CN112908878B - 电子产品的加工方法及加工装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种电子产品的加工方法及加工装置，加工方法包括采用第一加工条件将第一电子产品加工为第一参考产品；获取第一参考产品的参考图像；根据参考图像中第一参考产品的像素尺寸，获取第一参考产品的实际尺寸；在第一参考产品的实际尺寸不满足预设尺寸的条件下，将第一加工条件调整为第二加工条件，其中，采用第二加工条件加工第二电子产品形成的第二参考产品的实际尺寸满足预设尺寸。本申请提供的加工方法能够对每个电子产品的实际尺寸进行测量，并根据测量结果及时准确的调整加工条件，后续的电子产品在调整后的加工条件下进行加工，使得后续加工形成的电子产品满足预设尺寸要求，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。

Description

电子产品的加工方法及加工装置
技术领域
本领域属于电子产品加工技术领域，尤其涉及一种电子产品的加工方法及加工装置。
背景技术
随着电子产品加工技术的发展，电子产品的尺寸加工精度要求也越来越高。然而在传统的加工方法中，仅是通过随机抽取若干个加工完成的电子产品的方式，将抽取的电子产品在影像测量仪上进行手动测量一部分重要尺寸的大小来监控制程的稳定性，并根据手动测量结果来调整加工条件。传统的加工方法中，手动测量的数量少、频次低且精度较低，难以得到精准完整的测量数据，也就不能根据测量数据及时准确的调整加工条件，从而容易导致电子产品的尺寸加工精度及生产良率较低。
发明内容
本发明的目的是提供一种电子产品的加工方法及加工装置，能够对大量电子产品的尺寸进行自动准确的测量，并根据测量数据及时准确的调整加工条件，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
为实现本发明的目的，本发明提供了如下的技术方案：
第一方面，本发明提供了一种电子产品的加工方法，所述加工方法包括：采用第一加工条件将第一电子产品加工为第一参考产品；获取所述第一参考产品的参考图像；根据所述参考图像中所述第一参考产品的像素尺寸，获取所述第一参考产品的实际尺寸；在所述第一参考产品的实际尺寸不满足预设尺寸的条件下，将所述第一加工条件调整为第二加工条件，其中，采用所述第二加工条件加工第二电子产品形成的第二参考产品的实际尺寸满足所述预设尺寸。
本发明提供的一种电子产品的加工方法中，每个电子产品均可为第一电子产品，通过获取每个电子产品加工后的像素尺寸，并由像素尺寸准确计算出每个电子产品加工后的实际尺寸，将其实际尺寸与预设尺寸相比对，根据比对结果来及时准确的调整加工条件；第二电子产品在调整后的加工条件下进行加工，使得第二电子产品加工后的实际尺寸满足预设尺寸，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
在一种实施方式中，所述加工方法还包括：在所述第一参考产品的实际尺寸满足预设尺寸的条件下，采用所述第一加工条件加工所述第二电子产品以形成所述第二参考产品。当采用第一加工条件加工形成的第一参考产品的实际尺寸满足预设尺寸时，则无需调整加工条件，继续使用第一加工条件加工第二电子产品以形成第二参考产品，第二参考产品的实际尺寸同样满足预设尺寸。
在一种实施方式中，“根据所述参考图像中所述第一参考产品的像素尺寸，获取所述第一参考产品的实际尺寸”包括：获取所述参考图像的固有参数，所述固有参数为所述第一参考产品的实际尺寸与所述第一参考产品的像素尺寸的比值；根据所述固有参数与所述第一参考产品的像素尺寸获取所述第一参考产品的实际尺寸。将固有参数与第一参考产品的像素尺寸相乘即可得到第一参考产品的实际尺寸，该尺寸测量的方法无需进行手动操作，效率较高且具备较高的准确性。
在一种实施方式中，所述第一加工条件包括第一蚀刻药水浓度、第一产品传动速度和第一蚀刻压力中的一种或多种；所述第二加工条件包括第二蚀刻药水浓度、第二产品传动速度和第二蚀刻压力中的一种或多种。蚀刻药水浓度、产品传动速度和蚀刻压力是决定电子产品尺寸大小的主要加工因素，第一加工条件和第二加工条件包括上述加工因素中的一种或多种，通过调整相应的加工因素，使得第二加工条件区别于第一加工条件，从而有效调整第二参考产品的实际尺寸大小，使其满足预设尺寸的要求。
在一种实施方式中，所述第一电子产品和所述第二电子产品均为引线框架产品。引线框架作为集成电路的芯片载体，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，因此，引线框架产品的尺寸精度要求较高，使用本发明提供的加工方法对引线框架产品进行加工，能够有效提高引线框架产品的尺寸加工精度和生产良率。
在一种实施方式中，所述第一参考产品包括第一定位孔，所述第一定位孔由所述第一加工条件加工形成，所述第一参考产品的像素尺寸包括所述第一定位孔的像素直径，所述第一参考产品的实际尺寸包括所述第一定位孔的实际直径，所述预设尺寸包括第一预设尺寸；在所述第一定位孔的实际直径不满足第一预设尺寸的条件下，将所述第一加工条件调整为所述第二加工条件，采用所述第二加工条件加工所述第二电子产品形成所述第二参考产品，其中，所述第二参考产品包括第二定位孔，所述第二定位孔由所述第二加工条件加工形成，所述第二参考产品的实际尺寸包括所述第二定位孔的实际直径，所述第二定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸。第一定位孔和第二定位孔的形状较为规则，分布位置便于测量和统计，且第一定位孔和第一参考产品的其他部件均在同一加工条件下制成，第二定位孔和第二参考产品的其他部位也均在同一加工条件下制成，第一定位孔和第二定位孔的尺寸大小在一定程度上反应了制程能力，因此，分别对第一定位孔和第二定位孔的实际直径进行测量，即可对第一参考产品和第二参考产品的实际尺寸是否满足预设尺寸的要求进行准确的判断。测量第一定位孔的实际直径，若第一定位孔的实际直径不满足第一预设尺寸要求，则说明在第一加工条件下的制程能力不满足相应要求，应将第一加工条件调整为第二加工条件，使得在第二加工条件下加工形成的第二定位孔的实际直径满足第一预设尺寸要求，此时第二参考产品的实际尺寸满足预设尺寸的要求。通过上述加工方法，能够及时准确的调整加工条件，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
在一种实施方式中，在所述第一定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸的条件下，采用所述第一加工条件加工所述第二电子产品形成所述第二参考产品，其中，所述第二参考产品包括第二定位孔，所述第二定位孔由所述第一加工条件加工形成，所述第二定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸。测量第一定位孔的实际直径，若第一定位孔的实际直径满足第一预设尺寸的要求，则说明在第一加工条件下的制程能力满足相应要求，应继续采用第一加工条件加工形成第二参考产品，使得在第一加工条件下加工形成的第二定位孔的实际直径满足第一预设尺寸的要求，此时第二参考产品的实际尺寸满足预设尺寸的要求。
在一种实施方式中，所述第一参考产品还包括第一功能区单体，所述第二参考产品还包括第二功能区单体，所述预设尺寸还包括第二预设尺寸，所述加工方法还包括：在采用所述第一加工条件加工形成所述第一定位孔时，采用所述第一加工条件加工形成所述第一功能区单体；在所述第一定位孔的实际直径不满足所述第一预设尺寸的条件下，将所述第一加工条件调整为所述第二加工条件，其中，采用所述第二加工条件加工形成的所述第二定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸，且采用所述第二加工条件加工形成的所述第二功能区单体的实际尺寸满足所述第二预设尺寸。功能区单体的尺寸是引线框架产品的重要尺寸，然而，其存在半蚀刻或其他形状不规则的结构，且功能区单体的位置分布不便于测量统计。而由于功能区单体和定位孔在同一加工条件下制成，当定位孔的实际直径满足第一预设尺寸的要求时，功能区单体的实际尺寸同样满足第二预设尺寸的要求。测量第一定位孔的实际直径，若第一定位孔的实际直径不满足第一预设尺寸的要求，则说明在第一加工条件下的制程能力不满足相应要求，应将第一加工条件调整为第二加工条件，使得在第二加工条件下加工形成的第二定位孔的实际直径满足第一预设尺寸的要求，此时第二功能区单体的实际尺寸同样满足第二预设尺寸的要求。通过上述加工方法，能够及时准确的调整加工条件，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
在一种实施方式中，所述加工方法还包括：在所述第一定位孔的实际尺寸满足第一预设尺寸的条件下，采用所述第一加工条件加工形成所述第二定位孔和所述第二功能区单体。测量第一定位孔的实际直径，若第一定位孔的实际直径满足第一预设尺寸的要求，则说明在第一加工条件下的制程能力满足相应要求，应继续采用第一加工条件加工形成第二参考产品，使得在第一加工条件下加工形成的第二定位孔的实际直径满足第一预设尺寸的要求，此时第二功能区单体的实际尺寸同样满足第二预设尺寸的要求。
第二方面，本发明提供了一种电子产品的加工装置，所述加工装置包括捕捉成像单元、数据处理单元和加工单元，所述加工单元用于将第一电子产品加工为第一参考产品，并将第二电子产品加工为第二参考产品；所述捕捉成像单元用于获取所述第一参考产品的参考图像，并对所述第一参考产品的参考图像进行识别以得到所述第一参考产品的像素尺寸；所述数据处理单元与所述捕捉成像单元电连接，以根据所述第一参考产品的像素尺寸计算得到所述第一参考产品的实际尺寸，并将所述第一参考产品的实际尺寸与预设尺寸相比对；所述数据处理单元与所述加工单元电连接，以根据所述第一参考产品的实际尺寸与预设尺寸之间的比对结果，将所述加工单元的加工条件调整为第一加工条件或第二加工条件。
本发明提供的电子产品的加工装置，通过设置捕捉成像单元、数据处理单元和加工单元，能够对第一参考产品的实际尺寸进行准确测量，并将其实际尺寸与预设尺寸相比对，根据比对结果及时准确的调整加工单元的加工条件，加工单元采用调整后的加工条件对第二电子产品进行加工，使得加工形成的第二参考产品的实际尺寸满足预设尺寸，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的电子产品的加工方法的流程示意图；
图2是一种实施例中第一参考产品或第二参考产品的结构示意图；
图3是一种实施例中加工装置的工作示意图；
图4是另一种实施例中加工装置的工作示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
首先请参阅图1，图1是本申请实施例提供的电子产品的加工方法的流程示意图。本申请实施例提供一种电子产品的加工方法，该加工方法包括：
步骤S1，采用第一加工条件将第一电子产品加工为第一参考产品；
步骤S2，获取第一参考产品的参考图像；
步骤S3，根据参考图像中第一参考产品的像素尺寸，获取第一参考产品的实际尺寸；
步骤S4，在第一参考产品的实际尺寸不满足预设尺寸的条件下，将第一加工条件调整为第二加工条件，其中，采用第二加工条件加工第二电子产品形成的第二参考产品的实际尺寸满足预设尺寸。
其中，第一电子产品可以为生产加工过程中的任意一个电子产品，第二电子产品为在第一电子产品之后进行加工的电子产品。第一电子产品和第二电子产品的形状结构均相同，仅在加工顺序上有所差异。本申请提供的加工方法可对生产过程中的每个电子产品进行实际尺寸的测量，并根据其实际尺寸是否满足预设尺寸的要求，调整加工条件，使得在其之后进行生产加工的电子产品可在调整后的加工条件下进行加工，从而满足预设尺寸的要求。
其中，第一参考产品为第一电子产品在经过加工后形成的电子产品，第二参考产品为第二电子产品在经过加工后形成的电子产品。第一参考产品和第二参考产品的结构类似，仅因加工条件的不同导致两者之间的部分尺寸存在差异。
其中，参考图像可以为对第一参考产品进行拍摄得到的电子图像，参考图像中第一参考产品的尺寸即为第一参考产品的像素尺寸，第一参考产品的像素尺寸同比例增大即可得到第一参考产品的实际尺寸。
其中，预设尺寸为电子产品满足生产要求的尺寸范围，当第一参考产品的实际尺寸满足预设尺寸时，第一参考产品的实际尺寸则处于满足生产要求的尺寸范围内。可以理解的是，预设尺寸的数值根据实际生产要求来进行确定，在此不对预设尺寸的数值进行具体的限定。
本申请提供的一种电子产品的加工方法，能够对每个电子产品的实际尺寸进行测量，并根据测量结果及时准确的调整加工条件，后续的电子产品在调整后的加工条件下进行加工，使得后续加工形成的电子产品的实际尺寸满足预设尺寸要求，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
一种实施例中，在第一参考产品的实际尺寸满足预设尺寸的条件下，采用第一加工条件加工第二电子产品以形成第二参考产品。可以理解的是，在步骤S3之后，将第一参考产品的实际尺寸与预设尺寸相比较，若第一参考产品的实际尺寸满足预设尺寸，则说明在第一加工条件下的制程能力满足相应要求，无需将第一加工条件调整为第二加工条件，可继续采用第一加工条件加工第二电子产品，形成的第二参考产品的实际尺寸同样满足预设尺寸。
一种实施例中，步骤S3包括：获取参考图像的固有参数，固有参数为第一参考产品的实际尺寸与第一参考产品的像素尺寸的比值；根据固有参数与第一参考产品的像素尺寸获取第一参考产品的实际尺寸。可以理解的是，通过相应设备获取第一参考产品的参考图像，其中，固有参数为相应设备自身的参数，不同设备的固有参数不同，在此不对固有参数的数值进行具体的限定。在计算过程中，将固有参数与第一参考产品的像素尺寸相乘即可得到第一参考产品的实际尺寸，通过该尺寸测量的方法来测量电子产品的实际尺寸，无需进行手动操作，测量效率较高且具备较高的准确性。
一种实施例中，第一加工条件包括第一蚀刻药水浓度、第一产品传动速度和第一蚀刻压力中的一种或多种；第二加工条件包括第二蚀刻药水浓度、第二产品传动速度和第二蚀刻压力中的一种或多种。可以理解的是，蚀刻药水浓度、产品传动速度和蚀刻压力是决定电子产品尺寸大小的主要加工因素，第一加工条件和第二加工条件包括上述加工因素中的一种或多种，通过调整相应的加工因素，使得第二加工条件区别于第一加工条件，从而有效调整第二参考产品的实际尺寸大小，使其满足预设尺寸的要求。
请参阅图2，图2是一种实施例中第一参考产品310或第二参考产品320的结构示意图。一种实施例中，第一电子产品(图未示)和第二电子产品(图未示)均为引线框架产品。引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架产品。因此，引线框架产品的尺寸精度要求较高，使用本发明提供的加工方法对引线框架产品进行加工，能够有效提高引线框架产品的尺寸加工精度和生产良率。可以理解的是，第一电子产品和第二电子产品均为未加工的引线框架产品，第一电子产品和第二电子产品的结构相同。第一参考产品310和第二参考产品320为加工完成的引线框架产品。其中，通过在第一电子产品上加工形成定位孔、功能区单体或其他结构即可得到第一参考产品310。第二参考产品320与第一参考产品310的结构相同，仅存在尺寸差异，在此不进行赘述。还可以理解的是，第一电子产品和第二电子产品还可以为其他种类的电子产品，在此不进行一一赘述，本申请实施例仅以引线框架产品为例进行详细的说明。
一种实施例中，第一参考产品310包括第一定位孔311，第一定位孔311由第一加工条件加工形成，第一参考产品310的像素尺寸包括第一定位孔311的像素直径，第一参考产品310的实际尺寸包括第一定位孔311的实际直径，预设尺寸包括第一预设尺寸；在第一定位孔311的实际直径不满足第一预设尺寸的条件下，将第一加工条件调整为第二加工条件，采用第二加工条件加工第二电子产品形成第二参考产品320，其中，第二参考产品320包括第二定位孔321，第二定位孔321由第二加工条件加工形成，第二参考产品320的实际尺寸包括第二定位孔321的实际直径，第二定位孔321的实际直径满足第一预设尺寸。
可以理解的是，当第一电子产品和第二电子产品为引线框架产品时，通过加工形成的第一参考产品310包括第一定位孔311，加工形成的第二参考产品320包括第二定位孔321。第一定位孔311和第二定位孔321的形状较为规则，分布位置便于测量和统计，且第一定位孔311和第一参考产品310的其他部件均在同一加工条件下制成，第二定位孔321和第二参考产品320的其他部件也均在同一加工条件下制成，第一定位孔311和第二定位孔321的尺寸大小在一定程度上反应了制程能力，因此，分别对第一定位孔311和第二定位孔321的实际直径进行测量，即可对第一参考产品310和第二参考产品320的实际尺寸是否满足预设尺寸的要求进行准确的判断。测量第一定位孔311的实际直径，若第一定位孔311的实际直径不满足第一预设尺寸要求，则说明在第一加工条件下的制程能力不满足相应要求，应将第一加工条件调整为第二加工条件，使得在第二加工条件下加工形成的第二定位孔321的实际直径满足第一预设尺寸要求，此时第二参考产品320的实际尺寸满足预设尺寸的要求。通过上述加工方法，能够及时准确的调整加工条件，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
一种实施例中，在第一定位孔311的实际直径满足第一预设尺寸的条件下，采用第一加工条件加工第二电子产品形成第二参考产品320，其中，第二参考产品320包括第二定位孔321，第二定位孔321由第一加工条件加工形成，第二定位孔321的实际直径满足第一预设尺寸。测量第一定位孔311的实际直径，若第一定位孔311的实际直径满足第一预设尺寸的要求，则说明在第一加工条件下的制程能力满足相应要求，应继续采用第一加工条件加工形成第二参考产品320，使得在第一加工条件下加工形成的第二定位孔321的实际直径满足第一预设尺寸的要求，由于第二定位孔321与第二参考产品320的的其他部件在同一加工条件下制成，此时第二参考产品320的实际尺寸同样也满足预设尺寸的要求。
需要说明的是，定位孔的直径仅为一种尺寸判定依据，还可以将定位孔的半径、圆周长度、横截面积或其他任意满足相应判定要求的尺寸作为尺寸判定依据，在此不进行一一赘述，本申请实施例仅以定位孔的直径作为尺寸判定依据进行详细的说明。
还需要说明的是，第一预设尺寸为定位孔满足生产要求的尺寸范围，当定位孔的实际直径满足第一预设尺寸时，即定位孔的实际直径处于满足生产要求的尺寸范围内。在一种具体的实施例中，第一预设尺寸所表示的满足生产要求的尺寸范围为1.499mm－1.549mm。可以理解的是，第一预设尺寸的数值根据实际生产要求来进行确定，在此不对第一预设尺寸的数值进行具体的限定。
一种实施例中，第一参考产品310还包括第一功能区单体312，第二参考产品320还包括第二功能区单体322，预设尺寸还包括第二预设尺寸，加工方法还包括：在采用第一加工条件加工形成第一定位孔311时，采用第一加工条件加工形成第一功能区单体312；在第一定位孔311的实际直径不满足第一预设尺寸的条件下，将第一加工条件调整为第二加工条件，其中，采用第二加工条件加工形成的第二定位孔321的实际直径满足第一预设尺寸，且采用第二加工条件加工形成的第二功能区单体322的实际尺寸满足第二预设尺寸。
应当理解的是，功能区单体的尺寸是引线框架产品的重要尺寸，然而，其存在半蚀刻或其他形状不规则的结构，且功能区单体的位置分布不便于测量统计。而由于功能区单体和定位孔在同一加工条件下制成，当定位孔的实际直径满足第一预设尺寸的要求时，功能区单体的实际尺寸同样满足第二预设尺寸的要求。测量第一定位孔311的实际直径，若第一定位孔311的实际直径不满足第一预设尺寸的要求，则说明在第一加工条件下的制程能力不满足相应要求，应将第一加工条件调整为第二加工条件，使得在第二加工条件下加工形成的第二定位孔321的实际直径满足第一预设尺寸的要求，此时第二功能区单体322的实际尺寸同样满足第二预设尺寸的要求。通过上述加工方法，能够及时准确的调整加工条件，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
一种实施例中，加工方法还包括：在第一定位孔311的实际尺寸满足第一预设尺寸的条件下，采用第一加工条件加工形成第二定位孔321和第二功能区单体322。测量第一定位孔311的实际直径，若第一定位孔311的实际直径满足第一预设尺寸的要求，则说明在第一加工条件下的制程能力满足相应要求，应继续采用第一加工条件加工形成第二参考产品320，使得在第一加工条件下加工形成的第二定位孔321的实际直径满足第一预设尺寸的要求，此时第二功能区单体322的实际尺寸同样满足第二预设尺寸的要求。
请一并参阅图3和图4，图3是一种实施例中加工装置100的工作原理示意图；图4是另一种实施例中加工装置100的工作原理示意图。
本申请实施例还提供一种电子产品的加工装置100，该加工装置100包括捕捉成像单元110、数据处理单元120和加工单元130，加工单元130用于将第一电子产品210加工为第一参考产品310，并将第二电子产品220加工为第二参考产品320；捕捉成像单元110用于获取第一参考产品310的参考图像，并对第一参考产品310的参考图像进行识别以得到第一参考产品310的像素尺寸；数据处理单元120与捕捉成像单元110电连接，以根据第一参考产品310的像素尺寸计算得到第一参考产品310的实际尺寸，并将第一参考产品310的实际尺寸与预设尺寸相比对；数据处理单元120与加工单元130电连接，以根据第一参考产品310的实际尺寸与预设尺寸之间的比对结果，将加工单元130的加工条件调整为第一加工条件或第二加工条件。
需要说明的是，电子产品的加工方式包括板式生产加工(如图3)和卷式生产加工(如图4)，两种加工方式中，第一电子产品210均为优先加工的电子产品，第二电子产品220为在第一电子产品210之后进行加工的电子产品。在一种具体的实施例中，可将第一参考产品310和第二参考产品320置于量测基台400上，并通过光源500照明，以便于对其实际尺寸进行准确测量。通过将第一参考产品310的实际尺寸与预设尺寸相比对，来判断第一加工条件是否满足相应要求。若第一加工条件不满足相应要求，则将第一加工条件调整为满足要求的第二加工条件，采用第二加工条件来将第二电子产品220加工为第二参考产品320，使得第二参考产品320的实际尺寸满足预设尺寸的要求。
一种实施例中，加工装置100还包括自动存储单元140，自动存储单元140与数据处理单元120电连接，以用于存储第一参考产品310的实际尺寸。可以理解的是，自动存储单元140可对参考图像及相应数据进行自动储存，便于后期生产记录调取和制程稳定性改善分析。还可以理解的是，自动存储单元140还可用于存储预设尺寸的数据，数据处理单元120调用预设尺寸的数据，以将第一参考产品310的实际尺寸与预设尺寸进行比对。
本申请实施例提供的电子产品的加工装置100，通过设置捕捉成像单元110、数据处理单元120和加工单元130，能够对第一参考产品310的实际尺寸进行准确测量，并将其实际尺寸与预设尺寸相比对，根据比对结果及时准确的调整加工单元130的加工条件，加工单元130采用调整后的加工条件对第二电子产品220进行加工，使得加工形成的第二参考产品320的实际尺寸满足预设尺寸，从而有效提高电子产品的尺寸加工精度及生产良率。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (8)

1.一种电子产品的加工方法，其特征在于，包括：
采用第一加工条件将第一电子产品加工为第一参考产品；
获取所述第一参考产品的参考图像；
根据所述参考图像中所述第一参考产品的像素尺寸，获取所述第一参考产品的实际尺寸；
在所述第一参考产品的实际尺寸不满足预设尺寸的条件下，将所述第一加工条件调整为第二加工条件，其中，采用所述第二加工条件加工第二电子产品形成的第二参考产品的实际尺寸满足所述预设尺寸；
所述第一电子产品和所述第二电子产品均为引线框架产品，所述第一参考产品包括第一定位孔，所述第一定位孔由所述第一加工条件加工形成，所述第一参考产品的像素尺寸包括所述第一定位孔的像素直径，所述第一参考产品的实际尺寸包括所述第一定位孔的实际直径，所述预设尺寸包括第一预设尺寸；
在所述第一定位孔的实际直径不满足第一预设尺寸的条件下，将所述第一加工条件调整为所述第二加工条件，采用所述第二加工条件加工所述第二电子产品形成所述第二参考产品，其中，所述第二参考产品包括第二定位孔，所述第二定位孔由所述第二加工条件加工形成，所述第二参考产品的实际尺寸包括所述第二定位孔的实际直径，所述第二定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述加工方法还包括：
在所述第一参考产品的实际尺寸满足预设尺寸的条件下，采用所述第一加工条件加工所述第二电子产品以形成所述第二参考产品。
3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述根据所述参考图像中所述第一参考产品的像素尺寸，获取所述第一参考产品的实际尺寸，包括：
获取所述参考图像的固有参数，所述固有参数为所述第一参考产品的实际尺寸与所述第一参考产品的像素尺寸的比值；
根据所述固有参数与所述第一参考产品的像素尺寸获取所述第一参考产品的实际尺寸。
4.根据权利要求3所述的加工方法，其特征在于，所述第一加工条件包括第一蚀刻药水浓度、第一产品传动速度和第一蚀刻压力中的一种或多种；所述第二加工条件包括第二蚀刻药水浓度、第二产品传动速度和第二蚀刻压力中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，在所述第一定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸的条件下，采用所述第一加工条件加工所述第二电子产品形成所述第二参考产品，其中，所述第二参考产品包括第二定位孔，所述第二定位孔由所述第一加工条件加工形成，所述第二定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸。
6.根据权利要求5所述的加工方法，其特征在于，所述第一参考产品还包括第一功能区单体，所述第二参考产品还包括第二功能区单体，所述预设尺寸还包括第二预设尺寸，所述加工方法还包括：
在采用所述第一加工条件加工形成所述第一定位孔时，采用所述第一加工条件加工形成所述第一功能区单体；
在所述第一定位孔的实际直径不满足所述第一预设尺寸的条件下，将所述第一加工条件调整为所述第二加工条件，其中，采用所述第二加工条件加工形成的所述第二定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸，且采用所述第二加工条件加工形成的所述第二功能区单体的实际尺寸满足所述第二预设尺寸。
7.根据权利要求6所述的加工方法，其特征在于，所述加工方法还包括：
在所述第一定位孔的实际尺寸满足第一预设尺寸的条件下，采用所述第一加工条件加工形成所述第二定位孔和所述第二功能区单体。
8.一种电子产品的加工装置，其特征在于，包括捕捉成像单元、数据处理单元和加工单元，
所述加工单元用于将第一电子产品加工为第一参考产品，并将第二电子产品加工为第二参考产品；
所述捕捉成像单元用于获取所述第一参考产品的参考图像，并对所述第一参考产品的参考图像进行识别以得到所述第一参考产品的像素尺寸；
所述数据处理单元与所述捕捉成像单元电连接，以根据所述第一参考产品的像素尺寸计算得到所述第一参考产品的实际尺寸，并将所述第一参考产品的实际尺寸与预设尺寸相比对；所述数据处理单元与所述加工单元电连接，以根据所述第一参考产品的实际尺寸与预设尺寸之间的比对结果，将所述加工单元的加工条件调整为第一加工条件或第二加工条件；
所述第一电子产品和所述第二电子产品均为引线框架产品，所述第一参考产品包括第一定位孔，所述第一定位孔由所述第一加工条件加工形成，所述第一参考产品的像素尺寸包括所述第一定位孔的像素直径，所述第一参考产品的实际尺寸包括所述第一定位孔的实际直径，所述预设尺寸包括第一预设尺寸；
所述装置还包括用于执行以下操作的单元：
在所述第一定位孔的实际直径不满足第一预设尺寸的条件下，将所述第一加工条件调整为所述第二加工条件，采用所述第二加工条件加工所述第二电子产品形成所述第二参考产品，其中，所述第二参考产品包括第二定位孔，所述第二定位孔由所述第二加工条件加工形成，所述第二参考产品的实际尺寸包括所述第二定位孔的实际直径，所述第二定位孔的实际直径满足所述第一预设尺寸。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0464450A1 (en) * 1990-07-06 1992-01-08 International Business Machines Corporation System and method for inspection and alignment of semiconductor chips and conductive lead frames
WO2013121939A1 (ja) * 2012-02-17 2013-08-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ オーバーレイ計測方法、計測装置、走査型電子顕微鏡およびｇｕｉ
WO2015117404A1 (zh) * 2014-07-25 2015-08-13 中兴通讯股份有限公司 一种用于移动终端的物品显示方法及移动终端
WO2016039041A1 (ja) * 2014-09-11 2016-03-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ オーバーレイ計測方法、装置、および表示装置
CN111464745A (zh) * 2020-04-14 2020-07-28 维沃移动通信有限公司 一种图像处理方法及电子设备
CN111863645A (zh) * 2019-04-12 2020-10-30 长鑫存储技术有限公司 加工工艺参数确定方法、装置、存储介质及电子设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5894659A (en) * 1996-03-18 1999-04-20 Motorola, Inc. Method for inspecting lead frames in a tape lead bonding system
US7442932B2 (en) * 2003-11-18 2008-10-28 Halliburton Energy Services, Inc. High temperature imaging device
JP4710887B2 (ja) * 2007-08-09 2011-06-29 ソニー株式会社 画像処理装置、及び、画像処理装置の制御方法
JP5968705B2 (ja) * 2012-07-13 2016-08-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN104377141B (zh) * 2013-08-16 2017-05-03 无锡华润华晶微电子有限公司 检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法
CN105336635B (zh) * 2014-07-17 2019-04-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cd-sem装置的校正方法、应用cd-sem装置的方法及cd-sem装置
KR102360381B1 (ko) * 2014-12-01 2022-02-11 삼성전자주식회사 적층 구조를 갖는 반도체 소자 및 그 제조방법
JP2017146255A (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
CN108764243A (zh) * 2018-05-30 2018-11-06 北京奇艺世纪科技有限公司 一种图像处理方法及装置
CN109682298A (zh) * 2019-01-14 2019-04-26 明灏科技（北京）有限公司 一种基于计算机视觉的测量装置及方法
DE102019118174B3 (de) * 2019-07-04 2020-11-26 Infineon Technologies Ag Verarbeitung von einem oder mehreren trägerkörpern und elektronischen komponenten durch mehrfache ausrichtung
CN111563926B (zh) * 2020-05-22 2024-02-23 上海依图网络科技有限公司 测量图像中物体物理尺寸的方法、电子设备、介质及系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0464450A1 (en) * 1990-07-06 1992-01-08 International Business Machines Corporation System and method for inspection and alignment of semiconductor chips and conductive lead frames
WO2013121939A1 (ja) * 2012-02-17 2013-08-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ オーバーレイ計測方法、計測装置、走査型電子顕微鏡およびｇｕｉ
WO2015117404A1 (zh) * 2014-07-25 2015-08-13 中兴通讯股份有限公司 一种用于移动终端的物品显示方法及移动终端
WO2016039041A1 (ja) * 2014-09-11 2016-03-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ オーバーレイ計測方法、装置、および表示装置
CN111863645A (zh) * 2019-04-12 2020-10-30 长鑫存储技术有限公司 加工工艺参数确定方法、装置、存储介质及电子设备
CN111464745A (zh) * 2020-04-14 2020-07-28 维沃移动通信有限公司 一种图像处理方法及电子设备

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