CN112864323A - 一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 6
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical group ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000005527 interface trap Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
本发明公开了一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，包括步骤：1)选择合适的衬底，裁剪后清洗；2)对衬底表面进行绝缘聚合物修饰；3)在绝缘聚合物修饰后的衬底上真空蒸镀有机半导体材料；4)使用掩膜版，在有机半导体层上蒸镀金作为源极、漏极得到有机场效应晶体管；5)在有机场效应晶体管沟道内掺杂，真空蒸镀P型掺杂剂分子。本发明通过借助有机半导体掺杂的手段，提高有机场效应晶体管的器件性能，在保证开关比基本保持不变的情况下，提高迁移率，减低阈值电压。
Description
技术领域
本发明属于有机电子学技术领域，具体涉及一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法。
背景技术
场效应晶体管(FET)作为一种有源三端器件，可以通过栅极电压实现对源漏极之间电流的控制，在半导体领域发挥着至关重要的作用。在发光二极管(LED)或者OLED显示器，固态硬盘及内存等存储器、集成电路等的生产研发中均能看到它的身影。相比于无机电子器件，有机电子器件有以下优势:1)可以进行溶液加工，意味着在制造业生产过程中，能更加便捷高效地进行大面积生产，节约材料损耗，降低成本；2)易于对器件进行调控，通过对原材料进行化学改性，或者是在得到器件之后进行物理化学优化，如退火、掺杂等，可以大幅度提高器件性能；3)可以进行柔性加工，这一特性可以为柔性器件、折叠曲面屏幕、可穿戴设备提供良好基础。基于这些优势，有机器件及其性能优化近年来一直是研究的热点，在未来也拥有着广阔的使用前景。
但是，在OFETs领域，与无机晶体管相比仍然存在着较大的性能差距。目前主要制约OFETs大规模使用的关键因素在于有机器件性能与无机器件还存在着很大的差距，包括器件的迁移率、阈值电压、开关比和稳定性等性能参数。低迁移率制约了器件的响应速度，高阈值电压制约了器件在微电子电路中的使用。
无机物的掺杂对于传统无机器件性能的提高在历史上具有重要的意义，对有机物亦然，如何使用掺杂提高OFETs性能的研究从未停止。有机掺杂是被广泛使用的一种技术，与无机的情况类似，均是通过物理化学手段，在本体材料中添加掺杂剂，被用来提升电荷的传输性能或者减少接触电阻。掺杂不仅仅可以提升器件的电导率等性能，还可以对OFETs进行特定的调控来开发特定用途的器件，提升器件的稳定性。一方面，掺杂层相比有机层具有更高的导电性，有助于减小载流子在有机层内输运中由欧姆接触引起的电流损失；另一方面，掺杂层可以在OFETs结构中形成良好的接触材料，降低由于功函数不匹配导致的传输势垒。
参考文献：
1.Z.Bao，A.Dodabalapur,A.J.Lovinger,Soluble and processableregioregular poly(3-hexylthiophene)for thin film field-effect transistorapplications with high mobility.Applied Physics Letters 69,4108-4110(1996).
2.H.Sirringhaus，N.Tessler，R.H.Friend，Integrated optoelectronicdevices based on conjugated polymers.Science 280，1741-1744(1998).
3.Y.Hu，L.Bu，X.Wang，L.Zhou，G.Lu，Field-Effect Charge Transport in DopedPolymer Semiconductor-Insulator Alternating Bulk Junctions with UltrathinTransport Layers.ACS Appl Mater Interfaces 10，39091-39099(2018).
4.P.Pingel,L.Zhu,K.S.Park,J.-O.Vogel，S.Janietz,E.-G.Kim,J.P.Rabe,J.-L.Brédas,N.Koch,Charge-Transfer Localization in Molecularly Doped Thiophene-Based Donor Polymers.The Journal of Physical Chemistry Letters 1,2037-2041(2010).
5.I.E.Jacobs,A.J.Moule,Controlling Molecular Doping in OrganicSemiconductors.Adv Mater 29，(2017).
6.B.Lussem,C.M.Keum,D.Kasemann，B.Naab,Z.Bao,K.Leo，Doped OrganicTransistors.Chem Rev 116,13714-13751(2016).
7.T.
C.Vanoni，C.
T.A.Jung，S.Tsujino，Surface doping inpentacene thin-film transistors with few monolayer thick channels.AppliedPhysics Letters 101，033305(2012).
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，利用掺杂的手段对有机场效应晶体管性能进行调控，得到理想的器件性能。
为达到上述目的，本发明采用如下的技术方案实现：
一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：
1)选择合适的衬底，裁剪后清洗；
2)对衬底表面进行绝缘聚合物修饰；
3)在绝缘聚合物修饰后的衬底上真空蒸镀有机半导体材料；
4)使用掩膜版，在有机半导体层上蒸镀金作为源极、漏极得到有机场效应晶体管；
5)在有机场效应晶体管沟道内掺杂，真空蒸镀P型掺杂剂分子。
本发明进一步的改进在于，步骤1)所用的衬底是重掺杂的P型Si衬底，其表面生长100-300nm的二氧化硅为绝缘层。
本发明进一步的改进在于，步骤2)所用的绝缘聚合物为聚苯乙烯。
本发明进一步的改进在于，步骤3)所用有机半导体材料为C12-BTBT。
本发明进一步的改进在于，步骤5)所用掺杂剂分子材料为F4-TCNQ和CN6-CP。
本发明进一步的改进在于，蒸镀速度C12-BTBT为
金为
掺杂剂分子为
本发明进一步的改进在于，有机半导体层的厚度为20nm，金的厚度为500nm，掺杂剂厚度为2nm。
相对于现有技术，本发明至少具有如下的有益效果：
本发明提供的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，P型掺杂剂与P型半导体复合后，可夺走P型半导体HOMO能级的电子，在HOMO能级处形成空穴。因而半导体在无栅极电压作用的情况下，在沟道内已具有可自由移动的载流子。此部分载流子可填充半导体/绝缘体界面陷阱，引起晶体管在0V栅极电压附近迅速开启，进而降低晶体管的阈值电压。在栅极电压作用下，此部分载流子和栅极电压感应的载流子共同形成传输电流，因而可形成晶体管视在迁移率的提升。
本发明可以进一步提高有机场效应晶体管的空穴迁移率；
本发明可以进一步降低有机场效应晶体管的阈值电压，降低能耗。
附图说明
图1为实施例1中掺杂前L＝100um的晶体管的转移曲线图。
图2为实施例1中掺杂前L＝100um的晶体管的输出曲线图。
图3为实施例1中掺杂2nm厚度的F4-TCNQ，L＝100um的晶体管的转移曲线图。
图4为实施例1中掺杂2nm厚度的F4-TCNQ，L＝100um的晶体管的输出曲线图。
图5为实施例2中掺杂前L＝100um的晶体管的转移曲线图。
图6为实施例2中掺杂前L＝100um的晶体管的输出曲线图。
图7为实施例2中掺杂2nm厚度的CN6-CP，L＝100um的晶体管的转移曲线图。
图8为实施例2中掺杂2nm厚度的CN6-CP，L＝100um的晶体管的输出曲线图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
实施例1：
本实施例以重掺杂的P型Si为衬底，其表面生长300nm的二氧化硅为绝缘层，聚苯乙烯修饰衬底，有机半导体层为C12-BTBT，掺杂剂分子为F4-TCNQ，具体步骤如下：
1)衬底清洗
将衬底裁为2.2×2.2cm，依次用水、丙酮、异丙醇超声清洗各两次，每次10min，之后用氮气吹干。
2)衬底表面修饰
在步骤1)清洗干净的衬底上旋涂聚苯乙烯溶液，溶剂为邻二氯苯，浓度为5mg/ml，转速为2000rad/s。
3)蒸镀有机半导体材料
将步骤2)中得到的衬底放入真空蒸镀仪里，以
的速度蒸镀C12-BTBT，厚度为20nm。
4)蒸镀电极
将步骤3)中得到的衬底放入真空蒸镀仪里，以
的速度蒸镀金，厚度为500nm，最终得到有机场效应晶体管。
5)有机场效应晶体管沟道P型掺杂
将步骤4)中得到有机场效应晶体管放入真空蒸镀仪里，以
的速度蒸镀F4-TCNQ，厚度为2nm。
5)器件性能测试
利用keysight b2902数字源表对制得的有机晶体管进行测试。
本实例制作的有机场效应晶体管的输出曲线和转移曲线图如图1-图4所示。图1、图3分别为未实施掺杂和掺杂后晶体管的转移曲线，发现图1中未实施掺杂的场效应晶体管在-80V电压作用下的电流为0.8×10-3A，迁移率为6.14cm2v-1s-1，阈值电压为-40V；图3中掺杂后晶体管在-80V电压下的电流为2.2×10-3A，迁移率为6.40cm2v-1s-1，阈值电压为-24V，器件性能明显变好。图2和图4分别为未实施掺杂和掺杂后晶体管的输出曲线，可以发现各工作电压下，图4中实施掺杂后的晶体管的工作电流都更大，晶体管性能得到明显改善。
实施例2：
本实施例以重掺杂的P型Si为衬底，其表面生长100nm的二氧化硅为绝缘层，聚苯乙烯修饰衬底，有机半导体层为C12-BTBT，掺杂剂分子为CN6-CP，具体步骤如下：
1)衬底清洗
将衬底裁为2.2×2.2cm，依次用水、丙酮、异丙醇超声清洗各两次，每次10min，之后用氮气吹干。
2)衬底表面修饰
在步骤1)清洗干净的衬底上旋涂聚苯乙烯溶液，溶剂为邻二氯苯，浓度为5mg/ml，转速为2000rad/s。
3)蒸镀有机半导体材料
将步骤2)中得到的衬底放入真空蒸镀仪里，以
的速度蒸镀C12-BTBT，厚度为20nm。
4)蒸镀电极
将步骤3)中得到的衬底放入真空蒸镀仪里，以
的速度蒸镀金，厚度为500nm，最终得到有机场效应晶体管。
5)有机场效应晶体管沟道P型掺杂
将步骤4)中得到有机场效应晶体管放入真空蒸镀仪里，以
的速度蒸镀CN6-CP，厚度为2nm。
5)器件性能测试
利用keysight b2902数字源表对制得的有机晶体管进行测试。
本实例制作的有机场效应晶体管的输出曲线和转移曲线图如图5-图8所示。图5、图7分别为未实施掺杂和掺杂后晶体管的转移曲线，发现图5中未实施掺杂的场效应晶体管在-80V电压作用下的电流为0.6×10-3A，迁移率为6.94cm2v-1s-1，阈值电压为-43V；图3中掺杂后晶体管在-80V电压下的电流为3.9×10-3A，迁移率为9.6cm2v-1s-1，阈值电压为-4V，器件性能明显变好。图6和图8分别为未实施掺杂和掺杂后晶体管的输出曲线，可以发现各工作电压下，图8中实施掺杂后的晶体管的工作电流都更大，晶体管性能得到明显改善。
Claims (7)
1.一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)选择合适的衬底，裁剪后清洗；
2)对衬底表面进行绝缘聚合物修饰；
3)在绝缘聚合物修饰后的衬底上真空蒸镀有机半导体材料；
4)使用掩膜版，在有机半导体层上蒸镀金作为源极、漏极得到有机场效应晶体管；
5)在有机场效应晶体管沟道内掺杂，真空蒸镀P型掺杂剂分子。
2.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤1)所用的衬底是重掺杂的P型Si衬底，其表面生长100-300nm的二氧化硅为绝缘层。
3.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤2)所用的绝缘聚合物为聚苯乙烯。
4.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤3)所用有机半导体材料为C12-BTBT。
5.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，步骤5)所用掺杂剂分子材料为F4-TCNQ和CN6-CP。
6.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，蒸镀速度C12-BTBT为
金为
掺杂剂分子为
7.根据权利要求1所述的一种利用有机半导体掺杂制备高迁移率晶体管的方法，其特征在于，有机半导体层的厚度为20nm，金的厚度为500nm，掺杂剂厚度为2nm。
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|---|---|
| CN (1) | CN112864323A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013175571A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | National Institute For Materials Science | 有機電界効果トランジスタ |
| CN104254929A (zh) * | 2012-04-05 | 2014-12-31 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 有机场效应晶体管及其制造方法 |
| JP2015088715A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタ |
| JP2017141194A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 有機化合物及びその用途 |
| CN108183119A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-19 | 东南大学 | 一种具有能量分辨的x射线探测器及其探测方法 |
| CN109270131A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-25 | 电子科技大学 | 一种嵌有小分子添加剂的otft氨气传感器及其制备方法 |
| CN110233201A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-09-13 | 中国科学院化学研究所 | 一种六氰基三甲烯环丙烷掺杂酞菁铜的多层薄膜器件 |
| TW201942120A (zh) * | 2018-04-03 | 2019-11-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | 有機半導體元件、組成物、純化化合物之方法及該等的應用 |
| WO2020085342A1 (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 国立大学法人東京大学 | 導電性ポリマー材料及びその製造方法、高分子膜及びその製造方法、導電性高分子膜、光電変換素子並びに電界効果トランジスタ |
-
2021
- 2021-01-09 CN CN202110027184.0A patent/CN112864323A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013175571A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | National Institute For Materials Science | 有機電界効果トランジスタ |
| CN104254929A (zh) * | 2012-04-05 | 2014-12-31 | 诺瓦尔德股份有限公司 | 有机场效应晶体管及其制造方法 |
| JP2015088715A (ja) * | 2013-09-25 | 2015-05-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタの製造方法および有機薄膜トランジスタ |
| JP2017141194A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 有機化合物及びその用途 |
| CN108183119A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-06-19 | 东南大学 | 一种具有能量分辨的x射线探测器及其探测方法 |
| TW201942120A (zh) * | 2018-04-03 | 2019-11-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | 有機半導體元件、組成物、純化化合物之方法及該等的應用 |
| CN109270131A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-25 | 电子科技大学 | 一种嵌有小分子添加剂的otft氨气传感器及其制备方法 |
| WO2020085342A1 (ja) * | 2018-10-22 | 2020-04-30 | 国立大学法人東京大学 | 導電性ポリマー材料及びその製造方法、高分子膜及びその製造方法、導電性高分子膜、光電変換素子並びに電界効果トランジスタ |
| CN110233201A (zh) * | 2019-07-12 | 2019-09-13 | 中国科学院化学研究所 | 一种六氰基三甲烯环丙烷掺杂酞菁铜的多层薄膜器件 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| WEILONG XING等: "Engineering the Doping Efficiency in Pentacene Thin Films for High Thermoelectric Performance", 《ACS APPL MATER INTERFACES》 * |
| YUPENG HU等: "Giant Transconductance of Organic Field-Effect Transistors in Compensation Electric Fields", 《PHYS. REV. APPLIED》 * |
| 黄玲玲等: "C8-BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究", 《光电子技术》 * |
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