CN112908976A - 一种背光架构制造方法及显示装置制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种背光架构制造方法及显示装置制造方法，背光架构制造方法：包括步骤：制造标准化的量子点部品；在量子点部品的入光方向设置背光源；向背光源加入荧光粉，以使背光源发出的光线经过荧光粉转化为第一光线，第一光线射入量子点部品，由量子点部品转化为第二光线，第二光线从量子点部品的出光面射出。本发明公开的显示装置制造方法，包括上述的背光架构制造方法。本发明公开的背光架构制造方法及显示装置制造方法，对于不同的背光源和产品的光学指标要求，可使用相同的量子点部品，且量子点用量少，制造成本低，更加环保。

Description

一种背光架构制造方法及显示装置制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种背光架构制造方法及显示装置制造方法。
背景技术
量子点技术以光致发光为主，应用于显示装置之中。量子点技术的应用形态有膜、板、管和玻璃片等，称为量子点部品，均采用量子点制成，现有的采用量子点技术的显示装置的制造中，不同产品采用的量子点部品不统一，量子点部品中的量子点使用量大，而造成制造成本高昂。
上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种背光架构制造方法及显示装置制造方法，旨在解决现有技术中量子点使用量大和不同采用量子点技术的显示装置产品的量子点部品不统一造成的制造成本高昂的技术问题。
为实现上述目的，本发明提出的背光架构制造方法，包括步骤：
制造标准化的量子点部品；
在量子点部品的入光方向设置背光源；
向背光源加入荧光粉，以使背光源发出的光线经过荧光粉转化为第一光线，第一光线射入量子点部品，由量子点部品转化为第二光线，第二光线从量子点部品的出光面射出。
可选地，量子点部品中的量子点的含量为20mg～1g/m2。
可选地，量子点部品为量子点膜，量子点膜中的量子点的含量为20mg～200mg/m2。
可选地，量子点部品为量子点板。
可选地，量子点板的量子点的含量为100mg～1g/m2。
可选地，量子点板的量子点核心层的厚度为800um～1200um。
可选地，荧光粉包括红色荧光粉和绿色荧光粉。
可选地，量子点部品中的量子点包括红色量子点和/或绿色量子点。
可选地，背光源为蓝光光源。
可选地，制造标准化的量子点部品的步骤之后，背光架构制造方法还包括：
在量子点部品的出光方向设置光学膜片，以使量子点部品射出的第二光线射入光学膜片，第二光线由光学膜片转化为第三光线，第三光线从光学膜片的出光面射出。
可选地，背光源为发光二极管，发光二极管的功率和/或数量由光学膜片的参数和产品的亮度指标确定。
可选地，背光架构制造方法还包括：
设置反射片，使背光源朝向反射片发出的光线射向量子点部品的入光面。
本发明提出的显示装置制造方法，包括上述的背光架构制造方法。
在本发明技术方案中，制造统一的标准化的量子点部品，在量子点部品的入光方向设置背光源，再向背光源加入荧光粉，荧光粉的组分和数量可根据量子点部品的参数、背光源的参数以及产品的色域、色坐标等光学指标要求确定，背光源发出的光线经由荧光粉转化为第一光线并射入量子点部品，使量子点部品发出第二光线，以满足产品的色域、色坐标等光学指标要求，通过加入不同组分和数量的荧光粉，调整产品的光学指标，可满足不同产品的光学指标的要求，无须对量子点部品进行调整，对于各种不同产品的光学指标要求，可使用统一、标准化的量子点部品，解决现有技术中根据不同背光源和不同产品的光学指标要求调整量子点部品时，制造不同的量子点部品成本高的问题，另外，在背光源中加入荧光粉后，背光源发出的光由荧光粉转化后再进入量子点部品，可减少量子点部品中含有重金属且价格昂贵的量子点的使用量，如加入红色荧光粉可减少红色量子点的用量，加入绿色荧光粉可减少绿色量子点的用量，加入红色荧光粉和绿色荧光粉可减少红色量子点和绿色量子点的用量，可进一步节约成本，且更加环保。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明提出的背光架构制造方法的实施例的流程图；
图2为采用量子点膜的直下式结构的背光架构的实施例的示意图；
图3为采用量子点膜的侧入式结构的背光架构的实施例的示意图；
图4为采用量子点板的直下式结构的背光架构的实施例的示意图；
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
100 背光源 210 量子点膜
220 量子点板 300 光学膜片
400 反射片 500 扩散板
600 导光板
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种背光架构制造方法及显示装置制造方法，对于不同的背光源100和产品的光学指标要求，可使用相同的量子点部品，且量子点用量少，制造成本低，更加环保。
如图1-图4所示，在本发明提出的背光架构制造方法的实施例中，该背光架构制造方法包括步骤：
制造标准化的量子点部品；
在量子点部品的入光方向设置背光源100；
向背光源100加入荧光粉，以使背光源100发出的光线经过荧光粉转化为第一光线，第一光线射入量子点部品，由量子点部品转化为第二光线，第二光线从量子点部品的出光面射出，其中，荧光粉的组分和数量根据量子点部品的参数、背光源100的参数以及产品的光学指标要求确定。
产品可为各种显示装置，光学指标要求指对于该产品设计的光学指标。
上述的标准化的量子点部品指的是量子点的含量以及不同组分的量子点的相互配比等参数固定的量子点部品。
荧光粉可为KSF或者YAG荧光粉。
背光架构可为侧入式结构或直下式结构，背光源100与量子点部品之间，具有一定的间隔空间。
量子点部品的参数包括量子点部品中量子点的组分、含量等。
背光源100的参数包括背光源100的主波长、半波宽等。
现有技术中，量子点部品一般根据出光的光学指标要求和背光源100的参数而确定，不同的产品中需要使用不同的量子点部品，不同产品的量子点部品不能混用，对于各个产品均需要单独制造对应的量子点部品，生产成本高昂，另外，量子点部品中的量子点为重金属，价格昂贵，且会污染环境，使用量子点部品转化背光源100直接发出的光，量子点的使用量大，成本高，且不环保。
在上述实施例中，制造统一的标准化的量子点部品，在量子点部品的入光方向设置背光源100，再向背光源100加入荧光粉，荧光粉的组分和数量可根据量子点部品的参数、背光源100的参数以及产品的色域、色坐标等光学指标要求确定，背光源100发出的光线经由荧光粉转化为第一光线并射入量子点部品，使量子点部品发出第二光线，以满足产品的色域、色坐标等光学指标要求，通过加入不同组分和数量的荧光粉，调整产品的光学指标，可满足不同产品的光学指标的要求，无须对量子点部品进行调整，对于各种不同产品的光学指标要求，可使用统一、标准化的量子点部品，解决现有技术中根据不同背光源100和不同产品的光学指标要求调整量子点部品时，制造不同的量子点部品成本高的问题，另外，在背光源100中加入荧光粉后，背光源100发出的光由荧光粉转化后再进入量子点部品，可减少量子点部品中含有重金属且价格昂贵的量子点的使用量，如加入红色荧光粉可减少红色量子点的用量，加入绿色荧光粉可减少绿色量子点的用量，加入红色荧光粉和绿色荧光粉可减少红色量子点和绿色量子点的用量，可进一步节约成本，且更加环保。
作为上述实施例的进一步方案，荧光粉包括红色荧光粉和/或绿色荧光粉。
可单独向背光源100中加入红色荧光粉或绿色荧光粉，或者同时向背光源100中加入红色荧光粉和绿色荧光粉。
在上述实施例的进一步方案中，加入红色荧光粉，可减少量子点部品中红色量子点的使用量；加入绿色荧光粉，可减少量子点部品中绿色量子点的使用量；同时加入红色荧光粉和绿色荧光粉，可同时减少量子点部品中红色量子点和绿色量子点的使用量。优选方式为，同时加入红色荧光粉和绿色荧光粉，可兼顾产品的光学指标和制造成本，损失轻微的显示效果，可大大减少量子点部品中的量子点的使用量，制造成本降低明显。
作为上述实施例的进一步方案，量子点部品中的量子点的含量为20mg～1g/m2。
在上述实施例的进一步方案中，量子点部品中的量子点使用量少，成本低，更加环保。
作为上述实施例的一个方案，量子点部品为量子点膜210，量子点膜210中的量子点含量可为20mg～200mg/m2，可为20mg/m2、50mg/m2、80mg/m2、100mg/m2、120mg/m2、150mg/m2、180mg/m2或200mg/m2，量子点膜210的量子点核心层的厚度为80um～120um。
现有技术中，量子点膜210的量子点含量为200mg/m2左右。在上述实施例的进一步方案中，量子点膜210的量子点含量的下限可做到20mg/m2，量子点使用量可大大减少。
当然，也可使量子点膜210中的量子点含量大于200mg/m2，如210mg/m2等。
作为上述实施例的另一个方案，量子点部品为量子点板220。
在上述实施例的进一步方案中，无须再设置扩散板500，可节约制造工序和制造成本，光线扩散均匀，量子点部品出光均匀。
作为上述实施例的进一步方案，量子点板220的量子点含量可为100mg～1g/m2，可为100mg/m2、200mg/m2、300mg/m2、400mg/m2、500mg/m2、600mg/m2、700mg/m2、800mg/m2、900mg/m2或1g/m2。
现有技术中，量子点板220的量子点含量为1g～1.5g/m2。在上述实施例的进一步方案中，量子点板220的量子点含量的下限可做到100mg/m2，量子点使用量可大大减少。
当然，也可使量子点板220的量子点含量大于1g/m2，如1.1g/m2、1.2g/m2、1.3g/m2、1.4g/m2或1.5g/m2等。
作为上述实施例的进一步方案，量子点板220的量子点核心层的厚度为800um～1200um。
在上述实施例的进一步方案中，相对于量子点膜210，量子点板220的量子点核心层的厚度远大于量子点膜210的量子点核心层的厚度，从空间中量子点密度角度来看，量子点板220的用量相对于量子点膜210较少，更加节约成本。
作为上述实施例的进一步方案，量子点部品中的量子点包括红色量子点和/或绿色量子点。
量子点部品中可单独设置红色量子点或者绿色量子点；或者，量子点部品中同时设置红色量子点和绿色量子点。
在背光源100为蓝光时，优选为量子点部品中同时设置红色量子点和绿色量子点，利于背光源100发出的光线的充分利用。
在上述实施例的进一步方案中，对量子点部品制造材料要求低，采用红色量子点和/或绿色量子点，利于转化为白光，并满足产品的光学指标要求。
作为上述实施例的进一步方案，光学指标要求包括：色域指标和/或色坐标指标。
在上述实施例的进一步方案中，根据色域指标和色坐标指标调整加入荧光粉的组分和数量，调整方便，且可保证制造的产品符合要求。
作为上述实施例的进一步方案，背光源100为蓝光光源。
在上述实施例的进一步方案中，利于光线经过荧光粉和量子点部品时转化。
作为上述实施例的进一步方案，制造标准化的量子点部品的步骤之后，该背光架构制造方法还包括：
在量子点部品的出光方向设置光学膜片300，以使量子点部品射出的第二光线射入光学膜片300，第二光线由光学膜片300转化为第三光线，第三光线从光学膜片300的出光面射出。
光学膜片300可为增亮膜片，如棱镜膜片或DBEF产品等，以提升亮度。
光学膜片300也可为其他为满足最终产品的光学指标要求而设置的膜片。
在上述实施例的进一步方案中，通过光学膜片300，可进一步对量子点部品发出的第一光线进行处理，以满足最终产品的光学指标要求。
作为上述实施例的进一步方案，背光源100为发光二极管(LED)，发光二极管的功率和/或数量由光学膜片300的参数和产品的亮度指标确定，发光二极管的功率越大、数量越多，产品的亮度越高。
在上述实施例的进一步方案中，背光源100为发光二极管，可方便发出红光、蓝光、绿光和黄光，且可通过功率控制亮度，控制方便，通过改变发光二极管的功率和数量来满足产品的亮度指标，无须更换或者重新设置光学膜片300，调整方便，成本低廉。
作为上述实施例的进一步方案，在量子点部品的入光方向设置背光源100的步骤之后，该背光架构制造方法还包括：
设置反射片400，使背光源100朝向反射片400发出的光线射向量子点部品的入光面。
在上述实施例的进一步方案中，可提高背光源100发出的光线的利用率，减小损耗，提高显示效果。
在本发明提出的背光架构制造方法中，对于不同的产品和背光源100，采用统一的标准化的量子点部品，通过向背光源100中加入荧光粉，并由调节加入荧光粉的组分和数量调整产品的光学指标，使制造的产品满足产品的光学指标要求，标准化的量子点部品可适用于不同机型的产品，搭配不同的背光源100和不同的光学膜片300可满足不同的亮度、色域、色坐标等光学性能指标的要求。统一的标准化的量子点部品利于产品化，制造成本、维护成本均大大降低。另外，向背光源100中加入荧光粉后，可减少量子点部品中量子点的使用量，可进一步节约成本。产品的亮度由作为背光源100的发光二极管的功率、数量以及光学膜片300共同决定，可通过调整发光二极管的功率和数量调整产品的亮度，调节方便，成本低廉。
量子点部品可为量子点膜210，此时，量子点膜210中的绿色量子点含量为5～100份，可为5mg～100mg，红色量子点材料为2～50份，可为2mg～50mg，在直下式结构中，量子点膜210与背光源100之间。
量子点部品可为量子点板220，此时，量子点膜210中的绿色量子点含量为55～1100份，可为55mg～1100mg，红色量子点材料为15～375份，可为15mg～375mg。
量子点部品还可为量子点管和量子点玻璃片等。
在侧入式结构中，量子点部品与背光源100之间，可设置导光板600。
蓝色的发光二极管搭配标准化的量子点部品，在未向发光二极管加入荧光粉时，产品DCI-P3覆盖率为80％及其以上，向蓝色发光二极管中加入KSF或者YAG荧光粉后，产品DCI-P3覆盖率为90％及其以上，可满足产品的光学指标要求。
本发明提出的显示装置制造方法的实施例中，该显示装置制造方法包括上述的背光架构制造方法。
本发明提出的显示装置制造方法的实施例，包括上述背光架构制造方法的所有实施例的技术特征，因此至少具有上述背光架构制造方法的实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再累述。
以上仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种背光架构制造方法，其特征在于，包括步骤：
制造标准化的量子点部品；
在所述量子点部品的入光方向设置背光源；
向所述背光源加入荧光粉，以使所述背光源发出的光线经过所述荧光粉转化为第一光线，所述第一光线射入所述量子点部品，由所述量子点部品转化为第二光线，所述第二光线从所述量子点部品的出光面射出。
2.如权利要求1所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述量子点部品中的量子点的含量为20mg～1g/m2。
3.如权利要求1所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述量子点部品为量子点膜，所述量子点膜中的量子点的含量为20mg～200mg/m2。
4.如权利要求1所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述量子点部品为量子点板。
5.如权利要求4所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述量子点板的量子点的含量为100mg～1g/m2。
6.如权利要求4所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述量子点板的量子点核心层的厚度为800um～1200um。
7.如权利要求1-6任一项所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述荧光粉包括红色荧光粉和绿色荧光粉。
8.如权利要求1-6任一项所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述制造标准化的量子点部品的步骤之后，所述背光架构制造方法还包括：
在所述量子点部品的出光方向设置光学膜片，以使所述量子点部品射出的所述第二光线射入所述光学膜片，所述第二光线由所述光学膜片转化为第三光线，所述第三光线从所述光学膜片的出光面射出。
9.如权利要求8所述的背光架构制造方法，其特征在于，所述背光源为发光二极管，所述发光二极管的功率和/或数量由所述光学膜片的参数和产品的亮度指标确定。
10.一种显示装置制造方法，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的背光架构制造方法。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104777669A (zh) * 2015-04-24 2015-07-15 张家港康得新光电材料有限公司 量子点膜及背光模组
CN105202483A (zh) * 2014-06-20 2015-12-30 业鑫科技顾问股份有限公司 背光模组及显示设备
CN105404046A (zh) * 2015-12-04 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制作方法
CN107390427A (zh) * 2017-07-12 2017-11-24 青岛海信电器股份有限公司 一种背光模组和显示装置
CN206863417U (zh) * 2017-06-22 2018-01-09 深圳Tcl新技术有限公司 背光模组及显示装置
CN108388050A (zh) * 2018-04-04 2018-08-10 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种量子点膜导光组件的制备方法及其对应的背光模组
CN208384304U (zh) * 2018-06-25 2019-01-15 惠州市创亿达新材料有限公司 高色域显示模组架构
CN109459888A (zh) * 2018-11-13 2019-03-12 惠州市华星光电技术有限公司 量子点膜片及背光模组

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105202483A (zh) * 2014-06-20 2015-12-30 业鑫科技顾问股份有限公司 背光模组及显示设备
CN104777669A (zh) * 2015-04-24 2015-07-15 张家港康得新光电材料有限公司 量子点膜及背光模组
CN105404046A (zh) * 2015-12-04 2016-03-16 深圳市华星光电技术有限公司 量子点彩膜基板的制作方法
CN206863417U (zh) * 2017-06-22 2018-01-09 深圳Tcl新技术有限公司 背光模组及显示装置
CN107390427A (zh) * 2017-07-12 2017-11-24 青岛海信电器股份有限公司 一种背光模组和显示装置
CN108388050A (zh) * 2018-04-04 2018-08-10 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种量子点膜导光组件的制备方法及其对应的背光模组
CN208384304U (zh) * 2018-06-25 2019-01-15 惠州市创亿达新材料有限公司 高色域显示模组架构
CN109459888A (zh) * 2018-11-13 2019-03-12 惠州市华星光电技术有限公司 量子点膜片及背光模组

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