CN112928440A - 片式天线模块阵列和片式天线模块 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种片式天线模块阵列和片式天线模块,所述片式天线模块阵列包括:连接构件和安装在所述连接构件上的片式天线模块。每个片式天线模块包括:第一贴片天线介电层;馈电过孔,延伸通过所述第一贴片天线介电层;以及贴片天线图案,设置在所述第一贴片天线介电层的上表面上并且被构造为从所述馈电过孔馈电。至少一个片式天线模块包括:接地图案,设置在所述第一贴片天线介电层的下表面上;片式天线馈电线,包括第二部分,所述第二部分设置在所述接地图案的下表面上,并且将连接构件馈电线电连接到所述馈电过孔;第一馈电线介电层,设置在所述第二部分的下表面上;以及焊料层,设置在所述第一馈电线介电层的下表面上。
Description
本申请要求于2019年12月6日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0161308号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
下面的描述涉及一种片式天线模块阵列和片式天线模块。
背景技术
移动通信数据流量每年在快速增长。已经开发了支持无线网络中的实时快速数据传输的技术。例如,诸如基于物联网(IoT)的数据、增强现实(AR)、虚拟现实(VR)、与社交网络服务(SNS)结合的实况VR/AR、自主驾驶、同步视窗(使用超小型相机传输用户的视角的实时图像传输)等的内容的应用可能需要支持大量数据的发送和接收的通信(诸如第五代(5G)通信、毫米波(mmWave)通信等)。
因此,近年来,已经研究了包括第五代(5G)通信的毫米波(mmWave)通信,并且已经进行了用于顺利实现通信的天线模块的商业化/标准化的研究。
高频带(例如:24GHz、28GHz、36GHz、39GHz、60GHz等)中的射频(RF)信号在传输过程中容易被吸收,并且可因此经历损耗。因此,通信的质量会急剧下降。因此,用于高频带中的通信的天线可能需要与传统的天线技术的配置不同的配置,并且可实现诸如用于确保天线增益、集成天线和射频集成电路(RFIC)并且确保有效全向辐射功率(EIRP)的额外的功率放大器的特别的技术开发。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对选择的构思进行介绍,下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面,一种片式天线模块阵列包括:连接构件和片式天线模块,所述连接构件包括:布线过孔,彼此间隔开并且沿着竖直方向延伸;以及至少一个连接构件馈电线,电连接到所述布线过孔之中的对应的布线过孔,并且沿着水平方向延伸,所述片式天线模块彼此间隔开并且安装在所述连接构件的上表面上。所述片式天线模块中的每个片式天线模块包括:第一贴片天线介电层;馈电过孔,延伸通过所述第一贴片天线介电层;以及贴片天线图案,设置在所述第一贴片天线介电层的上表面上并且被构造为从所述馈电过孔馈电。所述片式天线模块中的至少一个片式天线模块包括:接地图案,设置在所述第一贴片天线介电层的下表面上;片式天线馈电线,包括彼此串联连接的第一部分、第二部分和第三部分,设置为使得所述第二部分设置在所述接地图案的下表面上,并且将所述至少一个连接构件馈电线和所述馈电过孔彼此电连接;第一馈电线介电层,设置在所述片式天线馈电线的所述第二部分的下表面上;以及焊料层,设置在所述第一馈电线介电层的下表面上,并且被构造为支持所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块的安装。
所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还可包括:第三馈电线介电层,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间;以及第二馈电线介电层,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间,并且设置为与所述片式天线馈电线的至少一部分接触。
所述第二馈电线介电层的介电常数可小于所述第一馈电线介电层和所述第三馈电线介电层中的每个的介电常数。
所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还可包括:馈电线包围图案,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间并且被构造为至少部分地包围所述片式天线馈电线。
所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还可包括:馈电线包围过孔,被布置为至少部分地包围所述片式天线馈电线。所述馈电线包围过孔中的每个馈电线包围过孔可使所述馈电线包围图案和所述接地图案彼此电连接。
所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还可包括:侧馈电线,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间,并且穿过所述第一馈电线介电层电连接到所述连接构件;以及侧辐射图案,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间并且电连接到所述侧馈电线。
所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还可包括:侧馈电线,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间,并且穿过所述第一馈电线介电层电连接到所述连接构件;以及侧辐射图案,电连接到所述侧馈电线,并且设置为比所述侧馈电线更靠近所述第一贴片天线介电层的侧表面。
所述侧辐射图案的至少一部分可设置在所述第一贴片天线介电层的侧表面或所述第一馈电线介电层的侧表面上。
所述侧辐射图案可电连接到所述焊料层。
所述贴片天线图案可包括第一贴片天线图案和第二贴片天线图案。所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还可包括:第三贴片天线介电层,设置在所述第一贴片天线图案的上表面上;以及第二贴片天线介电层,设置在所述第一贴片天线介电层与所述第三贴片天线介电层之间。所述第二贴片天线图案可设置在所述第三贴片天线介电层的上表面上。
所述第一馈电线介电层可包括陶瓷材料,并且可具有比所述连接构件的绝缘层的介电常数高的介电常数。
所述第一贴片天线介电层的介电常数可高于所述第一馈电线介电层的介电常数。
所述连接构件可形成设置集成电路(IC)的空间。所述片式天线模块中的每个的所述馈电过孔可通过所述连接构件电连接到所述IC。
在另一总体方面,一种片式天线模块包括:第一贴片天线介电层;馈电过孔,延伸通过所述第一贴片天线介电层;贴片天线图案,设置在所述第一贴片天线介电层的上表面上并且被构造为从所述馈电过孔馈电;接地图案,设置在所述第一贴片天线介电层的下表面上;片式天线馈电线,包括彼此串联连接的第一部分、第二部分和第三部分,设置为使得所述第二部分设置在所述接地图案的下表面上,并且电连接到所述馈电过孔;第一馈电线介电层,设置在所述第二部分的下表面上;侧馈电线,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间,并且与所述片式天线馈电线间隔开;侧辐射图案,电连接到所述侧馈电线并且设置为比所述侧馈电线更靠近所述第一贴片天线介电层的侧表面;以及焊料层,设置在所述第一馈电线介电层的下表面上。
所述侧辐射图案的至少一部分可设置在所述第一贴片天线介电层的侧表面或所述第一馈电线介电层的侧表面上。
所述侧辐射图案可电连接到所述焊料层。
所述侧辐射图案的谐振频率可低于所述贴片天线图案的谐振频率。
所述片式天线模块还可包括:第三馈电线介电层,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间;以及第二馈电线介电层,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间,并且设置为与所述片式天线馈电线的至少一部分接触,其中,所述侧辐射图案设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间。
所述片式天线模块还可包括:第二贴片天线介电层,设置在所述第一贴片天线介电层的上表面上;以及第三贴片天线介电层,设置在所述第二贴片天线介电层的上表面上。所述贴片天线图案可包括:第一贴片天线图案,设置在所述第一贴片天线介电层与所述第三贴片天线介电层之间;以及第二贴片天线图案,设置在所述第三贴片天线介电层的上表面上。
通过以下具体实施方式、附图和权利要求,其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1A和图1B是示出根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块的侧视图。
图1C和图1D是示出在根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块中额外设置侧馈电线和/或侧辐射图案的结构的侧视图。
图1E和图1F是示出根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块安装在连接构件的上表面上的结构的侧视图。
图2A和图2B是根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块的透视图。
图3A和图3B是根据实施例的片式天线模块阵列的透视图。
图4A至图4F按照沿着-Z方向的顺序示出了根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块的取决于在Z方向上的位置的平面图。
图5A至图5C是示出围绕根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块中的片式天线馈电线的变型结构的平面图。
图6A和图6B按照沿着-Z方向的顺序示出了根据实施例的片式天线模块阵列中包括的连接构件的取决于在Z方向上的位置的平面图。
图7A和图7B是示出在根据实施例的片式天线模块阵列中包括的连接构件下方的部分的结构的侧视图。
图8A和图8B是示出根据实施例的包括片式天线模块的电子装置的平面图。
在整个附图和具体实施方式中,相同的附图标记指示相同的元件。附图可不按照比例绘制,并且为了清楚、说明和方便起见,可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而,在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、修改和等同物在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的。例如,在此描述的操作的顺序仅仅是示例,并且不限于在此阐述的顺序,而是除了必须以特定顺序发生的操作之外,可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外,为了提高清楚性和简洁性,可省略本领域中已知的特征的描述。
在此描述的特征可按照不同的形式实施,并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说,已经提供在此描述的示例,仅用于说明实现在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。
在此,注意,关于示例或实施例的术语“可”的使用,例如,关于示例或实施例可包括或实现什么,意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例,但所有的示例和实施例不限于此。
在整个说明书中,当元件(诸如层、区域或基板)被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时,该元件可直接“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件,或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下,当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时,可不存在介于它们之间的其他元件。
如在此使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。
尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分,但是这些构件、组件、区域、层或部分不受限于这些术语。更确切地说,这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离示例的教导的情况下,在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述,在此可使用诸如“在……上方”、“上面”、“在……下方”和“下面”的空间相对术语,以描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意图除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则描述为相对于另一元件位于“上方”或“上面”的元件于是将相对于另一元件位于“下方”或“下面”。因此,术语“在……上方”根据装置的空间方位包括上方和下方两种方位。装置也可按照其他方式(例如,旋转90度或处于其他方位)定位,并且在此使用的空间相对术语将被相应地解释。
在此使用的术语仅用于描述各种示例,并不用于限制本公开。除非上下文另有明确说明,否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包括”、“包含”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合,但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差,附图中所示的形状可能出现变化。因此,在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状,而是包括在制造期间发生的形状变化。
在此描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的各种方式组合。此外,尽管在此描述的示例具有各种构造,但在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的其他构造也是可行的。
图1A和图1B是示出根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块的侧视图。图2A是根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块的透视图。
参照图1A和图2A,根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块100a可包括第一贴片天线介电层151a、馈电过孔120a、第一贴片天线图案111a、第二贴片天线图案112a、接地图案125a、片式天线馈电线170a、第一馈电线介电层161a和焊料层140a。
第一贴片天线介电层151a的上表面可用作其上设置有第一贴片天线图案111a的空间,第一贴片天线介电层151a的下表面可用作其上设置有接地图案125a的空间。
第一贴片天线介电层151a可形成通过第一贴片天线图案111a的下表面辐射的射频(RF)信号的路径。RF信号可在第一贴片天线介电层151a中具有与第一贴片天线介电层151a的介电常数对应的波长。
第一贴片天线图案111a与接地图案125a之间的间隔距离可基于RF信号的波长来优化,并且可随着RF信号的波长减小而更容易地缩短。因此,随着第一贴片天线介电层151a的介电常数增大,第一贴片天线介电层151a的在竖直方向(例如,Z方向)上的厚度可更容易地减小。
第一贴片天线图案111a和接地图案125a中的每个的在水平方向(例如,X方向和/或Y方向)上的尺寸可基于RF信号的波长来优化,并且可随着RF信号的波长减小而更容易地减小。因此,随着第一贴片天线介电层151a的介电常数增大,第一贴片天线介电层151a的在水平方向(例如,X方向和/或Y方向)上的尺寸可更容易地减小。
因此,随着第一贴片天线介电层151a的介电常数增大,片式天线模块100a的整体尺寸可更容易地减小。
通常,贴片天线可实现为诸如印刷电路板(PCB)的基板的一部分,但贴片天线的小型化可由于印刷电路板(PCB)的普通绝缘层的相对低的介电常数而受到限制。
由于片式天线模块100a可独立于诸如印刷电路板(PCB)的基板来制造,因此可更容易地使用介电常数高于印刷电路板(PCB)的普通绝缘层的介电常数的第一贴片天线介电层151a。
例如,第一贴片天线介电层151a可包括被构造为介电常数高于印刷电路板(PCB)的普通绝缘层的介电常数的陶瓷材料。
例如,第一贴片天线介电层151a可包括具有相对高的介电常数的材料,例如,诸如低温共烧陶瓷(LTCC)的具有相对高的介电常数的陶瓷基材料或玻璃基材料。第一贴片天线介电层151a可通过进一步包含镁(Mg)、硅(Si)、铝(Al)、钙(Ca)和钛(Ti)中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合而被构造为具有更高的介电常数或更强的耐久性。例如,第一贴片天线介电层151a可包括Mg2SiO4、MgAlO4或CaTiO3。
馈电过孔120a可设置为贯穿第一贴片天线介电层151a。例如,馈电过孔120a可在利用导电材料(例如,铜、镍、锡、银、金、钯等)填充通过激光形成在第一贴片天线介电层151a中的通孔的工艺中形成。
第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a可从馈电过孔120a馈电。可根据设计省略第一贴片天线图案111a和第二贴片天线图案112a中的一个,并且第一贴片天线图案111a和第二贴片天线图案112a可被构造为具有彼此不同的谐振频率。例如,第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a可通过在将导电膏涂敷和/或填充在贴片天线介电层上之后使导电膏干燥而形成。
第一贴片天线图案111a可从馈电过孔120a间接馈电,第二贴片天线图案112a可从馈电过孔120a直接馈电。然而,第一贴片天线图案111a和第二贴片天线图案112a的馈电不限于这样的构造。例如,第一贴片天线图案111a可被构造为与馈电过孔120a接触,第二贴片天线图案112a可被构造为从单独的馈电过孔馈电。根据构造,第二贴片天线图案112a可以是寄生贴片。
从第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a辐射的RF信号的波长可与第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的在水平方向(例如,X方向和/或Y方向)上的尺寸对应。因此,第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a可被构造为在谐振的同时在竖直方向(例如,Z方向)上形成辐射图案。
接地图案125a可电容耦合到第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a,并且可在RF信号从第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的下表面辐射之后反射RF信号。在从接地图案125a反射之后的RF信号可与通过第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的上表面辐射的RF信号重叠。因此,由于第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的辐射图案可进一步集中在竖直方向(例如,Z方向)上,因此可进一步增大第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的增益。
片式天线馈电线170a的至少一部分可水平地设置在接地图案125a的下表面上。片式天线馈电线170a可在馈电过孔120a与连接构件之间形成电连接。
例如,片式天线馈电线170a可包括第一部分171a、第二部分172a和第三部分173a。第一部分171a、第二部分172a和第三部分173a可彼此串联连接。
片式天线馈电线170a的第三部分173a可具有沿着竖直方向(例如,Z方向)延伸以与馈电过孔120a接触的形状。
片式天线馈电线170a的第二部分172a可连接到第三部分173a,并且可水平地设置在第一馈电线介电层161a的上表面上。
片式天线馈电线170a的第一部分171a可连接到第二部分172a,并且可设置为贯穿第一馈电线介电层161a。片式天线馈电线170a的第一部分171a可连接到连接构件。
第一馈电线介电层161a的上表面可包括片式天线馈电线170a的至少一部分设置在其上的空间。
因此,第一馈电线介电层161a的介电损耗可影响通过片式天线馈电线170a传输到第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的RF信号的传输损耗。
由于片式天线模块100a可独立于诸如印刷电路板(PCB)的基板来制造,因此可更容易地使用介电损耗小于基板的绝缘层的介电损耗的第一馈电线介电层161a。因此,片式天线模块100a的增益可进一步增大。
例如,第一馈电线介电层161a可包括被构造为介电损耗(例如,0.0008)低于印刷电路板(PCB)的普通绝缘层的介电损耗(例如,0.004)的陶瓷。例如,第一馈电线介电层161a可包括与第一贴片天线介电层151a的材料相同的材料。此外,第一馈电线介电层161a可具有比连接构件的绝缘层的介电常数高的介电常数。
例如,第一馈电线介电层161a的介电常数可小于第一贴片天线介电层151a的介电常数。例如,由于第一贴片天线介电层151a对片式天线模块100a的总体尺寸的贡献相对更大,因此第一贴片天线介电层151a可具有相对更高的介电常数以减小片式天线模块100a的总体尺寸。由于第一馈电线介电层161a对片式天线模块100a的总体尺寸的贡献相对更小,因此可实现一种与片式天线模块100a的总体尺寸相比更加关注于减小片式天线馈电线170a的传输损耗的构造。
焊料层140a可设置在第一馈电线介电层161a的下表面上。焊料层140a可被构造为支持将片式天线模块100a安装到连接构件。例如,焊料层140a可沿着第一馈电线介电层161a的边缘设置,以使焊料层140a能够更容易地连接到连接构件。例如,焊料层140a可被构造为有利于连接到基于具有相对低的熔点的锡(Sn)的焊料,并且可包括能够容易地连接到焊料的镀锡层和/或镀镍层。
参照图1A和图2A,片式天线模块100a还可包括至少一个第二贴片天线介电层152a、第三贴片天线介电层153a、第四贴片天线介电层154a、第五贴片天线介电层155a、第二馈电线介电层162a和第三馈电线介电层163a。
例如,第三贴片天线介电层153a和第五贴片天线介电层155a可包括与第一贴片天线介电层151a的材料相同的材料,第三馈电线介电层163a可包括与第一馈电线介电层161a的材料相同的材料,第二馈电线介电层162a以及第二贴片天线介电层152a和第四贴片天线介电层154a可包括相同的材料。
例如,第二馈电线介电层162a以及第二贴片天线介电层152a和第四贴片天线介电层154a可包括与第一贴片天线介电层151a、第三贴片天线介电层153a和第五贴片天线介电层155a的材料不同的材料。例如,第二馈电线介电层162a以及第二贴片天线介电层152a和第四贴片天线介电层154a可包括具有粘附性的聚合物,以增强第一馈电线介电层161a与第三馈电线介电层163a之间的结合力以及第一贴片天线介电层151a、第三贴片天线介电层153a和第五贴片天线介电层155a之间的结合力。例如,第二馈电线介电层162a以及第二贴片天线介电层152a和第四贴片天线介电层154a可包括介电常数低于第一贴片天线介电层151a、第三贴片天线介电层153a和第五贴片天线介电层155a中的每个的介电常数的陶瓷,以在第一贴片天线介电层151a与第三贴片天线介电层153a之间以及第三贴片天线介电层153a与第五贴片天线介电层155a之间形成电介质边界。可选地,第二馈电线介电层162a以及第二贴片天线介电层152a和第四贴片天线介电层154a可包括具有高柔韧性的材料(诸如液晶聚合物(LCP)或聚酰亚胺),或者可包括诸如环氧树脂或聚四氟乙烯的材料,以具有高耐久性和高粘附性。
第三馈电线介电层163a可设置在接地图案125a与第一馈电线介电层161a之间。
第二馈电线介电层162a可设置在第一馈电线介电层161a与第三馈电线介电层163a之间,并且可设置为与片式天线馈电线170a的至少一部分接触。
由于第一馈电线介电层161a、第二馈电线介电层162a和第三馈电线介电层163a的层压结构,片式天线馈电线170a可包括第一部分171a、第二部分172a和第三部分173a。因此,可更精确地设计片式天线馈电线170a的电长度。因此,可更精确地调整从片式天线模块100a辐射的RF信号的相位,并且可使片式天线模块100a的辐射图案更有效地彼此重叠。
由于第二馈电线介电层162a的介电常数可低于第一馈电线介电层161a和第三馈电线介电层163a中的每个的介电常数,因此第二馈电线介电层162a可被构造为更加关注于第一馈电线介电层161a与第三馈电线介电层163a之间的粘附性的增强。因此,第一馈电线介电层161a、第二馈电线介电层162a和第三馈电线介电层163a的层压结构可更稳定,并且可进一步减小片式天线馈电线170a的短路和漏电流的可能性。
第二贴片天线介电层152a可设置在第一贴片天线介电层151a与第三贴片天线介电层153a之间,并且可被构造为增大第一贴片天线介电层151a与第三贴片天线介电层153a之间的结合力。第二贴片天线介电层152a的介电常数可低于第一贴片天线介电层151a和第三贴片天线介电层153a中的每个的介电常数,以在第一贴片天线介电层151a与第三贴片天线介电层153a之间形成电介质边界。由于电介质边界可使从第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a辐射的RF信号的传播方向折射,因此可进一步增大增益。
第三贴片天线介电层153a可设置在第一贴片天线图案111a的上表面上,并且第三贴片天线介电层153a的上表面可包括其上设置有第二贴片天线图案112a的空间。
第四贴片天线介电层154a可设置在第三贴片天线介电层153a的上表面上,第五贴片天线介电层155a可设置在第四贴片天线介电层154a的上表面上。由于第三贴片天线介电层153a与第五贴片天线介电层155a之间的电介质边界可使从第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a辐射的RF信号的传播方向折射,因此可进一步增大第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的增益。
参照图1A和图2A,片式天线模块100a还可包括第三贴片天线图案115a和馈电线包围图案145a中的一者或两者。
第三贴片天线图案115a可设置在第五贴片天线介电层155a的上表面上并且电磁耦合到第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a。因此,可进一步增大第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的带宽。
馈电线包围图案145a可设置在第一馈电线介电层161a与第三馈电线介电层163a之间,并且可被构造为包围片式天线馈电线170a。因此,由于可保护片式天线馈电线170a免受外部电磁噪声的影响,因此可进一步减小通过片式天线馈电线170a传输的RF信号的噪声。
参照图1B,在片式天线模块100b中,第三贴片天线图案115b可在其中央部分中具有槽部(slot)。因此,由于流经第三贴片天线图案115b的表面电流可在围绕槽部旋转的方向上流动,因此取决于RF信号的波长的优化的第三贴片天线图案115b的尺寸可进一步减小。
参照图1B,片式天线模块100b的第一贴片天线介电层151b可包括第1-1贴片天线介电层151b-1、第1-2贴片天线介电层151b-2和第1-3贴片天线介电层151b-3。
第1-2贴片天线介电层151b-2可包括与第二贴片天线介电层152a和第四贴片天线介电层154a的材料相同的材料,并且第1-2贴片天线介电层151b-2的介电常数可低于第1-1贴片天线介电层151b-1和第1-3贴片天线介电层151b-3中的每个的介电常数。
因此,由于第一贴片天线介电层151b可形成第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a与接地图案125a之间的电介质边界,因此第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的辐射图案的形成可进一步集中在竖直方向(例如,Z方向)上。
图1C和图1D是示出在根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块中额外设置侧馈电线和/或侧辐射图案的结构的侧视图。图2B是根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块的透视图。
参照图1C,根据实施例的片式天线模块阵列的至少一个片式天线模块100c还可包括侧馈电线180a和侧辐射图案190a。
侧馈电线180a可设置在接地图案125a与第一馈电线介电层161a之间,并且可沿-Z方向穿过第一馈电线介电层161a电连接到连接构件。例如,侧馈电线180a可包括第一侧部分181a和第二侧部分182a。第二侧部分182a可设置在第一馈电线介电层161a的上表面上,第一侧部分181a可穿过第一馈电线介电层161a电连接到连接构件。然而,侧馈电线180a也可仅包括第二侧部分182a,第二侧部分182a可设置在接地图案125a与第一馈电线介电层161a之间,并且可(例如,通过任何合适的方法或结构)穿过第一馈电线介电层161a电连接到连接构件。
侧馈电线180a可设置在第一馈电线介电层161a与第三馈电线介电层163a之间,并且可与片式天线馈电线170a间隔开。此外,侧馈电线180a可穿过第一馈电线介电层161a电连接到连接构件。例如,侧馈电线180a的第二侧部分182a可设置在第一馈电线介电层161a的上表面上,侧馈电线180a的第一侧部分181a可穿过第一馈电线介电层161a电连接到连接构件。然而,侧馈电线180a也可仅包括第二侧部分182a,第二侧部分182a可设置在第一馈电线介电层161a与第三馈电线介电层163a之间,并且可(例如,通过任何合适的方法或结构)穿过第一馈电线介电层161a电连接到连接构件。
侧辐射图案190a可设置为比侧馈电线180a更靠近第一贴片天线介电层151a的水平侧表面,并且可电连接到侧馈电线180a。此外,侧辐射图案190a可设置在第一馈电线介电层161a与第三馈电线介电层163a之间。
例如,侧辐射图案190a可被构造为在水平方向(例如,X方向和/或Y方向)上形成辐射图案,类似于偶极天线和单极天线。
因此,片式天线模块100c不仅可通过第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a在竖直方向(例如,Z方向)上形成辐射图案,而且还可通过侧辐射图案190a在水平方向上形成侧辐射图案。
例如,侧辐射图案190a可被构造为具有比第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的第一谐振频率(例如,28GHz、39GHz或60GHz)低的第二谐振频率(例如,2GHz、3.5GHz、5GHz或6GHz)。
由于侧辐射图案190a的结构与第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的结构不同,因此侧辐射图案190a可根据构造而具有显著低于第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的第一谐振频率的第二谐振频率。因此,即使当分别与第一谐振频率和第二谐振频率对应的第一频带和第二频带之间的频率存在显著差异时,片式天线模块100c也可有效地形成用于第一频带和第二频带的辐射图案。
参照图1D和图2B,根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块100d可包括侧辐射图案190b。侧辐射图案190b的至少一部分可设置在第一贴片天线介电层151a的侧表面、第二贴片天线介电层152a的侧表面、第三贴片天线介电层153a的侧表面、第四贴片天线介电层154a的侧表面、第五贴片天线介电层155a的侧表面、第一馈电线介电层161a的侧表面、第二馈电线介电层162a的侧表面和/或第三馈电线介电层163a的侧表面上。
因此,由于片式天线模块100d可不在片式天线模块100d内部提供设置侧辐射图案190b的空间,因此片式天线模块100d的尺寸可进一步减小。
另外,片式天线模块100d可根据侧辐射图案190b的侧布置而包括在竖直方向(例如,Z方向)上形成的侧辐射图案190b。
侧辐射图案190b可有效地具有比第一贴片天线图案111a和/或第二贴片天线图案112a的谐振频率低的谐振频率。
例如,侧辐射图案190b可通过激光直接成型(LDS)工艺形成,并且可包括激光制造天线(LMA)。
侧馈电线180b的第一侧部分181b和第二侧部分182b可被设计为针对侧辐射图案190b的侧布置而优化。
参照图2B,侧辐射图案190b可包括辐射部191b、馈电部192b和接地部193b。
侧辐射图案190b可通过接地部193b电连接到焊料层140a。焊料层140a可进入电接地状态。
因此,侧辐射图案190b可更有效地设置有到接地的连接结构。
图1E和图1F是示出根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块安装在连接构件的上表面上的结构的侧视图。
参照图1E和图1F,根据构造,连接构件200的上表面可提供用于安装片式天线模块100a至100d的空间,并且连接构件200的下表面可形成用于安装第一IC 310a的空间并可形成用于安装第二IC 311a的空间。
连接构件200可包括提供片式天线模块100a至100d与第一IC 310a和/或第二IC311a之间的电连接路径的连接构件馈电线。也就是说,片式天线模块100a至100d中的每个的馈电过孔可通过连接构件200电连接到第一IC 310a和/或第二IC 311a。
例如,连接构件200可具有绝缘层和导电层交替层压的结构,并且连接构件馈电线可设置在导电层上。
连接构件200的尺寸和/或电连接方法(例如,球栅阵列法或高密度互连(HDI)法)可基于连接构件200中的连接构件馈电线的复杂性来确定。
当安装在连接构件200的上表面上的片式天线模块的数量增大时,可增大RF信号发送和接收的总增益和/或线性度,可进一步增大连接构件200的尺寸,并且可减小连接构件200的电连接方法的自由度。
由于根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块100a至100d可包括片式天线馈电线170a,因此可降低连接构件200中的连接构件馈电线的复杂性。
另外,由于根据实施例的片式天线模块阵列的至少一个片式天线模块100d可包括侧馈电线180b和侧辐射图案190b,因此连接构件200可不包括侧天线。因此,可降低连接构件200中的连接构件馈电线的复杂性。
因此,可进一步减小连接构件200的尺寸,并且可进一步增大连接构件200的电连接方法的自由度。
参照图1E和图1F,根据实施例的片式天线模块阵列还可包括电连接结构271a、272a和274a中的至少一个、至少一个IC电连接结构330a和至少一个包封剂340a。
电连接结构271a、272a和274a可使连接构件200电连接到片式天线模块100a至100d,并且可被构造为熔点低于片式天线馈电线170a的熔点以便进行安装。例如,电连接结构271a、272a和274a中的每个可以是焊球、引脚、焊盘和垫中的一者。
IC电连接结构330a可使连接构件200与第一IC 310a和/或第二IC 311a彼此电连接,并且可具有与电连接结构271a、272a和274a的形状、结构和/或材料类似的形状、结构和/或材料。
包封剂340a可包封第一IC 310a和/或第二IC 311a的至少一部分,并且可物理地保护第一IC 310a和/或第二IC 311a。例如,包封剂340a可利用感光包封剂(PIE)、ABF(Ajinomoto Build-up Film,味之素堆积膜)、环氧模塑料(EMC)等形成。
图3A和图3B是根据实施例的片式天线模块阵列的透视图。
参照图3A,均不包括侧辐射图案的片式天线模块101a、102a、103a和104a可在X方向上并排布置在连接构件200的上表面上。片式天线模块101a、102a、103a和104a可均具有与上述片式天线模块100a的构造对应的构造。
参照图3B,均包括侧辐射图案的片式天线模块101d、102d、103d和104d可在X方向上并排布置在连接构件200的上表面上。片式天线模块101d、102d、103d和104d可均具有与上述片式天线模块100d的构造对应的构造。
图4A至图4F按照沿着-Z方向的顺序示出了根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块的取决于在Z方向上的位置的平面图。
参照图4A,第三贴片天线图案115b可设置在第五贴片天线介电层155a的上表面上并且可具有槽部。
参照图4B,第二贴片天线图案112a可设置在第三贴片天线介电层153a的上表面上,并且可包括馈电过孔120a的连接点。
参照图4C,第一贴片天线图案111a可设置在第一贴片天线介电层151a的上表面上,并且可具有馈电过孔120a所贯穿的通孔。
参照图4D,接地图案125a可设置在第三馈电线介电层163a的上表面上,并且可具有在竖直方向(例如,Z方向)上与片式天线馈电线170a的第三部分173a重叠的通孔。
参照图4E,片式天线馈电线170a的第二部分172a可设置在第一馈电线介电层161a的上表面上,并且馈电线包围图案145a可被构造为至少部分地包围片式天线馈电线170a,例如,包围片式天线馈电线170a的第二部分172a。
参照图4F,焊料层140a可被构造为沿着片式天线模块的侧表面设置的环形形状,并且片式天线馈电线170a的第三部分173a可被焊料层140a包围。
图5A至图5C是示出围绕根据实施例的片式天线模块阵列中的至少一个片式天线模块中的片式天线馈电线的变型结构的平面图。
参照图5A,片式天线模块可包括:馈电线包围过孔146a,被布置为使馈电线包围图案145a和接地图案125a彼此电连接并且至少部分地包围片式天线馈电线170a,例如,包围片式天线馈电线170a的第二部分172a。
因此,可进一步减小外部电磁噪声对通过片式天线馈电线170a的第二部分172a传输的RF信号的影响。
另外,馈电线包围过孔147a可沿着馈电线包围图案145a的外周布置,以包围片式天线馈电线170a的第二部分172a。
参照图5B,片式天线馈电线170a的第二部分172a和侧馈电线180a可彼此间隔开,并且馈电线包围图案145a可包围第二部分172a和侧馈电线180a中的每个。
馈电线包围图案145a可包围侧辐射图案190a和侧馈电线180a。
参照图5C,侧馈电线180b可通过片式天线模块的侧表面暴露,以连接到设置在片式天线模块的侧表面上的侧辐射图案。
图6A和图6B按照沿着-Z方向的顺序示出了根据实施例的片式天线模块阵列中包括的连接构件的取决于在Z方向上的位置的平面图。
参照图6A,连接构件200可包括第一接地面201a。第一接地面201a可具有用于提供到片式天线馈电线的第一部分171a-1、171a-2、171a-3和171a-4的集成电路(IC)的连接的路径的通孔。
片式天线馈电线的第一部分171a-1、171a-2、171a-3和171a-4可分别电连接到馈电过孔120-1、120-2、120-3和120-4。第一部分171a-1、171a-2、171a-3和171a-4可在X-Y平面中设置在其中设置有片式天线模块101a、102a、103a和104a的空间中。
参照图6B,连接构件200可包括第二接地面202a。第二接地面202a可包围连接构件馈电线220-1、220-2、220-3和220-4中的每个。
连接构件馈电线220-1、220-2、220-3和220-4可沿着水平方向(例如,X方向和/或Y方向)延伸,使得片式天线馈电线和布线过孔230a-1、230a-2、230a-3和230a-4分别彼此电连接。此外,片式天线馈电线170a的第二部分172a可将至少一个连接构件馈电线和馈电过孔彼此电连接。
布线过孔230a-1、230a-2、230a-3和230a-4可沿着竖直方向(例如,Z方向)延伸以电连接到IC。
根据构造,在片式天线模块101a、102a、103a和104a之中,片式天线模块的靠近连接构件200的中央的馈电过孔可连接到布线过孔230a-1、230a-2、230a-3和230a-4,而不连接到连接构件馈电线。
图7A和图7B是示出在根据实施例的片式天线模块阵列中包括的连接构件下方的部分的结构的侧视图。
参照图7A,根据实施例的片式天线模块可包括连接构件200、IC 310、粘合构件320、电连接结构330、包封剂340、无源组件350和芯构件410中的至少一部分。
IC 310可与上面参照图1E和图1F描述的第一IC 310a和/或第二IC 311a相同,并且可设置在连接构件200下方。IC 310可电连接到连接构件馈电线以发送或接收RF信号,并且可电连接到连接构件200的接地面以接收接地。例如,IC 310可生成通过执行频率转换、放大、滤波、相位控制和电力生成中的至少一部分而转换的信号。
粘合构件320可包括使IC 310和连接构件200能够彼此粘合的粘合材料。
电连接结构330可与上面参照图1E和图1F描述的IC电连接结构330a相同。包封剂340与上面参照图1E和图1F描述的包封剂相同。
无源组件350可设置在连接构件200的下表面上,并且可通过电连接结构330电连接到连接构件200的布线和/或接地面。例如,无源组件350可包括电容器(例如,多层陶瓷电容器(MLCC))、电感器和片式电阻器中的至少一者。
芯构件410可设置在连接构件200的下侧上,并且可电连接到连接构件200以从外部实体接收中频(IF)信号或基带信号并且将接收到的IF信号或基带信号发送到IC 310,或者从IC 310接收IF信号或基带信号并将接收到的IF信号或基带信号发送到外部实体。RF信号的频率(例如,24GHz、28GHz、36GHz、39GHz或60GHz)高于IF信号的频率(例如,2GHz、5GHz、10GHz等)。
例如,芯构件410可通过可包括在连接构件200的IC接地面中的布线将IF信号或基带信号发送到IC 310或者从IC 310接收IF信号或基带信号。
参照图7B,根据实施例的片式天线模块可包括屏蔽构件360、连接器420和片式端射天线430中的至少一者。
屏蔽构件360可设置在连接构件200下方,并且可设置为与连接构件200一起限制IC 310。例如,屏蔽构件360可设置为一起覆盖(例如,共形屏蔽)IC 310和无源组件350,或者可设置为单独地覆盖(例如,分隔屏蔽)IC 310和无源组件350中的每个。例如,屏蔽构件360可具有其一侧敞开的六面体形状,并且可通过结合到连接构件200来形成六面体容纳空间。屏蔽构件360可利用具有高导电性的材料(诸如铜)形成以具有短趋肤深度,并且可电连接到连接构件200的接地面。因此,屏蔽构件360可降低IC 310和无源组件350可接收的电磁噪声。
连接器420可具有电缆(例如,同轴电缆)或柔性PCB的连接结构,可电连接到连接构件200的IC接地面,并且可具有与上述芯构件410的功能类似的功能。例如,连接器420可从电缆接收IF信号、基带信号和/或电力,或者可向电缆提供IF信号、基带信号和/或电力。
片式端射天线430可发送或接收RF信号以支持片式天线模块。例如,片式端射天线430可包括:介电块,具有比绝缘层的介电常数大的介电常数;以及电极,分别设置在介电块的两侧上。电极中的一个电极可电连接到连接构件200的布线,电极中的另一电极可电连接到连接构件200的接地面。
图8A和图8B是示出根据实施例的包括片式天线模块的电子装置的平面图。
参照图8A,包括片式天线模块100g的片式天线模块阵列可与电子装置700g的侧边界相邻地设置在电子装置700g的组板600g上。
电子装置700g可以是智能电话、个人数字助理(PDA)、数字摄像机、数码相机、网络系统、计算机、监视器、平板PC、膝上型PC、上网本PC、电视机、视频游戏机、智能手表、汽车组件等,但不限于前述示例。
通信模块610g和基带电路620g也可设置在组板600g上。片式天线模块阵列可通过同轴电缆630g电连接到通信模块610g和/或基带电路620g。
通信模块610g可包括下列项中的一项或更多项以执行数字信号处理:存储器芯片,诸如易失性存储器(例如,动态随机存取存储器(DRAM))、非易失性存储器(例如,只读存储器(ROM))、闪存等;应用处理器芯片,诸如中央处理器(例如,中央处理单元(CPU))、图形处理器(例如,图形处理单元(GPU))、数字信号处理器、密码处理器、微处理器、微控制器等;以及逻辑芯片,诸如模数转换器(ADC)、专用集成电路(ASIC)等。
基带电路620g可通过执行模数转换、针对模拟信号的放大、滤波和频率转换来产生基带信号。从基带电路620g输入和输出的基带信号可通过电缆传输到片式天线模块。
例如,可通过电连接结构、芯过孔和布线将基带信号发送到IC。IC可将基带信号转换为毫米波(mmWave)频带中的RF信号。
参照图8B,均包括片式天线模块100i的片式天线模块阵列可与多边形的电子装置700i的相应侧的中央相邻地设置在电子装置700i的组板600i上。通信模块610i和基带电路620i还可设置在组板600i上。多个片式天线模块阵列可通过同轴电缆630i电连接到通信模块610i和/或基带电路620i。
参照图8A和图8B,介电层1140g可填充包括在根据实施例的片式天线模块阵列中的片式天线模块之间的空间的至少一部分。
在此公开的介电层可利用液晶聚合物(LCP)、低温共烧陶瓷(LTCC)、诸如环氧树脂的热固性树脂、诸如聚酰亚胺树脂的热塑性树脂或者热固性树脂或热塑性树脂与无机填料混合或与无机填料一起浸在诸如玻璃纤维(或者玻璃布或玻璃织物)的芯材料中的树脂(例如,半固化片、ABF、FR-4、双马来酰亚胺三嗪(BT)等)、感光介电(PID)树脂、覆铜层压板(CCL)、玻璃或陶瓷基绝缘材料等形成。
在此公开的图案、过孔、面、带、线和电连接结构可包括金属材料(例如,铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)、它们的合金等),并且可使用镀覆方法(诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射、减成、加成、半加成工艺(SAP)、改进的半加成工艺(MSAP)等)形成,但不限于前述材料和形成方法。
在此公开的RF信号可在诸如以下协议下使用:无线保真(Wi-Fi)(电气与电子工程师协会(IEEE)802.11族等)、全球微波接入互操作性(WiMAX)(IEEE 802.16族等)、IEEE802.20、长期演进(LTE)、演进仅数据(Ev-DO)、高速分组接入+(HSPA+)、高速下行链路分组接入+(HSDPA+)、高速上行链路分组接入+(HSUPA+)、增强型数据GSM环境(EDGE)、全球移动通信系统(GSM)、全球定位系统(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳电信(DECT)、3G协议、4G协议和5G协议以及在上述协议之后指定的任意其他无线协议和有线协议,但不限于这些示例协议。
如上所述,由于片式天线模块阵列可降低由多个片式天线模块的多个馈电线的集成引起的馈电线复杂性,因此可减小其上安装多个片式天线模块的连接构件的尺寸,并且/或者可在提供多个片式天线模块的完整的天线性能(例如,增益、带宽、线性度等)的同时增大连接构件的电连接方法的自由度。
此外,根据在此公开的实施例的片式天线模块阵列和片式天线模块可在提供完整的天线性能(例如,增益、带宽、线性度等)的同时有效地降低馈电线的传输损耗并且/或者增强侧辐射图案形成效率。
尽管本公开包括特定的示例,但是在理解本申请的公开内容之后将显而易见的是,在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下,可在这些示例中做出形式和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的含义,而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术,和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或由其他组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件,则可获得合适的结果。因此,本公开的范围不由具体实施方式限定,而是由权利要求及其等同物来限定,并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。
Claims (19)
1.一种片式天线模块阵列,包括:
连接构件和片式天线模块,所述连接构件包括:
布线过孔,彼此间隔开并且沿着竖直方向延伸;以及
至少一个连接构件馈电线,电连接到所述布线过孔之中的对应的布线过孔,并且沿着水平方向延伸,并且
所述片式天线模块彼此间隔开并且安装在所述连接构件的上表面上,其中,所述片式天线模块中的每个片式天线模块包括:
第一贴片天线介电层;
馈电过孔,延伸通过所述第一贴片天线介电层;以及
贴片天线图案,设置在所述第一贴片天线介电层的上表面上并且被构造为从所述馈电过孔馈电,并且
其中,所述片式天线模块中的至少一个片式天线模块包括:
接地图案,设置在所述第一贴片天线介电层的下表面上;
片式天线馈电线,包括彼此串联连接的第一部分、第二部分和第三部分,设置为使得所述第二部分设置在所述接地图案的下表面上,并且将所述至少一个连接构件馈电线和所述馈电过孔彼此电连接;
第一馈电线介电层,设置在所述第二部分的下表面上;以及
焊料层,设置在所述第一馈电线介电层的下表面上,并且被构造为支持所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块的安装。
2.根据权利要求1所述的片式天线模块阵列,其中,所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还包括:
第三馈电线介电层,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间;以及
第二馈电线介电层,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间,并且设置为与所述片式天线馈电线的至少一部分接触。
3.根据权利要求2所述的片式天线模块阵列,其中,所述第二馈电线介电层的介电常数小于所述第一馈电线介电层和所述第三馈电线介电层中的每个的介电常数。
4.根据权利要求2所述的片式天线模块阵列,其中,所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还包括:馈电线包围图案,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间并且被构造为至少部分地包围所述片式天线馈电线。
5.根据权利要求4所述的片式天线模块阵列,其中,所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还包括:馈电线包围过孔,被布置为至少部分地包围所述片式天线馈电线,并且
其中,所述馈电线包围过孔中的每个馈电线包围过孔使所述馈电线包围图案和所述接地图案彼此电连接。
6.根据权利要求2所述的片式天线模块阵列,其中,所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还包括:
侧馈电线,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间,并且穿过所述第一馈电线介电层电连接到所述连接构件;以及
侧辐射图案,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间并且电连接到所述侧馈电线。
7.根据权利要求1所述的片式天线模块阵列,其中,所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还包括:
侧馈电线,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间,并且穿过所述第一馈电线介电层电连接到所述连接构件;以及
侧辐射图案,电连接到所述侧馈电线,并且设置为比所述侧馈电线更靠近所述第一贴片天线介电层的侧表面。
8.根据权利要求7所述的片式天线模块阵列,其中,所述侧辐射图案的至少一部分设置在所述第一贴片天线介电层的侧表面或所述第一馈电线介电层的侧表面上。
9.根据权利要求8所述的片式天线模块阵列,其中,所述侧辐射图案电连接到所述焊料层。
10.根据权利要求1所述的片式天线模块阵列,其中,所述贴片天线图案包括第一贴片天线图案和第二贴片天线图案,
其中,所述片式天线模块中的所述至少一个片式天线模块还包括:
第三贴片天线介电层,设置在所述第一贴片天线图案的上表面上;以及
第二贴片天线介电层,设置在所述第一贴片天线介电层与所述第三贴片天线介电层之间,并且
其中,所述第二贴片天线图案设置在所述第三贴片天线介电层的上表面上。
11.根据权利要求1所述的片式天线模块阵列,其中,所述第一馈电线介电层包括陶瓷材料,并且具有比所述连接构件的绝缘层的介电常数高的介电常数。
12.根据权利要求11所述的片式天线模块阵列,其中,所述第一贴片天线介电层的介电常数高于所述第一馈电线介电层的介电常数。
13.根据权利要求1所述的片式天线模块阵列,其中,所述连接构件形成设置集成电路的空间,并且
其中,所述片式天线模块中的每个的所述馈电过孔通过所述连接构件电连接到所述集成电路。
14.一种片式天线模块,包括:
第一贴片天线介电层;
馈电过孔,延伸通过所述第一贴片天线介电层;
贴片天线图案,设置在所述第一贴片天线介电层的上表面上并且被构造为从所述馈电过孔馈电;
接地图案,设置在所述第一贴片天线介电层的下表面上;
片式天线馈电线,包括彼此串联连接的第一部分、第二部分和第三部分,设置为使得所述第二部分设置在所述接地图案的下表面上,并且电连接到所述馈电过孔;
第一馈电线介电层,设置在所述第二部分的下表面上;
侧馈电线,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间,并且与所述片式天线馈电线间隔开;
侧辐射图案,电连接到所述侧馈电线并且设置为比所述侧馈电线更靠近所述第一贴片天线介电层的侧表面;以及
焊料层,设置在所述第一馈电线介电层的下表面上。
15.根据权利要求14所述的片式天线模块,其中,所述侧辐射图案的至少一部分设置在所述第一贴片天线介电层的侧表面或所述第一馈电线介电层的侧表面上。
16.根据权利要求15所述的片式天线模块,其中,所述侧辐射图案电连接到所述焊料层。
17.根据权利要求14所述的片式天线模块,其中,所述侧辐射图案的谐振频率低于所述贴片天线图案的谐振频率。
18.根据权利要求14所述的片式天线模块,所述片式天线模块还包括:
第三馈电线介电层,设置在所述接地图案与所述第一馈电线介电层之间;以及
第二馈电线介电层,设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间,并且设置为与所述片式天线馈电线的至少一部分接触,
其中,所述侧辐射图案设置在所述第一馈电线介电层与所述第三馈电线介电层之间。
19.根据权利要求14所述的片式天线模块,所述片式天线模块还包括:
第二贴片天线介电层,设置在所述第一贴片天线介电层的上表面上;以及
第三贴片天线介电层,设置在所述第二贴片天线介电层的上表面上,
其中,所述贴片天线图案包括:
第一贴片天线图案,设置在所述第一贴片天线介电层与所述第三贴片天线介电层之间;以及
第二贴片天线图案,设置在所述第三贴片天线介电层的上表面上。
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