CN112904605B - 彩膜缺陷的测高方法、设备及介质 - Google Patents

彩膜缺陷的测高方法、设备及介质 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种彩膜缺陷的测高方法、设备及介质，所述方法包括：获取缺陷区域对应的缺陷标识；根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数；根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。解决了现有技术中彩膜缺陷区域测高不准确的技术问题，达到了提高彩膜缺陷区域的测高准确性的效果。

Description

彩膜缺陷的测高方法、设备及介质
技术领域
本发明涉及面板制造的领域，尤其涉及一种彩膜缺陷的测高方法、设备及计算机可读存储介质。
背景技术
彩膜缺陷的研磨修补机台是TFT-LCD产业中彩膜(CF)制程中重要的设备，它主要是通过测高研磨等一些手法对缺陷进行修补，使基板达进入下一流程的标准，因此彩膜的研磨修补机台的测高精准性对TFT-LCD产业中提高产能及生产良率起到了重要作用。
当前彩膜缺陷的测高设备的缺陷测高流程根据前站提供的缺陷坐标移动至缺陷，使用固定长度作为基准面对缺陷进行测高的，若缺陷的高度超过设定的标准值，测设备对其进行研磨或者镭射，将缺陷的高度降至标准高度以下，在此修补的过程中，通常会设定修补完成后设备拍缺陷的反射与透射图传送至人员判定或者电脑判等级判回机台重新修补。测高过程中，每个基板的缺陷区域面积不同，在缺陷变形区域太大的情况下，由于按照距离缺陷中心固定长度的区域作为测高基准面的，若缺陷区域过大则会导致测高的基准面处于变形区域，从而导致缺陷区域测高不准确。
发明内容
本申请实施例通过提供一种彩膜缺陷的测高方法、设备及计算机可读存储介质，旨在解决现有技术中彩膜缺陷区域测高不准确的技术问题。
为实现上述目的，本申请实施例提供了一种彩膜缺陷的测高方法，所述彩膜缺陷的测高方法包括以下步骤：
获取缺陷区域对应的缺陷标识；
根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数；
根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；
根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。
可选地，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数。
可选地，所述获取缺陷区域对应的缺陷标识的步骤，之前还包括：
获取所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息；
根据所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息确定缺陷标识，保存所述缺陷标识；
关联所述缺陷标识与所述测高补偿参数；
其中，在接收到测高指令时，获取所述缺陷区域对应的缺陷标识。
可选地，所述根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面的步骤包括：
根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定所述缺陷区域的测高区域，其中，所述缺陷区域的测高区域是以所述缺陷区域的中心坐标为中心，以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长所围成的矩形区域；
根据所述缺陷区域的测高区域确定所述测高基准面，其中，所述测高基准面为缺陷区域的测高区域之外的区域。
可选地，所述根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度的步骤包括：
获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度，所述测高基准面的平均高度根据测高传感器的平均下压高度与待机下压高度确定；
根据所述测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度确定缺陷高度。
可选地，所述获取测高基准面的平均高度的步骤包括：
获取预设测高间距以及预设测高路径；
根据所述预设测高间距以及预设测高路径对所述测高基准面进行测高以确定所述测高基准面的平均高度。
本发明实施例还提供一种彩膜缺陷的测高设备，所述彩膜缺陷的测高设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器并可在所述处理器上运行的彩膜缺陷的测高程序，所述彩膜缺陷的测高程序被所述处理器执行时实现如上所述的彩膜缺陷的测高方法。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有彩膜缺陷的测高程序，所述彩膜缺陷的测高程序被处理器执行时实现如上所述的彩膜缺陷的测高方法。
在本实施例提供的技术方案中，彩膜缺陷的测高设备预先根据彩膜或基板的缺陷区域的面积信息以及缺陷区域的中心坐标信息设置缺陷标识，在接收到测高指令时，获取彩膜缺陷区域对应的缺陷标识；根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数；根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。这样使得彩膜缺陷的测高设备可以根据缺陷标识实时调整测高补偿参数以准确确定测高基准面的区域，从而达到提高彩膜缺陷区域的测高准确性的效果。
附图说明
图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的设备结构示意图；
图2为本发明彩膜缺陷的测高方法第一实施例的流程示意图；
图3为本发明彩膜缺陷的测高方法第二实施例的流程示意图；
图4为缺陷区域的测高补偿参数以及测高基准面示意图。
具体实施方式
本发明提供一种彩膜缺陷的测高方法，所述彩膜缺陷的测高方法包括以下步骤：获取缺陷区域对应的缺陷标识；根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数；根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。提高了彩膜缺陷区域的测高准确性。
为了更好的理解上述技术方案，下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
作为一种实现方式，彩膜缺陷的测高设备可以如图1所示。
本发明实施例方案涉及的是彩膜缺陷的测高设备，彩膜缺陷的测高设备包括：处理器101，例如CPU，存储器102，通信总线103。其中，通信总线103用于实现这些组件之间的连接通信。
存储器102可以是高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatilememory)，例如磁盘存储器。如图1所示，作为一种计算机存储介质的存储器102中可以包括彩膜缺陷的测高程序；而处理器101可以用于调用存储器102中存储的彩膜缺陷的测高程序，并执行以下操作：
获取缺陷区域对应的缺陷标识；
根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数；
根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；
根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的彩膜缺陷的测高程序，并执行以下操作：
获取所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息；
根据所述缺陷区域面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息确定缺陷标识，保存所述缺陷标识；
关联所述缺陷标识与所述测高补偿参数；
其中，在接收到测高指令时，获取所述缺陷区域对应的缺陷标识。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的彩膜缺陷的测高程序，并执行以下操作：
根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定所述缺陷区域的测高区域，其中，所述缺陷区域的测高区域是以所述缺陷区域的中心坐标信息为中心，以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长所围成的矩形区域；
根据所述缺陷区域的测高区域确定所述测高基准面，其中，所述测高基准面为缺陷区域的测高区域之外的区域。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的彩膜缺陷的测高程序，并执行以下操作：
获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度，所述测高基准面的平均高度根据测高传感器的平均下压高度与待机下压高度确定；
根据所述测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度确定缺陷高度。
在一实施例中，处理器101可以用于调用存储器102中存储的彩膜缺陷的测高程序，并执行以下操作：
获取预设测高间距以及预设测高路径；
根据所述预设测高间距以及预设测高路径对所述测高基准面进行测高以确定所述测高基准面的平均高度。
在本实施例提供的技术方案中，彩膜缺陷的测高设备预先根据彩膜或基板的缺陷区域的面积信息以及缺陷区域的中心坐标信息设置缺陷标识，在接收到测高指令时，获取彩膜缺陷区域对应的缺陷标识；根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数；根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。这样使得彩膜缺陷的测高设备可以根据缺陷标识实时调整测高补偿参数以准确确定测高基准面的区域，从而达到提高彩膜缺陷区域的测高准确性的效果。
基于上述彩膜缺陷的测高设备的硬件构架，提出本发明彩膜缺陷的测高方法的实施例。
参照图2，图2为本发明彩膜缺陷的测高方法的第一实施例，所述彩膜缺陷的测高方法包括以下步骤：
步骤S10、获取缺陷区域对应的缺陷标识；
获取所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息；
根据所述缺陷区域面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息确定缺陷标识，保存所述缺陷标识；
关联所述缺陷标识与所述测高补偿参数；
其中，在接收到测高指令时，获取所述缺陷区域对应的缺陷标识。
当前彩膜缺陷的测高设备的缺陷测高流程是根据前站提供的缺陷坐标移动至缺陷区域，使用距离缺陷中心固定长度的区域作为缺陷区域的测高区域从而确定测高基准面对缺陷进行测高。测高过程中，每个彩膜的缺陷区域面积不同，在缺陷变形区域太大的情况下，由于按照距离缺陷中心固定长度的区域作为测高基准面的，若缺陷区域过大则会导致测高的基准面处于变形区域，从而导致缺陷区域测高不准确。在本实施例中彩膜缺陷的测高设备在对缺陷区域进行测高之前，检测设备扫描出彩膜或基板上的缺陷区域，并获取缺陷区域的中心坐标信息，通过摄像装置对每个缺陷进行拍照以获取缺陷区域的图像信息并获取所述图像信息的灰度值以确定缺陷区域的面积信息。用户将所述缺陷区域的面积信息以及坐标信息上传至服务器，用户手动或者彩膜缺陷的测高设备的服务器自动根据所述缺陷区域的面积信息以及坐标信息设置缺陷标识，并将所述缺陷标识与缺陷区域的面积信息以及缺陷区域的中心坐标信息关联保存，所述缺陷标识可以是缺陷编码，不同的缺陷标识对应不同的缺陷区域面积以及缺陷区域的中心坐标信息。可选地，所述缺陷区域的面积信息与缺陷标识之间的映射关系也可以预先设置。在接收到测高指令时获取缺陷区域对应的缺陷标识。
步骤S20、根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数；
需要说明的是，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数；所述测高行径方向为测高传感器刮过的方向(即图4中箭头方向)，测高传感器根据测高补偿参数划过所述缺陷区域的中心，划过的部分为缺陷区域的测高区域，所述测高补偿参数之外的区域为测高基准面。可提前设置缺陷区域的缺陷标识与测高补偿参数之间的映射关系表，并将每个彩膜或基板中缺陷区域的面积信息以及中心坐标对应的缺陷标识关联保存。在确定缺陷标识时，通过映射关系表获取彩膜的缺陷标识对应的测高补偿参数。
步骤S30、根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；
可选地，根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定所述缺陷区域的测高区域，其中，所述缺陷区域的测高区域是以所述缺陷区域的中心坐标信息为中心，以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长所围成的矩形区域；
根据所述缺陷区域的测高区域确定所述测高基准面，其中，所述测高基准面为缺陷区域的测高区域之外的区域。
可选地，彩膜缺陷的测高设备刮过缺陷区域以确定缺陷的中心坐标信息，根据所述缺陷中心坐标信息以及测高补偿参数确定测高基准面，所述缺陷区域的测高区域是以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长所围成的矩形区域，所述测高基准面为缺陷区域的测高区域之外的区域。所述测高基准面为测高补偿参数对应的缺陷区域的测高区域之外的区域。参照图4中黑色不规则区域为缺陷区域，矩形框为以缺陷区域的中心坐标信息为中心以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长的矩形，矩形框可以理解为平行于测高行径方向(箭头方向)的第一测高补偿参数(两段截取线)以及垂直于测高行径方向(箭头方向)的第二测高补偿参数(两段截取线)，以截取线(矩形框)外的区域作为测高基准面。
可选地，根据所述缺陷标识同时调整所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数；
根据所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数确定测高基准面；
如测高传感器以缺陷区域的中心为中心，以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长围成缺陷区域的测高区域，所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数根据所述缺陷标识调整，所述缺陷区域的测高区域以外的区域为测高基准面。根据缺陷标识预先设定对应的测高补偿参数，不同的缺陷标识对应不同的测高补偿参数，在缺陷区域的面积较大时设置较大的测高补偿参数，在缺陷区域的面积较小时设置较小的测高补偿参数从而更准确地确定测高基准面。
可选地，在一实施例中，参照图4，图4为缺陷区域的测高补偿参数以及测高基准面示意图。图中椭圆形虚线的边界为截取线的距离，与箭头方向平行的矩形边以及与箭头方向垂直的矩形边的长度同时根据缺陷标识确定的测高补偿参数调整。不同的缺陷标识对应的缺陷补偿参数(即截取线距离缺陷区域中心的距离)不同。
步骤S40、根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。
在确定测高基准面所在区域后，获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度，将所述缺陷区域的最高高度以及测高基准面的平均高度相减得到缺陷区域高度。
在本实施例提供的技术方案中，彩膜缺陷的测高设备预先根据彩膜或基板的缺陷区域的面积信息以及缺陷区域的中心坐标信息设置缺陷标识，在接收到测高指令时，获取彩膜缺陷区域对应的缺陷标识；根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数；根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。这样使得彩膜缺陷的测高设备可以根据缺陷标识实时调整测高补偿参数以准确确定测高基准面的区域，从而达到提高彩膜缺陷区域的测高准确性的效果。
参照图3，图3为本发明彩膜缺陷的测高方法的第二实施例，基于第一实施例，所述步骤S40包括：
步骤S41、获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度，所述测高基准面的平均高度根据测高传感器的平均下压高度与待机下压高度确定；
可选地，步骤S41包括：
获取预设测高间距以及预设测高路径；
根据所述预设测高间距以及预设测高路径对所述测高基准面进行测高以确定所述测高基准面的平均高度。
所述彩膜缺陷的测高设备设置有测高传感器，所述测高传感器为接触式测高传感器，所述接触式测高传感器可以是测高探针，所述测高探针为接触式探针，测高探针触碰到缺陷区域或者测高基准面时会下压，下压高度可根据测高探针对应的电压磁感应对应的电压值的变化计算得到，测高探针在待机状态时的下压高度减去测高探针在接触到测高基准面后的下压高度得到测高基准面的高度。
所述预设测高间距可以根据用户自身实际应用需求而进行自定义设置，所述预设测高路径可以为蛇形线路径，测高蛇形线路径中相邻的子线路之间的间距为预设测高间距，其中，在多次测高实验中获取测高效果最好的测高间距作为预设测高间距。根据所确定的测高路径获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度。具体地，控制所述彩膜缺陷的测高设备的测高探针沿着所确定的测高路径按照预设起点、终点以及移动方向进行测高以获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度，其中，测高探针按照预设测高路径划过缺陷区域下压高度最高的高度即为缺陷区域最高高度。在本实施例中不对本发明中测高蛇形线路径的起点、终点以及具体移动方向作具体限制。
步骤S42、根据所述测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度确定缺陷高度。
具体地，所述缺陷区域的最高高度减去测高基准面的平均高度可以得到缺陷高度。
在本实施例提供的技术方案中，彩膜缺陷的测高设备通过测高传感器获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度，根据所述测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度确定缺陷高度。这样使得彩膜缺陷的测高设备可以根据预设测高间距以及预设测高路径可以快速完成对缺陷区域的测高。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有彩膜缺陷的测高程序，所述彩膜缺陷的测高程序被处理器执行时实现如上所述的彩膜缺陷的测高方法。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
应当注意的是，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的部件或步骤。位于部件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的部件。本发明可以借助于包括有若干不同部件的硬件以及借助于适当编程的计算机来实现。在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。单词第一、第二、以及第三等的使用不表示任何顺序。可将这些单词解释为名称。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (6)

1.一种彩膜缺陷的测高方法，其特征在于，所述彩膜缺陷的测高方法包括以下步骤：
获取缺陷区域对应的缺陷标识，其中，所述缺陷标识根据缺陷区域面积以及缺陷区域的中心坐标信息确定，所述缺陷标识为缺陷编码，不同的所述缺陷标识对应不同的缺陷区域面积以及缺陷区域的中心坐标信息；
根据所述缺陷标识与测高补偿参数之间的映射关系表和所述缺陷标识，调整所述缺陷区域的测高补偿参数，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数，所述测高行径方向为测高传感器刮过的方向；
根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面，所述测高传感器根据所述测高补偿参数划过所述缺陷区域的中心，划过的部分为缺陷区域的测高区域，所述测高补偿参数之外的区域为测高基准面；
获取所述测高基准面的平均高度以及所述缺陷区域的最高高度，将所述缺陷区域的最高高度以及所述测高基准面的平均高度相减得到缺陷区域高度。
2.如权利要求1所述的彩膜缺陷的测高方法，其特征在于，所述获取缺陷区域对应的缺陷标识的步骤，之前还包括：
获取所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息；
根据所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息确定缺陷标识，保存所述缺陷标识；
关联所述缺陷标识与所述测高补偿参数；
其中，在接收到测高指令时，获取所述缺陷区域对应的缺陷标识。
3.如权利要求1所述的彩膜缺陷的测高方法，其特征在于，所述根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面的步骤包括：
根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定所述缺陷区域的测高区域，其中，所述缺陷区域的测高区域是以所述缺陷区域的中心坐标信息为中心以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长所围成的矩形区域；
根据所述缺陷区域的测高区域确定所述测高基准面，其中，所述测高基准面为缺陷区域的测高区域之外的区域。
4.如权利要求1所述的彩膜缺陷的测高方法，其特征在于，所述获取所述测高基准面的平均高度包括：
获取预设测高间距以及预设测高路径；
根据所述预设测高间距以及预设测高路径对所述测高基准面进行测高以确定所述测高基准面的平均高度。
5.一种彩膜缺陷的测高设备，其特征在于，所述彩膜缺陷的测高设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器并可在所述处理器上运行的彩膜缺陷的测高程序，所述彩膜缺陷的测高程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-4任一项所述的彩膜缺陷的测高方法。
6.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有彩膜缺陷的测高程序，所述彩膜缺陷的测高程序被处理器执行时实现如权利要求1-4任一项所述的彩膜缺陷的测高方法。
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