CN112877696B - 碱性蚀刻氧含量控制方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 255
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 137
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 137
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical group 0.000 claims abstract description 128
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 38
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 16
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 16
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010010904 Convulsion Diseases 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000036461 convulsion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- -1 ten sample PCB sets Chemical class 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/34—Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/002—Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/061—Etching masks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种碱性蚀刻氧含量控制方法、装置、设备及存储介质，属于控制技术领域。本发明的碱性蚀刻氧含量控制方法包括选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB；根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间；获取每一样本PCB组的第一厚度；根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量。这种碱性蚀刻氧含量控制方法能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及控制技术领域，尤其涉及一种碱性蚀刻氧含量控制方法、装置、设备及存储介质。
背景技术
目前，在使用碱性药水对PCB板进行蚀刻过程中，往往无法有效地对氧含量进行控制，会影响蚀刻稳定性，因此，如何对碱性蚀刻的氧含量进行有效地控制，提高蚀刻稳定性，成为了亟待解决的问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种碱性蚀刻氧含量控制方法，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
本发明还提出一种具有上述碱性蚀刻氧含量控制方法的控制装置。
本发明还提出一种具有上述碱性蚀刻氧含量控制方法的电子设备。
本发明还提出一种具有上述碱性蚀刻氧含量控制方法的计算机可读存储介质。
根据本发明的第一方面实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法，包括：
选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB；
根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间；
获取每一所述样本PCB组的第一厚度；
根据所述第一厚度、预设的第二厚度以及所述蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图；
根据所述关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制所述抽风量和所述鼓气量。
根据本发明实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法，至少具有如下有益效果：这种碱性蚀刻氧含量控制方法通过选取至少十个样本PCB组，根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，获取每一样本PCB组的第一厚度，根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量，从而实现对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
根据本发明的一些实施例，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间之前，包括：
分别测量每个样本PCB组中每一样本PCB的厚度，得到每个所述样本PCB组的第二厚度。
根据本发明的一些实施例，所述根据所述第一厚度、预设的第二厚度以及所述蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，包括：
根据所述第一厚度、所述第二厚度、所述蚀刻时间以及计算公式，计算每个所述样本PCB组的蚀刻速率，其中，所述计算公式为Y＝(A-B)/T，Y为蚀刻速率，A为第一厚度，B为第二厚度，T为蚀刻时间；
根据每个所述样本PCB组的蚀刻速率与氧含量的对应关系，绘制所述蚀刻速率与所述氧含量的关系曲线图。
根据本发明的一些实施例，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间，包括：
获取当前风速；
根据所述当前风速改变电磁阀的开闭状态；
根据所述开闭状态调整所述抽风量。
根据本发明的一些实施例，所述根据所述开闭状态调整所述抽风量，还包括：
若所述抽风量大于第一预设阈值时，减小所述电磁阀的打开程度；
若所述抽风量小于第二预设阈值时，增大所述电磁阀的打开程度。
根据本发明的一些实施例，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间，还包括：
调节电机的工作参数，所述工作参数包括电机转速；
根据所述电机转速，调整所述鼓气量。
根据本发明的一些实施例，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间之前，还包括：
将氧含量梯度设置为十个梯度；
每一所述氧含量梯度下的抽风量和鼓气量和前一所述氧含量梯度的抽风量和鼓气量按照预设差值依次递增。
根据本发明的第二方面实施例的控制装置，包括：
第一获取模块，用于选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB；
第一处理模块，用于根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间；
第二获取模块，用于获取每一所述样本PCB组的第一厚度；
第二处理模块，用于根据所述第一厚度、预设的第二厚度以及所述蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图；
控制模块，用于根据所述关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制所述抽风量和所述鼓气量。
根据本发明实施例的控制装置，至少具有如下有益效果：这种控制装置通过第一获取模块选取至少十个样本PCB组，第一处理模块根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，第二获取模块获取每一样本PCB组的第一厚度，第二处理模块根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，控制模块根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量，从而实现对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
根据本发明的第三方面实施例的电子设备，包括：
至少一个处理器，以及，
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行所述指令时实现如第一方面实施例所述的碱性蚀刻氧含量控制方法。
根据本发明实施例的电子设备，至少具有如下有益效果：这种电子设备采用上述碱性蚀刻氧含量控制方法，通过选取至少十个样本PCB组，根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，获取每一样本PCB组的第一厚度，根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量，从而实现对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
根据本发明的第四方面实施例的计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如第一方面实施例所述的碱性蚀刻氧含量控制方法。
根据本发明实施例的计算机可读存储介质，至少具有如下有益效果：这种计算机可读存储介质采用上述碱性蚀刻氧含量控制方法，通过选取至少十个样本PCB组，根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，获取每一样本PCB组的第一厚度，根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量，从而实现对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明做进一步的说明，其中：
图1为本发明实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法的流程图；
图2为本发明另一实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法的流程图；
图3为本发明另一实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法的流程图；
图4为本发明另一实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法的流程图；
图5为本发明另一实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法的流程图；
图6为本发明另一实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法的流程图；
图7为本发明另一具体实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法的蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图；
图8为本发明实施例的控制装置的结构示意图。
附图标记：810、第一获取模块；820、第一处理模块；830、第二获取模块；840、第二处理模块；850、控制模块。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
本发明的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
第一方面，参照图1，本发明实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法包括：
S100，选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB；
S200，根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间；
S300，获取每一样本PCB组的第一厚度；
S400，根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图；
S500，根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量。
由于目前对PCB的碱性蚀刻，主要是通过碱性蚀刻药水产生的化学反应形成反应循环，即通过铜与二价铜氨络合物(氯化四氨合铜)反应生成一价铜氨络合物(氯化二氨合铜)，一价铜氨络合物(氯化二氨合铜)与过量氨水、氧气、氯化铵反应，再生为氯化四氨合铜，形成反应循环，因此在对PCB进行蚀刻过程中，氧气的含量过高或者过低都会对蚀刻稳定性产生影响，因此，需要对碱性蚀刻的氧含量进行有效地控制，以调节蚀刻速率，从而提高蚀刻稳定性。
在对PCB进行碱性蚀刻时，首先选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB，例如，选取十个样本PCB组，每个样本PCB组包括20个样本PCB。需要说明的是，这些样本PCB的两面都覆盖有铜箔，例如，可以选取尺寸为18*24英寸，单面的铜箔厚度为2盎司的样本PCB。由于单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量与单位时间的抽风量、蚀刻缸在单位时间内的鼓气量、鼓气口数量、蚀刻喷淋结构、单位时间蚀刻药水循环量、蚀刻药水加药方式等待都有直接关联，因此可以选择控制其中的部分变量保持不变，而通过选择改变其中的部分变量来改变单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量。因此，可以根据预设的氧含量梯度，分别设置每一氧含量梯度下的抽风量及鼓气量，例如根据氧含量递增的顺序，依次设置10个氧含量梯度，对应设置每一氧含量梯度下的抽风量和鼓气量来确定每一氧含量梯度下的氧含量多少，进而，根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，具体地，在某一氧含量梯度下，使一个样本PCB组按照蚀刻1盎司铜箔厚度的速度通过碱性蚀刻线，并在这一过程中，保证抽风量和鼓气量保持恒定，记录对该样本PCB组蚀刻的时间，即该样本PCB组从进入蚀刻段到离开蚀刻段所经历的时长，同样地，在每一氧气含量梯度下，选择一个样本PCB组进行相同的操作，可以制备出不同样本PCB组，需要说明的是，在根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理之前，还需要计算出每个样本PCB组在蚀刻之前的第二厚度，其中，第二厚度是每个样本PCB组的PCB的铜箔的平均厚度，在对每个样本PCB组进行蚀刻处理之后，还需要计算出每个样本PCB组的第一厚度，其中，第一厚度是该样本PCB组经过蚀刻处理之后的样本PCB的铜箔的平均厚度，从而，通过根据第一厚度、第二厚度以及蚀刻时间计算，可以得到对每个样本PCB组的蚀刻速率，根据不同样本PCB组在不同氧含量梯度下的蚀刻速率，可以绘制出蚀刻速率与单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量之间的关系曲线图，进一步地，还可以根据这一关系曲线图推导出蚀刻速率与单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量的关系式，因此，可以预先设定出蚀刻速率的范围，根据关系曲线图反映出速率与单位时间的氧含量的对应关系，可以方便地确定出单位时间的氧含量的合理范围，从而通过控制抽风量和鼓气量，调节单位时间的氧含量来对待蚀刻的PCB进行蚀刻处理，这种方法实现了对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
参照图2，在一些实施例中，步骤S200之前，包括：
S110，将氧含量梯度设置为十个梯度；
S120，每一氧含量梯度下的抽风量和鼓气量和前一氧含量梯度的抽风量和鼓气量按照预设差值依次递增。
由于单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量与单位时间的抽风量、蚀刻缸在单位时间内的鼓气量、鼓气口数量、蚀刻喷淋结构、单位时间蚀刻药水循环量、蚀刻药水加药方式等待都有直接关联，因此可以选择控制其中的部分变量保持不变，而通过选择改变其中的部分变量来改变单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量。因此，可以根据预设的氧含量梯度顺序，分别设置每一氧含量梯度下的抽风量及鼓气量，即将氧含量梯度设置为十个梯度，同时，每一氧含量梯度下的抽风量和鼓气量和前一氧含量梯度下的抽风量和鼓风量按照预设差值依次递增，需要说明的是，可以将每一氧含量梯度下的抽风量和鼓气量设置为相同数值，这样能够使得抽风和鼓气处于平衡状态，例如，这10个氧含量梯度下的抽风量/鼓气量可以依次为5、10、15、20、25、30、35、40、45、50立方英尺/分钟，在每一氧气梯度下提供对应数值的抽风量及鼓气量，使每个样本PCB组按照蚀刻1盎司铜箔厚度的速度通过碱性蚀刻线，从而对每个样本PCB组进行蚀刻处理，制备出不同样本PCB，另外，在蚀刻之前计算出每个样本PCB组的第二厚度，在对每个样本PCB组进行蚀刻处理之后，计算出每个样本PCB组的第一厚度，从而，通过根据第一厚度、第二厚度以及蚀刻时间计算，可以得到对每个样本PCB组的蚀刻速率，根据不同样本PCB组在不同氧含量梯度下的蚀刻速率，可以绘制出蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，从而在对PCB进行蚀刻处理时，预先设定出蚀刻速率的范围，根据关系曲线图反映出速率与单位时间的氧含量的对应关系，确定出单位时间的氧含量的合理范围，从而通过控制抽风量和鼓气量，调节单位时间的氧含量，这种方法实现了对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
参照图3，在一些实施例中，步骤S200，包括：
S210，获取当前风速；
S220，根据当前风速改变电磁阀的开闭状态；
S230，根据开闭状态调整抽风量。
为了实现对抽风量的控制，需要在蚀刻缸的抽风管中安装风速仪和电磁阀，这样通过风速仪可以方便地获取当前风速，从而根据当前风速改变电磁阀的开闭状态，从而控制抽风量，同时，还可以通过控制系统输出脉冲信号改变电机的转速、转动角度，调节抽风口的开口大小，需要说明的是，这里的电机具体为抽风机，进而实现对单位时间内的抽风量的调节，需要说明的是，控制系统输出脉冲信号的变化可以是通过改变脉冲频率或者脉冲大小等来改变电机的转速和转动角度等等，不限于此。为了进一步地提高蚀刻稳定性，还可以通过实时监控电机转速的变化来判断是否出现异常，同时也可以实时监控抽风量是否处于合理的范围之内，从而判断蚀刻稳定性，例如，当电机转速或者抽风量超出合理范围时，表明出现异常状态，这时可以通过发出报警信息来提示反馈，及时排除异常，提高蚀刻稳定性。
参照图4，在一些实施例中，步骤S230，包括：
S231，若抽风量大于第一预设阈值时，减小电磁阀的打开程度；
S232，若抽风量小于第二预设阈值时，增大电磁阀的打开程度。
为了进一步地提高蚀刻稳定性，还可以设置反馈调节的机制，若监测到抽风量大于第一预设阈值时，减小电磁阀的打开程度，从而使得单位时间内的抽风量减小，若监测到小于第二预设阈值时，增大电磁阀的打开程度，从而使得单元时间内的抽风量增大，即抽风量超出合理范围时，可以根据实际情况改变电磁阀的打开程度，从而使得抽风量可以较快地恢复到合理范围，从而保证蚀刻稳定性。
需要说明的是，第一预设阈值和第二预设阈值根据实际情况进行设置，不做限制，其中，第一预设阈值大于第二预设阈值，第一预设阈值和第二预设阈值所形成的区间即为抽风量的合理范围。
参照图5，在一些实施例中，步骤S200，包括：
S240，调节电机的工作参数，工作参数包括电机转速；
S250，根据电机转速，调整鼓气量。
为了实现对鼓气量的控制，需要在蚀刻缸的底部安装若干塑胶气管，这些塑胶气管的一端封闭，另一端均连接鼓风机，每一塑胶气管上开设有若干单向通气孔，从而根据预设的氧含量梯度顺序，通过控制系统输出信号控制鼓风机的转速，进而实现对单位时间内的抽风量大小的调节，为了进一步地提高蚀刻稳定性，还可以通过实时监控电机转速的变化来判断是否出现异常，同时也可以实时监控鼓气量是否处于合理的范围之内，从而判断蚀刻稳定性，例如，当电机转速或者鼓气量超出合理范围时，表明出现异常状态，这时可以通过发出报警信息来提示反馈，及时排除异常，提高蚀刻稳定性。
在一些实施例中，步骤S200之前，还包括：
S130，分别测量每个样本PCB组中每一样本PCB的厚度，得到每个样本PCB组的第二厚度。
为了提高对氧含量控制的精准度，在根据每一抽风量及鼓气量，在对每个样本PCB组进行蚀刻处理之前，还需要计算出每个样本PCB组的第二厚度，其中，第二厚度是该样本PCB组中的样本PCB的铜箔的平均厚度，即通过测量每个样本PCB组中的每一样本PCB上若干检测点的铜箔厚度，求取平均值，从而得到每个样本PCB组的第二厚度，例如，可以使用CMI铜厚测量仪在每一样本PCB的每一面均匀选取121个检测点，测量该检测点的铜箔厚度，求取平均值得到每一样本PCB的铜箔厚度，从而再对该样本PCB组内的所有样本PCB求取平均值，得到每个样本PCB组的第二厚度，同时，在对每个样本PCB组进行蚀刻处理之后，也计算出每个样本PCB组的第一厚度，其中，第一厚度是该样本PCB组经过蚀刻处理之后的样本PCB的铜箔的平均厚度，即通过测量每个样本PCB组中的每一样本PCB上若干检测点的铜箔厚度，求取平均值，从而得到每个样本PCB组的第一厚度，例如，使用CMI铜厚测量仪在每一样本PCB的每一面上相同位置的121个检测点处测量该检测点的铜箔厚度，求取平均值得到每一样本PCB的铜箔厚度，从而再对该样本PCB组内的所有样本PCB求取平均值，得到每个样本PCB组的第一厚度，这样能够提高测量准确性，从而提高对氧含量控制的精准度。
参照图6和图7，在一些实施例中，步骤S400，包括：
S410，根据第一厚度、第二厚度、蚀刻时间以及计算公式，计算每个样本PCB组的蚀刻速率，其中，计算公式为Y＝(A-B)/T，Y为蚀刻速率，A为第一厚度，B为第二厚度，T为蚀刻时间；
S420，根据每个样本PCB组的蚀刻速率与氧含量的对应关系，绘制蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图。
为了方便在对PCB进行蚀刻处理过程中控制氧含量，可以根据第一厚度、第二厚度、蚀刻时间以及计算公式，计算每个样本PCB组的蚀刻速率，具体地，计算公式为Y＝(A-B)/T，Y为蚀刻速率，A为第一厚度，B为第二厚度，T为蚀刻时间，这样可以得到每个样本PCB组的蚀刻速率，根据不同样本PCB组在不同氧含量梯度下的蚀刻速率，可以绘制出蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，例如图7，是根据10个氧含量梯度(这10个氧含量梯度下的抽风量/鼓气量依次为5、10、15、20、25、30、35、40、45、50立方英尺/分钟)对10个样本PCB组进行蚀刻处理之后，得到的蚀刻速率与单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量之间的关系曲线图。进一步地，还可以根据这一关系曲线图推导出蚀刻速率与单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量的关系式，因此，在对PCB进行蚀刻处理时，预先设定出蚀刻速率的范围，根据关系曲线图反映出速率与单位时间的氧含量的对应关系，可以方便地确定出单位时间的氧含量的合理范围，从而通过控制抽风量和鼓气量，调节单位时间的氧含量，这种方法实现了对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
第二方面，参照图8，本发明实施例的控制装置包括：
第一获取模块810，用于选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB；
第一处理模块820，用于根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间；
第二获取模块830，用于获取每一样本PCB组的第一厚度；
第二处理模块840，用于根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图；
控制模块850，用于根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量。
在对PCB进行碱性蚀刻时，第一获取模块810首先选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB，例如，选取十个样本PCB组，每个样本PCB组包括20个样本PCB。需要说明的是，这些样本PCB的两面都覆盖有铜箔。根据预设的氧含量梯度，分别设置每一氧含量梯度下的抽风量及鼓气量，进而，第一处理模块820根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，具体地，在某一氧含量梯度下，使一个样本PCB组按照蚀刻1盎司铜箔厚度的速度通过碱性蚀刻线，并在这一过程中，保证抽风量和鼓气量保持恒定，记录对该样本PCB组蚀刻的时间，即该样本PCB组从进入蚀刻段到离开蚀刻段所经历的时长，同样地，在每一氧气含量梯度下，选择一个样本PCB组进行相同的操作，可以制备出不同样本PCB组，需要说明的是，在根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理之前，还需要计算出每个样本PCB组在蚀刻之前的第二厚度，其中，第二厚度是每个样本PCB组的PCB的铜箔的平均厚度，在对每个样本PCB组进行蚀刻处理之后，第二获取模块830还需要计算出每个样本PCB组的第一厚度，其中，第一厚度是该样本PCB组经过蚀刻处理之后的样本PCB的铜箔的平均厚度，从而，第二处理模块840通过根据第一厚度、第二厚度以及蚀刻时间计算，可以得到对每个样本PCB组的蚀刻速率，根据不同样本PCB组在不同氧含量梯度下的蚀刻速率，可以绘制出蚀刻速率与单位时间内碱性蚀刻药水的氧含量之间的关系曲线图，因此，控制模块850可以预先设定出蚀刻速率的范围，根据关系曲线图反映出速率与单位时间的氧含量的对应关系，可以方便地确定出单位时间的氧含量的合理范围，从而通过控制抽风量和鼓气量，调节单位时间的氧含量来对待蚀刻的PCB进行蚀刻处理，这种方法实现了对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
第三方面，本发明实施例的电子设备，包括至少一个处理器，以及与至少一个处理器通信连接的存储器；其中，存储器存储有指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器执行指令时实现如第一方面实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法。
根据本发明实施例的电子设备，至少具有如下有益效果：这种电子设备采用上述碱性蚀刻氧含量控制方法，通过选取至少十个样本PCB组，根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，获取每一样本PCB组的第一厚度，根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量，从而实现对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
第四方面，本发明还提出一种具有上述碱性蚀刻氧含量控制方法的计算机可读存储介质。计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，计算机可执行指令用于使计算机执行如第一方面实施例的碱性蚀刻氧含量控制方法。
根据本发明实施例的计算机可读存储介质，至少具有如下有益效果：这种计算机可读存储介质采用上述碱性蚀刻氧含量控制方法，通过选取十个至少样本PCB组，根据预设的抽风量及鼓气量，分别对每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个样本PCB组的蚀刻时间，获取每一样本PCB组的第一厚度，根据第一厚度、预设的第二厚度以及蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，根据关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制抽风量和鼓气量，从而实现对碱性蚀刻的氧含量的控制调节，能够有效地控制碱性蚀刻的氧含量，提高蚀刻稳定性。
上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本发明的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
Claims (10)
1.碱性蚀刻氧含量控制方法，其特征在于，包括：
选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB；
根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间；
获取每一所述样本PCB组的第一厚度；
根据所述第一厚度、预设的第二厚度以及所述蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图；
根据所述关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制所述抽风量和所述鼓气量。
2.根据权利要求1所述的碱性蚀刻氧含量控制方法，其特征在于，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间之前，包括：
分别测量每个样本PCB组中每一样本PCB的厚度，得到每个所述样本PCB组的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的碱性蚀刻氧含量控制方法，其特征在于，所述根据所述第一厚度、预设的第二厚度以及所述蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图，包括：
根据所述第一厚度、所述第二厚度、所述蚀刻时间以及计算公式，计算每个所述样本PCB组的蚀刻速率，其中，所述计算公式为Y＝(A-B)/T，Y为蚀刻速率，A为第一厚度，B为第二厚度，T为蚀刻时间；
根据每个所述样本PCB组的蚀刻速率与氧含量的对应关系，绘制所述蚀刻速率与所述氧含量的关系曲线图。
4.根据权利要求3所述的碱性蚀刻氧含量控制方法，其特征在于，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间，包括：
获取当前风速；
根据所述当前风速改变电磁阀的开闭状态；
根据所述开闭状态调整所述抽风量。
5.根据权利要求4所述的碱性蚀刻氧含量控制方法，其特征在于，所述根据所述开闭状态调整所述抽风量，还包括：
若所述抽风量大于第一预设阈值时，减小所述电磁阀的打开程度；
若所述抽风量小于第二预设阈值时，增大所述电磁阀的打开程度。
6.根据权利要求3所述的碱性蚀刻氧含量控制方法，其特征在于，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间，还包括：
调节电机的工作参数，所述工作参数包括电机转速；
根据所述电机转速，调整所述鼓气量。
7.根据权利要求1至6任一项所述的碱性蚀刻氧含量控制方法，其特征在于，所述根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间之前，还包括：
将氧含量梯度设置为十个梯度；
每一所述氧含量梯度下的抽风量和鼓气量和前一所述氧含量梯度的抽风量和鼓气量按照预设差值依次递增。
8.控制装置，其特征在于，包括：
第一获取模块，用于选取至少十个样本PCB组，其中，每个样本PCB组包括有至少两个样本PCB；
第一处理模块，用于根据预设的抽风量及鼓气量，分别对所述每个样本PCB组进行蚀刻处理，记录每个所述样本PCB组的蚀刻时间；
第二获取模块，用于获取每一所述样本PCB组的第一厚度；
第二处理模块，用于根据所述第一厚度、预设的第二厚度以及所述蚀刻时间，得到蚀刻速率与氧含量之间的关系曲线图；
控制模块，用于根据所述关系曲线图和预设的蚀刻速率，控制所述抽风量和所述鼓气量。
9.电子设备，其特征在于，包括：
至少一个处理器，以及，
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器执行所述指令时实现如权利要求1至7任一项所述的碱性蚀刻氧含量控制方法。
10.计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行如权利要求1至7任一项所述的碱性蚀刻氧含量控制方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110153505.1A CN112877696B (zh) | 2021-02-04 | 2021-02-04 | 碱性蚀刻氧含量控制方法、装置、设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110153505.1A CN112877696B (zh) | 2021-02-04 | 2021-02-04 | 碱性蚀刻氧含量控制方法、装置、设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112877696A CN112877696A (zh) | 2021-06-01 |
| CN112877696B true CN112877696B (zh) | 2023-05-16 |
Family
ID=76057181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110153505.1A Active CN112877696B (zh) | 2021-02-04 | 2021-02-04 | 碱性蚀刻氧含量控制方法、装置、设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112877696B (zh) |
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2021
- 2021-02-04 CN CN202110153505.1A patent/CN112877696B/zh active Active
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|---|---|
| CN112877696A (zh) | 2021-06-01 |
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| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |