CN112951305A - 一种存储设备及其控制方法和控制装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种存储设备及其控制方法和控制装置,控制方法包括:接收第一编程指令,并对第一编程指令中的编程数据进行校验;如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。本发明实施例中,在执行编程操作之前先对编程数据进行校验,只有包含有效编程数据时,才执行编程操作;反之,只有无效编程数据时,不执行编程操作。因此,在用户输入的原始数据都是无效编程数据即FFh,不做编程操作,如此避免空做一次编程操作,降低对存储单元造成编程妨碍影响,提高了编程效率。

Description

一种存储设备及其控制方法和控制装置
技术领域
本发明实施例涉及存储技术,尤其涉及一种存储设备及其控制方法和控制装置。
背景技术
Nand flash存储器是闪存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
Nand flash在进行编程操作时,不管用户输入的编程数据是什么,首先对所选字线施加一个较高的电压,将衬底中的电子隧穿到浮栅中,然后进行编程校验,如果校验失败,则抬高选中字线电压并继续进行编程,如此重复,直到编程校验成功。然而如果用户输入的原始数据都是FFh(即没有需要编程的位线),那么就会空做一次编程操作。
发明内容
本发明实施例提供一种存储设备及其控制方法和控制装置,以避免空做编程操作。
本发明实施例提供了一种存储设备的控制方法,包括:
接收第一编程指令,并对所述第一编程指令中的编程数据进行校验;
如果检测到所述第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。
进一步地,还包括:如果检测到所述第一编程指令中的编程数据均为无效编程数据,结束编程操作。
进一步地,所述存储设备还包括多个存储单元,所述执行编程操作之前还包括:
检测所述存储设备的存储标识是否为掉电存储标识;
如果检测到所述存储设备的存储标识为掉电存储标识,判断所述第一编程指令所对应的存储单元的编程状态;
如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是未编程状态,执行编程操作。
进一步地,所述判断所述第一编程指令所对应的存储单元的编程状态之后,还包括:
如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是已编程状态,结束编程操作。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种存储设备的控制装置,包括:
校验模块,用于接收第一编程指令,并对所述第一编程指令中的编程数据进行校验;
操作模块,用于如果检测到所述第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。
进一步地,所述操作模块包括结束操作单元,所述结束操作单元用于如果检测到所述第一编程指令中的编程数据均为无效编程数据,结束编程操作。
进一步地,所述存储设备还包括多个存储单元,所述操作模块还包括:
标识检测单元,用于检测所述存储设备的存储标识是否为掉电存储标识;
状态判断单元,用于如果检测到所述存储设备的存储标识为掉电存储标识,判断所述第一编程指令所对应的存储单元的编程状态;
执行操作单元,如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是未编程状态,执行编程操作。
进一步地,所述操作模块包括结束操作单元,所述结束操作单元用于如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是已编程状态,结束编程操作。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种存储设备,包括:
一个或多个处理器;
存储模块,用于存储一个或多个程序;
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行,使得所述一个或多个处理器实现如上所述的存储设备的控制方法。
本发明实施例中,接收第一编程指令,并对第一编程指令中的编程数据进行校验;如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。本发明实施例中,在执行编程操作之前先对编程数据进行校验,只有包含有效编程数据时,才执行编程操作;反之,只有无效编程数据时,不执行编程操作。因此,在用户输入的原始数据都是无效编程数据即FFh,不做编程操作,如此避免空做一次编程操作,降低对存储单元造成编程妨碍影响,提高了编程效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种存储设备的示意图;
图2是本发明实施例提供的一种存储设备的控制方法的示意图;
图3是本发明实施例提供的一种存储设备的控制装置的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,以下将参照本发明实施例中的附图,通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参考图1所示,为本发明实施例提供的一种存储设备的示意图,参考图2所示,为本发明实施例提供的一种存储设备的控制方法的流程图。本实施例提供的存储设备可选为闪存,如Nand flash。本实施例提供的存储设备还包括多个存储单元1,可选该存储单元1为存储设备中的最小存储单元,例如该存储单元为Nand flash的页存储单元。存储设备中控制装置2根据操作命令对存储单元1执行操作,控制装置2可采用软件和/或硬件实现,用于执行该存储设备的控制方法。
本实施例提供的一种存储设备的控制方法,包括:
步骤110、接收第一编程指令,并对第一编程指令中的编程数据进行校验。
本实施例中,存储设备的控制装置接收主机传输的各种操作指令并根据操作指令进行相应的操作。在此,控制装置接收第一编程指令,第一编程指令中携带有编程数据和编程地址,控制装置根据第一编程指令,可以确定待编程的存储单元以及该存储单元中待写入的编程数据。
本实施例中,控制装置接收到第一编程指令后,对第一编程指令中携带的编程数据进行校验,即校验编程数据是否为无效编程数据。无效编程数据无需编程,相应的无效编程数据所对应的编程地址无需位线,因此控制装置对编程指令中的编程数据进行校验的具体过程,可以是查看编程地址中是否有位线地址,如若没有则说明是该编程指令没有需要编程的位线,如若有则说明是该编程指令有需要编程的位线即存在有效编程数据。
步骤120、如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。
本实施例中,控制装置对第一编程指令中携带的编程数据进行校验,当查看到第一编程指令中的编程地址中存在位线地址,则说明该编程指令有需要编程的位线即存在有效编程数据。此时,控制装置执行第一编程指令。
本实施例中,接收第一编程指令,并对第一编程指令中的编程数据进行校验;如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。本实施例中,在执行编程操作之前先对编程数据进行校验,只有包含有效编程数据时,才执行编程操作;反之,只有无效编程数据时,不执行编程操作。因此,在用户输入的原始数据都是无效编程数据即FFh,不做编程操作,如此避免空做一次编程操作,降低对存储单元造成编程妨碍影响,提高了编程效率。
示例性的,在上述技术方案的基础上,可选该控制方法还包括:如果检测到第一编程指令中的编程数据均为无效编程数据,结束编程操作。本实施例中,无效编程数据无需编程,相应的无效编程数据所对应的编程地址无需位线,因此控制装置对编程指令中的编程地址中是否有位线地址进行检测后,如若没有说明是该编程指令没有需要编程的位线,此时不执行编程操作,避免FFh导致的空做编程操作。
示例性的,在上述技术方案的基础上,可选存储设备还包括多个存储单元,步骤120的执行编程操作之前还包括:
S121、检测存储设备的存储标识是否为掉电存储标识;
S122、如果检测到存储设备的存储标识为掉电存储标识,判断第一编程指令所对应的存储单元的编程状态;
S123、如果判定第一编程指令所对应的存储单元是未编程状态,执行编程操作。
可选的,判断第一编程指令所对应的存储单元的编程状态之后,还包括:如果判定第一编程指令所对应的存储单元是已编程状态,结束编程操作。
现有技术中,如果在编程过程中,存储单元的阈值已经达到或接近目标阈值时存储设备容易发生异常掉电,然后重新供电后需要再发一次编程指令。由于掉电前存储单元的阈值可能已经达到目标阈值,这时,直接就进行编程操作会导致存储单元的阈值被抬得过高,从而导致存储设备的工作循环变差。基于此,本实施例中,控制装置判定第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据后,会再判断存储设备是否在执行第一编程指令时发生过掉电,即检测存储设备的存储标识是否为掉电存储标识。
存储设备的存储标识为掉电存储标识,则表明存储设备在执行第一编程指令时发生了掉电,此时控制装置接收的第一编程指令为存储设备掉电再重新供电后重发一次的第一编程指令。基于此,控制装置需要判断上一次掉电前第一编程指令是否已经执行,即判断第一编程指令所对应的存储单元的编程状态。如果第一编程指令所对应的存储单元是未编程状态,说明上一次掉电前第一编程指令未执行,此时需要执行该第一编程指令对应的编程操作。如果第一编程指令所对应的存储单元是已编程状态,说明上一次掉电前第一编程指令已经被执行,第一编程指令对应的编程数据已经被写入相应的存储单元中,此时无需再重复执行第一编程指令,直接结束编程操作。
另一方面,存储设备没有存储标识或存储标识与掉电存储标识不同,则表明存储设备是首次执行该第一编程指令,此时,控制装置直接执行第一编程指令。
需要说明的是,存储设备掉电时工作电压低于工作标准电压,如果控制装置检测到存储设备的工作电压低于工作标准电压,则判定存储设备发生掉电,此时控制装置会对存储设备进行掉电标记,即将存储设备的存储标识标记为与掉电存储标识一致。如此可便于判定存储设备是否发生掉电。
本实施例中,首先对用户输入的原始编程数据进行校验,校验过程中如果发现用户输入的原始数据包含有效数据,则再判断存储设备是否发生过异常掉电,如果发生过异常掉电则先进行存储单元数据的校验即存储单元是否已编程,如果校验的结果是已编程,则结束本次编程操作,如果校验结果是未编程,则执行编程操作。执行编程操作时,给所选字线施加编程电压进行编程,然后进行编程校验,直到校验成功为止。如果存储设备没有发生过第一编程指令中的异常掉电,则采用和传统方案相同的流程,先进行编程电压的施加,然后进行校验。与现有技术相比,先进行掉电检测,再进行编程状态校验,只有掉电且未编程状态下才执行编程操作,避免了掉电后直接编程导致的存储单元的阈值电压过高的问题,也改善了存储设备的工作循环cycling。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种存储设备的控制装置,该控制装置集成在存储设备中,用于执行上述任意实施例所述的控制方法。
如图3所示,本实施例提供的控制装置包括:
校验模块210,用于接收第一编程指令,并对第一编程指令中的编程数据进行校验;操作模块220,用于如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。
可选的,操作模块220包括结束操作单元,结束操作单元用于如果检测到第一编程指令中的编程数据均为无效编程数据,结束编程操作。
可选的,存储设备还包括多个存储单元,操作模块220还包括:
标识检测单元,用于检测存储设备的存储标识是否为掉电存储标识;
状态判断单元,用于如果检测到存储设备的存储标识为掉电存储标识,判断第一编程指令所对应的存储单元的编程状态;
执行操作单元,如果判定第一编程指令所对应的存储单元是未编程状态,执行编程操作。
可选的,操作模块220包括结束操作单元,结束操作单元用于如果判定第一编程指令所对应的存储单元是已编程状态,结束编程操作。
本实施例中,控制装置接收第一编程指令,并对第一编程指令中的编程数据进行校验;如果检测到第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。本实施例中,在执行编程操作之前先对编程数据进行校验,只有包含有效编程数据时,才执行编程操作;反之,只有无效编程数据时,不执行编程操作。因此,在用户输入的原始数据都是无效编程数据即FFh,不做编程操作,如此避免空做一次编程操作,降低对存储单元造成编程妨碍影响,提高了编程效率。
基于同一发明构思,本发明实施例还提供了一种存储设备,包括:一个或多个处理器;存储模块,用于存储一个或多个程序;当一个或多个程序被一个或多个处理器执行,使得一个或多个处理器实现如上任意实施例所述的存储设备的控制方法。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (9)

1.一种存储设备的控制方法,其特征在于,包括:
接收第一编程指令,并对所述第一编程指令中的编程数据进行校验;
如果检测到所述第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。
2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,还包括:如果检测到所述第一编程指令中的编程数据均为无效编程数据,结束编程操作。
3.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述存储设备还包括多个存储单元,所述执行编程操作之前还包括:
检测所述存储设备的存储标识是否为掉电存储标识;
如果检测到所述存储设备的存储标识为掉电存储标识,判断所述第一编程指令所对应的存储单元的编程状态;
如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是未编程状态,执行编程操作。
4.根据权利要求3所述的控制方法,其特征在于,所述判断所述第一编程指令所对应的存储单元的编程状态之后,还包括:
如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是已编程状态,结束编程操作。
5.一种存储设备的控制装置,其特征在于,包括:
校验模块,用于接收第一编程指令,并对所述第一编程指令中的编程数据进行校验;
操作模块,用于如果检测到所述第一编程指令中的编程数据包含有效编程数据,执行编程操作。
6.根据权利要求5所述的控制装置,其特征在于,所述操作模块包括结束操作单元,所述结束操作单元用于如果检测到所述第一编程指令中的编程数据均为无效编程数据,结束编程操作。
7.根据权利要求5所述的控制装置,其特征在于,所述存储设备还包括多个存储单元,所述操作模块还包括:
标识检测单元,用于检测所述存储设备的存储标识是否为掉电存储标识;
状态判断单元,用于如果检测到所述存储设备的存储标识为掉电存储标识,判断所述第一编程指令所对应的存储单元的编程状态;
执行操作单元,如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是未编程状态,执行编程操作。
8.根据权利要求7所述的控制装置,其特征在于,所述操作模块包括结束操作单元,所述结束操作单元用于如果判定所述第一编程指令所对应的存储单元是已编程状态,结束编程操作。
9.一种存储设备,其特征在于,包括:
一个或多个处理器;
存储模块,用于存储一个或多个程序;
当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行,使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-4任一项所述的存储设备的控制方法。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008059743A (ja) * 2006-08-28 2008-03-13 Samsung Electronics Co Ltd マルチ−ページコピーバック機能を有するフラッシュメモリー装置及びそのブロック置換方法
KR20100121389A (ko) * 2009-05-08 2010-11-17 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 하는 저장 장치 및 그것을 포함한 사용자 장치
CN105551524A (zh) * 2015-12-15 2016-05-04 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储单元的擦除方法
CN106409321A (zh) * 2016-08-31 2017-02-15 福建联迪商用设备有限公司 一种提高nand flash可靠性的方法及装置
US20180059948A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 JongWon Lee Storage device and operating method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008059743A (ja) * 2006-08-28 2008-03-13 Samsung Electronics Co Ltd マルチ−ページコピーバック機能を有するフラッシュメモリー装置及びそのブロック置換方法
KR20100121389A (ko) * 2009-05-08 2010-11-17 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 하는 저장 장치 및 그것을 포함한 사용자 장치
CN105551524A (zh) * 2015-12-15 2016-05-04 北京兆易创新科技股份有限公司 一种存储单元的擦除方法
CN106409321A (zh) * 2016-08-31 2017-02-15 福建联迪商用设备有限公司 一种提高nand flash可靠性的方法及装置
US20180059948A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 JongWon Lee Storage device and operating method thereof

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