CN112888149A - 一种导电、屏蔽、散热复合材料 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种导电、屏蔽、散热复合材料,包括有第一超薄电解铜箔、第一导电胶膜、人工石墨、第二导电胶膜与第二超薄电解铜箔,所述第一超薄电解铜箔与第一导电胶膜底端固定粘接,且第一导电胶膜与人工石墨底端固定粘接,所述人工石墨与第二导电胶膜底端固定粘接。本发明通过该复合结构为上下两层超薄电解铜箔,使用导电胶膜100%粘合后,中间层局部覆合人工石墨,底部覆合导电胶膜,中间为局部覆合石墨确保维持铜箔原始极佳导电性能,同时具有更好的散热和屏蔽信号的功能,改变以往复合材料影响铜箔导电速度,制备氧化石墨烯前驱体溶液的步骤与传统Hummers法相比,省略了干燥步骤,更为便捷,提高生产效率,在电催化领域有很好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种导电、屏蔽、散热复合材料,属于电解铜箔技术领域。
背景技术
电解铜箔是覆铜板(CCL)及印制电路板(PCB)、锂离子电池制造的重要的材料,在当今电子信息产业高速发展中,电解铜箔被称为电子产品信号与电力传输、沟通的“神经网络”,作为PCB的基板材料,覆铜板我国成为世界上第三大生产国,由此也使我国的电解铜箔产业在近几年有了突飞猛进的发展,电解铜箔生产主要工序有溶液生箔、表面处理和产品分切。
现有的导电、屏蔽、散热复合材料,在其使用的过程中,散热效果慢,易造成装置软化,不具备很好的屏蔽信号功能,且导电效果不理想,为此我们提出一种导电、屏蔽、散热复合材料。
发明内容
本发明要解决的技术问题克服现有的导电、屏蔽、散热复合材料,在其使用的过程中,散热效果慢,易造成装置软化,不具备很好的屏蔽信号功能,且导电效果不理想的问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了如下的技术方案:
一种导电、屏蔽、散热复合材料,包括有第一超薄电解铜箔、第一导电胶膜、人工石墨、第二导电胶膜与第二超薄电解铜箔,所述第一超薄电解铜箔与第一导电胶膜底端固定粘接,且第一导电胶膜与人工石墨底端固定粘接,所述人工石墨与第二导电胶膜底端固定粘接,且第二导电胶膜与第二超薄电解铜箔底端固定粘接;
至少使作为阴极的所述等离子体表面处理后的铜箔、阳极与电解液共同构建电化学反应体系,其中,所述电解液包括硫酸钠、十二烷基三甲氧基硅烷、酸溶液的混合液、铜离子、硬脂酸和盐酸的混合液。
进一步而言,所述第一超薄电解铜箔与第二超薄电解铜箔横截面积相同,且第一超薄电解铜箔与第二超薄电解铜箔中轴线相重叠。
进一步而言,所述第二导电胶膜与第一超薄电解铜箔横截面积相同,且第二导电胶膜与第一超薄电解铜箔中轴线相重叠。
进一步而言,所述第一导电胶膜与人工石墨横截面积相同,且第一导电胶膜与人工石墨中轴线相重叠。
进一步而言,所述硬脂酸与水混合呈硬脂酸溶液,所述硬脂酸溶液中加入铜离子和盐酸,将十二烷基三甲氧基硅烷与硬脂酸溶液混合,并于4-70℃水解5h,加入硫酸钠,得到所述电解液。
进一步而言,所述硬脂酸溶液的浓度为0.03-3g/L;所述方法包括:将铜离子和盐酸加入温度为30-100℃的硬脂酸溶液。
进一步而言,所述电解液中硫酸钠的浓度为0.2-20g/L,所述电解液的pH值为3.5-4.0。
进一步而言,所述第一导电胶膜的厚度为3nm-10μm,所述第二导电胶膜的厚度为3nm-10μm。
进一步而言,所述人工石墨的聚酰亚胺复合薄膜置于真空条件下升温至400~700℃,保温三次以上,每次保温的时间≥1h,之后继续升温至不高于2000℃,完成碳化处理,得到碳化后的聚酰亚胺薄膜,所述得碳化后的聚酰亚胺薄膜在氮气保护下升温至2800℃以上进行石墨化处理,得到人工石墨膜。
本发明的技术效果和优点:
本发明通过该复合结构为上下两层超薄电解铜箔,使用导电胶膜100%粘合后,中间层局部覆合人工石墨,底部覆合导电胶膜,中间为局部覆合石墨确保维持铜箔原始极佳导电性能,同时具有更好的散热和屏蔽信号的功能,改变以往复合材料影响铜箔导电速度,制备氧化石墨烯前驱体溶液的步骤与传统Hummers法相比,省略了干燥步骤,更为便捷,提高生产效率,在电催化领域有很好的应用前景。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。
图1是本发明内部刨视的结构示意图。
图中标号:1、第一超薄电解铜箔;2、第一导电胶膜;3、人工石墨;4、第二导电胶膜;5、第二超薄电解铜箔。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例一:
如图1所示,一种导电、屏蔽、散热复合材料,包括有第一超薄电解铜箔1、第一导电胶膜2、人工石墨3、第二导电胶膜4与第二超薄电解铜箔5,第一超薄电解铜箔1与第一导电胶膜2底端固定粘接,且第一导电胶膜2与人工石墨3底端固定粘接,人工石墨3与第二导电胶膜4底端固定粘接,且第二导电胶膜4与第二超薄电解铜箔5底端固定粘接;
至少使作为阴极的等离子体表面处理后的铜箔、阳极与电解液共同构建电化学反应体系,其中,电解液包括硫酸钠、十二烷基三甲氧基硅烷、酸溶液的混合液、铜离子、硬脂酸和盐酸的混合液,第一超薄电解铜箔1与第二超薄电解铜箔5横截面积相同,且第一超薄电解铜箔1与第二超薄电解铜箔5中轴线相重叠,第二导电胶膜4与第一超薄电解铜箔1横截面积相同,且第二导电胶膜4与第一超薄电解铜箔1中轴线相重叠,第一导电胶膜2与人工石墨3横截面积相同,且第一导电胶膜2与人工石墨3中轴线相重叠,硬脂酸与水混合呈硬脂酸溶液,硬脂酸溶液中加入铜离子和盐酸,将十二烷基三甲氧基硅烷与硬脂酸溶液混合,并于4-70℃水解5h,加入硫酸钠,得到电解液,硬脂酸溶液的浓度为0.03-3g/L;方法包括:将铜离子和盐酸加入温度为30-100℃的硬脂酸溶液,电解液中硫酸钠的浓度为0.2-20g/L,电解液的pH值为3.5-4.0,第一导电胶膜2的厚度为3nm-10μm,第二导电胶膜4的厚度为3nm-10μm,所述电解液的流量为40-60m3/h,添加剂溶液与所述电解液混合进入电解槽后,在5000~6000A/m2的电流密度下电解120秒,所述电解液在电场作用下,阴离子移向阳极,阳离子移向电解槽的阴极辊,在其表面进行电化学沉积制成高延伸性双面光亮的超薄型电解铜箔。
实施例二:
人工石墨3的聚酰亚胺复合薄膜置于真空条件下升温至400~700℃,保温三次以上,每次保温的时间≥1h,之后继续升温至不高于2000℃,完成碳化处理,得到碳化后的聚酰亚胺薄膜,得碳化后的聚酰亚胺薄膜在氮气保护下升温至2800℃以上进行石墨化处理,得到人工石墨膜。
以上为本发明较佳的实施方式,本发明所属领域的技术人员还能够对上述实施方式进行变更和修改,因此,本发明并不局限于上述的具体实施方式,凡是本领域技术人员在本发明的基础上所作的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种导电、屏蔽、散热复合材料,包括有第一超薄电解铜箔(1)、第一导电胶膜(2)、人工石墨(3)、第二导电胶膜(4)与第二超薄电解铜箔(5),其特征在于:所述第一超薄电解铜箔(1)与第一导电胶膜(2)底端固定粘接,且第一导电胶膜(2)与人工石墨(3)底端固定粘接,所述人工石墨(3)与第二导电胶膜(4)底端固定粘接,且第二导电胶膜(4)与第二超薄电解铜箔(5)底端固定粘接;
至少使作为阴极的所述等离子体表面处理后的铜箔、阳极与电解液共同构建电化学反应体系,其中,所述电解液包括硫酸钠、十二烷基三甲氧基硅烷、酸溶液的混合液、铜离子、硬脂酸和盐酸的混合液。
2.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述第一超薄电解铜箔(1)与第二超薄电解铜箔(5)横截面积相同,且第一超薄电解铜箔(1)与第二超薄电解铜箔(5)中轴线相重叠。
3.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述第二导电胶膜(4)与第一超薄电解铜箔(1)横截面积相同,且第二导电胶膜(4)与第一超薄电解铜箔(1)中轴线相重叠。
4.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述第一导电胶膜(2)与人工石墨(3)横截面积相同,且第一导电胶膜(2)与人工石墨(3)中轴线相重叠。
5.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述硬脂酸与水混合呈硬脂酸溶液,所述硬脂酸溶液中加入铜离子和盐酸,将十二烷基三甲氧基硅烷与硬脂酸溶液混合,并于4-70℃水解5h,加入硫酸钠,得到所述电解液。
6.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述硬脂酸溶液的浓度为0.03-3g/L;所述方法包括:将铜离子和盐酸加入温度为30-100℃的硬脂酸溶液。
7.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述电解液中硫酸钠的浓度为0.2-20g/L,所述电解液的pH值为3.5-4.0。
8.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述第一导电胶膜(2)的厚度为3nm-10μm,所述第二导电胶膜(4)的厚度为3nm-10μm。
9.根据权利要求1所述的一种导电、屏蔽、散热复合材料,其特征在于:所述人工石墨(3)的聚酰亚胺复合薄膜置于真空条件下升温至400~700℃,保温三次以上,每次保温的时间≥1h,之后继续升温至不高于2000℃,完成碳化处理,得到碳化后的聚酰亚胺薄膜,所述得碳化后的聚酰亚胺薄膜在氮气保护下升温至2800℃以上进行石墨化处理,得到人工石墨膜。
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