CN111808469B - 量子点墨水、量子点薄膜及电致发光二极管 - Google Patents

量子点墨水、量子点薄膜及电致发光二极管 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种量子点墨水，包括：质量百分比为85％‑99％的有机溶剂；质量百分比为0.1％‑10％的核壳量子点材料；质量百分比为0.05％‑5％的片状壳层材料，其中，所述片状壳层材料与所述核壳量子点材料的壳层材料的成分相同。本发明公开一种量子点薄膜及电致发光二极管。本发明通过将片状壳层材料加入到量子点墨水中，形成均一、稳定的悬浮液，将量子点墨水去除溶剂并经退火处理后制备成量子点薄膜，以核壳量子点材料作为薄膜的基体，将片状壳层材料嵌于薄膜的基体中，使核壳量子点材料之间通过片状壳层材料成片连接，增强薄膜整体的强度，形成致密的薄膜，从而降低发光器件的漏电流，提高发光器件的发光效率的有益效果。

Description

量子点墨水、量子点薄膜及电致发光二极管
技术领域
本发明涉及发光材料技术领域、尤其涉及一种量子点墨水、量子点薄膜及电致发光二极管。
背景技术
量子点(quantum dots)是一种零维纳米材料，通常为粒径介于2～20nm之间的半导体纳米颗粒。量子点具有发射光谱窄、发射波长可通过控制粒径尺寸进行调节以及光稳定性好等光学性质，在显示领域具有广泛的应用前景。量子点电致发光器件具有色域高、自发光、反应速度快等优点，成为近几年的研究热点，并且被认为是继OLED显示器之后的新一代显示器。
量子点可分散于溶剂中配制成量子点墨水，并可采用打印、移印、旋涂等溶液方法制造量子点薄膜。量子点薄膜的致密性是影响其薄膜质量的关键，而量子点墨水的制备是制备量子点薄膜的关键；由于量子点墨水一般是球状的量子点纳米粒子分散于一定的溶剂里而形成的，所以使用量子点墨水制备而成的薄膜不够致密，会有一定的空隙，从而影响器件的发光性能。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明实施例的主要目的在于提供一种量子点墨水，旨在解决现有技术中使用量子点墨水制备而成的薄膜不够致密，会有一定的空隙，从而影响器件的发光性能的技术问题。
为解决上述问题，本发明实施例提供一种量子点墨水，包括：
质量百分比为85％-99％的有机溶剂；
质量百分比为0.1％-10％的核壳量子点材料；
质量百分比为0.05％-5％的片状壳层材料，其中，所述片状壳层材料与所述核壳量子点材料的壳层材料的成分相同。
可选地，所述核壳型量子点材料的核层材料包括硫化镉、硒化镉、硫化铅以及硒化铅中的至少一种，所述核壳型量子点材料的壳层材料包括硫化锌。
可选地，所述片状壳层材料为片状硫化锌。
可选地，所述核壳量子点材料与所述片状壳层材料的质量比为(5～50)： 1。
可选地，所述片状壳层材料的厚度为3nm～10nm，宽度为50nm～200nm。
可选地，所述核壳量子点材料为球状颗粒，所述核壳量子点材料的粒径为3nm～20nm。
可选地，所述有机溶剂包括苯、苯的衍生物、烷烃、氯代苯、苯甲酸苄酯、卤代烃以及环氧烷烃中的至少一种。
此外，为实现上述目的，本发明实施例还提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜是根据上述量子点墨水去除溶剂并退火处理后制备而成的，其中，所述核壳量子点材料作为所述量子点薄膜的基体，所述片状壳层材料嵌于所述基体中。
本发明实施例还提供一种电致发光二极管，所述电致发光二极管包括：
依次叠置的阳极、发光层以及阴极，其中，所述发光层由上述的量子点墨水制备而成，或者，所述发光层为上述量子点薄膜。
可选地，所述量子点墨水通过打印或压印方式制备成所述发光层。
本发明实施例提出的一种量子点墨水，通过将片状壳层材料加入到量子点墨水中，形成均一、稳定的悬浮液，将量子点墨水去除溶剂并经退火处理后制备成量子点薄膜，以核壳量子点材料作为薄膜的基体，将片状壳层材料嵌于薄膜的基体中，使核壳量子点材料之间通过片状壳层材料成片连接，片状壳层材料充当填补孔隙和缺陷的作用，也能增强薄膜整体的强度，形成致密的薄膜，从而降低发光器件的漏电流，提高发光器件的发光效率的有益效果。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
量子点材料属于直接禁带半导体，具有较广的荧光波长范围，可从紫外线至红外线区域。相对于传统发光材料，量子点材料因量子限域效应而具有高的荧光效率。与此同时，同一类量子点材料可通过改变量子点的尺寸，就可改变其荧光颜色，使量子点材料具有较好的调色特性。此外，量子点材料发出的光具有波段范围窄、色彩饱和，可有效提高发光二极管器件的色域范围。
在本实施例中，采用的量子点材料为核壳量子点材料。核壳量子点材料包括至少两层核壳层结构，可以是由核心向外壳依次包裹形成的。核壳量子点材料包括核层材料以及壳层材料。核层材料作为核壳量子点材料的发光体。核层材料被透明的壳层材料包裹，可阻隔外界空气和水分，减少空气和水分对核层材料的发光性能的影响。
可选地，核壳量子点材料可通过调整核层材料的粒径和/或者成分，改变其荧光颜色如红光、绿光、蓝光等。
可选地，核壳量子点材料的核层材料与核壳量子点材料的壳层材料的成分不同。核层材料可包括多种成分。
可选地，核层材料包括硫化镉、硒化镉、硫化铅以及硒化铅中的至少一种。核层材料可以为CdS、CdSe、PbS、PbSe、CdSe/CdS、PbS/PbSe、CdSe/PbS、 CdSe/CdS/PbS、CdS/PbS以及CdSe/PbSe。核壳量子点材料的壳层材料为硫化锌。
片状壳层材料与核壳量子点材料的壳层材料的成分相同，使片状壳层材料与核壳量子点的HOMO能级匹配，有利于载流子在量子点处复合，有助于提高由量子点制备而成的发光器件的发光效率。
进一步地，片状壳层材料为片状硫化锌。片状硫化锌的结构为纳米结构。
可以理解的是，片状壳层材料在量子点薄膜承担支撑作用，同时可以传导量子点薄膜中的载流子，用于桥接和支撑量子点薄膜中的核壳量子点材料，使得核壳量子点材料之间能成片的连接，成膜时更紧密，从而降低了量子点电致发光二极管中的电流泄漏，提高量子点电致发光二极管的发光效率。
有机溶剂为核壳量子点材料的油溶性烃类溶剂，有利于核壳量子点材料和片状壳层材料在有机溶剂中的分散，其中，有机溶剂为低极性或中极性的溶剂。
可选地，有机溶剂包括苯、苯的衍生物、烷烃、氯代苯、苯甲酸苄酯、卤代烃以及环氧烷烃中的至少一种。
可选地，有机溶剂包括甲苯、乙苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、邻氯甲苯、对氯甲苯、间氯甲苯、邻二乙苯、间二乙苯、对二乙苯、邻二氯苯、间二氯苯、对二氯苯、三甲苯、四甲苯、三戊苯、戊基甲苯、1-甲基萘、二己基苯、丁苯、仲丁基苯、叔丁基苯、异丁基苯、二丁基苯、异丙苯、对甲基异丙苯、对二异丙基苯、戊苯、二戊苯、十二烷基苯、四氢萘、环己基苯、1,3,5-三甲苯、1-氯萘、1-四氢萘酮、3-苯氧基甲苯、1-甲氧基萘、二甲基萘、3-异丙基联苯、1,2,4-三甲苯、联苯、苯甲酸苄酯、二苄醚、茚、苄基苯、二乙烯基苯、茚满或环氧苯乙烷、正己烷、环己烷、辛烷、壬烷、癸烷、十一烷、十二烷、十三烷、十四烷、十五烷和十六烷中的一种或多种。
质量百分比为85％-99％的有机溶剂能较好地分散质量百分比为 0.1％-10％的核壳量子点材料以及质量百分比为0.05％-5％的片状壳层材料，得到量子点墨水。质量比高于10％的核壳量子点材料以及质量比高于5％的片状壳层材料制备的量子点墨水，容易出现沉降现象，导致量子点墨水组成不稳定，影响量子点的发光性能。质量比低于0.1％的核壳量子点材料制备的量子点墨水，由于溶质含量低，在量子点墨水制备成量子点薄膜时，制备的薄膜厚度薄，容易产生缺陷。
可选地，可通过调整核壳量子点材料与片状核层材料的质量比调整量子点薄膜的厚度。
可以理解的是，量子点墨水是一种稳定的悬浮液，核层量子点材料以及片状壳层材料均匀地分散在有机溶剂中。
进一步地，核壳量子点材料与片状壳层材料的质量比为(5～50)：1。例如，核壳量子点材料与片状壳层材料的质量比可以是5:1，10:1，15:1，25:1， 35:1或50:1。在核壳量子点材料与片状壳层材料的质量比高于50:1时，片状壳层材料不能完全桥接和支撑核壳量子点材料，造成通过量子点墨水制备的量子点薄膜不够致密。在核壳量子点材料与片状壳层材料的质量比低于5:1 时，由于核壳量子点材料的含量过多，而将片状壳层材料撑起，使片状壳层材料之间不能有效接触，核壳量子点材料之间的连接也减弱，影响核壳量子点材料的发光性能，同时容易在量子点墨水中团聚，造成量子点墨水不稳定。
优选地，核壳量子点材料与片状壳层材料的质量比为(20～50)：1。
可选地，片状壳层材料的厚度为3nm～10nm，宽度为50nm～200nm。片状核层材料属于二维纳米结构材料，厚度薄，具有良好的透光性。
优选地，片状壳层材料的厚度为5nm～10nm，片状壳层材料的宽度为 100nm～150nm。
可选地，核壳量子点材料为球状颗粒，粒径为3nm～20nm。可通过调整核壳量子材料的粒径调整量子点墨水的发光颜色。
可选地，可通过透射电子显微镜或扫描电子显微镜确定核壳量子点材料的平均粒径。或者，将具有与某一组颗粒最相近的某些物理性质或行为(例如沉降速度、散射光能分布等)的同质球体的直径作为该组颗粒的等效粒径。
可选地，量子点墨水中还可以加入一定比例的配体保护剂，如胺基配合物、巯基保护剂或羧基保护剂，如油胺、辛硫醇以及油酸。
可选地，量子点墨水的制备：将核壳量子点材料、片状壳层材料、有机溶剂依次加入到合适大小的圆底烧瓶中，在加入过程中不断搅拌，常温下继续搅拌上述混合物30分钟，得到量子点墨水。
量子点薄膜由量子点墨水去除溶剂并经退火处理后制备而成。经退火处理后，得到力学性能稳定的量子点薄膜。
量子点薄膜的基体为核壳量子点材料，且片状壳层材料嵌于该基体中。通过片状壳层材料桥接以及支撑核壳量子点材料，形成致密的薄膜，通过片状壳层材料导通载流子，降低由其制备的发光器件的漏电流，提高器件的发光效率。
电致发光二极管(例如，QLED，Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点电致发光二极管)包括阳极，发光层以及阴极。其中，发光层是通过上述量子点墨水制备而成的，或者，发光层为上述量子点薄膜。
可选地，电致发光二极管由依次叠置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、和阴极组成。
可选地，阳极可以是ITO或Ag电极；阴极可以是Ag或Al电极。
可选地，空穴注入层可以是聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，可用(PEDOT:PSS)表示。
可选地，空穴传输层可以是聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)，可用TFB表示。
可选地，电子传输层可以是氧化锌，可用ZnO表示。
可选地，电致发光器件还包括基板。基板可以是柔性基板或刚性基板；基板可以包括玻璃基板、金属基板、硅片或塑料基板。
可选地，电致发光器件包括衬底层，其中，衬底层由基板以及层叠于基板之上的阳极。例如，衬底层由玻璃基板以及层叠于玻璃基板上的ITO电极构成。
可选地，玻璃基板和ITO薄膜为一体化的导电玻璃。
可选地，量子点墨水通过打印或者压印方式制备成电致发光二极管的发光层。进一步，量子点墨水可通过旋涂的方式制备成电致发光二极管的发光层。
在本实施例中，通过将片状壳层材料加入到量子点墨水中，形成均一、稳定的悬浮液，将量子点墨水去除溶剂并经退火处理后制备成量子点薄膜，以核壳量子点材料作为薄膜的基体，将片状壳层材料嵌于薄膜的基体中，使核壳量子点材料之间通过片状壳层材料成片连接，片状壳层材料充当填补孔隙和缺陷的作用，也能增强薄膜整体的强度，形成致密的薄膜，从而降低发光器件的漏电流，提高发光器件的发光效率的有益效果。
实施例1
将0.05g的CdSe/ZnS核壳量子点材料，0.01g宽100nm、厚3nm的片状 ZnS，4.5g甲苯溶剂依次加入到20mL圆底烧瓶中，在加入过程中不断搅拌，常温下继续搅拌上述混合物30分钟，得到量子点墨水1。
将上述量子点墨水1制成电致发光二极管的发光层，电致发光二极管的制备方法如下：
(1)在导电玻璃的阳极薄膜上旋涂聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，旋涂转数为2000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火15min，形成空穴注入层，其中，导电玻璃包括玻璃基板以及形成于玻璃基板表面的ITO薄膜，空穴注入层厚度约为40nm。
(2)在空穴注入层上旋涂浓度为10mg/mL的聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4- 丁基苯基)二苯胺)(TFB)的氯苯溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火30min，形成空穴传输层，其中，空穴传输层厚度约为35nm。
(3)在空穴传输层上旋涂量子点墨水1，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火10min，形成量子点发光层，其中，量子点发光层厚度约为10nm，CdSe/ZnS核壳量子点材料的质量百分比为 1.1％，宽100nm、厚3nm的片状ZnS的质量百分比为0.2％。
(4)在量子点发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火30min，形成电子传输层，电子传输层的厚度约为30nm。
(5)在高真空(10-7Torr)条件下于电子传输层表面蒸镀150nm厚的银作为阴极。
实施例2
将0.1g的CdSe/ZnS核壳量子点材料，0.01g宽100nm、厚10nm的片状 ZnS，4.4g甲苯溶剂依次加入到20mL圆底烧瓶中，在加入过程中不断搅拌，常温下继续搅拌上述混合物30分钟，搅拌得到量子点墨水2。
将上述量子点墨水2制成电致发光二极管的发光层，电致发光二极管的制备方法如下：
(1)在导电玻璃的阳极薄膜上旋涂聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，旋涂转数为2000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火15min，形成空穴注入层，其中，导电玻璃包括玻璃基板以及形成于玻璃基板表面的ITO薄膜，空穴注入层厚度约为40nm。
(2)在空穴注入层上旋涂浓度为10mg/mL的聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4- 丁基苯基)二苯胺)(TFB)的氯苯溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火30min，形成空穴传输层，其中，空穴传输层厚度约为35nm。
(3)在空穴传输层上旋涂量子点墨水2，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火10min，形成量子点发光层，其中，量子点发光层厚度约为15nm，CdSe/ZnS核壳量子点材料的质量百分比为2.2％，宽100nm、厚10nm的片状ZnS的质量百分比为0.2％。
(4)在量子点发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火30min，形成电子传输层，电子传输层的厚度约为30nm。
(5)在高真空(10-7Torr)条件下于电子传输层表面蒸镀150nm厚的银作为阴极。
实施例3
将0.2g的CdSe/ZnS核壳量子点材料，0.01g宽100nm、厚5nm的片状 ZnS，4.3g乙苯溶剂依次加入到20mL圆底烧瓶中，在加入过程中不断搅拌，常温下继续搅拌上述混合物30分钟，搅拌得到量子点墨水3。
将上述量子点墨水3制成电致发光二极管的发光层，电致发光二极管的制备方法如下：
(1)在导电玻璃的阳极薄膜上旋涂聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，旋涂转数为2000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火15min，形成空穴注入层，其中，导电玻璃包括玻璃基板以及形成于玻璃基板表面的ITO薄膜，空穴注入层厚度约为40nm。
(2)在空穴注入层上旋涂浓度为10mg/mL的聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4- 丁基苯基)二苯胺)(TFB)的氯苯溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火30min，形成空穴传输层，其中，空穴传输层厚度约为35nm。
(3)在空穴传输层上旋涂量子点墨水3，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火10min，形成量子点发光层，其中，量子点发光层厚度约为20nm，CdSe/ZnS核壳量子点材料的质量百分比为 4.4％，宽100nm、厚5nm的片状ZnS的质量百分比为0.2％。
(4)在量子点发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火30min，形成电子传输层，电子传输层的厚度约为30nm。
(5)在高真空(10-7Torr)条件下于电子传输层表面蒸镀150nm厚的银作为阴极。
对照例1
将0.2g的CdSe/ZnS核壳量子点材料，4.5g甲苯溶剂依次加入到20mL圆底烧瓶中，在加入过程中不断搅拌，常温下继续搅拌上述混合物30分钟，搅拌得到量子点墨水4。
将上述量子点墨水4制成电致发光二极管的发光层，电致发光二极管的制备方法如下：
(1)在导电玻璃的阳极薄膜上旋涂聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)，旋涂转数为2000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火15min，形成空穴注入层，其中，导电玻璃包括玻璃基板以及形成于玻璃基板表面的ITO薄膜，空穴注入层厚度约为40nm。
(2)在空穴注入层上旋涂浓度为10mg/mL的聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4- 丁基苯基)二苯胺)(TFB)的氯苯溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s；涂覆完毕后在150℃的条件下退火30min，形成空穴传输层，其中，空穴传输层厚度约为35nm。
(3)在空穴传输层上旋涂量子点墨水4，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火10min，形成量子点发光层，其中，量子点发光层厚度约为10nm，CdSe/ZnS核壳量子点材料的质量百分比为 4.3％。
(4)在量子点发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，旋涂转数为3000r/min，旋涂时间为40s，涂覆完毕后在120℃的条件下退火30min，形成电子传输层，电子传输层的厚度约为30nm。
(5)在高真空(10-7Torr)条件下于电子传输层表面蒸镀150nm厚的银作为阴极。
其中，实施例1～3中使用的量子点墨水包括核壳量子点材料与片状壳层材料，对照例1中使用的量子点墨水仅包括核壳量子点材料。通过上述的制备方法，得到的电致发光二极管。这些电致发光二极管的测试结果如下表1所示：
表1
Figure BDA0002579381100000101
参照表1可知，实施例1～3中电致发光二极管的最大外量子效率以及发光效率均优于对照例1。其中，实施例2为优选实施例，源于量子点墨水具有合适的配比，片状ZnS的厚度较厚，以及形成了较优的电子传输层，使电致发光二极管具有较高的最大外量子效率以及发光效率。对照例1由于发光层的主要成分为颗粒状的核壳量子点材料，颗粒之间无可避免会有孔隙，难以形成致密的薄膜，通过发光层的电流存在泄漏，导致对照例1的最大量子效率以及发光效率偏低。
由于发光层中核壳量子点材料通过片状壳层材料成片连接，片状壳层材料可填补孔隙和缺陷，形成致密的发光层薄膜，同时对核壳量子点材料之间起到桥接和支撑作用，传导载流子，并有助于载流子在核壳量子点材料处复合，进而降低电致发光二极管的漏电流，提高电致发光二极管的发光效率。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种量子点墨水，其特征在于，所述量子点墨水包括：
质量百分比为85％-99％的有机溶剂；
质量百分比为0.1％-10％的核壳量子点材料；
质量百分比为0.05％-5％的片状壳层材料，其中，所述片状壳层材料与所述核壳量子点材料的壳层材料的成分相同，所述核壳量子点材料与所述片状壳层材料的质量比为(5～50)：1，所述片状壳层材料的厚度为3nm～10nm，所述片状壳层材料的宽度为50nm～200nm，所述片状壳层材料嵌于所述核壳量子点材料中。
2.如权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述核壳型量子点材料的核层材料包括硫化镉、硒化镉、硫化铅以及硒化铅中的至少一种，所述核壳型量子点材料的壳层材料，包括硫化锌。
3.如权利要求2所述的量子点墨水，其特征在于，所述片状壳层材料为片状硫化锌。
4.如权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述核壳量子点材料与所述片状壳层材料的质量比为(20～50)：1，所述片状壳层材料的厚度为5nm～10nm，所述片状壳层材料的宽度为100nm～150nm。
5.如权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述核壳量子点材料为球状颗粒，所述核壳量子点材料的粒径为3nm～20nm。
6.如权利要求1所述的量子点墨水，其特征在于，所述有机溶剂包括苯、苯的衍生物、烷烃、苯甲酸苄酯、卤代烃以及环氧烷烃中的至少一种。
7.一种量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜是根据权利要求1-6任一项所述的量子点墨水去除溶剂并退火处理后制备而成的，其中，所述核壳量子点材料作为所述量子点薄膜的基体，所述片状壳层材料嵌于所述基体中。
8.一种电致发光二极管，其特征在于，所述电致发光二极管包括阳极、发光层以及阴极，其中，所述发光层由权利要求1至6任一项所述的量子点墨水制备而成，或者，所述发光层为权利要求7所述的量子点薄膜。
9.如权利要求8所述的电致发光二极管，其特征在于，所述量子点墨水通过打印或压印方式制备成所述发光层。
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