CN112951869A - 透气式微型发光二极管显示器 - Google Patents
透气式微型发光二极管显示器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112951869A CN112951869A CN202011406331.7A CN202011406331A CN112951869A CN 112951869 A CN112951869 A CN 112951869A CN 202011406331 A CN202011406331 A CN 202011406331A CN 112951869 A CN112951869 A CN 112951869A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- micro
- layer
- led display
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 14
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 7
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/16—Constructional details or arrangements
- G06F1/1613—Constructional details or arrangements for portable computers
- G06F1/163—Wearable computers, e.g. on a belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明是一种透气式微型发光二极管显示器,包含基板、电极层以及微型发光二极管装置。基板具有第一表面、第二表面以及至少一个空气通道,第二表面相对于第一表面,空气通道自第一表面延伸至第二表面。电极层设置于基板的第一表面上,并接触基板的第一表面。空气通道具有开口在基板的第一表面上,电极层与开口分离。微型发光二极管装置设置于电极层上,并具有小于或等于2500平方微米的发光面积。上述结构配置使得本案的微型发光二极管显示器「可透气」,因此可应用于穿戴式装置以提供舒适的穿戴体验。
Description
技术领域
本发明是关于一种透气式微型发光二极管显示器。
背景技术
本节的陈述仅提供与本发明有关的背景信息,而不必然构成先前技术。
近年来,穿戴式电子装置的普及度迅速地增长。穿戴式电子装置的舒适度对于整体的使用者体验与使用者满意度至关重要,尤其是对于具有显示器以呈现数字资讯的穿戴式装置而言。
发明内容
依据本发明的一实施例,一种微型发光二极管显示器包含基板、电极层以及微型发光二极管装置。基板具有第一表面、第二表面以及至少一个空气通道,第二表面相对于第一表面,空气通道自第一表面延伸至第二表面。电极层设置于基板的第一表面上,并接触基板的第一表面。空气通道具有开口在基板的第一表面上,电极层与开口分离。微型发光二极管装置设置于电极层上,并具有小于或等于2500平方微米的发光面积。
在本发明的一个或多个实施例中,空气通道包含贯穿基板的第一通孔。
在本发明的一个或多个实施例中,第一通孔位于基板的显示区域内。
在本发明的一个或多个实施例中,微型发光二极管装置以及第一通孔位于显示区域的像素单元内。
在本发明的一个或多个实施例中,微型发光二极管显示器进一步包含包覆层,包覆层覆盖基板、电极层以及微型发光二极管装置。包覆层具有第二通孔,第二通孔与基板的第一通孔流体连通。
在本发明的一个或多个实施例中,基板包含多孔材料,多孔材料具有孔隙形成空气通道。
在本发明的一个或多个实施例中,微型发光二极管显示器进一步包含包覆层,包覆层覆盖微型发光二极管装置以及电极层,并暴露基板的第一表面的至少一部分。
在本发明的一个或多个实施例中,多孔材料包含塑胶、陶瓷、织物、复合材料或其任意组合。
在本发明的一个或多个实施例中,微型发光二极管显示器进一步包含透气支撑层,透气支撑层至少部分覆盖基板的第二表面。
在本发明的一个或多个实施例中,透气支撑层具有至少一个通孔与空气通道流体连通。
在本发明的一个或多个实施例中,透气支撑层包含织物。
在本发明的一个或多个实施例中,基板具有多个空气通道,空气通道的开口的周缘所围绕的总面积占基板的第一表面的周缘所围绕的面积的3%至90%。
在本发明的一个或多个实施例中,电极层沉积形成于基板的第一表面上。
在本发明的一个或多个实施例中,微型发光二极管装置包含堆叠设置的第一类型半导体层、主动层以及第二类型半导体层。第一类型半导体层接触电极层。第二类型半导体层经由上电极电性连接电极层,上电极至少部分透明。
在本发明的一个或多个实施例中,微型发光二极管装置包含第一类型半导体层、第二类型半导体层以及主动层,主动层位于第一类型半导体层以及第二类型半导体层之间。第一类型半导体层接触电极层。第二类型半导体层经由导电结构电性连接电极层,导电结构位于第二类型半导体层以及电极层之间。
在本发明的一个或多个实施例中,微型发光二极管装置为激光二极管。
在本发明的一个或多个实施例中,空气通道的开口的周缘所围绕的面积小于2平方毫米。
在本发明的一个或多个实施例中,空气通道包含至少十个通孔贯穿基板。
上述结构配置使得本发明的微型发光二极管显示器「可透气」,因此可应用于穿戴式装置以提供舒适的穿戴体验。
应当理解以上的一般描述以及以下的详细描述仅是范例,旨在提供对请求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
参照下列附图阅读下文中详述的实施例,可更透彻地理解本发明。
图1为绘示依据本发明的一实施例的微型发光二极管显示器的俯视图。
图2为绘示图1所示的微型发光二极管显示器沿线段A-A’的局部放大剖视图。
图3为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器的局部放大剖视图。
图4为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器的局部放大剖视图。
图5为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器的局部放大剖视图。
图6为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器的局部放大剖视图。
【主要元件符号说明】
100,300,400,500,600:微型发光二极管显示器
101:数据驱动电路 102:扫描驱动电路
110,510:基板 110a,510a:第一表面
110b,510b:第二表面 111:显示区域
112:非显示区域 113:像素单元
114:子像素 115,515:空气通道
115a,515a:开口 116:通孔
120,320:微型发光二极管装置 121,321:第一类型半导体层
122,322:第二类型半导体层 123,323:主动层
140:电极层 141:第一电极
142:第二电极 143:上电极
150:绝缘层 160,560:包覆层
161:通孔 343:导电结构
430,630:透气支撑层 431:通孔
631:空气通道
具体实施方式
以下详细介绍本发明的实施例,并且在附图中绘示示例性的实施例。图式与说明书中尽可能使用相同的元件符号来代表相同或相似的元件。
在各种实施例中,参考附图进行描述。然而,某些实施例可以在没有这些实务细节中的一个或多个的情况下实施,或与其他已知方法及配置组合实施。在以下的叙述中,为了提供对本发明透彻的理解而阐述了许多具体细节,例如具体的配置、尺寸及制程等。此外,一些现有习知惯用的半导体制程与制造技术并没有被特别详细地描述,以免不必要地模糊本发明。全篇说明书中「一实施例」、「一些实施例」或类似用语表示针对该实施例描述的特定特征、结构、配置或特性包含在本发明的至少一个实施例中。因此,出现于本说明书中各处的片语「在一实施例中」、「在一些实施例中」等未必是指本发明的同一实施例。此外,特定特征、结构、配置或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。
本文中所使用的术语「在…的上方」、「到」、「在…之间」、及「之上」可以指一层相对于其他层的相对位置。一层在另一层「的上方」或「之上」或接合「到」另一层,可以是直接与另一层接触,或具有一个或多个中间层。多个层「之间」的一层可以直接与这些层接触或具有一个或多个中间层。
请参照图1,其为绘示依据本发明的一实施例的微型发光二极管显示器100的俯视图。微型发光二极管显示器100包含基板110以及设置于基板110上的多个微型发光二极管装置120。基板110包含显示区域111以及非显示区域112,显示区域111具有多个像素单元113,非显示区域112位于显示区域111外。像素单元113排列为矩阵,且每个像素单元113包含多个子像素114,每个微型发光二极管装置120设置于其中一个子像素114内。在一些实施例中,基板110包含塑胶。在一些实施例中,基板110为柔性基板。在一些实施例中,每个微型发光二极管装置120具有小于或等于2500平方微米的发光面积。在一些实施例中,每个微型发光二极管装置120具有小于或等于50微米的侧向长度。
如图1所示,微型发光二极管显示器100进一步包含数据驱动电路101以及扫描驱动电路102,数据驱动电路101以及扫描驱动电路102设置于基板110上,并位于非显示区域112内。数据驱动电路101电性连接子像素114的数据线,并配置以传送数据信号至子像素114。扫描驱动电路102电性连接子像素114的扫描线,并配置以传送扫描信号至子像素114。
请参照图2,其为绘示图1所示的微型发光二极管显示器100沿线段A-A’的局部放大剖视图。基板110具有第一表面110a以及第二表面110b,第二表面110b相对于第一表面110a。微型发光二极管显示器100进一步包含电极层140,电极层140设置于基板110的第一表面110a上,并接触基板110的第一表面110a,微型发光二极管装置120设置于电极层140上。具体而言,电极层140是沉积形成于基板110的第一表面110a上,并包含第一电极141以及第二电极142,第一电极141以及第二电极142彼此分离并彼此电性绝缘。
如图2所示,在本实施例中,微型发光二极管装置120为垂直式发光二极管,微型发光二极管装置120包含堆叠设置的第一类型半导体层121(例如:P型半导体层)、主动层123(例如:一个或多个量子阱)以及第二类型半导体层122(例如:N型半导体层)。第一类型半导体层121以及第二类型半导体层122经由位于其间的主动层123彼此连接。在一些实施例中,微型发光二极管装置120为激光二极管。
如图2所示,第一类型半导体层121接触电极层140的第一电极141,第二类型半导体层122经由上电极143电性连接电极层140的第二电极142。上电极143至少部分透明,且至少对于可见光是可透光的。在一些实施例中,上电极143包含透明导电材料,例如是氧化铟锡(indium-tin-oxide,ITO)。在一些实施例中,微型发光二极管显示器100进一步包含绝缘层150,绝缘层150覆盖微型发光二极管装置120的侧壁。绝缘层150至少部分设置于第一电极141、第二电极142以及上电极143之间,以绝缘第一电极141与第二电极142以及上电极143。
如图2所示,基板110具有至少一个空气通道115,空气通道115自第一表面110a延伸至第二表面110b。空气通道115具有开口115a在基板110的第一表面110a上,电极层140与开口115a分离。空气通道115的形成使空气能流过微型发光二极管显示器100,使得微型发光二极管显示器100「可透气」。
如图2所示,在本实施例中,空气通道115为贯穿基板110的通孔。在本实施例中,通孔位于其中一个像素单元113内,具体而言,通孔是位于其中一个子像素114内。因此,开口115a的周缘所围绕的面积小于对应的子像素114的面积。在一些实施例中,通孔是以适当溶剂溶解部分基板110所形成。
在一些实施例中,基板110包含至少十个通孔,以达到理想的透气度。在一些实施例中,空气通道115的开口115a的周缘所围绕的面积小于2平方毫米。在上述尺寸配置下,微型发光二极管显示器100在具有透气特性的同时能保持视觉上的「完整性」,因为具有上述尺寸的通孔(即空气通道115)几乎是肉眼不可见。在一些实施例中,空气通道115的开口115a的周缘所围绕的面积较佳地是小于0.5平方毫米。
在一些实施例中,每个子像素114具有至少一个通孔(即空气通道115)形成于其内。在一些实施例中,至少一个子像素114不透气(亦即,不具有通孔)。在一些实施例中,至少一个子像素114具有多个通孔形成于其内。在一些实施例中,基板110具有多个空气通道115,且空气通道115的开口115a的周缘所围绕的总面积占基板110的第一表面110a的周缘所围绕的面积的3%至90%。
基板110的通孔并不限定是位于像素单元113或子像素114内。在一些实施例中,基板110具有至少一个通孔位于显示区域111的非发光区域内,非发光区域可以是位于像素单元113之间(换言之,非发光区域将像素单元113分开)。
如图1所示,基板110的通孔并不限定是位于显示区域111内。在一些实施例中,基板110具有至少一个通孔116,通孔116位于非显示区域112内,并与数据驱动电路101、扫描驱动电路102以及非显示区域112内的任何导电线路分离。
如图2所示,在一些实施例中,微型发光二极管显示器100进一步包含包覆层160,包覆层160覆盖基板110、电极层140、微型发光二极管装置120、上电极143以及绝缘层150。包覆层160具有通孔161,通孔161与基板110的通孔(即空气通道115)流体连通,允许空气经由基板110的通孔(即空气通道115)与包覆层160的通孔161流过微型发光二极管显示器100。通孔161与电极层140、微型发光二极管装置120、上电极143以及绝缘层150分离。在一些实施例中,包覆层160的通孔161与基板110的通孔(即空气通道115)彼此对齐,并具有实质上相同的孔径。
请参照图3,其为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器300的局部放大剖视图。本实施例与图2所示的实施例的差异处,在于微型发光二极管显示器300的微型发光二极管装置320为覆晶式发光二极管。具体而言,微型发光二极管装置320包含第一类型半导体层321、第二类型半导体层322以及主动层323,第一类型半导体层321以及第二类型半导体层322经由位于其间的主动层323彼此连接。
如图3所示,第一类型半导体层321接触电极层140的第一电极141,第二类型半导体层322侧向延伸至电极层140的第二电极142上方。第二类型半导体层322经由导电结构343电性连接电极层140的第二电极142,导电结构343位于第二类型半导体层322以及电极层140的第二电极142之间。包覆层160覆盖基板110、电极层140、微型发光二极管装置320以及导电结构343。
请参照图4,其为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器400的局部放大剖视图。本实施例与图2所示的实施例的差异处,在于微型发光二极管显示器400进一步包含透气支撑层430,透气支撑层430至少部分覆盖基板110的第二表面110b。一般期望将基板110保持较薄以利形成通孔(即空气通道115),透气支撑层430能为基板110提供额外的结构支撑。
如图4所示,透气支撑层430具有至少一个通孔431,通孔431与空气通道115(例如:通孔)流体连通,以允许空气经由透气支撑层430的通孔431、基板110的通孔(即空气通道115)与包覆层160的通孔161流过微型发光二极管显示器400。在一些实施例中,透气支撑层430包含织物。
请参照图5,其为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器500的局部放大剖视图。本实施例与图2所示的实施例的差异处,在于微型发光二极管显示器500的基板510包含多孔材料,多孔材料具有孔隙形成基板510的空气通道515。在一些实施例中,多孔材料包含塑胶、陶瓷、织物、复合材料、其他合适的材料或其任意组合。
如图5所示,包覆层560覆盖微型发光二极管装置120、电极层140、上电极143以及绝缘层150,并暴露基板510的第一表面510a的至少一部分。空气通道515具有至少一个开口515a在基板510的第一表面510a上,开口515a与包覆层560及内嵌其中的部件分离。换言之,空气通道515具有至少一个开口515a在基板510的第一表面510a暴露的部分。
如图5所示,在一些实施例中,微型发光二极管显示器500进一步包含透气支撑层430,透气支撑层430至少部分覆盖基板510的第二表面510b(第二表面510b相对于第一表面510a)。透气支撑层430具有至少一个通孔431,通孔431与空气通道515(例如:孔隙)流体连通,以允许空气经由透气支撑层430的通孔431以及基板510的孔隙流过微型发光二极管显示器500。透气支撑层430的通孔431至少部分位于基板510的第一表面510a暴露的部分(亦即,第一表面510a未被包覆层560覆盖的部分)的下方。
请参照图6,其为绘示依据本发明的另一实施例的微型发光二极管显示器600的局部放大剖视图。本实施例与图2所示的实施例的差异处,在于微型发光二极管显示器600进一步包含透气支撑层630,透气支撑层630至少部分覆盖基板110的第二表面110b,并包含多孔材料。多孔材料包含孔隙形成至少一个空气通道631,以允许空气经由透气支撑层630的孔隙、基板110的通孔(即空气通道115)与包覆层160的通孔161流过微型发光二极管显示器600。在一些实施例中,多孔材料包含塑胶、陶瓷、织物、复合材料、其他合适的材料或其任意组合。
综上所述,本发明的实施例借由在基板上形成通孔或是使用多孔材料基板来允许空气流过,以提供透气式的微型发光二极管显示器,可应用于穿戴式装置以提供舒适的穿戴体验。
尽管已以本发明的特定实施例详细地对其进行描述,但其他实施例亦是可能的。因此,所附申请专利范围的精神与范围不应限定于本文中所描述的实施例。
对于所属技术领域中具有通常知识者而言,显然可在不脱离本发明的范围或精神下对本发明的结构进行各种修改与更动。有鉴于此,本发明意图涵盖落入申请专利范围内的修改与变化。
Claims (18)
1.一种透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,包含:
基板,具有第一表面、第二表面以及至少一个空气通道,该第二表面相对于该第一表面,该至少一个空气通道自该第一表面延伸至该第二表面;
电极层,设置于该基板的该第一表面上,并接触该基板的该第一表面,其中该至少一个空气通道具有开口在该基板的该第一表面上,该电极层与该开口分离;以及
微型发光二极管装置,设置于该电极层上,并具有发光面积,该发光面积小于或等于2500平方微米。
2.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该至少一个空气通道包含第一通孔,该第一通孔贯穿该基板。
3.根据权利要求2所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该第一通孔位于该基板的显示区域内。
4.根据权利要求3所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该微型发光二极管装置以及该第一通孔位于该显示区域的像素单元内。
5.根据权利要求2所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,进一步包含:
包覆层,覆盖该基板、该电极层以及该微型发光二极管装置,该包覆层具有第二通孔,该第二通孔与该基板的该第一通孔流体连通。
6.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该基板包含多孔材料,该多孔材料具有孔隙形成该至少一个空气通道。
7.根据权利要求6所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,进一步包含:
包覆层,覆盖该微型发光二极管装置以及该电极层,并暴露该基板的该第一表面的至少一部分。
8.根据权利要求6所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该多孔材料包含塑胶、陶瓷、织物、复合材料或其任意组合。
9.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,进一步包含:
透气支撑层,至少部分覆盖该基板的该第二表面。
10.根据权利要求9所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该透气支撑层具有至少一个通孔,该至少一个通孔与该至少一个空气通道流体连通。
11.根据权利要求9所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该透气支撑层包含织物。
12.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该至少一个空气通道为多个,所述空气通道的所述开口的周缘所围绕的总面积占该基板的该第一表面的周缘所围绕的面积的3%至90%。
13.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该电极层沉积形成于该基板的该第一表面上。
14.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该微型发光二极管装置包含堆叠设置的第一类型半导体层、主动层以及第二类型半导体层,该第一类型半导体层接触该电极层,该第二类型半导体层经由上电极电性连接该电极层,该上电极至少部分透明。
15.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该微型发光二极管装置包含第一类型半导体层、第二类型半导体层以及主动层,该主动层位于该第一类型半导体层以及该第二类型半导体层之间,该第一类型半导体层接触该电极层,该第二类型半导体层经由导电结构电性连接该电极层,该导电结构位于该第二类型半导体层以及该电极层之间。
16.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该微型发光二极管装置为激光二极管。
17.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该至少一个空气通道的该开口的周缘所围绕的面积小于2平方毫米。
18.根据权利要求1所述的透气式微型发光二极管显示器,其特征在于,该至少一个空气通道包含至少十个通孔贯穿该基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/711,417 | 2019-12-11 | ||
US16/711,417 US11189771B2 (en) | 2019-12-11 | 2019-12-11 | Breathable micro light emitting diode display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112951869A true CN112951869A (zh) | 2021-06-11 |
CN112951869B CN112951869B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=76234753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202011406331.7A Active CN112951869B (zh) | 2019-12-11 | 2020-12-03 | 透气式微型发光二极管显示器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11189771B2 (zh) |
CN (1) | CN112951869B (zh) |
TW (1) | TWI794694B (zh) |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006011239A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
EP1732132A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-13 | Ching-Fu Tsou | Array-type modularized light-emitting diode structure and method for packaging the structure |
US20090267094A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Foxconn Technology Co., Ltd. | Light emitting diode and method for manufacturing the same |
US20100210046A1 (en) * | 2009-02-19 | 2010-08-19 | Chih-Chiang Kao | Light emitting diode chip, and methods for manufacturing and packaging the same |
JP2012054163A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光源装置および電子機器 |
WO2013081328A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Jin Sung Park | Light emitting diode package and method of manufacturing light emitting diode package |
TWM474264U (zh) * | 2013-09-27 | 2014-03-11 | Shi-How Shieh | 含玻璃燒結螢光體之led結構 |
US8686625B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-04-01 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED packages and related methods |
JP2016021545A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 発光部品が実装された実装基板、および発光部品が実装される配線基板 |
CN107425039A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-12-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置 |
JP2018148068A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板、基板、貫通電極基板、光学装置および表示装置 |
WO2019147063A1 (ko) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
CN110265423A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板、柔性显示面板、柔性显示装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI351777B (en) * | 2008-04-22 | 2011-11-01 | Silicon Base Dev Inc | Bade for light diode and its manufacturing method |
US10797188B2 (en) * | 2014-05-24 | 2020-10-06 | Hiphoton Co., Ltd | Optical semiconductor structure for emitting light through aperture |
CN104505373B (zh) * | 2014-12-19 | 2017-11-21 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置及显示面板的制造方法 |
KR102618354B1 (ko) * | 2016-04-15 | 2023-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN205984154U (zh) * | 2016-08-15 | 2017-02-22 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示面板及可穿戴设备 |
US20180056087A1 (en) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | Adolfo Ribeiro | Wearable Micro-LED Healing Bandage |
US10415164B2 (en) * | 2017-05-02 | 2019-09-17 | Nike, Inc. | Upper-torso garment with three-dimensional knit structures |
WO2019132050A1 (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 박일우 | Led 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR20190135285A (ko) * | 2018-05-28 | 2019-12-06 | 주식회사 루멘스 | 마이크로 엘이디 모듈 및 그 제조방법 |
KR20200015082A (ko) * | 2018-08-02 | 2020-02-12 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 led 구조체 및 이의 제조방법 |
US10944027B2 (en) * | 2019-06-14 | 2021-03-09 | X Display Company Technology Limited | Pixel modules with controllers and light emitters |
CN110504282B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
TWI714319B (zh) * | 2019-10-28 | 2020-12-21 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體裝置 |
US11239397B2 (en) * | 2019-12-11 | 2022-02-01 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Breathable and waterproof micro light emitting diode display |
-
2019
- 2019-12-11 US US16/711,417 patent/US11189771B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-03 CN CN202011406331.7A patent/CN112951869B/zh active Active
- 2020-12-08 TW TW109143280A patent/TWI794694B/zh active
-
2021
- 2021-08-29 US US17/446,300 patent/US11637229B2/en active Active
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006011239A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Kyocera Corp | 液晶表示装置 |
EP1732132A1 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-13 | Ching-Fu Tsou | Array-type modularized light-emitting diode structure and method for packaging the structure |
US20090267094A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Foxconn Technology Co., Ltd. | Light emitting diode and method for manufacturing the same |
US20100210046A1 (en) * | 2009-02-19 | 2010-08-19 | Chih-Chiang Kao | Light emitting diode chip, and methods for manufacturing and packaging the same |
JP2012054163A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光源装置および電子機器 |
WO2013081328A1 (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Jin Sung Park | Light emitting diode package and method of manufacturing light emitting diode package |
US8686625B1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-04-01 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED packages and related methods |
TWM474264U (zh) * | 2013-09-27 | 2014-03-11 | Shi-How Shieh | 含玻璃燒結螢光體之led結構 |
JP2016021545A (ja) * | 2014-06-20 | 2016-02-04 | 大日本印刷株式会社 | 発光部品が実装された実装基板、および発光部品が実装される配線基板 |
JP2018148068A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板、基板、貫通電極基板、光学装置および表示装置 |
CN107425039A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-12-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置 |
WO2019147063A1 (ko) * | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
CN110265423A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板、柔性显示面板、柔性显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11637229B2 (en) | 2023-04-25 |
US20210184093A1 (en) | 2021-06-17 |
CN112951869B (zh) | 2024-03-08 |
US20210391520A1 (en) | 2021-12-16 |
US11189771B2 (en) | 2021-11-30 |
TWI794694B (zh) | 2023-03-01 |
TW202123454A (zh) | 2021-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112951868B (zh) | 透气且防水的微型发光二极管显示器 | |
KR102262952B1 (ko) | 터치 컨트롤 패널 및 그 제조 방법, 터치 컨트롤 디스플레이 스크린 | |
TWI505249B (zh) | 像素晶片,顯示面板,發光面板,顯示單元及發光單元 | |
CN109979981B (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN107425039B (zh) | 一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置 | |
US20210183825A1 (en) | Large area passive micro light-emitting diode matrix display | |
US10860057B2 (en) | Display panel and display apparatus thereof | |
KR20190094665A (ko) | 마이크로 엘이디 모듈 | |
CN112951869B (zh) | 透气式微型发光二极管显示器 | |
JP2006237071A (ja) | 発光素子およびこれを用いた表示装置 | |
CN112017552B (zh) | 电子装置 | |
JP2013025125A (ja) | 表示装置 | |
US12027649B2 (en) | Breathable micro light emitting diode display | |
US20220052226A1 (en) | Breathable micro light emitting diode display | |
JP2001326388A (ja) | 半導体発光装置 | |
CN212624640U (zh) | 发光模组、显示模组、显示屏及显示器 | |
CN112350065B (zh) | 显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 | |
TWM614583U (zh) | 發光顯示裝置 | |
JP5716323B2 (ja) | 光源装置および電子機器 | |
CN114217702B (zh) | 触控面板及移动终端 | |
CN112054043A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
CN111312783B (zh) | 显示模组及电子设备 | |
US11449164B1 (en) | Display device | |
CN113707040A (zh) | 发光模组、显示模组、显示屏及显示器 | |
KR20240073392A (ko) | 마이크로 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |