CN112908155A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112908155A CN112908155A CN202110136359.1A CN202110136359A CN112908155A CN 112908155 A CN112908155 A CN 112908155A CN 202110136359 A CN202110136359 A CN 202110136359A CN 112908155 A CN112908155 A CN 112908155A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- disposed
- substrate
- display device
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 295
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种显示装置,其包括衬底、多个像素以及电气电路。衬底具有弯曲部分以及主要部分。多个像素安置在主要部分上。电气电路安置在弯曲部分上。电气电路的至少一部分沿着垂直于主要部分的方向与多个像素重叠。
Description
本发明是2017年08月04日所提出的申请号为2017106605745、发明名称为《显示装置》的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
现今,电子装置例如,手机、个人计算机、数码相机或其它消费型电子设备已获得了广泛的使用。通常期望此类电子装置具有便携性。此外,在电子装置的硬件特征和组件之中,显示器的大小影响电子装置的尺寸最多。换句话说,显示器的大小在设计电子装置中,是至关重要的。随着继续需要大小减小的电子装置,显示器继续在大小上减小。因而,如何减小显示器边框的大小并且改善显示器的外观,已成为业界的问题。
发明内容
本发明提供一种具有弯曲部分,以减小显示装置的边框大小的显示装置。
根据本发明的实施例的显示装置包括衬底、多个像素和电气电路。衬底具有弯曲部分和主要部分。多个像素安置在主要部分上。电气电路安置在弯曲部分上。电气电路的至少一部分沿着垂直于主要部分的方向与多个像素重叠。
基于上述内容,在本发明中,通过将有电气电路形成于其上的衬底予以弯曲,并且使电气电路的至少一部分沿着所述方向与像素重叠,可以最小化能从视野中隐藏的显示装置的部分。以此方式,可以开启各种显示装置设计的可能性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是根据本发明的第一实施例的显示装置的俯视示意图。
图1B是图1A中的显示装置的沿线A-A的截面示意图。
图2是根据本发明的第二实施例的显示装置的俯视示意图。
图3A是根据本发明的第三实施例的显示装置的俯视示意图。
图3B是图3A中的显示装置的沿线A-A的截面示意图。
图4A是根据本发明的第四实施例的显示装置的俯视示意图。
图4B是图4A中在弯曲之前的显示装置的沿线A-A的截面示意图。
图4C是图4B中的迹线区域的截面示意图。
图5和图6是不同实施例的迹线区域的截面示意图。
图7A是另一实施例的迹线区域的俯视示意图。
图7B是图7A中的迹线区域的截面示意图。
图8、图9和图10是不同实施例的显示装置的沿线A-A的主要部分与弯曲部分之间的截面示意图。
附图标号说明
11:第一迹线层;
12:第二迹线层;
13:第三迹线层;
14:第四迹线层;
16:接触通孔;
63:迹线层;
100:显示装置;
110:衬底;
110a:上部表面;
110B:底侧;
110b:下部表面;
110b1:下部表面;
110b2:下部表面;
110T:顶侧;
112:弯曲部分;
114:主要部分;
114a:顶部表面;
120:像素;
130:电气电路;
140:驱动电路;
142:栅极线;
144:数据线;
150:支撑部件;
200:显示装置;
210:衬底;
214:主要部分;
220:像素;
230:电气电路;
240:驱动电路;
242:栅极线;
244:数据线;
300:显示装置;
302:封装层;
304:触摸传感器层;
306:偏光层;
308:覆盖层;
310:衬底;
310a:上部表面;
310B:底侧;
310b:下部表面;
310b1:下部表面;
310b2:下部表面;
310T:顶侧;
312:弯曲部分;
312a:第二对齐标记;
314:主要部分;
316:通孔;
320:像素;
330:电气电路;
340:驱动电路;
342:栅极线;
344:数据线;
350:支撑部件;
350a:第一对齐标记;
360a:第一粘合剂;
360b:第二粘合剂;
400:显示装置;
410:衬底;
412:弯曲部分;
414:主要部分;
420:像素;
421a:缓冲层;
425a:第一电极层;
425e:发光层;
425f:第二电极层;
425g:像素界定层;
430:电气电路;
440:驱动电路;
442:栅极线;
444:数据线;
470:第一绝缘层;
474:导电层;
476:第二绝缘层;
490:有源层;
490A:有源层;
490D:掺杂有源区域;
491:栅极层;
491A:栅极层;
492:源极/漏极层;
492A:源极/漏极层;
510:衬底;
570:第一绝缘层;
570a:凹部;
572:第一导电层;
572a:第一部分;
572b:第二部分;
610:衬底;
670:第一绝缘层;
670a:凹部;
672:第一导电层;
672a:第一部分;
672b:第二部分;
674:第二导电层;
676:第二绝缘层;
710:衬底;
770:第一绝缘层;
776:第二绝缘层;
778:第三导电层;
778a:开口;
810:衬底;
812:弯曲部分;
814:主要部分;
870:第一绝缘层;
870c:凹入部分;
872:第一导电层;
879:第三绝缘层;
910:衬底;
912:弯曲部分;
914:主要部分;
970:第一绝缘层;
972:第一导电层;
979:第三绝缘层;
1010:衬底;
1012:弯曲部分;
1014:主要部分;
1072:第一导电层;
1074:迹线层;
1079:第三绝缘层;
C:形心;
CN:中心法线方向;
E1:第一边缘部分;
E2:第二边缘部分;
E3:第三边缘部分;
E4:第四边缘部分;
TFT T1:薄膜晶体管;
T1:第一厚度;
TFT T2:薄膜晶体管;
T2:第二厚度;
TR:迹线区域。
具体实施方式
在随附附图中展示一些例示性实施例,而在下文将参阅随附附图以更充分地描述各种例示性实施例。值得说明的是,本发明概念可能以许多不同形式来体现,且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。确切而言,提供此等例示性实施例使得本发明将为详尽且完整,且将向本领域的普通技术人员充分传达本发明概念的范畴。在每一附图中,可为了清楚明确而夸示层及区的大小及相对大小,而且类似数字始终指示类似元件。
应理解,虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件,但此等元件不应受此等术语限制。此等术语乃用以区分一元件与另一元件,因此,下文论述的第一元件可称为第二元件而不偏离本发明概念的教示。另外,本文中可能使用术语“和/或”,此乃指示包括相关联的列出项目中的任一者及一或多者的所有组合。
图1A是根据本发明的第一实施例的显示装置的俯视示意图,并且图1B是图1A中的显示装置的沿线A-A的截面示意图。参考图1A和图1B,显示装置100包含衬底110。衬底110可以是刚性衬底或柔性衬底。在一些实施例中,衬底110可以是矩形形状,并且可以包含四个边缘部分E1、E2、E3和E4。第一边缘部分E1与第二边缘部分E2相对。第三边缘部分E3与第四边缘部分E4相对,并且第一边缘部分E1紧邻第三边缘部分E3。
在一些实施例中,衬底110的至少一个边缘部分可以是弯曲的。举例来说,在图1A和图1B中,第一边缘部分E1和第二边缘部分E2是向下弯曲的。已经弯曲(例如,向下弯曲)的衬底110的部分定义为弯曲部分112。在此实施例中,第一边缘部分E1包含一个弯曲部分112,并且第二边缘部分E2包含一个弯曲部分112。未弯曲的衬底110的部分定义为主要部分114。在一些实施例中,如图1B中所示,主要部分114可以是平坦的。然而,在其它实施例中,主要部分114可以是不平坦的,并且包含不均匀的或弯曲的表面。在此类情况下,弯曲部分112可以具有与主要部分114相比更大的弯曲程度。
弯曲过程可以在显示装置呈现给消费者(或用户)之前进行。图1B示出了显示装置的状态,其中衬底110已经弯曲。替代地,根据一些实施例,当柔性衬底被用作为衬底时,弯曲过程可以由消费者来进行。也就是说,最初,显示装置的衬底可以是平坦的,随后消费者可以根据需要弯曲衬底而形成弯曲部分,从而获得如图1B中所示的显示装置。
参考图1A和图1B,图中的实线表示组件位于衬底110的顶侧110T,而虚线表示组件位于衬底110的底侧110B。主要部分114具有顶部表面114a。顶部表面114a具有形心(centroid)C以及在形心C处相对于顶部表面114a的中心法线方向(central normaldirection)CN。举例来说,主要部分114的顶部表面114a可以为矩形形状。因此,形心C位于主要部分114的顶部表面114a的对角线彼此相交处。
此外,显示装置100还包含多个像素120和电气电路130。在图1B中,为了简单起见,多个像素120整体被示为像素120层。多个像素120安置在衬底110的上部表面110a上。并且,多个像素120安置在主要部分114上。在一些实施例中,衬底110的第一边缘部分E1可以向下弯曲。也就是说,第一边缘部分E1可以从顶侧110T朝向底侧110B弯曲。另外,衬底110的第二边缘部分E2可以向下弯曲。因此,可以形成两个弯曲部分112。在一些实施例中,电气电路130可以安置在至少一个弯曲部分112上。
举例来说,电气电路130可以为驱动电路,例如,栅极驱动电路或数据驱动电路。当电气电路130形成于衬底110上并且是栅极驱动电路时,电气电路130可以是在面板上的栅极驱动器(gate driver on panel,GOP)电路。像素120可以是有机发光二极管(organiclight emitting diode,OLED)像素、微LED像素、量子点(quantum dot,QD)像素、LCD像素或其它合适的显示像素。应理解,其它类型的像素可用于显示装置100中,其不限于此。
此外,电气电路130的至少一部分沿着方向Y与多个像素120重叠。方向Y可以是垂直于主要部分114的方向。或者,方向Y可以平行于中心法线方向CN。在一些实施例中,方向Y可以是厚度方向。厚度方向可以被定义为沿着像素120层形成的方向。像素120层可以是绝缘层、导电层、有源层、栅极层、源极/漏极层等中的任一个或其组合。因而,弯曲部分112与主要部分114重叠。此外,弯曲部分112上的电气电路130与多个像素120的部分沿着方向Y彼此重叠。以此方式,衬底110的至少一个侧向下弯曲,以隐藏电气电路130。因此,电气电路130不会占据衬底110的前表面(上表面),以便减小非显示区域(边框区域)。因此,在一些实施例中,可以获得狭窄边框或无边框显示装置。
在本实施例中,多个像素120可以是像素阵列,并且可以包含用于产生图像的由复数行和复数列构成的多个像素。在一些实施例中,多个像素120可以安置在衬底110的主要部分114上。在一些实施例中,一些像素120也可以安置在弯曲部分112上。
多个像素120可以通过栅极线142耦合到电气电路130,多个像素120可以通过数据线144耦合到驱动电路140,并且电气电路130和驱动电路140可以耦合到彼此。如图1A中所示,驱动电路140可以安置在与像素120同一侧上。也就是说,驱动电路140和像素120可以形成于衬底110的顶侧110T上。电气电路130可以形成为接合在衬底110上的集成电路(integrated circuit,IC),并且驱动电路140可以形成为接合在衬底110上的集成电路(integrated circuit,IC)。替代地,电气电路130和驱动电路140可以形成于衬底110上,并且电气电路130和驱动电路140的一些层可以与像素120的一些层(例如,栅极层)同时形成。电气电路130可以经由栅极线142传输栅极信号,以操作像素120。驱动电路140可以经由数据线144传输数据信号,以操作像素120。
此外,在一些实施例中,显示装置100可以进一步包括支撑部件150。支撑部件150可以沿着方向Y安置在衬底110的主要部分114与弯曲部分112之间,以用于支撑弯曲部分112,并且防止弯曲部分112过度弯曲。在一些实施例中,支撑部件150可以沿着厚度方向安置在主要部分114与弯曲部分112之间。具体来说,如图1B中所示,在弯曲部分112中,衬底110的下部表面110b向下弯曲。因此,在弯曲部分112中,下部表面110b1可以面向另一下部表面110b2。支撑部件150可以安置在衬底110的下部表面110b1与另一下部表面110b2之间。支撑部件150可以由金属或塑料制成,但不限于此。支撑部件150可以是任何形状,例如,条带形状,或者可以包含凹结构。
如果衬底110的弯曲部分112的曲率半径超过可允许的曲率半径,或者在弯曲部分112处产生过量的弯曲应力,则裂缝可能出现在弯曲部分112中,或出现在邻近于弯曲部分112的区域中,而引起显示装置100的显示质量降低。然而,安置支撑部件150可防止此类裂缝出现。此外,衬底110可弯曲的曲率可能受限于支撑部件150的厚度。举例来说,对于较厚的支撑部件150,弯曲部分112可以较小的曲率(较大曲率半径)松弛地弯曲。另一方面,对于较薄的支撑部件150,弯曲部分112可以较大的曲率(较小曲率半径)弯曲或甚至弯曲成圆弧。
图2是根据本发明的第二实施例的显示装置的俯视示意图。参考图2,实施例的显示装置200与图1A的显示装置100相似。在通篇附图中相同或相似标号指代相同或相似元件,并且不再重复其细节。衬底210包含主要部分214和弯曲部分(未图示)。电气电路230安置在衬底210的弯曲部分中。栅极信号可以经由栅极线242在像素220与电气电路230之间传输。数据信号可以经由数据线244在像素220与驱动电路240之间传输。图2与图1A之间的主要差异在于,驱动电路240是不同的。根据设计需要,显示装置200利用膜上芯片(chip-on-film)封装作为驱动电路(例如,集成电路)240。举例来说,半导体芯片封装在基底膜上,以形成膜上芯片封装,并且具有柔性的用于弯曲的结构。此外,膜上芯片封装的一部分连接到衬底210的一部分。膜上芯片封装可沿着中心法线方向进一步向下弯曲,以缩减显示装置200的维度。图2示出了驱动电路240尚未向下弯曲的状态。在驱动电路240已经向下弯曲之后,驱动电路240和电气电路230可以都安置在衬底210的底侧,而像素220位于衬底210的顶侧。
图3A是根据本发明的第三实施例的显示装置的俯视示意图,并且图3B是图3A中的显示装置的沿线A-A的截面示意图。参考图3A和图3B,实施例的显示装置300与图1A的显示装置100相似。在通篇附图中相同或相似标号指代相同或相似元件,并且不再重复其细节。衬底310包含主要部分314和弯曲部分312。电气电路330安置在弯曲部分312中。栅极信号可以经由栅极线342在像素320与电气电路330之间传输。数据信号可以经由数据线344在像素320与驱动电路340之间传输。图3B与图1B之间的差异在于,驱动电路340安置在与支撑部件350同一侧上。也就是说,驱动电路340和支撑部件350形成于衬底310的底侧310B上。具体来说,驱动电路340安置在衬底310的下部表面310b上。支撑部件350可以安置在与安置驱动电路340不同位置的下部表面310b上。
此外,参考图3B,在衬底310的上部表面310a上,封装层302、触摸传感器层304、偏光层306和覆盖层308可以依序堆叠,并且安置在像素320上,以形成触摸显示装置300。
在本实施例中,驱动电路340位于与顶侧310T相对的底侧310B,像素320安置在所述顶侧上。因此,显示装置300具有整齐且紧凑的配置。此外,驱动电路340和像素320可以通过通孔316电连接。通孔316可以安置在衬底310中,并且穿透衬底310。通孔316可以提供从衬底310的下部表面310b上的驱动电路340,到衬底310的上部表面310a上的像素320的导电路径。应理解,通孔316可以安置在任何配置中,其不限于此方面。此外,通孔316可例如单独地形成于衬底310中,并且无需以群组的方式出现,也就是说,通孔316的数量也不限于此。
在本实施例中,显示装置300进一步包含第一粘合剂360a和第二粘合剂360b。第一粘合剂360a可以安置在衬底310的下部表面310b1上,并且第二粘合剂360b可以安置在另一下部表面310b2上。随着衬底310的弯曲,下部表面310b1和另一下部表面310b2呈面对面方式。支撑部件350通过第一粘合剂360a和第二粘合剂360b粘附到衬底310。举例来说,第一粘合剂360a安置在支撑部件350与主要部分314之间,并且第二粘合剂360b安置在支撑部件350与弯曲部分312之间。然而,第一粘合剂360a和第二粘合剂360b的类型或形状不限于此。
此外,支撑部件350可以包含弯曲部分312的边缘附近的第一对齐标记350a。因此,弯曲部分312的边缘可以与第一对齐标记350a对齐。在一些实施例中,第一对齐标记350a可以形成于具有刻度标记的支撑部件350上。借由与不同的刻度标记对齐,弯曲部分312的边缘可以根据需要,而与不同的预定位置对齐。此外,第一对齐标记350a可借此用于定位衬底310的弯曲部分312,以便更好地叠加。此外,在一些实施例中,弯曲部分312可以包含第二对齐标记312a。在弯曲过程期间,第二对齐标记312a和第一对齐标记350a可以彼此对齐。借由第一对齐标记350a和第二对齐标记312a的位置的设计,可以调整弯曲部分312的弯曲程度。因而,当弯曲衬底310时,使用弯曲部分312的第二对齐标记312a来与支撑部件350的第一对齐标记350a对齐,可在规定的公差范围内制造产品。在其它实施例中,支撑部件350可根据设计需要具有多个对齐标记350a。
图4A是根据本发明的第四实施例的显示装置的俯视示意图,图4B是图4A中在弯曲之前的显示装置的沿线A-A的截面示意图,图4C是图4B中的迹线区域(trace region)的截面示意图。应注意省略了图4B中的迹线区域的细节,并且在图4C和稍后的实施例中呈现迹线区域的细节。参考图4A到图4C,实施例的显示装置400与图1A的显示装置100相似,并且在通篇附图中相同或相似标号指代相同或相似元件。为了简单起见,省略了关于相同或相似元件的详细描述。衬底410包含主要部分414和弯曲部分412。电气电路430安置在衬底410的弯曲部分412中。栅极信号可以经由栅极线442在像素420与电气电路430之间传输。数据信号可以经由数据线444在像素420与驱动电路440之间传输。
此外,如图4B所示,描述像素420中的详细元件。在像素420中,薄膜晶体管(thinfilm transistor,TFT)T1安置在衬底410上。薄膜晶体管TFT T1可以包含有源层490、栅极层491和源极/漏极层492。此外,显示装置400进一步包含第一绝缘层470、导电层474和第二绝缘层476。第一绝缘层470安置在衬底410上,并且源极/漏极层492安置在第一绝缘层470上。导电层474安置在源极/漏极层492与衬底410之间,并且第二绝缘层476安置在源极/漏极层492上。此外,第二绝缘层476的至少一部分与源极/漏极层492重叠。
在本实施例中,其它层可以形成于衬底410上。举例来说,缓冲层421a可以形成于衬底410上,并且覆盖导电层474,以减少在其后处理期间杂质扩散到上述的其它层中。缓冲层421a可以由氧化硅、氮化硅或其它合适的材料形成,其不限于此。其中,有源层490可以是半导体层。举例来说,有源层490可以由多晶硅或非晶硅形成。在一些实施例中,有源层490可以是金属氧化物,例如,氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)。有源层490的部分可以经掺杂而形成掺杂有源区域490D,以电连接到源极/漏极层492。
在一些实施例中,像素420可以是OLED像素。举例来说,像素420可以进一步包含第一电极层425a、发光层425e、第二电极层425f和像素界定层425g。第一电极层425a可以是阳极,并且第二电极层425f可以是阴极。替代地,第一电极层425a可以是阴极,并且第二电极层425f可以是阳极。像素界定层425g可以安置在第二电极层425f与第二绝缘层476之间。发光层425e安置在第一电极层425a与第二电极层425f之间。第一电极层425a可以经由源极/漏极层492电连接到薄膜晶体管TFT T1。
此外,弯曲部分412可以包含迹线区域TR。迹线区域TR可以是位于主要部分414与电气电路430之间的区域。迹线区域TR包含用于电连接像素420和电气电路430的迹线层。具体来说,像素420的栅极层491可以电连接到电气电路430的薄膜晶体管TFT T2的栅极层491A。以此方式,栅极信号可以在像素420与电气电路430之间传输。
图4C中示出了迹线区域TR的一部分。在迹线区域TR中,电气迹线(electricaltracing)可以包含第一迹线层11、第二迹线层12、第三迹线层13和第四迹线层14。第一迹线层11可以是与栅极层491相同的层,并且第二迹线层12可以是与源极/漏极层492相同的层。第三迹线层13可以是与有源层490相同的层,并且第四迹线层14可以是与导电层474相同的层。应理解,一个层与另一个层是相同的层,意味着一个层和另一个层通过相同材料,并且在相同过程中形成。以第一迹线层11和栅极层491来举例说明,导电层(未示出)形成于衬底上,随后通过光刻图案化,以在相同过程中形成第一迹线层11和栅极层491。此外,上述迹线层可以通过接触通孔16电连接。此外,第三迹线层13可以是掺杂半导体,并且可以是与掺杂有源区域490D相同的层,以减小电阻。
如图4C所示,在迹线层之中设计多个连接,可以减小在弯曲部分412中出现裂缝而造成短路故障的可能性。另外,以此方式,改进了显示装置的整体可靠性。此外,图4B中所示,主要部分414中的有源层490可以与电气电路430中的有源层490A以相同材料的同一层形成。类似地,主要部分414中的栅极层491和电气电路430中的栅极层491A可以由同一层形成。主要部分414中的源极/漏极层492和电气电路430中的源极/漏极层492A可以由同一层形成。因此,可以简化所述过程,也可以减少生产成本。在一个实施例中,主要部分414中的像素界定层425g可以延伸到迹线区域TR作为保护层,以便减小弯曲应力,并且使显示装置易于弯曲。
图5和图6是本发明的不同实施例的迹线区域TR的截面示意图。参考图5,图5中的实施例的迹线区域与图4C中的迹线区域TR相似,两者的差异在于,衬底510上的第一绝缘层570具有在弯曲部分中的凹部570a。此外,第一导电层572可以安置在第一绝缘层570上,并且电连接到多个像素中的至少一者和电气电路。第一导电层572包含第一部分572a和第二部分572b。举例来说,俯视图中的凹部570a可以是条带状、点状或其它合适的形状,其不限于此。此外,第一导电层572的第一部分572a安置在凹部570a中,并且在弯曲部分中的第一导电层572的第二部分572b安置在凹部570a之外。当弯曲时,第一导电层572处于张力之下。如果第一导电层572在被弯曲之前是光滑平坦的,则在被弯曲时,施加到第一导电层572的拉伸应力会接近其断裂极限,且任何额外的应力可能超过所述极限。然而,在一些实施例中,具有凹形(或具有凹部570a)的第一导电层572可不破裂,并且进一步地防止在弯曲时处于张力之下的断裂或变形。此外,弯曲显示装置的过程,可能会在显示装置的结构内产生应力,举例来说,被弯曲的金属迹线可能会产生应力。然而,在一些实施例中,在弯曲部分512中具有凹部570a可以防止应力诱发的损坏,例如裂缝,其可能不利地影响显示装置的可靠性。在一些实施例中,第一导电层572可以是与像素420中的薄膜晶体管TFT T1的栅极层491相同的层。或者,在一些实施例中,第一导电层572可以是与像素420中的薄膜晶体管TFT T1的源极/漏极层492相同的层。或者,在一些实施例中,第一导电层572可以是与像素420中的薄膜晶体管TFT T1的有源层490相同的层。
此外,图6中的设计结合图4C和图5中的实施例的设计。在图6的实施例中,迹线区域TR包含第一导电层672、第二导电层674和迹线层63。第一绝缘层670具有在弯曲部分中的凹部670a。第一导电层672包含第一部分672a和第二部分672b。第一部分672a安置在凹部670a中,并且第二部分672b安置在凹部670a之外。第二导电层674安置在第一导电层672的第一部分672a与衬底610之间。第二导电层674经由第一部分672a电连接到第一导电层672。此外,迹线层63可以经由第一部分672a电连接到第一导电层672。此外,第二绝缘层676安置在第一导电层672上,以覆盖第一部分672a和第二部分672b。第二绝缘层676的至少一部分与第一导电层672重叠。在一些实施例中,第一导电层672可以是与像素420中的薄膜晶体管TFT T1的源极/漏极层492相同的层,并且迹线层63可以是与栅极层491相同的层。或者,在一些实施例中,第一导电层672可以是与像素420中的薄膜晶体管TFT T1的栅极层491相同的层,并且迹线层63可以是与有源层490相同的层。或者,在一些实施例中,第一导电层672可以是与像素420中的薄膜晶体管TFT T1的源极/漏极层492相同的层,并且迹线层63可以是与有源层490相同的层。
图7A是本发明的另一实施例的迹线区域的俯视示意图,并且图7B是图7A中的迹线区域的截面示意图。参考图7A和图7B,在本实施例中,在迹线区域TR中,显示装置可以包含第三导电层778和第二绝缘层776。第三导电层778可以用作迹线层,并且可以电连接到多个像素420中的至少一者和电气电路430。第三导电层778安置在衬底710上,并且第二绝缘层776安置在第三导电层778上。此外,第三导电层778可以安置在第一绝缘层770与第二绝缘层776之间。此外,第二绝缘层776的至少一部分与第三导电层778重叠。此外,在本实施例中,第三导电层778具有至少一个开口778a。开口778a具有轮廓,并且轮廓的至少一个区段是弯曲的。举例来说,在俯视图中,开口778a的轮廓可以是多边形,而多边形的任何两条相邻的线是以弧线连接。在弯曲时,应力集中通常出现在开口778a的两条相邻的线之间的折角处。然而,在一些实施例中,由于多边形的任何两条相邻的线是以弧线连接,所以可以避免应力集中,并且可以减少在弯曲时断裂的概率。电线中的若干裂缝可能引起各种异常的显示问题,或甚至使得显示装置根本无法被激活。在本实施例中,俯视图中的第三导电层778形成为网状图案,以确保稳定的电连接,并且进一步地防止显示装置中有裂缝出现在弯曲部分中,从而影响显示装置的可靠性。第三导电层778可以是与导电层474、有源层490、栅极层491、源极/漏极层492相同的层,如图4B中所示,或其组合。
图8、图9和图10是示出不同实施例的图4A的显示装置400的沿线A-A的主要部分和弯曲部分的截面示意图。参考图8,图8中的实施例的元件与图4B和图4C中的元件相似。在通篇附图中相同或相似标号指代相同或相似元件,并且不再重复其细节。它们之间的主要差异在于,第一绝缘层870在主要部分814和弯曲部分812中具有不同的厚度。
参考图4B和图8,弯曲部分812中的电气迹线可以包含第一导电层872(作为迹线层)、第三迹线层13和第四迹线层14。第一导电层872可以是与源极/漏极层492相同的层。第三迹线层13可以是与有源层490相同的层,并且第四迹线层14可以是与导电层474相同的层。或者,在一些实施例中,第一导电层872可以是与像素420中的薄膜晶体管TFT T1的栅极层491或有源层490相同的层。
第三绝缘层879安置在衬底810上,并且在主要部分814和弯曲部分812上延伸。可以通过使用半色调掩模(halftone mask),在弯曲部分812中,使得第一绝缘层870形成凹入部分870c。第一绝缘层870可以安置在第一导电层872下方,并且可以在第一导电层872与第四迹线层14之间。因此,在第一导电层872下方的第一绝缘层870可以在主要部分814和弯曲部分812中具有不同的厚度。举例来说,对应于主要部分814的第一绝缘层870具有第一厚度T1,对应于弯曲部分812的第一绝缘层870具有第二厚度T2,并且第一厚度T1大于第二厚度T2。以此方式,在一些实施例中,由于弯曲部分812中的迹线层下方的绝缘层变薄,可以缓解或消除出现在弯曲部分812中的裂缝。此外,因第一绝缘层870的厚度不同,第一导电层872可以在靠近弯曲部分812的主要部分814中,形成为具有锥角θ。锥角θ可以是在第一导电层872与平行于衬底810的主要部分814的表面之间的夹角。锥角θ的范围可以是20度到80度。替代地,取决于设计需要,锥角θ可以介于45度到60度的范围。此外,在弯曲部分812中,减少第一导电层872与衬底810之间的距离。因此,第一导电层872的拉伸应力以及拉伸应变可以减小,使得第一导电层872可不破裂。第一导电层872可以是与像素420中的薄膜晶体管TFTT1的源极/漏极层492、栅极层491或有源层490相同的层。
参考图9,图9与图4B之间的主要差异在于,对应于主要部分914的第三绝缘层979具有第一厚度T1,并且对应于弯曲部分912的第三绝缘层979具有第二厚度T2。第三绝缘层979可以安置在第一导电层972上。第一厚度T1大于第二厚度T2。第三绝缘层979的第一厚度T1和第二厚度T2可以是分别地在主要部分914和弯曲部分912中,从第一导电层972的顶部表面量测到第三绝缘层979的顶部表面的最短距离。也就是说,弯曲部分912中的绝缘层979被蚀刻而留下渐缩的边缘,而绝缘层979仍然保护弯曲部分912中的第一导电层972。此外,图8和图9之间的差异在于,第一绝缘层970的厚度从主要部分914到弯曲部分912逐渐减小。在一个实施例中,第一绝缘层970和第三绝缘层979可以完全减少到不存在于弯曲部分912中。由于第三绝缘层979和第一绝缘层970的厚度的减小,第一导电层972与衬底910之间的距离也从主要部分914到弯曲部分912减小。因而,可以减小第一导电层972的拉伸应力以及拉伸应变,以防止裂缝的出现。第一导电层972可以是与导电层474、有源层490、栅极层491或源极/漏极层492相同的层。
在图9和图10通篇中相同或相似标号指代相同或相似元件,并且不再重复其细节。对应于主要部分1014的第三绝缘层1079的第一厚度T1可以大于对应于弯曲部分1012的第三绝缘层1079的第二厚度T2。图9和图10之间的主要差异在于,弯曲部分1012中的绝缘层1079的一部分被移除。举例来说,如图10中所示,在弯曲部分1012中,绝缘层1079只安置有迹线层1074的区域中,而其它区域中的绝缘层1079则可被蚀刻。也就是说,绝缘层1079覆盖在弯曲部分1012中的迹线层1074,以作为保护层。在一个实施例中,弯曲部分1012中的迹线层1074可以是与主要部分1014中的第一导电层1072(源极/漏极层)相同的层。举例来说,在截面图中,绝缘层1079的表面可以是弧形。因而,弯曲部分1012的整体厚度可以减少,以减小衬底1010的弯曲应力,并且进一步降低弯曲部分1012中的断裂概率。迹线层1074可以是与导电层474、有源层490、栅极层491或源极/漏极层492相同的层。
鉴于上述内容,在根据本发明的实施例的显示装置中,电气电路安置在衬底的弯曲部分中,以隐藏于衬底的底侧。因此,可以获得狭窄边框或无边框显示器。根据一些实施例,在弯曲部分中使用多个迹线层,从而缓解或防止弯曲部分中的裂缝。
以上所述仅为本发明的实施例,其并非用以限定本发明的专利保护范围。任何本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神与范围内,所作的更动及润饰的等效替换,仍为本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
衬底,其具有弯曲部分以及主要部分;
多个像素,其安置在所述主要部分上;
绝缘层,其安置在所述弯曲部分上,并包括具有不同深度的第一凹部及第二凹部;以及
第一导电元件,其安置在所述绝缘层上,其中所述第一导电元件包括安置在所述第一凹部与所述第二凹部中的第一部分以及安置在所述第一凹部与所述第二凹部之外的第二部分,且所述第一导电元件通过不同深度的所述第一凹部及所述第二凹部分别电连接第二导电元件以及第三导电元件。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二导电元件以及所述第三导电元件的材料不同。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第二导电元件以及所述第三导电元件分别是迹线层以及第二导电层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一导电元件是第一导电层。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述绝缘层还包括第一子层、第二子层与第三子层,其中所述第一子层设置在所述衬底上,所述第二子层设置在所述第一子层上,且所述第三子层设置在所述第二子层上。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述第二导电元件设置在所述第一子层上且所述第三导电元件设置在所述衬底上。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述第一凹部穿透所述第二子层与所述第三子层,且所述第二凹部穿透所述第一子层、所述第二子层与所述第三子层。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其还包括电气电路,其中所述电气电路安置在所述弯曲部分上,且所述电气电路的至少一部分沿着垂直于所述主要部分的方向与所述多个像素重叠。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:
衬底,其具有弯曲部分以及主要部分;
多个像素,其安置在所述主要部分上;
电气电路,其安置在所述弯曲部分上,其中所述电气电路的至少一部分沿着垂直于所述主要部分的方向与所述多个像素重叠;
绝缘层,其安置在所述弯曲部分上,并包括具有不同深度的第一凹部及第二凹部;以及
第一导电元件,其安置在所述绝缘层上,其中所述第一导电元件包括安置在所述第一凹部与所述第二凹部中的第一部分以及安置在所述第一凹部与所述第二凹部之外的第二部分,且所述第一导电元件通过不同深度的所述第一凹部及所述第二凹部分别电连接第二导电元件以及第三导电元件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110136359.1A CN112908155B (zh) | 2016-08-05 | 2017-08-04 | 显示装置 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662371252P | 2016-08-05 | 2016-08-05 | |
US62/371,252 | 2016-08-05 | ||
US15/451,432 | 2017-03-07 | ||
US15/451,432 US20180040638A1 (en) | 2016-08-05 | 2017-03-07 | Display device |
CN201710660574.5A CN107689192B (zh) | 2016-08-05 | 2017-08-04 | 显示装置 |
CN202110136359.1A CN112908155B (zh) | 2016-08-05 | 2017-08-04 | 显示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710660574.5A Division CN107689192B (zh) | 2016-07-05 | 2017-08-04 | 显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112908155A true CN112908155A (zh) | 2021-06-04 |
CN112908155B CN112908155B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=61071552
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710660574.5A Active CN107689192B (zh) | 2016-07-05 | 2017-08-04 | 显示装置 |
CN202110136359.1A Active CN112908155B (zh) | 2016-08-05 | 2017-08-04 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710660574.5A Active CN107689192B (zh) | 2016-07-05 | 2017-08-04 | 显示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US20180040638A1 (zh) |
CN (2) | CN107689192B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107479754B (zh) * | 2017-08-22 | 2020-07-28 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种柔性触摸传感器和柔性触摸显示面板 |
CN108461393B (zh) * | 2018-05-07 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
US11587981B2 (en) | 2018-05-11 | 2023-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including a semi-transmissive layer |
CN110610658B (zh) * | 2018-06-15 | 2022-04-01 | 群创光电股份有限公司 | 拼接式电子装置 |
US10839723B2 (en) * | 2018-08-31 | 2020-11-17 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible display |
CN111029290A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-04-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板对位方法和显示面板的制备方法 |
CN111312659A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
CN111769108A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-10-13 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040124763A1 (en) * | 2002-02-18 | 2004-07-01 | Arokia Nathan | Flexible display device |
CN1577019A (zh) * | 2003-06-26 | 2005-02-09 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器 |
CN101030526A (zh) * | 2006-03-03 | 2007-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造半导体装置的方法 |
CN101042478A (zh) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | 群康科技(深圳)有限公司 | 光学补偿弯曲型液晶显示器 |
CN100459184C (zh) * | 2003-08-29 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法 |
CN101419349A (zh) * | 2007-10-23 | 2009-04-29 | 爱普生映像元器件有限公司 | 电光装置 |
CN102203841A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-09-28 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
WO2012060822A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | Advanced Ballistic Concepts Llc | Projectile for use with a rifled barrel |
US20130093748A1 (en) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Minsu Cho | Organic light emitting diode display device |
US20140217373A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
CN104733498A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机发光显示器及其制造方法 |
CN105144418A (zh) * | 2013-02-01 | 2015-12-09 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法 |
US20160155788A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible Display Device With Space Reducing Wire Configuration And Manufacturing Method For The Same |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7042024B2 (en) * | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
US10061356B2 (en) * | 2011-06-30 | 2018-08-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display panel and display apparatus including the flexible display panel |
US9195108B2 (en) * | 2012-08-21 | 2015-11-24 | Apple Inc. | Displays with bent signal lines |
KR101796812B1 (ko) * | 2013-02-15 | 2017-11-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102076666B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시패널 |
KR102192589B1 (ko) * | 2014-08-08 | 2020-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
US9600112B2 (en) * | 2014-10-10 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Signal trace patterns for flexible substrates |
KR101637743B1 (ko) * | 2014-11-25 | 2016-07-21 | 현대자동차주식회사 | 하이브리드 차량용 파워트레인 |
KR102455318B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102596956B1 (ko) * | 2016-05-23 | 2023-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102589214B1 (ko) * | 2016-06-03 | 2023-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2017
- 2017-03-07 US US15/451,432 patent/US20180040638A1/en not_active Abandoned
- 2017-08-04 CN CN201710660574.5A patent/CN107689192B/zh active Active
- 2017-08-04 CN CN202110136359.1A patent/CN112908155B/zh active Active
-
2021
- 2021-04-28 US US17/242,308 patent/US11705459B2/en active Active
- 2021-05-12 US US17/317,918 patent/US11699706B2/en active Active
-
2023
- 2023-05-31 US US18/326,015 patent/US20230307459A1/en active Pending
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040124763A1 (en) * | 2002-02-18 | 2004-07-01 | Arokia Nathan | Flexible display device |
CN1577019A (zh) * | 2003-06-26 | 2005-02-09 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器 |
CN100459184C (zh) * | 2003-08-29 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法 |
CN101030526A (zh) * | 2006-03-03 | 2007-09-05 | 株式会社半导体能源研究所 | 制造半导体装置的方法 |
CN101042478A (zh) * | 2006-03-24 | 2007-09-26 | 群康科技(深圳)有限公司 | 光学补偿弯曲型液晶显示器 |
CN101419349A (zh) * | 2007-10-23 | 2009-04-29 | 爱普生映像元器件有限公司 | 电光装置 |
CN102203841A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-09-28 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
WO2012060822A1 (en) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | Advanced Ballistic Concepts Llc | Projectile for use with a rifled barrel |
US20130093748A1 (en) * | 2011-10-12 | 2013-04-18 | Minsu Cho | Organic light emitting diode display device |
US20140217373A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display substrate, flexible organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
CN105144418A (zh) * | 2013-02-01 | 2015-12-09 | 乐金显示有限公司 | 柔性显示基板、柔性有机发光显示装置及其制造方法 |
CN104733498A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机发光显示器及其制造方法 |
US20160155788A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible Display Device With Space Reducing Wire Configuration And Manufacturing Method For The Same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11705459B2 (en) | 2023-07-18 |
US20210249446A1 (en) | 2021-08-12 |
CN112908155B (zh) | 2023-04-07 |
US20210265393A1 (en) | 2021-08-26 |
US11699706B2 (en) | 2023-07-11 |
US20230307459A1 (en) | 2023-09-28 |
CN107689192B (zh) | 2021-02-23 |
CN107689192A (zh) | 2018-02-13 |
US20180040638A1 (en) | 2018-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107689192B (zh) | 显示装置 | |
US10304869B2 (en) | Flexible display device with wire having reinforced portion and manufacturing method for the same | |
US10199445B2 (en) | Flexible display device with reinforced area | |
US10038013B2 (en) | Flexible display device with side crack protection structure and manufacturing method for the same | |
US9490215B2 (en) | Organic light-emitting display device and method for manufacturing organic light-emitting display device | |
CN108538897B (zh) | 具有微盖层的显示装置及其制造方法 | |
US10582612B2 (en) | Flexible display device with reduced bend stress wires and manufacturing method for the same | |
CN110570764A (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
US9640600B2 (en) | Manufacturing method of display device, display device, and display device formation substrate | |
CN111863901B (zh) | 可拉伸显示面板和显示装置 | |
KR20210086284A (ko) | 디스플레이 장치 | |
US20220149126A1 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
US11249329B2 (en) | Display device, method of fabricating the same, and polarizing film for display device | |
KR20210082061A (ko) | 스트레쳐블 표시 장치 | |
KR20210086288A (ko) | 디스플레이 장치 | |
KR102266164B1 (ko) | 가요성 표시장치 | |
EP4002477A2 (en) | Display device and method of providing the same | |
CN113130559B (zh) | 显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |