的显示基板。
所述显示面板还包括封装层，所述封装层位于所述显示基板背离衬底的一侧。封装层可为薄膜封装层。
本申请实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述实施例所述的显示面板。
所述显示装置还可包括外壳，显示面板嵌设在外壳中。
本申请实施例提供的显示装置例如可以为手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、车载设备等任何具有显示功能的设备。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (13)
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括衬底及形成于所述衬底上的发光器件层；
所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；
所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm；和/或，
所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm；和/或，
所述第二量子点发光层的厚度范围为10nm～30nm。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层中的量子点及所述第二量子点发光层中的量子点分别包括核壳结构，所述核壳结构的材料包括CdS/ZnS、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、CdS/ZnSZnS、InP/ZnS/ZnO、PbS/ZnS、CsPbCl3/ZnS、CsPbBr3/ZnS、CsPbI3/ZnS、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnTe/ZnSe/ZnS及ZnSeTe/ZnSe/ZnS中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm；所述第二量子点发光层中量子点的直径范围为5nm～15nm。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一量子点发光层中量子点的材料与所述第二量子点发光层中量子点的材料相同或不同；和/或，
所述第一量子点发光层中量子点的尺寸与所述第二量子点发光层中量子点的尺寸相同或不同。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述发光器件层还包括电子传输层和空穴传输层；
所述发光器件层为多电子体系，所述电子传输层位于所述第二量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述电子传输层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间，所述空穴传输层位于所述第二量子点发光层与所述阳极层之间。
9.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成发光器件层；所述发光器件层包括阳极层、阴极层、以及位于所述阳极层与所述阴极层之间的第一量子点发光层和第二量子点发光层，所述第一量子点发光层中量子点排列的紧密度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的紧密度；
所述发光器件层为多电子体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阴极层之间；或者，所述发光器件层为多空穴体系，所述第二量子点发光层位于所述第一量子点发光层与所述阳极层之间。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一量子点发光层中量子点排列的有序度大于所述第二量子点发光层中量子点排列的有序度。
11.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成发光器件层，包括：
形成所述阳极层、形成所述阴极层、形成所述第一量子点发光层以及形成所述第二量子点发光层；
形成所述第一量子点发光层，包括：采用自组装量子点溶液来形成第一量子点发光层。
12.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1至8任一项所述的显示基板。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求12所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202110402179.3A CN112952015B (zh) | 2021-04-14 | 2021-04-14 | 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202110402179.3A CN112952015B (zh) | 2021-04-14 | 2021-04-14 | 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
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| CN112952015A true CN112952015A (zh) | 2021-06-11 |
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Family
ID=76232677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110402179.3A Active CN112952015B (zh) | 2021-04-14 | 2021-04-14 | 显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112952015B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023233646A1 (ja) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光素子、表示デバイス、発光素子の製造方法、表示デバイスの製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112952015B (zh) | 2023-10-27 |
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