CN112687714B - 平板探测器的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而可提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧化物有源层的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，以降低工艺复杂度及成本。

Description

平板探测器的制备方法
技术领域
本发明属于平板探测器领域，涉及一种平板探测器的制备方法。
背景技术
数字化X射线摄影(Digital Radio Graphy，简称DR)，是上世纪90年代发展起来的X射线摄影新技术，以其更快的成像速度、更便捷的操作、更高的成像分辨率等显著优点，成为数字化X射线摄影技术的主导方向，并得到世界各国的临床机构和影像学专家的认可。其在医疗影像诊断成像、工业探伤、安检等领域的应用越来越广泛，在X射线辐射成像应用中，一般要求平板探测器面积达43cm×43cm，X射线探测器TFT面板的设计对其功能的实现起了很大的作用。
平板探测器概括的说是一种采用半导体技术将X射线能量转换为电信号，产生X射线图像的检测器。平板探测器由上百万乃至上千万个像素单元电路所组成，像素单元电路一般由薄膜晶体管(TFT)和光电二极管(PD)所组成。传统的平板探测器主要为非晶硅平板探测器，其像素单元电路由a-Si TFT和a-Si PD所组成。
随着社会的发展，对TFT读取速率的要求越来越高，与传统的a-Si TFT相比较，由于非晶氧化物(AOS)TFT具有较高的场效应迁移率(约为a-Si TFT迁移率的10倍以上)和较低的关态电流(fA级别)等优势，从而可应用于制备具有高帧率、低噪声等优势的动态平板探测器。
然而，在制备由AOS TFT和a-Si PD阵列所组成的平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程会对AOS TFT产生不利影响，会导致AOS TFT的性能劣化，降低了产品良率。
因此，提供一种平板探测器的制备方法，实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种平板探测器的制备方法，用于解决现有技术中在制备平板探测器时，a-Si PD阵列成膜制程对AOS TFT造成不利影响，使得AOS TFT的性能劣化的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种平板探测器的制备方法，包括以下步骤：
提供衬底；
于所述衬底上形成缓冲层；
于所述缓冲层上形成图形化的源电极及漏电极；
形成非晶氧化物薄膜，并图形化所述非晶氧化物薄膜，形成与所述源电极及漏电极相接触的非晶氧化物有源层；
形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述非晶氧化物有源层、源电极、漏电极及缓冲层；
图形化所述栅绝缘层，形成源电极互连孔及光电二极管通孔，其中，所述源电极互连孔显露部分所述源电极，所述光电二极管通孔显露部分所述缓冲层；
形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述源电极互连孔、光电二极管通孔及栅绝缘层；
于所述金属隔离层上形成光电二极管及透明顶电极；
图形化所述光电二极管及透明顶电极，以显露部分所述金属隔离层；
图形化所述金属隔离层，形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，其中，所述栅电极位于所述非晶氧化物有源层上方，所述金属互联层与所述光电二极管底电极及源电极互联；
形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述栅电极、金属互联层、光电二极管及透明顶电极；
图形化所述第一保护层，形成公共电极通孔，所述公共电极通孔显露部分所述透明顶电极；
形成金属层，并图形化所述金属层，形成公共电极，所述公共电极覆盖所述公共电极通孔；
形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述公共电极；
形成闪烁体层，所述闪烁体层覆盖所述第二保护层。
可选地，所述缓冲层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述缓冲层的厚度范围为
可选地，所述源电极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述源电极的厚度范围为所述漏电极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述漏电极的厚度范围为/>
可选地，所述非晶氧化物薄膜包括a-IGZO层、a-IZO层、a-IGO层、In2O3层、ZnO层、a-IZTO层及AlZnOx层中的一种或组合；所述非晶氧化物薄膜的厚度范围为
可选地，所述栅绝缘层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述栅绝缘层的厚度范围为
可选地，所述金属隔离层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属隔离层的厚度为
可选地，所述金属层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属层的厚度为
可选地，所述第一保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第一保护层的厚度范围为所述第二保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第二保护层的厚度范围为/>
可选地，所述透明顶电极包括ITO层；所述透明顶电极的厚度范围为
可选地，所述闪烁体层包括CsI层、GOS层及钙钛矿层中的一种或组合。
如上所述，本发明的平板探测器的制备方法，具有以下有益效果：
在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧化物有源层的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，以降低工艺复杂度及成本。
附图说明
图1显示为本发明实施例中平板探测器的制备工艺流程示意图。
图2～图15显示为实施例中制备平板探测器各步骤所呈现的结构示意图。
元件标号说明
110 衬底
120 缓冲层
130 源电极
140 漏电极
150 非晶氧化物有源层
160 栅绝缘层
1601 源电极互连孔
1602 光电二极管通孔
170 金属隔离层
171 栅电极
172 金属互联层
173 光电二极管底电极
180 光电二极管
190 透明顶电极
111 第一保护层
1111 公共电极通孔
112 公共电极
113 第二保护层
114 闪烁体层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局型态也可能更为复杂。
参阅图1～图15，本实施例提供一种平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧化物有源层的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，以降低工艺复杂度及成本。
以下结合附图对本实施例的制备方法进行进一步的说明，具体包括：
参阅图2，首先提供一衬底110，在所述衬底110上形成缓冲层120。
具体的，所述衬底110可包括玻璃衬底或柔性PI、PET衬底等，但并非局限于此。可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或多层结构的绝缘层，以作为所述缓冲层120，所述缓冲层120可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述缓冲层120的厚度范围可为如/>及/>等。其中，所述缓冲层120不需要做图形化，其可以减少所述衬底110中的杂质离子进入器件中，同时可以减少薄膜或衬底的应力对器件的影响。有关所述缓冲层120的具体材质、结构、厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图3，于所述缓冲层120上形成源电极130及漏电极140。
具体的，可采用PVD法沉积一层或多层的金属薄膜，而后可利用干法或湿法刻蚀对金属薄膜进行图形化，以形成所述源电极130及漏电极140，本实施例中，所述源电极130及漏电极140采用同步沉积及刻蚀形成，因此具有相同材质，以降低工艺复杂度，但所述源电极130及漏电极140的材质、形成工艺等也可不同，此处不作过分限制。其中，所述源电极130可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述源电极130的厚度范围可为如/>及/>等。所述漏电极140可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述漏电极140的厚度范围可为如/>及/>等。有关所述源电极130及漏电极140的具体材质、结构、厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图4，形成非晶氧化物薄膜，并图形化所述非晶氧化物薄膜，形成与所述源电极130及漏电极140相接触的非晶氧化物有源层150。
具体的，可采用PVD法或溶液法制备一层或多层的所述非晶氧化物薄膜，并采用湿刻或干刻法对所述非晶氧化物薄膜进行图形化，以形成所述非晶氧化物有源层150，其中，所述非晶氧化物薄膜可包括a-IGZO层、a-IZO层、a-IGO层、In2O3层、ZnO层、a-IZTO层及AlZnOx层中的一种或组合；所述非晶氧化物薄膜的厚度范围可为如及/>等。有关所述非晶氧化物薄膜的具体材质、结构、厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图5，形成栅绝缘层160，所述栅绝缘层160覆盖所述非晶氧化物有源层150、源电极130、漏电极140及缓冲层120。
具体的，可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或多层的栅绝缘层薄膜，所述栅绝缘层160可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述栅绝缘层160的厚度范围可为如/>等，有关所述栅绝缘层160的具体材质、结构、厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图6，图形化所述栅绝缘层160，形成源电极互连孔1601及光电二极管通孔1602，其中，所述源电极互连孔1601显露部分所述源电极130，所述光电二极管通孔1602显露部分所述缓冲层120。
具体的，可利用干法或湿法刻蚀对所述栅绝缘层160进行图形化，以形成所述源电极互连孔1601及光电二极管通孔1602。
接着，参阅图7，形成金属隔离层170，所述金属隔离层170覆盖所述源电极互连孔1601、光电二极管通孔1602及栅绝缘层160。
具体的，可采用PVD法先沉积一层或多层的金属薄膜，以形成所述金属隔离层170。其中，所述金属隔离层170可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属隔离层170的厚度可为如/>及/>等，有关所述金属隔离层170的具体材质、结构、厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图8，于所述金属隔离层170上形成光电二极管180及透明顶电极190。
具体的，可先在所述金属隔离层170上采用CVD法制备所述光电二极管180，如非晶硅PIN光电二极管层，再采用PVD法于所述光电二极管180上制备透明顶电极190，如ITO层，以形成堆叠的所述光电二极管180及透明顶电极190，在此过程中，所述金属隔离层170作为保护层，可以保护非晶氧化物薄膜晶体管免受非晶硅光电二极管沉积过程的影响，从而可避免引起TFT性能劣化的问题。其中，所述透明顶电极190可采用ITO层，但并非局限于，且所述透明顶电极190的厚度范围可为如/>及/>等，有关所述透明顶电极190的具体材质、结构、厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图9，图形化所述光电二极管180及透明顶电极190，以显露部分所述金属隔离层170。
具体的，可采用干法或湿法刻蚀，先对所述ITO层进行图形化，形成图形化的所述透明顶电极190，再对所述非晶硅PIN光电二极管层进行图形化，形成图形化的所述光电二极管180。
接着，参阅图10，图形化所述金属隔离层170，形成栅电极171、光电二极管底电极173及金属互联层172，其中，所述栅电极171位于所述非晶氧化物有源层150上方，所述金属互联层172与所述光电二极管底电极173及源电极130互联。
具体的，可采用干法或湿法刻蚀对所述金属隔离层170进行图形化，以通过一次图形化，即可同时形成所述栅电极171、光电二极管底电极173及金属互联层172，从而可降低工艺复杂度，提高操作便捷性；且直接将保留的所述金属隔离层170作为所述光电二极管180的底电极有利于减小平板探测器的Lag值。所述栅电极171位于所述非晶氧化物有源层150的上方，从而通过所述栅电极171即可作为所述非晶氧化物有源层150的遮光层，从而后续无需额外制备TFT的遮光层，从而可节约成本，降低工艺复杂度。
接着，参阅图11，形成第一保护层111，所述第一保护层111覆盖所述栅电极171、金属互联层172、光电二极管180及透明顶电极190。
具体的，可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或多层的绝缘层薄膜，以形成所述第一保护层111，所述第一保护层111可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第一保护层111的厚度范围可为如及/>等，有关所述第一保护层111的具体材质、结构、厚度及形成方法等均可根据需要进行选择，此处不作过分限制。
接着，参阅图12，图形化所述第一保护层111，形成公共电极通孔1111，所述公共电极通孔1111显露部分所述透明顶电极190。
具体的，可利用湿法或干法刻蚀对所述第一保护层111进行图形化，以形成显露部分所述透明顶电极190的所述公共电极通孔1111。
接着，参阅图13，形成金属层，并图形化所述金属层，形成公共电极112，所述公共电极112覆盖所述公共电极通孔1111。
具体的，可采用PVD法制备一层或几层叠层结构的金属薄膜，以形成所述金属层，所述金属层可包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属层的厚度范围为可如/>等，而后可对所述金属层进行图形化即可形成所述公共电极112。有关所述金属层的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。本实施例中，所述公共电极112填充所述公共电极通孔1111，但并非局限于此。由于本实施例中，所述栅电极171位于所述非晶氧化物有源层150的上方，从而通过所述栅电极171即可作为所述非晶氧化物有源层150的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，从而可节约成本，降低工艺复杂度。
接着，参阅图14，形成第二保护层113，所述第二保护层113覆盖所述公共电极112。
具体的，可采用CVD、PVD或溶液法制备一层或叠层结构的绝缘层，以形成所述第二保护层113，其中，所述第二保护层113可包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合。所述第二保护层113的厚度范围可为如等，有关所述第二保护层113的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。
接着，参阅图15，形成闪烁体层114，所述闪烁体层114覆盖所述第二保护层113。
具体的，所述闪烁体层114可包括CsI层、GOS层及钙钛矿层中的一种或组合，以通过所述闪烁体层114将X射线转化为可见光。所述闪烁体层114的材质、厚度及形成方法并非局限于此，可根据需要进行选择。
综上所述，本发明的平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧化物有源层的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，以降低工艺复杂度及成本。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (10)

1.一种平板探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
于所述衬底上形成缓冲层；
于所述缓冲层上形成图形化的源电极及漏电极；
形成非晶氧化物薄膜，并图形化所述非晶氧化物薄膜，形成与所述源电极及漏电极相接触的非晶氧化物有源层；
形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述非晶氧化物有源层、源电极、漏电极及缓冲层；
图形化所述栅绝缘层，形成源电极互连孔及光电二极管通孔，其中，所述源电极互连孔显露部分所述源电极，所述光电二极管通孔显露部分所述缓冲层；
形成金属隔离层，所述金属隔离层覆盖所述源电极互连孔、光电二极管通孔及栅绝缘层；
于所述金属隔离层上形成光电二极管及透明顶电极；
图形化所述光电二极管及透明顶电极，以显露部分所述金属隔离层；
图形化所述金属隔离层，形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，其中，所述栅电极位于所述非晶氧化物有源层上方，所述金属互联层与所述光电二极管底电极及源电极互联；
形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述栅电极、金属互联层、光电二极管及透明顶电极；
图形化所述第一保护层，形成公共电极通孔，所述公共电极通孔显露部分所述透明顶电极；
形成金属层，并图形化所述金属层，形成公共电极，所述公共电极覆盖所述公共电极通孔；
形成第二保护层，所述第二保护层覆盖所述公共电极；
形成闪烁体层，所述闪烁体层覆盖所述第二保护层。
2.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述缓冲层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述缓冲层的厚度范围为
3.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述源电极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述源电极的厚度范围为所述漏电极包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层、Cu层、Ti层及Nb层中的一种或组合；所述漏电极的厚度范围为/>
4.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述非晶氧化物薄膜包括a-IGZO层、a-IZO层、a-IGO层、In2O3层、ZnO层、a-IZTO层及AlZnOx层中的一种或组合；所述非晶氧化物薄膜的厚度范围为
5.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述栅绝缘层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述栅绝缘层的厚度范围为
6.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述金属隔离层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属隔离层的厚度为
7.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述金属层包括Mo层、Al层、AlNb层、Cr层及Cu层中的一种或组合；所述金属层的厚度为
8.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述第一保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第一保护层的厚度范围为所述第二保护层包括SiOx层、SiNx层、SiOxNy层、AlOx层、ZrOx层、TiOx层及有机绝缘层中的一种或组合；所述第二保护层的厚度范围为
9.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述透明顶电极包括ITO层；所述透明顶电极的厚度范围为
10.根据权利要求1所述的平板探测器的制备方法，其特征在于：所述闪烁体层包括CsI层、GOS层及钙钛矿层中的一种或组合。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249370A (ja) * 2010-05-21 2011-12-08 Fujifilm Corp 放射線検出器
CN103715266A (zh) * 2013-12-25 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管、阵列基板的制造方法及显示器件
CN103779362A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 上海天马微电子有限公司 X射线平板探测装置的制造方法
CN107331725A (zh) * 2017-06-28 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板的制作方法、探测基板及x射线探测器
CN111129051A (zh) * 2019-12-04 2020-05-08 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 平板探测器像素结构及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101041144B1 (ko) * 2009-08-13 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 유기전계발광표시장치
CN106876332B (zh) * 2017-03-21 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、指纹识别单元以及薄膜晶体管及其制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249370A (ja) * 2010-05-21 2011-12-08 Fujifilm Corp 放射線検出器
CN103779362A (zh) * 2012-10-17 2014-05-07 上海天马微电子有限公司 X射线平板探测装置的制造方法
CN103715266A (zh) * 2013-12-25 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管、阵列基板的制造方法及显示器件
CN107331725A (zh) * 2017-06-28 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种探测基板的制作方法、探测基板及x射线探测器
CN111129051A (zh) * 2019-12-04 2020-05-08 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 平板探测器像素结构及其制备方法

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