CN112951860B - 平板探测器的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种平板探测器的制备方法，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光电二极管成膜过程对氧化物有源层造成损伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测器质量及性能；且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；本发明通过在光电二极管成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可减小寄生电容对平板探测器的影响；本发明通过在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可避免光电二极管以及第二保护层的成膜过程对氧化物有源层的影响。

Description

平板探测器的制备方法
技术领域
本发明属于平板探测器领域，涉及一种平板探测器的制备方法。
背景技术
数字化X射线摄影(Digital Radio Graphy，简称DR)，是上世纪90年代发展起来的X 射线摄影新技术，以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点，成 为数字化X射线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家的认可。其 在医疗影像诊断成像、工业探伤、安检等领域的应用越来越广泛，在X射线辐射成像应用中， 一般要求平板探测器面积达43cm×43cm，X射线探测器TFT面板的设计对其功能的实现起了很大的作用。
平板探测器概括的说是一种采用半导体技术将X射线能量转换为电信号，产生X射线图 像的检测器。平板探测器由上百万乃至上千万个像素单元电路所组成，像素单元电路一般由 薄膜晶体管(TFT)和光电二极管(PD)所组成。传统的平板探测器主要为非晶硅平板探测器，其像素单元电路由a-Si TFT和a-Si PD所组成。
随着社会的发展，对TFT读取速率的要求越来越高，与传统的a-Si TFT相比较，由于非 晶氧化物(AOS)TFT具有较高的场效应迁移率(约为a-Si TFT迁移率的10倍以上)和较低的关态电流(fA级别)等优势，从而可应用于制备具有高帧率、低噪声等优势的动态平板探测器。
然而，在制备由AOS TFT和a-Si PD阵列所组成的平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程 会对AOS TFT产生不利影响，会导致AOS TFT的性能劣化，降低了产品良率。
因此，提供一种平板探测器的制备方法，实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种平板探测器的制备方法，用 于解决现有技术中在制备平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程对AOS TFT造成不利影响，使得AOS TFT的性能劣化的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种平板探测器的制备方法，包括以下步 骤：
提供衬底；
于所述衬底上形成栅极；
于所述衬底上形成覆盖所述衬底及栅极的栅极绝缘层；
于所述栅极绝缘层上形成氧化物有源层；
于所述氧化物有源层上形成刻蚀阻挡层；
形成第一金属层，并图形化所述第一金属层，以分别形成与所述氧化物有源层相接触的 漏极及源极；
形成第一保护层，并图形化所述第一保护层，以形成显露部分所述源极的光电二极管通 孔；
形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述第一保护层及所述光电二极管通孔的底部及 侧壁；
形成光电二极管及透明顶电极；
图形化所述光电二极管、透明顶电极及金属隔离层，以显露位于所述氧化物有源层上方 的所述第一保护层；
形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第一保护层、光电二极管及透明顶电极；
图形化所述第二保护层，形成显露所述透明顶电极的公共电极通孔；
形成第二金属层，并图形化所述第二金属层，形成公共电极及遮光层，所述遮光层位于 所述氧化物有源层上方，所述公共电极填充所述公共电极通孔；
形成第三保护层，所述第三保护层覆盖所述公共电极及遮光层；
形成闪烁体层，所述闪烁体层覆盖所述第三保护层。
可选地，形成光电二极管及透明顶电极之后，包括以下步骤：
图形化所述光电二极管及透明顶电极，以显露位于所述氧化物有源层上方的所述金属隔 离层；
形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述金属隔离层、光电二极管及透明顶电极；
图形化所述第二保护层，形成显露所述透明顶电极的公共电极通孔；
形成第二金属层，并图形化所述第二金属层，形成公共电极，所述公共电极填充所述公 共电极通孔；
图形化所述第二保护层，形成显露所述金属隔离层的第二保护层通孔；
去除所述金属隔离层，显露所述第一保护层；
形成第三保护层，所述第三保护层覆盖所述公共电极并填充所述第二保护层通孔；
于所述第三保护层上形成遮光层，所述遮光层位于所述氧化物有源层的上方；
形成第四保护层，所述第四保护层覆盖所述遮光层及第三保护层；
形成闪烁体层，所述闪烁体层覆盖所述第四保护层。
可选地，所述氧化物有源层包括a-IGZO层、a-IZO层、a-IGO层、In2O3层、ZnO层、 a-IZTO层及AlZnOx层中的一种或组合；所述氧化物有源层的厚度范围为
可选地，所述金属隔离层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属隔离层的厚度为
可选地，所述第一保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层 及有机绝缘层中的一种或组合；所述第一保护层的厚度范围为所述第二保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组 合；所述第三保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝 缘层中的一种或组合。
可选地，所述栅极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种 或组合；所述栅极的厚度范围为所述栅极绝缘层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述栅极绝缘层的厚度范围为/>
可选地，所述刻蚀阻挡层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层 及有机绝缘层中的一种或组合；所述刻蚀阻挡层的厚度范围为
可选地，所述第一金属层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述第一金属层的厚度范围为所述第二金属层包括Mo层、Al层、AlNb层、 Cr层及Cu层中的一种或组合；所述第二金属层的厚度范围为/>所述公共电极 及遮光层具有同一平面，且具有相同的材质及厚度。
可选地，所述透明顶电极包括ITO层；所述透明顶电极的厚度范围为
可选地，所述闪烁体层包括CsI层、GOS层及钙钛矿层中的一种或组合。
如上所述，本发明的平板探测器的制备方法，具有以下有益效果：
本发明采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光电二极管成 膜过程对氧化物有源层造成损伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测器质量及性 能；且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；
本发明通过在光电二极管成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可 减小寄生电容对平板探测器的影响；
本发明通过在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可 避免光电二极管以及第二保护层的成膜过程对氧化物有源层的影响。
附图说明
图1显示为本发明实施例一中平板探测器的制备工艺流程示意图。
图2～图16显示为实施例一中制备平板探测器各步骤所呈现的结构示意图。
图17显示为本发明实施例二中平板探测器的制备工艺流程示意图。
图18～图26显示为实施例二中制备平板探测器各步骤所呈现的结构示意图。
元件标号说明
110、210 衬底
120、220 栅极
130、230 栅极绝缘层
140、240 氧化物有源层
150、250 刻蚀阻挡层
161、261 源极
162、262 漏极
170、270 第一保护层
1701 光电二极管通孔
180、280 金属隔离层
190、290 光电二极管
111、211 透明顶电极
112、212 第二保护层
1121、2121 公共电极通孔
2122 第二保护层通孔
1131、2131 公共电极
1132、2132 遮光层
114、214 第三保护层
215 第四保护层
115、216 闪烁体层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露 的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加 以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部 放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中 应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的 空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这 些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一 个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二 特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例， 这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示 中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际 实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
参阅图1～图16，本实施例提供一种平板探测器的制备方法，本实施例采用一层或叠层的 金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光电二极管成膜过程对氧化物有源层造成损 伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测器质量及性能；且光电二极管下方保留的 金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；本实施例通 过在光电二极管成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可减小寄生电容 对平板探测器的影响。
以下结合附图对本实施例的制备方法进行进一步的说明，具体包括：
参阅图2，首先提供一衬底110，在所述衬底110上形成栅极120。
具体的，所述衬底110可包括玻璃衬底或柔性PI衬底，但并非局限于此。所述栅极120 的材料可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合，但并 非局限于此。其中，形成所述栅极120的方法可包括在所述衬底110上采用PVD法沉积一层 或叠层结构的金属薄膜，而后再进行图形化，以形成所述栅极120，所述栅极120的厚度范 围可为如/>及/>等。有关所述栅极120的具体材质、结构、 厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图3，于所述衬底110上形成覆盖所述衬底110及栅极120的栅极绝缘层130。
具体的，可采用CVD、PVD或溶液法等，在所述栅极120之上沉积一层绝缘层薄膜，以形成所述栅极绝缘层130，其中，所述栅极绝缘层130可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、 AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合，以形成单层的所述栅极绝缘层130 或叠层结构的所述栅极绝缘层130，且所述栅极绝缘层130的厚度范围可为如及/>等。有关所述栅极绝缘层130的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图4，于所述栅极绝缘层130上形成氧化物有源层140。
具体的，可在所述栅极绝缘层130之上，采用PVD法或溶液法制备一层氧化物薄膜或几 层氧化物薄膜的叠层结构，并采用湿刻或干刻法对所述氧化物薄膜进行图形化，以形成薄膜 晶体管的所述氧化物有源层140，所述氧化物有源层140可包括a-IGZO层、a-IZO层、a-IGO 层、In2O3层、ZnO层、a-IZTO层及AlZnOx层中的一种或组合，所述氧化物有源层140的厚 度可为如/>等。有关所述氧化物有源层140的材质、 厚度及形成方法等并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图5，于所述氧化物有源层140上形成刻蚀阻挡层150。
具体的，在所述氧化物有源层140之上，可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或叠层结 构的绝缘层，再利用湿法或干法刻蚀对其进行图形化，以形成薄膜晶体管的所述刻蚀阻挡层 150，所述刻蚀阻挡层150可在对薄膜晶体管的源漏电极进行图形化的过程中，起到保护所述 氧化物有源层140的作用。其中，所述刻蚀阻挡层150可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、 AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述刻蚀阻挡层150的厚度范围可 为如/>等。所述刻蚀阻挡层150的材质、厚度及 形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图6，形成第一金属层，并图形化所述第一金属层，以分别形成与所述氧化 物有源层140相接触的漏极162及源极161。
具体的，在薄膜晶体管的所述刻蚀阻挡层150之上，可采用PVD法沉积一层金属薄膜或 几层金属薄膜的叠层结构，以形成第一金属层，所述第一金属层可包括Mo层、Al层、AlNb 层、Cr层及Cu层中的一种或组合；而后可利用湿法或干法刻蚀对所述第一金属层进行图形 化，以形成薄膜晶体管的所述漏极162及源极161，其中，所述第一金属层的厚度范围可为如/>等。有关所述第一金属层的材质、厚度及形成方法 并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图7，形成第一保护层170，并图形化所述第一保护层170，以形成显露部分 所述源极161的光电二极管通孔1701。
具体的，在所述漏极162及源极161形成后，可在其上采用CVD、PVD或溶液法制备一层或叠层结构的绝缘层薄膜，以形成所述第一保护层170，所述第一保护层170可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；而后利 用湿法或干法刻蚀对其进行图形化，以形成显露部分所述源极161的光电二极管通孔1701，制备形成所述第一保护层170，所述第一保护层170的厚度可为如/> 等。有关所述第一保护层170的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根 据需要进行选择。
接着，参阅图8，形成金属隔离层180，所述金属隔离层180覆盖所述第一保护层170及 所述光电二极管通孔1701的底部及侧壁。
具体的，可采用PVD法沉积一整层的所述金属隔离层180，用于隔离保护薄膜晶体管， 避免在后续制备如非晶硅的光电二极管层时对所述氧化物有源层140造成损伤，导致薄膜晶 体管的电学性能的劣化。其中，所述金属隔离层180可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属隔离层180的厚度可为如/> 等。所述金属隔离层180的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图9及图10，形成光电二极管190及透明顶电极111。
具体的，可采用CVD法制备非晶硅的所述光电二极管层190，在此制备过程中，由于存 在所述金属隔离层180，从而通过所述金属隔离层180可以很好地隔离在制备所述光电二极 管层190的过程中，对所述薄膜晶体管造成的不利影响。接着，可采用PVD法沉积一整层的 ITO薄膜，以作为光电二极管的所述透明顶电极111，其厚度可为如/> 等，但所述透明顶电极111的材质、厚度及形成方法并非局限于此。
接着，参阅图11，图形化所述光电二极管190、透明顶电极111及金属隔离层180，以显露位于所述氧化物有源层140上方的所述第一保护层170。
具体的，可利用干法或湿法刻蚀先对所述透明顶电极111、光电二极管层190进行图形 化，而后再采用湿法刻蚀对所述金属隔离层180进行图形化，以使得所述金属隔离层180可 直接作为所述光电二极管190的底电极。
接着，参阅图12，形成第二保护层112，所述第二保护层112覆盖所述第一保护层170、 光电二极管190及透明顶电极111。
具体的，可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或几层叠层结构的绝缘层，以形成所述第 二保护层112，其中，所述第二保护层112可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合，以覆盖于所述光电二极管190之上，作为所述光电二极管190的保护层。所述第二保护层112的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图13，图形化所述第二保护层112，形成显露所述透明顶电极111的公共电 极通孔1121。
接着，参阅图14，形成第二金属层，并图形化所述第二金属层，形成公共电极1131及 遮光层1132，所述遮光层1132位于所述氧化物有源层140上方，所述公共电极1131填充所 述公共电极通孔。
具体的，可采用PVD法制备一层或几层叠层结构的金属薄膜，以形成所述第二金属层， 所述第二金属层可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述第二金属层的厚度范围为如/>等，而后再对所述第二金属层进行图形化即可形成所述公共电极1131及遮光层1132，其中，所述公共电极1131及遮光层1132的具有同一平面，且具有相同的材质及厚度。有关所述第二金属层的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图15，形成第三保护层114，所述第三保护层114覆盖所述公共电极1131及 遮光层1132。
具体的，可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或叠层结构的绝缘层，以形成所述第三保 护层114，其中，所述第三保护层114可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合。所述第三保护层114的材质、厚度及形成方法并 非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图16，形成闪烁体层115，所述闪烁体层115覆盖所述第三保护层114。
具体的，所述闪烁体层115可包括CsI层、GOS层及钙钛矿层中的一种或组合，以通过 所述闪烁体层115将X射线转化为可见光。所述闪烁体层115的材质、厚度及形成方法并非 局限于此，可根据需要进行选择。
实施例二
参阅图17～图26，本实施例提供另一种平板探测器的制备方法，本实施例与实施例一的 不同之处主要在于：在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除。
本实施例采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光电二极管 成膜过程对氧化物有源层造成损伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测器质量及 性能；且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除， 可避免光电二极管以及第二保护层的成膜过程对氧化物有源层的影响。
以下结合附图对本实施例的制备方法进行进一步的说明。
具体的，参阅图18，本实施例中在形成光电二极管290及透明顶电极211之前，已在衬 底210上制备形成栅极220、栅极绝缘层230、氧化物有源层240、刻蚀阻挡层250、源极261、 漏极262、第一保护层270及金属隔离层280。有关该结构的具体制备、材质、厚度及制备工 艺等均可参阅实施例一，此处不作赘述，以下仅针对形成所述光电二极管290及透明顶电极 211之后的制备步骤进行进一步的说明。
参阅图18，图形化所述光电二极管290及透明顶电极211，以显露位于所述氧化物有源 层240上方的所述金属隔离层280。
具体的，可利用干法或湿法刻蚀先对所述透明顶电极211及光电二极管290进行图形化， 而保留所述金属隔离层280不作图形化，以作为保护层。
接着，参阅图19，形成第二保护层212，所述第二保护层212覆盖所述金属隔离层280、 光电二极管290及透明顶电极211。
具体的，可采用CVD法制备所述第二保护层212，在此制备过程中，所述金属隔离层280 会起到保护所述氧化物有源层240的作用，避免所述第二保护层212的制备过程对所述薄膜 晶体管的影响。有关所述第二保护层212的材质、厚度等均可参阅实施例一。
接着，参阅图20，可采用干法刻蚀，图形化所述第二保护层212，形成显露所述透明顶 电极211的公共电极通孔2121。
接着，参阅图21，形成第二金属层，并图形化所述第二金属层，形成公共电极2131，所 述公共电极2131填充所述公共电极通孔。具体可采用PVD法制备一层或叠层结构的金属薄 膜，并对其进行图形化，以形成所述公共电极2131。有关所述第二金属层的材质、厚度等均 可参阅实施例一。
接着，参阅图22，可采用干法刻蚀，图形化所述第二保护层212，形成显露所述金属隔 离层280的第二保护层通孔2122。
接着，参阅图23，可采用湿刻法去除所述金属隔离层280，以显露所述第一保护层270。
接着，参阅图24，形成第三保护层214，所述第三保护层214覆盖所述公共电极2131并 填充所述第二保护层通孔2122。有关所述第三保护层214的材质、厚度等均可参阅实施例一。
接着，参阅图25，于所述第三保护层214上形成遮光层2132，所述遮光层2132位于所 述氧化物有源层240的上方。
具体的，可采用PVD法制备一层或几层叠层结构的金属薄膜，再对其进行图形化以形成所述遮光层2132，所述遮光层2132可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种 或组合；所述遮光层2132的厚度范围可为如/> 等。所述遮光层2132的材质、厚度及形成方法并非局限于此。
接着，参阅图26，形成第四保护层215，所述第四保护层215覆盖所述遮光层2132及第 三保护层214。
具体的，可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或几层叠层结构的绝缘层，以形成所述第 四保护层215，所述第四保护层215的材质可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合，所述第四保护层215的材质、厚度及形成方法，此处不作过分限制。
接着，参阅图26，形成闪烁体层216，所述闪烁体层216覆盖所述第四保护层215。
综上所述，本发明采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光 电二极管成膜过程对氧化物有源层造成损伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测 器质量及性能；且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；
本发明通过在光电二极管成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可 减小寄生电容对平板探测器的影响；
本发明通过在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可 避免光电二极管以及第二保护层的成膜过程对氧化物有源层的影响。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技 术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡 所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种平板探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
于所述衬底上形成栅极；
于所述衬底上形成覆盖所述衬底及栅极的栅极绝缘层；
于所述栅极绝缘层上形成氧化物有源层；
于所述氧化物有源层上形成刻蚀阻挡层；
形成第一金属层，并图形化所述第一金属层，以分别形成与所述氧化物有源层相接触的漏极及源极；
形成第一保护层，并图形化所述第一保护层，以形成显露部分所述源极的光电二极管通孔；
形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述第一保护层及所述光电二极管通孔的底部及侧壁；
形成光电二极管及透明顶电极；
图形化所述光电二极管及透明顶电极，以显露位于所述氧化物有源层上方的所述金属隔离层；
形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述金属隔离层、光电二极管及透明顶电极；
图形化所述第二保护层，形成显露所述透明顶电极的公共电极通孔；
形成第二金属层，并图形化所述第二金属层，形成公共电极，所述公共电极填充所述公共电极通孔；
图形化所述第二保护层，形成显露所述金属隔离层的第二保护层通孔；
去除所述金属隔离层，显露所述第一保护层；
形成第三保护层，所述第三保护层覆盖所述公共电极并填充所述第二保护层通孔；
于所述第三保护层上形成遮光层，所述遮光层位于所述氧化物有源层的上方；
形成第四保护层，所述第四保护层覆盖所述遮光层及第三保护层；
形成闪烁体层，所述闪烁体层覆盖所述第四保护层。
2.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述氧化物有源层包括a-IGZO层、a-IZO层、a-IGO层、In2O3层、ZnO层、a-IZTO层及AlZnOx层中的一种或组合；所述氧化物有源层的厚度范围为
3.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述金属隔离层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属隔离层的厚度为
4.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述第一保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第一保护层的厚度范围为所述第二保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第三保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合。
5.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述栅极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述栅极的厚度范围为所述栅极绝缘层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述栅极绝缘层的厚度范围为/>
6.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述刻蚀阻挡层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述刻蚀阻挡层的厚度范围为
7.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述第一金属层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述第一金属层的厚度范围为所述第二金属层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述第二金属层的厚度范围为/>所述公共电极及遮光层具有同一平面，且具有相同的材质及厚度。
8.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述透明顶电极包括ITO层；所述透明顶电极的厚度范围为
9.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述闪烁体层包括CsI层、GOS层及钙钛矿层中的一种或组合。
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