CN112885905A - 太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件 - Google Patents

太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件 Download PDF

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Abstract

一种太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件，太阳能电池包括：半导体衬底层；沿着所述半导体衬底层的正面间隔设置的第一正面结构和第二正面结构；第一正面结构包括第一正栅线电极，第二正面结构包括第二正栅线电极；沿着半导体衬底层的背面间隔设置的第一背面结构和第二背面结构，第一背面结构与第一正面结构相对设置，第二正面结构与第二背面结构相对设置；第一背面结构包括第一背栅线电极，第二背面结构包括第二背栅线电极；导电结构，贯穿半导体衬底层且延伸至部分第一正面结构和部分第二背面结构中，导电结构的一端与第一正栅线电极连接且另一端与第二背栅线电极连接。所述太阳能电池兼顾降低功率损耗和提高转化效率。

Description

太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池是一种清洁能源电池，太阳能电池广泛的应用在生活和生产中。异质结太阳能电池是一种重要的太阳能电池，异质结(HeteroJunctionwith intrinsic Thinlayer，简称HJT)结构就是在P型氢化非晶硅和N型氢化非晶硅与N型硅衬底之间增加一层本征氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改变了PN结的性能，因而使异质结太阳能电池的转换效率提高。另外，异质结太阳能电池具有温度系数好、可以双面发电、工艺温度低、转换效率高等特点，是非常具有市场竞争力的太阳能电池技术。异质结太阳能电池的转化效率越高，意味着它更加具有可与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势。
但是，目前异质结太阳能电池的功率损耗有待降低且转化效率有待提高。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中难以兼顾降低功率损耗和提高转化效率的问题，从而提供一种太阳能电池及其制备方法、太阳能电池组件。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种太阳能电池，包括：半导体衬底层；沿着所述半导体衬底层的正面间隔设置的第一正面结构和第二正面结构；所述第一正面结构包括第一正栅线电极，所述第二正面结构包括第二正栅线电极；沿着所述半导体衬底层的背面间隔设置的第一背面结构和第二背面结构，所述第一背面结构与所述第一正面结构相对设置，所述第二正面结构与所述第二背面结构相对设置；所述第一背面结构包括第一背栅线电极，所述第二背面结构包括第二背栅线电极；导电结构，贯穿所述半导体衬底层且延伸至部分第一正面结构和部分第二背面结构中，所述导电结构的一端与所述第一正栅线电极连接且与所述第二正栅线电极间隔，所述导电结构的另一端与所述第二背栅线电极连接且与所述第一背栅线电极间隔。
可选的，所述第一正面结构还与部分第二背面结构相对设置。
可选的，所述导电结构的延伸方向垂直于所述半导体衬底层的正面和背面。
可选的，所述导电结构呈柱状结构。
可选的，所述柱状结构包括圆柱结构。
可选的，所述第一正面结构和所述第二正面结构之间具有第一间隔槽，所述第一背面结构和所述第二背面结构之间具有第二间隔槽。
可选的，所述导电结构在所述半导体衬底层表面的正投影位于所述第一间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影与所述第二间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影之间。
可选的，所述导电结构在所述半导体衬底层表面的正投影与所述第一间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影之间的间距为1毫米至5毫米；所述导电结构在所述半导体衬底层表面的正投影与所述第二间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影之间的间距为1毫米至5毫米。
可选的，所述第一间隔槽的宽度为20微米～100微米；所述第二间隔槽的宽度为20微米～100微米。
可选的所述第一正栅线电极包括第一正面主栅线电极；所述第二背栅线电极包括第二背面主栅线电极；所述导电结构的一端与所述第一正面主栅线电极连接，所述导电结构的另一端与所述第二背面主栅线电极连接。
可选的，所述第一正栅线电极还包括第一正面副栅线电极，所述第一正面副栅线电极与所述第一正面主栅线电极连接；所述第二背栅线电极还包括第二背面副栅线电极，所述第二背面副栅线电极与所述第二背面主栅线电极连接；所述导电结构与所述第一正面副栅线电极间隔，所述导电结构与所述第二背面副栅线电极间隔。
可选的，所述第二正栅线电极包括第二正面主栅线电极和第二正面副栅线电极，所述第二正面副栅线电极与所述第二正面主栅线电极连接；所述第一背栅线电极包括第一背面主栅线电极和第一背面副栅线电极，所述第一背面副栅线电极与所述第一背面主栅线电极连接。
可选的，所述第二正面主栅线电极的延伸方向平行于所述第一正面主栅线电极的延伸方向，所述第二背面主栅线电极的延伸方向平行于所述第一背面主栅线电极的延伸方向；所述第二正面副栅线电极的延伸方向平行于所述第一正面副栅线电极的延伸方向，所述第二背面副栅线电极的延伸方向平行于所述第一背面副栅线电极的延伸方向。
可选的，在平行于所述第一正面主栅线电极的宽度方向上，所述导电结构的尺寸小于或等于所述第一正面主栅线电极的宽度；在平行于所述第二背面主栅线电极的宽度方向上，所述导电结构的尺寸小于或等于所述第二背面主栅线电极的宽度。
可选的，所述第一正面结构还包括：第一正面半导体层；位于所述第一正面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第一正面透明导电层；所述第二背面结构还包括：第二背面半导体层；位于所述第二背面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第二背面透明导电层；所述第一正栅线电极位于所述第一正面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧；所述第二背栅线电极位于所述第二背面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧；所述导电结构贯穿所述半导体衬底层、第一正面半导体层、第一正面透明导电层、第二背面半导体层和第二背面透明导电层。
可选的，所述第二正面结构还包括：第二正面半导体层；位于所述第二正面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第二正面透明导电层；所述第一背面结构还包括：第一背面半导体层；位于所述第一背面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第一背面透明导电层；所述第二正栅线电极位于所述第二正面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧；所述第一背栅线电极位于所述第一背面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧。
本发明还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；沿着所述半导体衬底层的正面形成间隔设置的第一正面结构和第二正面结构，所述第一正面结构包括第一正栅线电极，所述第二正面结构包括第二正栅线电极；沿着所述半导体衬底层的背面形成间隔设置的第一背面结构和第二背面结构，所述第一背面结构与所述第一正面结构相对设置，所述第二正面结构与所述第二背面结构相对设置；所述第一背面结构包括第一背栅线电极，所述第二背面结构包括第二背栅线电极；形成导电结构，所述导电结构贯穿所述半导体衬底层且延伸至部分第一正面结构和部分第二背面结构中，所述导电结构的一端与所述第一正栅线电极连接且与所述第二正栅线电极间隔，所述导电结构的另一端与所述第二背栅线电极连接且与所述第一背栅线电极间隔。
可选的，形成所述第一正面结构和第二正面结构的步骤包括：在所述半导体衬底层的正面依次形成初始正面半导体层、初始正面透明导电层和初始正栅线电极；对所述初始正栅线电极、初始正面透明导电层和所述初始正面半导体层进行切割，使所述初始正面半导体层形成间隔的第一正面半导体层和第二正面半导体层，使所述初始正面透明导电层形成间隔的第一正面透明导电层和第二正面透明导电层，使所述初始正栅线电极形成间隔的第一正栅线电极和第二正栅线电极，所述第一正面半导体层、所述第一正面透明导电层和所述第一正栅线电极相对设置，所述第二正面半导体层、所述第二正面透明导电层和所述第二正栅线电极相对设置；形成所述第一背面结构和第二背面结构的步骤包括：在所述半导体衬底层的背面依次形成初始背面半导体层、初始背面透明导电层和初始背栅线电极；对所述初始背栅线电极、初始背面透明导电层和初始背面半导体层进行切割，使所述初始背面半导体层形成间隔的第一背面半导体层和第二背面半导体层，使初始背面透明导电层形成间隔的第一背面透明导电层和第二背面透明导电层，使初始背栅线电极形成间隔的第一背栅线电极和第二背栅线电极；所述第一背面半导体层、所述第一背面透明导电层和所述第一背栅线电极相对设置，所述第二背面半导体层、所述第二背面透明导电层和所述第二背栅线电极相对设置。
可选的，对所述初始正栅线电极、初始正面透明导电层和所述初始正面半导体层进行切割的工艺包括激光切割工艺。
可选的，对所述初始背栅线电极、初始背面透明导电层和初始背面半导体层进行切割的工艺包括激光切割工艺。
可选的，形成所述导电结构的步骤包括：在形成所述初始正栅线电极和所述初始背栅线电极之前，在所述半导体衬底层、初始正面半导体层、初始正面透明导电层、初始背面半导体层和初始背面透明导电层中形成通孔；在所述通孔中形成所述导电结构。
可选的，形成所述通孔的工艺包括激光打孔工艺。
可选的，所述激光打孔工艺的参数包括：脉冲宽度为10ns～200ns，脉冲频率为10kHz～500kHz，激光光斑直径小于等于20微米；激光功率为9W～12W。
可选的，所述激光打孔工艺的参数还包括：激光波长为532纳米。
本发明还提供一种太阳能电池组件，包括：若干本发明的太阳能电池。
可选的，若干太阳能电池串联连接；所述太阳能电池组件还包括：连接相邻太阳能电池的焊带；对于连接任意相邻的两个太阳能电池之间的焊带，焊带的一部分与一个太阳能电池的第二正栅线电极连接，焊带的另一部分与另一个太阳能电池的第一背栅线电极连接；所述焊带与所述第一正栅线电极的重叠面积为零，所述焊带与所述第二背栅线电极的重叠面积为零。
本发明技术方法具有以下有益效果：
1.本发明技术方案提供的太阳能电池，第一正面结构和第一背面结构以及位于第一正面结构和第一背面结构之间的半导体衬底层构成了第一子异质结太阳能电池，第二正面结构和第二背面结构以及位于第二正面结构和第二背面结构之间的半导体衬底层构成了第二子异质结太阳能电池。由于第一正面结构和第二正面结构间隔设置，第一背面结构和第二背面结构间隔设置，因此第一子异质结太阳能电池和第二子异质结太阳能电池不会横向导通。所述导电结构贯穿所述半导体衬底层且延伸至部分第一正面结构和部分第二背面结构中，所述导电结构的一端与所述第一正栅线电极连接且与所述第二正栅线电极间隔，所述导电结构的另一端与所述第二背栅线电极连接且与所述第一背栅线电极间隔，因此第一子异质结太阳能电池的第一正栅线电极通过导电结构和第二子异质结太阳能电池的第二背栅线电极电学连接，这样使得第一子异质结太阳能电池和第二子异质结太阳能电池串联连接。由于第一子异质结太阳能电池和第二子异质结太阳能电池串联连接，因此使得太阳能电池的短路电流倍减，开路电压倍增。由于太阳能电池的短路电流降低，因此太阳能电池的功率损耗降低。其次，第一子异质结太阳能电池和第二子异质结太阳能电池通过导电结构电学连接，导电结构占据的面积较小，因此需要对半导体衬底层整体切片，这样降低了半导体衬底层中的缺陷，半导体衬底层中载流子复合的几率较小，进一步提高了太阳能电池的开路电压，提高了太阳能电池的转换效率。
2.本发明技术方案提供的太阳能电池组件，包括若干本发明的太阳能电池组件，具有上述的优点。
3.进一步，若干太阳能电池串联连接；连接相邻太阳能电池的焊带；对于连接任意相邻的两个太阳能电池之间的焊带，焊带的一部分与一个太阳能电池的第二正栅线电极连接，焊带的另一部分与另一个太阳能电池的第一背栅线电极连接；所述焊带与所述第一正栅线电极的重叠面积为零，所述焊带与所述第二背栅线电极的重叠面积为零。因此焊带与太阳能电池的接触面积减小，焊带对太阳光的阻挡减少，使得更多的太阳光进入太阳能电池中进行光电转换。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；
图1是本发明一实施例中的太阳能电池的结构示意图；
图2为图1的俯视结构示意图；
图3为图1的仰视结构示意图；
图4至图8为本发明另一实施例提供的太阳能电池制备过程的结构示意图；
图9是本发明又一实施例中太阳能电池组件的结构示意图；
附图标记：
1、太阳能电池；2、焊带；10、半导体衬底层；20、第一正面结构；21、第一正面本征半导体层；22、第一N型半导体层；23、第一正面透明导电层；24、第一正栅线电极；30、第二正面结构；31、第二正面本征半导体层；32、第二N型半导体层；33、第二正面透明导电层；34、第二正栅线电极；40、第一背面结构；41、第一背面本征半导体层；42、第一P型半导体层；43、第一背面透明导电层；44、第一背栅线电极；50、第二背面结构；51、第二背面本征半导体层；52、第二P型半导体层；53、第二背面透明导电层；54、第二背栅线电极；60、导电结构；71、第一间隔槽；72、第二间隔槽；241、第一正面主栅线电极；242、第一正面副栅线电极；341、第二正面主栅线电极；342、第二正面副栅线电极；441、第一背面主栅线电极；442、第一背面副栅线电极；541、第二背面主栅线电极；542、第二背面副栅线电极。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
本发明一实施例提供一种太阳能电池，参考图1，包括：
半导体衬底层10；
沿着所述半导体衬底层10的正面间隔设置的第一正面结构20和第二正面结构30；所述第一正面结构20包括第一正栅线电极24，所述第二正面结构30包括第二正栅线电极34；
沿着所述半导体衬底层10的背面间隔设置的第一背面结构40和第二背面结构50，所述第一背面结构40与所述第一正面结构20相对设置，所述第二正面结构30与所述第二背面结构50相对设置；所述第一背面结构40包括第一背栅线电极44，所述第二背面结构50包括第二背栅线电极54；
导电结构60，贯穿所述半导体衬底层10且延伸至部分第一正面结构20和部分第二背面结构50中，所述导电结构60的一端与所述第一正栅线电极24连接且与所述第二正栅线电极34间隔，所述导电结构60的另一端与所述第二背栅线电极54连接且与所述第一背栅线电极44间隔。
所述半导体衬底层10的材料包括单晶硅，半导体衬底层10为导电类型为N型。所述半导体衬底层10相对的两面具有陷光结构，所述陷光结构为凹陷，在一个实施例中，所述凹陷的形貌为倒金字塔形。所述陷光结构使得入射光在陷光结构中多次反射之后较多的进入半导体衬底层10中。
所述第一正面结构20和所述第二正面结构30之间具有第一间隔槽71，所述第一背面结构40和所述第二背面结构50之间具有第二间隔槽72。第一间隔槽71使得所述第一正面结构20和所述第二正面结构30间隔，第一正面结构20和第二正面结构30横向不导通。第二间隔槽72使得第一背面结构40和第二背面结构50间隔，第一背面结构40和第二背面结构50横向不导通。
在一个实施路中，所述第一间隔槽71的宽度为20微米～100微米，如20微米、40微米、60微米、80微米或100微米。若第一间隔槽71的宽度小于20微米，导致采用激光切割工艺形成第一间隔槽71的过程中，异物容易残留在第一间隔槽71中难以去除，容易引起短路；若第一间隔槽71的宽度大于100微米，导致采用激光切割工艺形成第一间隔槽71的过程中，激光热影响宽度增大，太阳能电池的效率受到影响。
在一个实施路中，所述第二间隔槽72的宽度为20微米～100微米，如20微米、40微米、60微米、80微米或100微米。若第二间隔槽72的宽度小于20微米，导致采用激光切割工艺形成第二间隔槽72的过程中，异物容易残留在第二间隔槽72中难以去除，容易引起短路；若第二间隔槽72的宽度大于100微米，导致采用激光切割工艺形成第二间隔槽72的过程中，激光热影响宽度增大，太阳能电池的效率受到影响。
本实施例中，所述第一正面结构20还与部分第二背面结构50相对设置。在此情况下，所述导电结构60的延伸方向能够设置为垂直于所述半导体衬底层10的正面和背面，使得导电结构60的结构简单，容易制作。
本实施例中，所述导电结构60呈柱状结构，所述柱状结构包括圆柱结构。
需要说明的是，在其他实施例中，所述导电结构还可以为其他复杂的结构，只要导电结构实现将第二背栅线电极54和第一正栅线电极24连接即可。
本实施例中，所述导电结构60在所述半导体衬底层10表面的正投影位于所述第一间隔槽71在所述半导体衬底层10表面的正投影与所述第二间隔槽72在所述半导体衬底层10表面的正投影之间。
在一个具体的实施例中，所述导电结构60在所述半导体衬底层10表面的正投影与所述第一间隔槽71在所述半导体衬底层10表面的正投影之间的间距为1毫米至5毫米；所述导电结构60在所述半导体衬底层10表面的正投影与所述第二间隔槽72在所述半导体衬底层10表面的正投影之间的间距为1毫米至5毫米。若导电结构60在所述半导体衬底层10表面的正投影与所述第一间隔槽71在所述半导体衬底层10表面的正投影之间的间距过小，则采用激光切割工艺形成第一间隔槽71的过程中，容易切割到导电结构60；若导电结构60在所述半导体衬底层10表面的正投影与所述第一间隔槽71在所述半导体衬底层10表面的正投影之间的间距过大，则导致对于太阳能电池中两个串联的子电池，子电池的正面和背面的面积差异过大，导致子电池的光生电流受到影响。若所述导电结构60在所述半导体衬底层10表面的正投影与所述第二间隔槽72在所述半导体衬底层10表面的正投影之间的间距过小，则采用激光切割工艺形成第二间隔槽72的过程中，容易切割到导电结构60；若所述导电结构60在所述半导体衬底层10表面的正投影与所述第二间隔槽72在所述半导体衬底层10表面的正投影之间的间距过大，导致对于太阳能电池中两个串联的子电池，子电池的正面和背面的面积差异过大，导致子电池的光生电流受到影响。
所述第一正面结构20还包括：第一正面半导体层；位于所述第一正面半导体层背向所述半导体衬底层10一侧的第一正面透明导电层23。所述第一正面半导体层包括：第一正面本征半导体层21；位于第一正面本征半导体层21背向所述半导体衬底层10一侧的第一N型半导体层22。
所述第一正栅线电极24位于所述第一正面透明导电层23背向所述半导体衬底层10的一侧。
所述第二背面结构50还包括：第二背面半导体层；位于所述第二背面半导体层背向所述半导体衬底层10一侧的第二背面透明导电层53。所述第二背面半导体层包括：第二背面本征半导体层51；位于第二背面本征半导体层51背向所述半导体衬底层10一侧的第二P型半导体层52。
所述第二背栅线电极54位于所述第二背面透明导电层53背向所述半导体衬底层10的一侧。
所述导电结构60贯穿所述半导体衬底层10、第一正面半导体层、第一正面透明导电层23、第二背面半导体层和第二背面透明导电层53。
所述第二正面结构30还包括：第二正面半导体层；位于所述第二正面半导体层背向所述半导体衬底层10一侧的第二正面透明导电层33。所述第二正面半导体层包括：第二正面本征半导体层31；位于第二正面本征半导体层31背向半导体衬底层10一侧的第二N型半导体层32。
所述第二正栅线电极34位于所述第二正面透明导电层33背向所述半导体衬底层10的一侧。
所述第一背面结构40还包括：第一背面半导体层；位于所述第一背面半导体层背向所述半导体衬底层10一侧的第一背面透明导电层43。所述第一背面半导体层包括：第一背面本征半导体层41；位于第一背面本征半导体层41背向半导体衬底层10一侧的第一P型半导体层42。
所述第一背栅线电极44位于所述第一背面透明导电层43背向所述半导体衬底层10的一侧。
在一个实施例中，参考图2，所述第一正栅线电极24包括第一正面主栅线电极241和第一正面副栅线电极242，所述第一正面副栅线电极242与所述第一正面主栅线电极241连接。在一个实施例中，所述第一正面副栅线电极242的延伸方向与第一正面主栅线电极241的延伸方向垂直，第一正面副栅线电极242和第一正面主栅线电极241构成十字交叉的网状结构。
需要说明的是，在其他实施例中，所述第一正栅线电极24包括第一正面主栅线电极241而不包括第一正面副栅线电极242。
在一个实施例中，参考图2，所述第二正栅线电极34包括第二正面主栅线电极341和第二正面副栅线电极342，所述第二正面副栅线电极342与所述第二正面主栅线电极341连接。在一个实施例中，所述第二正面主栅线电极341的延伸方向与第二正面副栅线电极342的延伸方向垂直，第二正面主栅线电极341和第二正面副栅线电极342构成十字交叉的网状结构。
需要说明的是，在其他实施例中，所述第二正栅线电极34包括第二正面主栅线电极341而不包括第二正面副栅线电极342。
在一个实施例中，参考图3，所述第一背栅线电极44包括第一背面主栅线电极441和第一背面副栅线电极442，所述第一背面副栅线电极442与所述第一背面主栅线电极441连接。在一个实施例中，所述第一背面主栅线电极441的延伸方向与第一背面副栅线电极442的延伸方向垂直，第一背面主栅线电极441和第一背面副栅线电极构442构成十字交叉的网状结构。
需要说明的是，在其他实施例中，所述第一背栅线电极44包括第一背面主栅线电极441而不包括第一背面副栅线电极442。
在一个实施例中，参考图3，所述第二背栅线电极54包括第二背面主栅线电极541和第二背面副栅线电极542，所述第二背面副栅线电极542与所述第二背面主栅线电极541连接。在一个实施例中，所述第二背面主栅线电极541的延伸方向与第二背面副栅线电极542的延伸方向垂直，第二背面主栅线电极541和第二背面副栅线电极542构成十字交叉的网状结构。
需要说明的是，在其他实施例中，所述第二背栅线电极54包括第二背面主栅线电极541而不包括第二背面副栅线电极542。
所述导电结构60的一端与所述第一正面主栅线电极241连接，所述导电结构60的另一端与所述第二背面主栅线电极541连接。所述导电结构60与所述第一正面副栅线电极242间隔，所述导电结构60与所述第二背面副栅线电极542间隔。
在一个实施例中，在平行于所述第一正面主栅线电极241的宽度方向上，所述导电结构60的尺寸小于或等于所述第一正面主栅线电极241的宽度；在平行于所述第二背面主栅线电极541的宽度方向上，所述导电结构60的尺寸小于或等于所述第二背面主栅线电极541的宽度。
在一个具体的实施例中，在平行于所述第一正面主栅线电极241的宽度方向上，所述导电结构60的尺寸为所述第一正面主栅线电极241的宽度的85％～100％；在平行于所述第二背面主栅线电极541的宽度方向上，所述导电结构60的尺寸为所述第二背面主栅线电极541的宽度的85％～100％。这样使得所述导电结构60和第一正面主栅线电极241的接触面积尽量大且使得接触电阻较小，所述导电结构60和第二背面主栅线电极541的接触面积尽量大且使得接触电阻较小。
在一个实施例中，所述第二正面主栅线电极341的延伸方向平行于所述第一正面主栅线电极241的延伸方向，所述第二背面主栅线电极541的延伸方向平行于所述第一背面主栅线电极441的延伸方向；所述第二正面副栅线电极342的延伸方向平行于所述第一正面副栅线电极242的延伸方向，所述第二背面副栅线电极542的延伸方向平行于所述第一背面副栅线电极442的延伸方向。具体的，所述第二正面主栅线电极341和第二背面主栅线电极541的延伸方向可以相同或者不同，所述第二正面副栅线电极342的延伸方向和二背面副栅线电极542的延伸方向可以相同或者不同。
在一个实施例中，所述导电结构60的数量为若干个，每个第一正面主栅线电极241至少与一个导电结构60连接，每个第二背面主栅线电极541至少与一个导电结构60连接。
本实施例中，若干导电结构60的排布方向垂直于第一正面主栅线电极241的延伸方向且垂直于第二背面主栅线电极541的延伸方向。
相应的，本发明另一实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层；沿着所述半导体衬底层的正面形成间隔设置的第一正面结构和第二正面结构，所述第一正面结构包括第一正栅线电极，所述第二正面结构包括第二正栅线电极；沿着所述半导体衬底层的背面形成间隔设置的第一背面结构和第二背面结构，所述第一背面结构与所述第一正面结构相对设置，所述第二正面结构与所述第二背面结构相对设置；所述第一背面结构包括第一背栅线电极，所述第二背面结构包括第二背栅线电极；形成导电结构，所述导电结构贯穿所述半导体衬底层且延伸至部分第一正面结构和部分第二背面结构中，所述导电结构的一端与所述第一正栅线电极连接且与所述第二正栅线电极间隔，所述导电结构的另一端与所述第二背栅线电极连接且与所述第一背栅线电极间隔。
下面参考图4至图8具体介绍形成太阳能电池的过程。
参考图4，提供半导体衬底层10。
所述半导体衬底层10的描述参数前述实施例的内容，不再详述。
参考图5，在所述半导体衬底层10的正面依次形成初始正面半导体层和初始正面透明导电层150；在所述半导体衬底层10的背面依次形成初始背面半导体层和初始背面透明导电层160。
形成所述初始正面半导体层的步骤包括：形成初始正面本征半导体层110；在初始正面本征半导体层110背向半导体衬底层10的一侧形成初始正面N型半导体层120。形成所述初始正面本征半导体层110的工艺包括化学气相沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺。形成所述初始正面N型半导体层120的工艺包括化学气相沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺。初始正面N型半导体层120的材料包括N型非晶硅或者N型多晶硅。
形成所述初始背面半导体层的步骤包括：形成初始背面本征半导体层130；在初始背面本征半导体层130背向半导体衬底层10的一侧形成初始背面P型半导体层140。形成初始背面本征半导体层130的工艺包括化学气相沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺。形成初始背面P型半导体层140的工艺包括化学气相沉积工艺，如等离子体化学气相沉积工艺。初始背面P型半导体层140的材料包括P型非晶硅或者P型多晶硅。
具体的，形成初始正面半导体层和初始背面半导体层之后，形成初始正面透明导电层150和初始背面透明导电层160。形成初始正面透明导电层150的工艺包括物理气相沉积工艺。形成初始背面透明导电层160的工艺包括物理气相沉积工艺。
所述初始正面透明导电层150和初始背面透明导电层160的材料包括氧化铟系材料，例如氧化铟锡(ITO)。
参考图6，在所述半导体衬底层10、初始正面半导体层、初始正面透明导电层150、初始背面半导体层和初始背面透明导电层160中形成通孔；在所述通孔中形成导电结构60。
形成所述通孔的工艺包括激光打孔工艺。
所述激光打孔工艺的参数包括：脉冲宽度为10ns～200ns，脉冲频率为10kHz～500kHz，激光光斑直径小于等于20微米；激光功率为9W～12W；优选的，所述激光打孔工艺的参数还包括：激光波长为532纳米。参数的意义在于：较好的汽化通孔内的材料，且减少激光对周围的热影响，通孔的大小能够较好的控制，且通孔的内壁较为光滑。
本实施例中，还包括：在形成所述通孔之后，且在所述通孔中形成导电结构60之前，对所述通孔的内壁进行吹扫，例如采用氮气或者惰性气体进行对所述通孔的内壁进行吹扫，将通孔内的残渣去除。
参考图7，形成所述导电结构60之后，在初始正面透明导电层150背向所述半导体衬底层10的一侧形成初始正栅线电极170，在初始背面透明导电层160背向所述半导体衬底层10的一侧形成初始背栅线电极180。
形成所述初始正栅线电极170的工艺包括丝网印刷工艺。形成所述初始背栅线电极180的工艺包括丝网印刷工艺。
所述初始正栅线电极170的材料包括银，初始背栅线电极180的材料包括银。
参考图8，对所述初始正栅线电极170、初始正面透明导电层150和所述初始正面半导体层进行切割，使所述初始正面半导体层形成间隔的第一正面半导体层和第二正面半导体层，使所述初始正面透明导电层150形成间隔的第一正面透明导电层23和第二正面透明导电层33，使所述初始正栅线电极170形成间隔的第一正栅线电极24和第二正栅线电极34；对所述初始背栅线电极180、初始背面透明导电层160和初始背面半导体层进行切割，使所述初始背面半导体层形成间隔的第一背面半导体层和第二背面半导体层，使初始背面透明导电层160形成间隔的第一背面透明导电层43和第二背面透明导电层53，使初始背栅线电极180形成间隔的第一背栅线电极44和第二背栅线电极54。
对所述初始正栅线电极170、初始正面透明导电层150和所述初始正面半导体层进行切割的工艺包括激光切割工艺。对所述初始背栅线电极180、初始背面透明导电层160和初始背面半导体层进行切割的工艺包括激光切割工艺。
所述第一正面半导体层包括：第一正面本征半导体层21；位于第一正面本征半导体层21背向所述半导体衬底层10一侧的第一N型半导体层22。
所述第二正面半导体层包括：第二正面本征半导体层31；位于第二正面本征半导体层31背向半导体衬底层10一侧的第二N型半导体层32。
所述第一背面半导体层包括：第一背面本征半导体层41；位于第一背面本征半导体层41背向半导体衬底层10一侧的第一P型半导体层42。
所述第二背面半导体层包括：第二背面本征半导体层51；位于第二背面本征半导体层51背向所述半导体衬底层10一侧的第二P型半导体层52。
所述第一正面半导体层、所述第一正面透明导电层23和所述第一正栅线电极24相对设置，所述第二正面半导体层、所述第二正面透明导电层33和所述第二正栅线电极34相对设置。所述第一背面半导体层、所述第一背面透明导电层43和所述第一背栅线电极44相对设置，所述第二背面半导体层、所述第二背面透明导电层53和所述第二背栅线电极54相对设置。
所述第一正栅线电极24、第二正栅线电极34、第一背栅线电极44、第二背栅线电极54的具体结构参照前述实施例的内容，不再详述。
相应的，本发明另一实施例还提供一种太阳能电池组件，参考图9，包括：若干上述的太阳能电池1。
参考图9，若干太阳能电池1串联连接；所述太阳能电池组件还包括：连接相邻太阳能电池的焊带2。
对于连接任意相邻的两个太阳能电池1之间的焊带，焊带2的一部分与一个太阳能电池1的第二正栅线电极34连接，焊带2的另一部分与另一个太阳能电池的第一背栅线电极44连接；所述焊带2与所述第一正栅线电极24的重叠面积为零，所述焊带2与所述第二背栅线电极54的重叠面积为零。
在一个实施例中，焊带2的宽度小于与焊带2接触的第二正栅线电极34的宽度，焊带2的宽度小于与焊带2接触的第一背栅线电极44的宽度。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种太阳能电池，包括半导体衬底层，其特征在于，还包括：
沿着所述半导体衬底层的正面间隔设置的第一正面结构和第二正面结构；所述第一正面结构包括第一正栅线电极，所述第二正面结构包括第二正栅线电极；
沿着所述半导体衬底层的背面间隔设置的第一背面结构和第二背面结构，所述第一背面结构与所述第一正面结构相对设置，所述第二正面结构与所述第二背面结构相对设置；所述第一背面结构包括第一背栅线电极，所述第二背面结构包括第二背栅线电极；
导电结构，贯穿所述半导体衬底层且延伸至部分第一正面结构和部分第二背面结构中，所述导电结构的一端与所述第一正栅线电极连接且与所述第二正栅线电极间隔，所述导电结构的另一端与所述第二背栅线电极连接且与所述第一背栅线电极间隔。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一正面结构还与部分第二背面结构相对设置；
优选的，所述导电结构的延伸方向垂直于所述半导体衬底层的正面和背面；
优选的，所述导电结构呈柱状结构；
优选的，所述柱状结构包括圆柱结构。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一正面结构和所述第二正面结构之间具有第一间隔槽，所述第一背面结构和所述第二背面结构之间具有第二间隔槽；
优选的，所述导电结构在所述半导体衬底层表面的正投影位于所述第一间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影与所述第二间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影之间；
优选的，所述导电结构在所述半导体衬底层表面的正投影与所述第一间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影之间的间距为1毫米至5毫米；所述导电结构在所述半导体衬底层表面的正投影与所述第二间隔槽在所述半导体衬底层表面的正投影之间的间距为1毫米至5毫米；
优选的，所述第一间隔槽的宽度为20微米～100微米；所述第二间隔槽的宽度为20微米～100微米。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一正栅线电极包括第一正面主栅线电极；所述第二背栅线电极包括第二背面主栅线电极；所述导电结构的一端与所述第一正面主栅线电极连接，所述导电结构的另一端与所述第二背面主栅线电极连接；
优选的，所述第一正栅线电极还包括第一正面副栅线电极，所述第一正面副栅线电极与所述第一正面主栅线电极连接；所述第二背栅线电极还包括第二背面副栅线电极，所述第二背面副栅线电极与所述第二背面主栅线电极连接；所述导电结构与所述第一正面副栅线电极间隔，所述导电结构与所述第二背面副栅线电极间隔；
优选的，所述第二正栅线电极包括第二正面主栅线电极和第二正面副栅线电极，所述第二正面副栅线电极与所述第二正面主栅线电极连接；所述第一背栅线电极包括第一背面主栅线电极和第一背面副栅线电极，所述第一背面副栅线电极与所述第一背面主栅线电极连接；
优选的，所述第二正面主栅线电极的延伸方向平行于所述第一正面主栅线电极的延伸方向，所述第二背面主栅线电极的延伸方向平行于所述第一背面主栅线电极的延伸方向；所述第二正面副栅线电极的延伸方向平行于所述第一正面副栅线电极的延伸方向，所述第二背面副栅线电极的延伸方向平行于所述第一背面副栅线电极的延伸方向；
优选的，在平行于所述第一正面主栅线电极的宽度方向上，所述导电结构的尺寸小于或等于所述第一正面主栅线电极的宽度；在平行于所述第二背面主栅线电极的宽度方向上，所述导电结构的尺寸小于或等于所述第二背面主栅线电极的宽度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，
所述第一正面结构还包括：第一正面半导体层；位于所述第一正面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第一正面透明导电层；
所述第二背面结构还包括：第二背面半导体层；位于所述第二背面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第二背面透明导电层；
所述第一正栅线电极位于所述第一正面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧；所述第二背栅线电极位于所述第二背面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧；所述导电结构贯穿所述半导体衬底层、第一正面半导体层、第一正面透明导电层、第二背面半导体层和第二背面透明导电层；
优选的，所述第二正面结构还包括：第二正面半导体层；位于所述第二正面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第二正面透明导电层；所述第一背面结构还包括：第一背面半导体层；位于所述第一背面半导体层背向所述半导体衬底层一侧的第一背面透明导电层；
所述第二正栅线电极位于所述第二正面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧；所述第一背栅线电极位于所述第一背面透明导电层背向所述半导体衬底层的一侧。
6.一种太阳能电池的制备方法，包括：提供半导体衬底层，其特征在于，还包括：
沿着所述半导体衬底层的正面形成间隔设置的第一正面结构和第二正面结构，所述第一正面结构包括第一正栅线电极，所述第二正面结构包括第二正栅线电极；
沿着所述半导体衬底层的背面形成间隔设置的第一背面结构和第二背面结构，所述第一背面结构与所述第一正面结构相对设置，所述第二正面结构与所述第二背面结构相对设置；所述第一背面结构包括第一背栅线电极，所述第二背面结构包括第二背栅线电极；
形成导电结构，所述导电结构贯穿所述半导体衬底层且延伸至部分第一正面结构和部分第二背面结构中，所述导电结构的一端与所述第一正栅线电极连接且与所述第二正栅线电极间隔，所述导电结构的另一端与所述第二背栅线电极连接且与所述第一背栅线电极间隔。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一正面结构和第二正面结构的步骤包括：在所述半导体衬底层的正面依次形成初始正面半导体层、初始正面透明导电层和初始正栅线电极；对所述初始正栅线电极、初始正面透明导电层和所述初始正面半导体层进行切割，使所述初始正面半导体层形成间隔的第一正面半导体层和第二正面半导体层，使所述初始正面透明导电层形成间隔的第一正面透明导电层和第二正面透明导电层，使所述初始正栅线电极形成间隔的第一正栅线电极和第二正栅线电极，所述第一正面半导体层、所述第一正面透明导电层和所述第一正栅线电极相对设置，所述第二正面半导体层、所述第二正面透明导电层和所述第二正栅线电极相对设置；
形成所述第一背面结构和第二背面结构的步骤包括：在所述半导体衬底层的背面依次形成初始背面半导体层、初始背面透明导电层和初始背栅线电极；对所述初始背栅线电极、初始背面透明导电层和初始背面半导体层进行切割，使所述初始背面半导体层形成间隔的第一背面半导体层和第二背面半导体层，使初始背面透明导电层形成间隔的第一背面透明导电层和第二背面透明导电层，使初始背栅线电极形成间隔的第一背栅线电极和第二背栅线电极；所述第一背面半导体层、所述第一背面透明导电层和所述第一背栅线电极相对设置，所述第二背面半导体层、所述第二背面透明导电层和所述第二背栅线电极相对设置；
优选的，对所述初始正栅线电极、初始正面透明导电层和所述初始正面半导体层进行切割的工艺包括激光切割工艺；
优选的，对所述初始背栅线电极、初始背面透明导电层和初始背面半导体层进行切割的工艺包括激光切割工艺。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述导电结构的步骤包括：在形成所述初始正栅线电极和所述初始背栅线电极之前，在所述半导体衬底层、初始正面半导体层、初始正面透明导电层、初始背面半导体层和初始背面透明导电层中形成通孔；在所述通孔中形成所述导电结构；
优选的，形成所述通孔的工艺包括激光打孔工艺；
优选的，所述激光打孔工艺的参数包括：脉冲宽度为10ns～200ns，脉冲频率为10kHz～500kHz，激光光斑直径小于等于20微米；激光功率为9W～12W；优选的，所述激光打孔工艺的参数还包括：激光波长为532纳米。
9.一种太阳能电池组件，其特征在于，包括：若干如权利要求1至8任意一项所述的太阳能电池。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池组件，其特征在于，若干太阳能电池串联连接；所述太阳能电池组件还包括：连接相邻太阳能电池的焊带；
对于连接任意相邻的两个太阳能电池之间的焊带，焊带的一部分与一个太阳能电池的第二正栅线电极连接，焊带的另一部分与另一个太阳能电池的第一背栅线电极连接；所述焊带与所述第一正栅线电极的重叠面积为零，所述焊带与所述第二背栅线电极的重叠面积为零。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001156026A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Canon Inc 半導体素子及びその製造方法
WO2012035780A1 (ja) * 2010-09-16 2012-03-22 三洋電機株式会社 光電変換装置
JP2013055294A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN107210327A (zh) * 2014-12-03 2017-09-26 索里布罗研究公司 光伏模块及用于产生其的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001156026A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Canon Inc 半導体素子及びその製造方法
WO2012035780A1 (ja) * 2010-09-16 2012-03-22 三洋電機株式会社 光電変換装置
JP2013055294A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
CN107210327A (zh) * 2014-12-03 2017-09-26 索里布罗研究公司 光伏模块及用于产生其的方法

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