CN112902494A - 控制方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种控制方法及电子设备，其中，所述方法包括：获得电子设备中的半导体制冷器的冷端温度和热端温度，获得所述半导体制冷器的属性信息，至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作。如此，通过半导体制冷器的冷端温度、热端温度和属性信息，控制电子设备自动按照与属性信息对应的控制参数运行，使得电子设备能够自动、快速的散热，提高了散热效率，降低了事故发生的几率。

Description

控制方法及电子设备

技术领域

本申请实施例涉及电子设备领域，涉及但不限于一种控制方法及电子设备。

背景技术

半导体制冷器(TEC，Thermo Electric Cooler)至今未成功大规模应用在大功率计算机(PC，Personal Computer)领域，是因为大部分PC的热功率在轻载和重载状态下的发热功率差异较大且变化迅速，而半导体制冷器这类主动电子热迁移部件需要由控制系统精确控制，才能实现主动适配系统功率以进行热迁移的目的，所以通过半导体制冷器对PC进行热迁移因设计难度较大，一直没有被成功应用。

相关技术中采用半导体制冷器对系统进行热迁移时，首先检测系统的目标温度临界点，通过频繁满负荷开关半导体制冷器供电模块以实现系统的热功率转移。但是，这种方法的功能简单，只适用于小型热功率的发热系统或者相对固定的负载的发热系统，半导体制冷器控制不当容易使得半导体制冷器模块烧毁，或者过度热迁移会导致散热目标的表面发生凝露，结冰等严重质量事故。

发明内容

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种控制方法，包括：

获得电子设备中的半导体制冷器的冷端温度和热端温度；

获得所述半导体制冷器的属性信息；

至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作。

在一些实施例中，所述至少根据所述冷端温度和/或热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作，包括：至少根据所述冷端温度及所述属性信息确定所述半导体制冷器的第一控制参数，以控制所述电子设备的半导体制冷器执行与所述第一控制参数对应的操作；或，至少根据所述冷端温度和所述热端温度确定所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数，控制所述其他散热部件执行与所述第二控制参数对应的操作，以使得所述热端温度匹配所述属性信息；或，至少根据所述冷端温度确定所述电子设备的发热部件的第三控制参数，控制所述发热部件执行与所述第三控制参数对应的操作，以使得所述冷端温度匹配所述属性信息；或，根据所述冷端温度、所述热端温度及所述电子设备的散热部件的运行参数确定所述电子设备的发热部件的第四控制参数，控制所述发热部件执行与所述第四控制参数对应的操作，以使得所述半导体制冷器运行在所述属性信息指示的工作参数范围内。

在一些实施例中，所述至少根据所述冷端温度及所述属性信息确定所述半导体制冷器的第一控制参数，包括：根据所述属性信息，确定所述冷端温度所处的目标冷端温度区间；将与所述目标冷端温度区间对应的制冷器占空比，确定为目标占空比；将所述目标占空比，确定为所述半导体制冷器的第一控制参数。

在一些实施例中，所述至少根据所述冷端温度和所述热端温度确定所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数，包括：根据所述冷端温度和所述热端温度，确定所述冷端温度与所述热端温度之间的温差；确定所述温差所处的目标温差区间；将与所述目标温差区间对应的降温占空比，确定为目标降温占空比；将所述目标降温占空比，确定为所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数。

在一些实施例中，所述至少根据所述冷端温度确定所述电子设备的发热部件的第三控制参数，包括：当所述冷端温度超过散热阈值时，确定所述发热部件的当前工作频率；确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第一降频参数；将所述第一降频参数，确定为所述第三控制参数。

在一些实施例中，所述电子设备的散热部件包括：风扇；所述根据所述冷端温度、所述热端温度及所述电子设备的散热部件的运行参数确定所述电子设备的发热部件的第四控制参数，包括：确定所述电子设备的发热部件的当前工作频率；根据所述冷端温度、所述热端温度及所述风扇的运行参数，确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第二降频参数；将所述第二降频参数，确定为所述第四控制参数。

在一些实施例中，所述方法还包括：获取所述电子设备的外部环境温度和内部环境温度；当所述外部环境温度大于第一温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为反向供电参数，并通过所述反向供电参数对所述半导体制冷器进行反向供电；或者，当所述外部环境温度小于第二温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为正向供电参数，并通过所述正向供电参数对所述半导体制冷器进行正向供电。

在一些实施例中，所述半导体制冷器为多个，所述属性信息包括：每一所述半导体制冷器的额定制冷温度；所述至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，包括：根据所述冷端温度确定目标制冷温度；根据每一所述半导体制冷器的额定制冷温度和所述目标制冷温度，确定处于工作状态的半导体制冷器的目标数量；将所述目标数量，确定为匹配所述半导体制冷器的控制参数。

在一些实施例中，所述方法还包括：当所述冷端温度超过预设温度阈值时，或者，当所述冷端温度与所述热端温度之间的温差超过预设温差阈值时，发出预警信息；根据所述预警信息生成温控通知信息；向发热部件发送所述温控通知信息。

本申请实施例提供一种电子设备，所述电子设备包括：控制单元和半导体制冷器；其中，所述控制单元用于获得所述电子设备中的所述半导体制冷器的冷端温度和热端温度；获得所述半导体制冷器的属性信息；并至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作。

本申请实施例提供的控制方法及电子设备，根据半导体制冷器的冷端温度、热端温度和属性信息，获取与属性信息对应的控制参数，采用该控制参数对电子设备进行控制。如此，通过半导体制冷器的冷端温度、热端温度和属性信息，控制电子设备自动按照与属性信息对应的控制参数运行，使得电子设备能够自动、快速的散热，提高了散热效率，降低了事故发生的几率。

附图说明

图1是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图；

图2是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图；

图3是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图；

图4是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图；

图5是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图；

图6是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图；

图7是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图；

图8是本申请实施例提供的电子设备的组成结构示意图。

具体实施方式

为了更清楚地阐述本申请实施例的目的、技术方案及优点，以下将结合附图对本申请实施例的实施例进行详细的说明。应当理解，下文对于实施例的描述旨在对本申请实施例的总体构思进行解释和说明，而不应当理解为是对本申请实施例的限制。在说明书和附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的部件或构件。为了清晰起见，附图不一定按比例绘制，并且附图中可能省略了一些公知部件和结构。

基于相关技术中存在的问题，本申请实施例提供一种控制方法，本申请实施例通过半导体制冷器的冷端温度、热端温度和属性信息，获取与属性信息对应的控制参数，采用该控制参数对电子设备进行控制。如此，通过半导体制冷器的冷端温度、热端温度和属性信息，控制电子设备自动按照与属性信息对应的控制参数运行，使得电子设备能够自动、快速的散热，提高了散热效率，降低了事故发生的几率。

参见图1，图1是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图，将结合图1示出的步骤进行说明：

步骤S101、获得电子设备中的半导体制冷器的冷端温度和热端温度。

这里，电子设备可以是电脑或其他独立的设备，电子设备中包括半导体制冷器，半导体制冷器是指利用半导体的热电效应进行散热的器件，半导体制冷器用导体连接两块不同的金属，在正向接通直流电时，一个金属接点处(即冷端)的温度降低，而另一个金属接点处(即热端)的温度升高。

在一些实施例中，半导体制冷器的冷端贴近电子设备中的发热元件，用于给发热元件降温，而半导体制冷器的热端用于散热。

步骤S102、获得所述半导体制冷器的属性信息。

在一些实施例中，半导体制冷器的属性信息可以包括半导体制冷器的冷端温度区间、冷端散热阈值和半导体制冷器的额定制冷温度等信息，属性信息用来确定半导体制冷器运行时的控制参数。

步骤S103、至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作。

在一些实施例中，每一属性信息对应一控制参数，根据所述冷端温度和/或所述热端温度，可以确定出与半导体属性信息相匹配的控制参数，电子设备执行与控制参数对应的操作来对电子设备进行温度控制。

本申请实施例通过半导体制冷器的冷端温度、热端温度和属性信息，控制电子设备按照与属性信息对应的控制参数运行，使得电子设备能够自动、快速的散热，提高了散热效率，降低了事故发生的几率。

在一些实施例中，电子设备具有不同的控制参数，基于前述实施例，本申请实施例再提供一种控制方法，图2是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图，基于图1，步骤S103可以通过以下步骤得到：

步骤S201、至少根据所述冷端温度及所述属性信息确定所述半导体制冷器的第一控制参数，以控制所述电子设备的半导体制冷器执行与所述第一控制参数对应的操作。

这里，属性信息可以是半导体制冷器的冷端温度区间，每一冷端温度区间对应一个第一控制参数，第一控制参数可以是半导体制冷器的占空比，占空比是指在一个脉冲循环内，通电时间相对于总时间所占的比例，也就是说，每一冷端温度区间对应一个脉冲循环内的通电时间，半导体制冷器按照该通电时间运行。

在一些实施例中，基于图2，图3是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图，步骤S201可以通过以下步骤实现：

步骤S2011、根据所述属性信息，确定所述冷端温度所处的目标冷端温度区间。

本申请实施例中，半导体制冷器的冷端温度用Tc指代，半导体制冷器的热端温度用Th指代。

在一些实施例中，半导体制冷器的冷端温度区间可以有多个，例如：冷端温度区间可以是Tc小于0℃、Tc大于0℃且小于50℃、Tc大于50℃且小于70℃或者Tc大于70℃且小于120℃等，每一电子设备对应的冷端温度区间不同，因此，本申请实施例对此不做限制。

在本申请实施例中，通过电子设备内部的温度采集器采集当前半导体制冷器的冷端温度，温度采集可以是实时采集，也可以是隔一段时间采集一次，比如十分钟采集一次温度。根据半导体制冷器的冷端温度，将当前冷端温度所在的冷端温度区间确定为目标冷端温度区间。

步骤S2012、将与所述目标冷端温度区间对应的制冷器占空比，确定为目标占空比。

在一些实施例中，每一冷端温度区间对应一制冷器占空比或操作参数，例如：当Tc大于0℃且小于50℃时，制冷器占空比可以为30％至40％；当Tc大于50℃且小于70℃时，制冷器占空比可以为50％至60％；当Tc大于70℃且小于120℃时，制冷器占空比可以为70％至80％。根据确定的目标冷端温度区间，将对应的制冷器占空比确定为目标占空比。

在一些实施例中，当Tc小于0℃时，为避免半导体制冷器的散热目标表面发生结冰等事故，对应的操作参数为切断半导体制冷器的电流，即不再对半导体制冷器的散热目标进行散热。

在一些实施例中，冷端温度区间对应的占空比或操作参数可以是技术人员依据不同电子设备的需求进行编辑并导入电子设备中，所以，本申请实施例提供的控制方法可以根据不同的电子设备设置不同的属性信息，使得本申请实施例提供的控制方法可以应用在任意电子设备中。

步骤S2013、将所述目标占空比，确定为所述半导体制冷器的第一控制参数。

在一些实施例中，在获取第一控制参数后，控制电子设备的半导体制冷器执行与第一控制参数对应的操作，以实现对电子设备进行温度控制。

本申请实施例通过当前冷端温度，获取半导体制冷器的第一控制参数，使得半导体制冷器自动以第一控制参数运行，实现自动、智能的对电子设备进行温度控制，无需用户手动对电子设备进行降温设置。

步骤S202、至少根据所述冷端温度和所述热端温度确定所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数，控制所述其他散热部件执行与所述第二控制参数对应的操作，以使得所述热端温度匹配所述属性信息。

这里，电子设备的其他散热部件可以是风扇或其他散热部件。由于半导体制冷器的冷端用于对电子设备的发热部件进行降温，导致半导体制冷器的热端温度升高，因此，需要风扇等散热部件对热端进行散热。

请继续参照图3，属性信息还可以是冷端温度与热端温度之间的温差区间。根据冷端温度与热端温度之间的温差，可以确定散热部件的第二控制参数，步骤S202可以通过以下步骤实现：

步骤S2021、根据所述冷端温度和所述热端温度，确定所述冷端温度与所述热端温度之间的温差。

步骤S2022、确定所述温差所处的目标温差区间。

这里，将当前温差所在的区间确定为温差所处的目标温差区间。

步骤S2023、将与所述目标温差区间对应的降温占空比，确定为目标降温占空比。

在一些实施例中，每一温差区间对应一降温占空比，例如：当温差大于40℃且小于50℃时，降温占空比可以为70％至80％；当温差大于20℃且小于30℃时，降温占空比可以为50％至60％；当温差大于0℃且小于20℃时，降温占空比可以为30％至40％。根据确定的目标温差区间，将对应的降温占空比确定为目标降温占空比。

步骤S2024、将所述目标降温占空比，确定为所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数。

在一些实施例中，将目标降温占空比确定为散热部件的第二控制参数，控制风扇以对应的降温占空比运行，以使得热端温度匹配属性信息，即，使得热端温度与冷端温度之间的温差处于预设温差区间中，预设温差区间可以是技术人员根据电子设备的需求进行编辑并导入电子设备的，本申请实施例对预设温差区间不做限制。

在一些实施例中，电子设备的其他散热部件还可以是溶液降温装置，每一温差区间对应一降温溶液参数，降温溶液参数可以是降温溶液的流速、流量和温度等溶液参数。当确定出当前温差所在的目标温差区间后，根据目标温差区间对应的降温溶液参数确定为第二控制参数，控制溶液降温装置以第二控制参数运行，以使得热端温度匹配属性信息。

本申请实施例通过当前冷端温度与热端温度之间的温差，使得散热设备自动以第二控制参数运行，实现自动、智能的对电子设备进行温度控制。

步骤S203、至少根据所述冷端温度确定所述电子设备的发热部件的第三控制参数，控制所述发热部件执行与所述第三控制参数对应的操作，以使得所述冷端温度匹配所述属性信息。

在一些实施例中，发热部件可以是CPU或显卡等部件，在电子设备运行时，可以通过控制发热部件来对电子设备进行温度控制。

请继续参照图3，步骤S203可以通过如下步骤实现：

步骤S2031、当所述冷端温度超过散热阈值时，确定所述发热部件的当前工作频率。

在一些实施例中，属性信息还可以是半导体制冷器冷端的散热阈值，例如，散热阈值可以是120℃，当冷端温度超过120℃时，确定发热部件的工作频率。

步骤S2032、确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第一降频参数。

这里，对发热部件进行降频处里可以是关闭电子设备中运行内存较大的应用，也可以是将电子设备调整为节能模式。在确定出电子设备当前的工作频率后，可以通过降频处理降低半导体制冷器的工作频率，将降频处理对应的操作参数确定为第一降频参数。

在一些实施例中，当冷端温度超过散热阈值时，在对发热部件进行降频处理的同时，还可以控制半导体制冷器以较高的制冷器占空比对发热部件进行降温，例如：半导体制冷器以90％的制冷器占空比运行；风扇也可以以较高的降温占空比(例如：风扇以90％的降温占空比运行)对半导体制冷器的热端进行降温，以保证半导体制冷器正常运行。

步骤S2033、将所述第一降频参数，确定为所述第三控制参数。

在一些实施例中，将控制发热部件降频的第一降频参数确定为第三控制参数，控制发热部件执行与第三控制参数对应的操作，使得半导体制冷器的冷端温度处于预设冷端温度区间中，预设冷端温度区间可以是技术人员根据电子设备的需求进行编辑并导入电子设备的，本申请实施例对预设冷端温度区间不做限制。

本申请实施例在对电子设备进行温度控制时，根据冷端的温度，自动对发热部件进行降频处理，提高了电子设备温度控制的效率。

步骤S204、根据所述冷端温度、所述热端温度及所述电子设备的散热部件的运行参数确定所述电子设备的发热部件的第四控制参数，控制所述发热部件执行与所述第四控制参数对应的操作，以使得所述半导体制冷器运行在所述属性信息指示的工作参数范围内。

在一些实施例中，在电子设备运行时，电子设备中的半导体制冷器和风扇等散热部件都在运行，需要根据各散热部件的运行参数来确定发热部件的控制参数。

请继续参照图3，步骤S204可以通过如下步骤来实现：

步骤S2041、确定所述电子设备的发热部件的当前工作频率。

步骤S2042、根据所述冷端温度、所述热端温度及所述风扇的运行参数，确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第二降频参数。

在一些实施例中，在根据冷端温度确定半导体制冷器的运行参数(即制冷器占空比)，根据冷端温度与热端温度之间的温差确定风扇的运行参数(即风扇占空比)，根据半导体制冷器的运行参数和风扇的运行参数确定电子设备的运行状态，进而确定对发热部件进行降频处理的第二降频参数。

步骤S2043、将所述第二降频参数，确定为所述第四控制参数。

在一些实施例中，将控制发热部件降频的第二降频参数确定为第四控制参数，控制发热部件执行与第四控制参数对应的操作，使得半导体制冷器的冷端温度处于预设冷端温度区间中，以及热端温度与冷端温度之间的温差处于预设温差区间中，本申请实施例对预设冷端温度区间和预设温差区间不做限制。

本申请实施例在对电子设备进行温度控制时，根据冷端温度、热端温度及风扇的运行参数，自动对发热部件进行降频处理，提高了电子设备温度控制的效率。

在一些实施例中，还可以根据电子设备的内部环境温度和外部环境温度来确定半导体制冷器的控制参数，基于图1，本申请实施例再提供一种控制方法，参见图4，图4是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图，本申请实施例提供的控制方法在步骤S103之后，还可以包括以下步骤：

步骤S401、获取所述电子设备的外部环境温度和内部环境温度。

这里，电子设备的外部环境温度是指电子设备所处的环境温度，即电子设备机箱外部的温度；内部环境温度是指电子设备机箱内部的环境温度。

步骤S402、当所述外部环境温度大于第一温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为反向供电参数，并通过所述反向供电参数对所述半导体制冷器进行反向供电。

这里，第一温度阈值和第二温度阈值可以是技术人员设置并导入电子设备的，用于判断电子设备所处的环境温度是否超过技术人员设置的阈值。

在一些实施例中，当外部环境温度大于第一温度阈值时，说明电子设备的运行温度没有达到电子设备的标准运行温度，此时，根据内部环境温度确定半导体制冷器的控制参数为反向供电参数，对半导体制冷器进行反向供电以使得半导体制冷器的冷端温度升高，进而升高电子设备的内部环境温度，使得电子设备的内部环境温度达到电子设备运行时的标准运行温度。

这里，标准运行温度是电子设备正常运行时的内部环境温度。

步骤S403、当所述外部环境温度小于第二温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为正向供电参数，并通过所述正向供电参数对所述半导体制冷器进行正向供电。

在一些实施例中，当外部环境温度小于第一温度阈值时，说明电子设备的运行温度超出了电子设备的标准运行温度，此时，根据内部环境温度确定半导体制冷器的控制参数为正向供电参数，对半导体制冷器进行正向供电以使得半导体制冷器的冷端温度降低，进而降低电子设备的内部环境温度，使得电子设备的内部环境温度达到电子设备运行时的标准运行温度。

本申请实施例通过半导体制冷器可以反向通电的特性，对电子设备的内部环境温度进行控制，使得电子设备在标准运行温度下正常运行。

在一些实施例中，电子设备中的半导体制冷器可以有多个，基于图1，本申请实施例再提供一种控制方法，参见图5，图5是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图，步骤S103可以通过以下步骤实现：

步骤S501、根据所述冷端温度确定目标制冷温度。

这里，目标制冷温度是指根据电子设备的运行状态，所确定的半导体制冷器冷端要达到的目标温度，例如：当前半导体制冷器的冷端温度为80℃，为了是电子设备运行更加流畅，半导体制冷器的冷端温度需要降为30℃，则半导体制冷器的目标制冷温度为30℃。

步骤S502、根据每一所述半导体制冷器的额定制冷温度和所述目标制冷温度，确定处于工作状态的半导体制冷器的目标数量。

在一些实施例中，电子设备中的多个半导体制冷器可以采用串联的方式连接，也可以采用并联的方式进行连接。

在一些实施例中，每一半导体制冷器对应一额定制冷温度，根据当前的冷端温度、目标制冷温度和每一半导体制冷器的额定制冷温度，确定需要对冷端进行降温的半导体制冷器的数量，将该数量确定为处于工作状态的半导体制冷器的目标数量。

步骤S503、将所述目标数量，确定为匹配所述半导体制冷器的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作。

在一些实施例中，在将确定处于工作状态的半导体制冷器的目标数量，确定为半导体制冷器的控制参数之后，控制电子设备执行该控制参数以使得半导体制冷器的冷端温度达到目标制冷温度，也就是说，控制目标数量的半导体制冷器处于工作状态，进而使得半导体制冷器的冷端温度达到目标制冷温度。

本申请实施例通过多个半导体制冷器对电子设备进行温度控制，使得本申请实施例所提供的控制方法能够更加高效的对电子设备进行温度控制。

在一些实施例中，当电子设备中半导体制冷器的冷端温度超过预设温度阈值时，电子设备会发出预警信息。基于图1，本申请实施例再提供一种控制方法，参见图6，图6是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图，本申请实施例提供的控制方法还可以通过以下步骤实现：

步骤S601、当所述冷端温度超过预设温度阈值时，或者，当所述冷端温度与所述热端温度之间的温差超过预设温差阈值时，发出预警信息。

在一些实施例中，预设温度阈值和预设温差阈值可以是技术人员根据电子设备的运行需求设置的。预警信息可以包括异常发热部件、发热部件的当前温度和异常原因等信息。

步骤S602、根据所述预警信息生成温控通知信息。

在一些实施例中，温控通知信息可以包括发热部件的控制参数，根据预警信息可以确定针对该预警信息的处理措施，进而得到发热部件执行该处理措施的控制参数。

步骤S603、向发热部件发送所述温控通知信息。

这里，将温控通知信息发送至发热部件后，发热部件按照温控通知信息中的控制参数运行，以使得冷端温度低于预设温度阈值，或者冷端温度与热端温度之间的温差低于预设温差阈值。

本申请实施例通过向发热部件发送温控通知信息，来控制发热部件按照温控通知信息中的控制参数运行，实现了自动对电子设备进行温度控制。

在一些实施例中，电子设备中还包括温度传感器和模数转换器。在对电子设备进行温度采集时，通过温度传感器采集与冷端温度对应的冷端电压信号、和与热端温度对应的热端电压信号，通过模数转换器，分别将冷端电压信号和热端电压信号对应转换为冷端数字信号和热端数字信号，根据冷端数字信号、热端数字信号确定电子设备的控制参数，以控制电子设备执行与控制参数对应的操作来实现温度控制。

下面，将说明本申请实施例在一个实际的应用场景中的示例性应用。

在一些实施例中，技术人员依据不同的电子设备需要，编辑profile(即属性信息)并添加进电子设备中，电子设备根据profile中的信息运行。参见图7，图7是本申请实施例提供的控制方法的一个可选的流程示意图。本申请实施例提供的控制方法可以通过如下步骤实现：

步骤S701、MCU将采集的Tc温度和Th温度转换为数字信号。

这里，Tc是指半导体制冷器的冷端温度，Th是指半导体制冷器的热端温度。

本申请实施例可以通过数模转换器将温度采集器采集的温度信号转化为数字信号。

在一些实施例中，单片机(MCU，Microcontroller Unit)可以作为电子设备的控制器，因此，在本申请实施例中，可以以MCU作为执行主体。

步骤S702、检测TEC(即半导体制冷器)温度参数。

这里，温度参数可以是Tc、Th和ΔT(即冷端温度与热端温度之间的温差)。

在一些实施例中，可以采用独立的单片机(MCU，Microcontroller Unit)实时进行温度采样，MCU靠近半导体制冷器的冷端和热端，获取半导体制冷器的冷端温度和热端温度，并实时计算出冷端温度和热端温度的温差。

步骤S703、电子设备通过通用串行总线从端口下载Profile。

这里，profile(即属性信息)可以是技术人员预先设置的，电子设备可以通过通用串行总线(USB，Universal Serial Bus)从Profile设定下载端口下载Profile文件并导入电子设备。

在一些实施例中，Profile中包括半导体制冷器的冷端温度区间与制冷器占空比之间的对应关系，还包括半导体制冷器的温差区间与降温占空比之间的对应关系。

步骤S704、实时将Tc温度与Profile中的设定值作对比。

在一些实施例中，Profile中的设定值可以是半导体制冷器的冷端温度区间，通过实时将Tc温度与Profile中的设定值作对比，以得到Tc温度所在的冷端温度区间。

步骤S705、根据Tc温度确定对应的占空比。

在一些实施例中，每一Tc温度都处于一个冷端温度区间中，每一冷端温度区间对应一占空比(即制冷器占空比)，例如：如图7中S705的虚线框中所示，当Tc大于0℃且小于50℃时，占空比可以为30％至40％；当Tc大于50℃且小于70℃时，占空比可以为50％至60％；当Tc大于70℃且小于120℃时，占空比可以为70％至80％；当Tc小于于0℃，可以切断TEC中MOS管的电流。

在一些实施例中，电子设备采用对模拟信号电平进行数字编码(PWM，Pulse WidthModulation)的方式控制TEC通过的电流值。TEC的冷端Tc温度在不同的预设温度区间，会依照profile预设的每一预设温度区间对应的占空比，来决定通过TEC电流的工作时间。

在一些实施例中，在相同的工作周期内，TEC通过电流的时间越长，TEC能从冷端迁移走的热量越多，同时会导致TEC的热端Th的温度上升越多。

步骤S706、控制半导体制冷器的全桥MOS顺向驱动。

在一些实施例中，在确定出当前Tc温度对应的占空比后，控制半导体制冷器的全桥MOS以该占空比顺向驱动，以实现对电子设备进行温度控制。

步骤S707、监测半导体制冷器的Tc温度。

在一些实施例中，在半导体制冷器的全桥MOS顺向驱动后，电子设备监测半导体制冷器的Tc温度，并将半导体制冷器的Tc温度反馈至电子设备，并继续执行步骤S701，持续对电子设备进行温度控制。

步骤S708、实时将Th温度与设定值作对比。

在一些实施例中，Profile中的设定值可以是半导体制冷器冷端温度与热端温度之间的温差区间，通过实时将Tc温度与Th温度之间的温差ΔT与Profile中的预设温差区间作对比，以得到Tc温度与Th温度之间的温差ΔT所在的温差区间。

步骤S709、根据ΔT确定对应的占空比。

在一些实施例中，每一Tc温度与Th温度之间的温差ΔT都处于一个温差区间中，每一温差区间对应一占空比(即降温占空比)，例如：如图7中S709的虚线框中所示，当温差大于40℃且小于50℃时，降温占空比可以为70％至80％；当温差大于20℃且小于30℃时，降温占空比可以为50％至60％；当温差大于0℃且小于20℃时，降温占空比可以为30％至40％。

步骤S710、控制风扇的MOS驱动。

在一些实施例中，在确定风扇的降温占空比之后，控制风扇的MOS管以相应的降温占空比运行。

在一些实施例中，MCU实时监测TEC的冷端和热端之间的温差以及Th温度的绝对值。按照热端与冷端之间温差所处的温差区间，采取不同的主动散热措施。例如，当ΔT较小时(比如0<ΔT<20℃)，电子设备判断散热器(即风扇)有足够余量应对系统(即电子设备)的发热，则可以采用较小的降温占空比(例如30％至40％)，驱动风扇，使风扇处于低转速甚至暂时停转状态；当ΔT较大时(比如40℃<ΔT<50℃)，系统(即电子设备)判断需要紧急增加热端的散热能力，此时可以调用高降温占空比(例如70％至80％)驱动风扇，使风扇处于高转速状态以尽快使得TEC的冷端和热端之间的温差处于安全的范围。

步骤S711、监测半导体制冷器的Th温度。

在一些实施例中，在风扇的MOS顺向驱动后，电子设备实时监测半导体制冷器的Th温度，并将半导体制冷器的Th温度反馈至电子设备，并继续执行步骤S701，持续对电子设备进行温度控制。

步骤S712、当冷端温度超过预设温度阈值时，通知主机系统降频。

在一些实施例中，电子设备包括主机系统。

在一些实施例中，Profile中还包括半导体制冷器冷端的预设温度阈值，当冷端温度超过预设温度阈值时，可以通知主机系统(即发热部件)降频，还可以增大TEC电流占空比，例如将TEC的电流占空比提高至70％至75％，还可以将风扇转速占空比提高至70％至75％。

本申请实施例提供的电子设备还可以预设失控预警区和失控紧急处置逻辑，例如，在判断出系统(即电子设备)发热能力即将超过TEC可解决的散热极限时，可通过系统管理总线(SMBUS，System Management Bus)通知系统(即电子设备)做临时降频等处理来降低电子设备的整体发热情况。

在一些实施例中，电子设备预留了半导体制冷器反向供电逻辑，例如：当半导体制冷器全桥MOS正向通电时，热量将从冷端迁移到热端；当半导体制冷器全桥MOS反向通电时，热量将从热端迁移到冷端。利用半导体制冷器反向供电逻辑，散热工程师可以在特殊情况下给目标组件加热。例如：当主板的工作环境温度范围在-20℃至60℃，但是电子设备开机时，发现环境温度低于-20℃，此时工程师可利用半导体制冷器反向供电逻辑临时反向加热目标电子设备，以确保电子设备可以开机。

本申请实施例提供的控制方法适配不同特性的TEC；且工程师可依据不同的系统设计需要，可视化编辑profile并导入系统，控制模块将依照Profile的预设自动独立进行散热控制；本申请实施例通过确保TEC自身安全的方式，间接实现了电子设备快速准确的定向热迁移。本申请实施例提供的控制方法可以形成功能统一的温度控制标准，不依赖于某一家供应商的特定设置，且本申请实施例为温度控制领域最先实现的领先设计。

图8是本申请实施例提供的电子设备的组成结构示意图，如图8所示，该电子设备800包括：控制单元801和半导体制冷器802，其中，控制单元801，用于获得所述电子设备中的所述半导体制冷器802的冷端温度和热端温度；获得所述半导体制冷器802的属性信息；并至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备800执行与所述控制参数对应的操作。

在一些实施例中，控制单元801还用于至少根据所述冷端温度及所述属性信息确定所述半导体制冷器的第一控制参数，以控制所述电子设备的半导体制冷器执行与所述第一控制参数对应的操作；或，至少根据所述冷端温度和所述热端温度确定所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数，控制所述其他散热部件执行与所述第二控制参数对应的操作，以使得所述热端温度匹配所述属性信息；或，至少根据所述冷端温度确定所述电子设备的发热部件的第三控制参数，控制所述发热部件执行与所述第三控制参数对应的操作，以使得所述冷端温度匹配所述属性信息；或，根据所述冷端温度、所述热端温度及所述电子设备的散热部件的运行参数确定所述电子设备的发热部件的第四控制参数，控制所述发热部件执行与所述第四控制参数对应的操作，以使得所述半导体制冷器运行在所述属性信息指示的工作参数范围内。

在一些实施例中，控制单元801还用于根据所述属性信息，确定所述冷端温度所处的目标冷端温度区间；将与所述目标冷端温度区间对应的制冷器占空比，确定为目标占空比；将所述目标占空比，确定为所述半导体制冷器的第一控制参数。

在一些实施例中，控制单元801还用于根据所述冷端温度和所述热端温度，确定所述冷端温度与所述热端温度之间的温差；确定所述温差所处的目标温差区间；将与所述目标温差区间对应的降温占空比，确定为目标降温占空比；将所述目标降温占空比，确定为所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数。

在一些实施例中，控制单元801还用于当所述冷端温度超过散热阈值时，确定所述发热部件的当前工作频率；确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第一降频参数；将所述第一降频参数，确定为所述第三控制参数。

在一些实施例中，所述电子设备的散热部件包括：风扇；控制单元801还用于确定所述电子设备的发热部件的当前工作频率；根据所述冷端温度、所述热端温度及所述风扇的运行参数，确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第二降频参数；将所述第二降频参数，确定为所述第四控制参数。

在一些实施例中，控制单元801还用于获取所述电子设备的外部环境温度和内部环境温度；当所述外部环境温度大于第一温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为反向供电参数，并通过所述反向供电参数对所述半导体制冷器进行反向供电；或者，当所述外部环境温度小于第二温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为正向供电参数，并通过所述正向供电参数对所述半导体制冷器进行正向供电。

在一些实施例中，所述半导体制冷器为多个，所述属性信息包括：每一所述半导体制冷器的额定制冷温度；控制单元801还用于根据所述冷端温度确定目标制冷温度；根据每一所述半导体制冷器的额定制冷温度和所述目标制冷温度，确定处于工作状态的半导体制冷器的目标数量；将所述目标数量，确定为匹配所述半导体制冷器的控制参数。

在一些实施例中，控制单元801还用于当所述冷端温度超过预设温度阈值时，或者，当所述冷端温度与所述热端温度之间的温差超过预设温差阈值时，发出预警信息；根据所述预警信息生成温控通知信息；向发热部件发送所述温控通知信息。

需要说明的是，本申请实施例各实施例所记载的技术方案中各技术特征之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

应理解，说明书通篇中提到的“一个实施例”或“一实施例”意味着与实施例有关的特定特征、结构或特性包括在本申请的至少一个实施例中。因此，在整个说明书各处出现的“在一个实施例中”或“在一实施例中”未必一定指相同的实施例。此外，这些特定的特征、结构或特性可以任意适合的方式结合在一个或多个实施例中。应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。

以上所述，仅为本申请的实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种控制方法，包括：

获得电子设备中的半导体制冷器的冷端温度和热端温度；

获得所述半导体制冷器的属性信息；

至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作，包括：

至少根据所述冷端温度及所述属性信息确定所述半导体制冷器的第一控制参数，以控制所述电子设备的半导体制冷器执行与所述第一控制参数对应的操作；或，

至少根据所述冷端温度和所述热端温度确定所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数，控制所述其他散热部件执行与所述第二控制参数对应的操作，以使得所述热端温度匹配所述属性信息；或，

至少根据所述冷端温度确定所述电子设备的发热部件的第三控制参数，控制所述发热部件执行与所述第三控制参数对应的操作，以使得所述冷端温度匹配所述属性信息；或，

根据所述冷端温度、所述热端温度及所述电子设备的散热部件的运行参数确定所述电子设备的发热部件的第四控制参数，控制所述发热部件执行与所述第四控制参数对应的操作，以使得所述半导体制冷器运行在所述属性信息指示的工作参数范围内。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少根据所述冷端温度及所述属性信息确定所述半导体制冷器的第一控制参数，包括：

根据所述属性信息，确定所述冷端温度所处的目标冷端温度区间；

将与所述目标冷端温度区间对应的制冷器占空比，确定为目标占空比；

将所述目标占空比，确定为所述半导体制冷器的第一控制参数。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少根据所述冷端温度和所述热端温度确定所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数，包括：

根据所述冷端温度和所述热端温度，确定所述冷端温度与所述热端温度之间的温差；

确定所述温差所处的目标温差区间；

将与所述目标温差区间对应的降温占空比，确定为目标降温占空比；

将所述目标降温占空比，确定为所述电子设备的其他散热部件的第二控制参数。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少根据所述冷端温度确定所述电子设备的发热部件的第三控制参数，包括：

当所述冷端温度超过散热阈值时，确定所述发热部件的当前工作频率；

确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第一降频参数；

将所述第一降频参数，确定为所述第三控制参数。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电子设备的散热部件包括：风扇；

所述根据所述冷端温度、所述热端温度及所述电子设备的散热部件的运行参数确定所述电子设备的发热部件的第四控制参数，包括：

确定所述电子设备的发热部件的当前工作频率；

根据所述冷端温度、所述热端温度及所述风扇的运行参数，确定对所述发热部件的当前工作频率进行降频处理的第二降频参数；

将所述第二降频参数，确定为所述第四控制参数。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述方法还包括：

获取所述电子设备的外部环境温度和内部环境温度；

当所述外部环境温度大于第一温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为反向供电参数，并通过所述反向供电参数对所述半导体制冷器进行反向供电；或者，

当所述外部环境温度小于第二温度阈值时，根据所述内部环境温度确定出所述控制参数为正向供电参数，并通过所述正向供电参数对所述半导体制冷器进行正向供电。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体制冷器为多个，所述属性信息包括：每一所述半导体制冷器的额定制冷温度；

所述至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，包括：

根据所述冷端温度确定目标制冷温度；

根据每一所述半导体制冷器的额定制冷温度和所述目标制冷温度，确定处于工作状态的半导体制冷器的目标数量；

将所述目标数量，确定为匹配所述半导体制冷器的控制参数。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

当所述冷端温度超过预设温度阈值时，或者，当所述冷端温度与所述热端温度之间的温差超过预设温差阈值时，发出预警信息；

根据所述预警信息生成温控通知信息；

向发热部件发送所述温控通知信息。

10.一种电子设备，其中，所述电子设备包括：控制单元和半导体制冷器；其中，

所述控制单元，用于获得所述电子设备中的所述半导体制冷器的冷端温度和热端温度；获得所述半导体制冷器的属性信息；并至少根据所述冷端温度和/或所述热端温度获得至少匹配所述属性信息的控制参数，以控制所述电子设备执行与所述控制参数对应的操作。

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