CN112863573A - 一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法 - Google Patents

一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112863573A
CN112863573A CN202110108528.0A CN202110108528A CN112863573A CN 112863573 A CN112863573 A CN 112863573A CN 202110108528 A CN202110108528 A CN 202110108528A CN 112863573 A CN112863573 A CN 112863573A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
measurement
memory cell
memory cells
threshold voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110108528.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112863573B (zh
Inventor
张德玉
董祖奇
李建平
付祥
王颀
刘峻
鞠韶复
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd
Original Assignee
Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd filed Critical Yangtze River Advanced Storage Industry Innovation Center Co Ltd
Priority to CN202110108528.0A priority Critical patent/CN112863573B/zh
Publication of CN112863573A publication Critical patent/CN112863573A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112863573B publication Critical patent/CN112863573B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/0038—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0021—Auxiliary circuits
    • G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

本申请提供一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，其中所述存储器包括多个存储器单元，包括：从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所述预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元；根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压。

Description

一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法
技术领域
本申请涉及一种存储器的操作方法，还涉及一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法。
背景技术
相变存储器(Phase Change Memory，简称为PCM)是一种半导体存储器，具有集成度高、功耗低、速度快、耐磨损和非易失等特点。相变存储器为闪存(flash)之外的另一种非易失性存储器。
相变存储器的基本原理是将电脉冲信号施加到存储器的单元上，使相变材料在非晶态与晶态之间发生相变，通过分辨非晶态时的高电阻与晶态时的低电阻，可以实现信息的写入、擦除和读取操作。相变存储器的单元(Cell)以电阻的形式存储数据。由于相变存储单元的阈值电压(VTH)会随着温度的改变发生偏移，因此存在可靠性问题。
图1A为相变存储器在不同温度下发生阈值电压漂移的图表。
如图1A所示，横轴表示阈值电压，纵轴表示阈值电压的分布，实线表示室温下的阈值电压分布情况，虚线表示高温下的阈值电压分布情况。不论室温还是高温环境下，阈值电压均呈正态分布。
具体地，在室温下，晶态的相变存储器单元的阈值电压分布如实线1011所示，非晶态的相变存储器单元的阈值电压分布如实线1012所示。在高温下，晶态的相变存储器单元的阈值电压分布如虚线1021所示，非晶态的相变存储器单元的阈值电压分布如虚线1022所示。
结合实线1011和虚线1021可以得知，在晶态下，当环境温度从室温升高为高温时，阈值分布曲线向左侧移动。同样地，结合实线1012和虚线1022可以得知，在非晶态下，当环境温度从室温升高为高温时，阈值分布曲线向左侧移动。
此时，如虚线1023和实线1013所示，当环境温度从室温升高为高温时，相变存储器单元的读取电压向左侧移动，即发生偏移。
图1B为在不同温度下对阈值电压进行补偿的一种传统方法示意图。如图1B所示，作为一种电压补偿方式，通过温度传感器(Temperature Sensor)，模数转换器(A/DConverter)和温度映射表结构来完成电压补偿。
具体地，在测试阶段测量不同温度下的相变存储器单元的阈值电压数据，通过分析这些阈值电压数据获取温度和相变存储器单元的阈值电压漂移之间的关系，并且制作温度映射表。在读取操作之前，通过温度传感器测出存储器的当前温度并对测得数据进行模数转换，继而在温度映射表中通过查找获得与所测温度对应的阈值电压值，由此确定读取电压并且将对应的读取电压施加到存储器单元的位线WL，从而读取出“0”和“1”。
虽然上述方案解决了温度变化引起的阈值电压漂移的问题，但是基于温度传感器、模数转换器和温度映射表的技术方案，具有温度传感器和模数转换器引起的硬件增加，从而导致成本上升的缺陷；还具有温度映射表引起的存储空间耗费的缺陷。
发明内容
本申请一实施例提供一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，在不消耗存储空间的同时，实时进行温度补偿后的参考电压调整，提高数据读取的正确率。
为了实现本申请的目的，提供一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，其中所述存储器包括多个存储器单元，包括：从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所述预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元；根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压。
根据一示例性实施方式，在从所述多个存储器单元选择预定的存储器单元的步骤之后，还包括：向所述预定的存储器单元中的一部分存储单元施加第一预处理电信号，使得所述一部分存储单元处于晶态；以及向所述预定的存储器单元中的另一部分存储单元施加第二预处理电信号，使得所述另一部分存储单元处于非晶态。
根据一示例性实施方式，所述处于晶态的存储单元和所述处于非晶态的存储单元之间的数量差小于等于所述处于晶态的存储单元和所述处于非晶态的存储单元的数量和的15％。
根据一示例性实施方式，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：从所述多个存储器单元中选择处于空闲状态的存储器单元作为所述预定的存储器单元。
根据一示例性实施方式，所述递增的多个测量电压为等差递增的多个测量电压。
根据一示例性实施方式，所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、......、第m测量电压、......、和第n测量电压，其中，所述递增的多个测量电压之间的递增额按照从所述第1测量电压至所述第m测量电压减小而从所述第m测量电压至所述第n测量电压增加的规律变化。
根据一示例性实施方式，所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、第2测量电压、第3测量电压、......第m-1测量电压、第m测量电压、第m+1测量电压、……、第n-2测量电压、第n-1测量电压和第n测量电压，其中，所述第1测量电压、所述第2测量电压和所述第3测量电压之间的递增额为第一差额，所述第m-1测量电压、所述第m测量电压和所述第m+1测量电压之间的递增额为第二差额，所述第n-2测量电压、所述第n-1测量电压和所述第n测量电压之间的递增额为第一差额，所述第一差额大于所述第二差额。
根据一示例性实施方式，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：从所述多个存储器单元中选择等于所述测量电压的数量的存储器单元作为所述预定的存储器单元。
根据一示例性实施方式，将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元的步骤包括：将递增的多个测量电压分别施加至所述预定的存储器单元。
根据一示例性实施方式，根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压的步骤包括：从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”、所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”的多个第一阈值测量电压；从所述多个第一阈值测量电压中，选择数值最小的测量电压作为所述第一阈值电压；从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中处于非晶态的存储单元的反馈为“1”的多个第二阈值测量电压；以及从所述多个第二阈值测量电压中，选择与反馈为“1”的存储单元数量最少的存储器单元对应的测量电压作为第二阈值电压。
根据一示例性实施方式，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：将位于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的任一测量电压作为所述参考电压。
根据一示例性实施方式，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：将所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的和值的一半作为所述参考电压。
根据一示例性实施方式，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：从所述多个存储器单元中选择小于所述测量电压的数量的存储器单元作为所述预定的存储器单元。
根据一示例性实施方式，将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元的步骤包括：将递增的多个测量电压依次施加至所述预定的存储器单元。
根据一示例性实施方式，根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压的步骤包括：从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”、所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”的多个第一阈值测量电压；从所述多个第一阈值测量电压中，选择数值最小的测量电压作为所述第一阈值电压；从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中处于非晶态的存储单元的反馈为“1”的多个第二阈值测量电压；以及从所述多个第二阈值测量电压中，选择与反馈为“1”的存储单元数量最少的存储器单元对应的测量电压作为第二阈值电压。
根据一示例性实施方式，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：将位于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的任一测量电压作为所述参考电压。
根据一示例性实施方式，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：将所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的和值的一半作为所述参考电压。
根据一示例性实施方式，所述存储器为相变存储器。
根据一示例性实施方式，所述操作为读取操作。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，通过预定的存储器单元的反馈选择并且确定参考电压，从而使得选择并且确定的参考电压在当前的环境温度下能够工作，在缺少温度传感器、模数转换器和温度映射表的前提下，保证参考电压正常工作，从而有效地降低了成本，提高了空间利用率。
附图说明
本公开的实施方式在附图的图示中以示例性的方式而非限制性的方式示出，在附图中，相同的附图标记指示类似的元件。
图1A为相变存储器在不同温度下发生阈值电压漂移的图表。
图1B为在不同温度下对阈值电压进行补偿的一种传统方法示意图。
图2A为本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法的流程示意图。
图2B为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中与电流电压曲线对应的读取结果示意图。
图2C为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中预定的存储器单元的示意图。
图2D为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中测量电压的示意图。
图2E为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中预定的存储器单元的反馈示意图。
图3A为本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法的流程示意图。
图3B为在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中预定的存储器单元的示意图。
图3C为在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中测量电压的示意图。
具体实施方式
为了更好地理解本申请，将参考附图对本申请的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本申请的示例性实施方式的描述，而非以任何方式限制本申请的范围。在说明书全文中，相同的附图标号指代相同的元件。表述“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。
在附图中，为了便于说明，已稍微调整了元素的大小、尺寸和形状。附图仅为示例而并非严格按比例绘制。如在本文中使用的，用语“大致”、“大约”以及类似的用语用作表近似的用语，而不用作表程度的用语，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的、测量值或计算值中的固有偏差。另外，在本申请中，各步骤处理描述的先后顺序并不必然表示这些处理在实际操作中出现的顺序，除非有明确其它限定或者能够从上下文推导出的除外。
还应理解的是，诸如“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”等表述在本说明书中是开放性而非封闭性的表述，其表示存在所陈述的特征、元件和/或部件，但不排除一个或多个其它特征、元件、部件和/或它们的组合的存在。此外，当诸如“...中的至少一个”的表述出现在所列特征的列表之后时，其修饰整列特征，而非仅仅修饰列表中的单独元件。此外，当描述本申请的实施方式时，使用“可”表示“本申请的一个或多个实施方式”。并且，用语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。
除非另外限定，否则本文中使用的所有措辞(包括工程术语和科技术语)均具有与本申请所属领域普通技术人员的通常理解相同的含义。还应理解的是，除非本申请中有明确的说明，否则在常用词典中定义的词语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的意义解释。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本申请。
图2A为本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法的流程示意图。如2A所示，本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法可以包括：
步骤201，从多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；
步骤202，将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元；
步骤203，根据来自预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及
步骤204，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定参考电压。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，根据来自预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和非晶态的存储单元的反馈，从多个测量电压中选择并且确定参考电压，从而使得选择并且确定的参考电压在当前的环境温度下能够有效地工作。因此即使在缺少温度传感器、模数转换器和温度映射表的前提下，也能够保证参考电压正常工作，从而有效地降低了成本，提高了空间利用率。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，处于晶态的存储单元与低阻态存储单元对应；处于非晶态的存储单元与高阻态存储单元对应。
图2B为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中与电流电压曲线对应的读取结果示意图。如图2B所示，横轴表示电压，纵轴表示电流，实线表示存储器在晶态下的电流电压曲线，虚线表示存储器在非晶态下的电流电压曲线。
当存储器的存储单元处于晶态并且参考电压小于晶态阈值电压VTH-SET时，处于晶态的存储单元的读取结果为“0”；当存储器的存储单元处于晶态并且参考电压大于晶态阈值电压VTH-SET时，处于晶态的存储单元的读取结果为正常。
相应地，当存储器的存储单元处于非晶态并且参考电压小于非晶态阈值电压VTH-RESET时，处于非晶态的存储单元的读取结果为正常；当存储器的存储单元处于非晶态并且参考电压大于非晶态阈值电压VTH-RESET时，非晶态存储器的读取结果为“1”。
如图2B所示，在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，当根据来自预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和非晶态的存储单元的反馈，分别从上述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压(步骤203)时，在多个测量电压中选择大于等于晶态阈值电压并且小于等于非晶态阈值电压的测量电压。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，在从所述多个存储器单元选择预定的存储器单元的步骤(步骤201)之后，还可以包括：
向预定的存储器单元中的一部分存储单元施加第一预处理电信号，使得该一部分存储单元处于晶态；以及
向预定的存储器单元中的另一部分存储单元施加第二预处理电信号，使得该另一部分存储单元处于非晶态。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，通过第一预处理电信号和第二预处理电信号，针对预定的存储器单元进行预处理，使得处于晶态的存储器单元和处于非晶态的存储器单元均匀地排列，从而尽可能减少在后续的步骤中处于不同状态的存储单元之间的干扰，提高了确定参考电压的步骤的稳定性。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，从多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤(步骤201)可以为：从多个存储器单元中选择与处于工作状态的存储器单元直线距离最近的存储器单元，作为预定的存储器单元。具体地，如果与处于工作状态的存储器单元相邻的存储器单元处于非工作状态，即处于空闲状态，则从与处于工作状态的存储器单元相邻的存储器单元中选择至少一个存储器单元，作为预定的存储器单元。如果与处于工作状态的存储器单元相邻的存储器单元均处于工作状态，则选择离处于工作状态的存储器单元最近的一个存储器单元，作为预定的存储器单元；或者选择多个存储器单元，使得从多个存储器单元至处于工作状态的存储器单元的距离总和最小。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，选择与处于工作状态的存储器单元直线距离最近的存储器单元，作为预定的存储器单元，因此预定的存储器单元的环境温度与处于工作状态的存储单元的环境温度最接近。通过该预定的存储器单元获取的参考电压，误差率最低，并且有效地提高了存储器的读取效率。
图2C为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中预定的存储器单元的示意图。如图2C所示，在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，在预定的存储器单元中，处于晶态的存储单元的数量可以为四个，处于非晶态的存储单元的数量可以为四个，即处于晶态的存储单元的数量可以与处于非晶态的存储单元的数量相同。在图2C中为了便于表示仅示出了一个预定的存储器单元包括八个存储单元的示意图，但是在实际应用中存储单元的数量可以更大。虽然在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，处于晶态的存储单元的数量为四个，处于非晶态的存储单元的数量为四个，但是并不限于此。例如，处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元之间的数量差小于等于处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元的数量和的15％。具体地，如果处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元的数量和为128，则处于晶态的存储单元的数量可以为71处于非晶态的存储单元的数量可以为57。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，当处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元的数量接近时，不论参考电压接近处于晶态的存储单元阈值电压的最高值，还是接近处于非晶态的存储单元阈值电压的最低值，误差率接近。根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，当处于晶态的存储单元的数量与处于非晶态的存储单元的数量相同时，不论参考电压接近处于晶态的存储单元阈值电压的最高值，还是接近处于非晶态的存储单元阈值电压的最低值，误差率相同。
另外，当处于晶态的存储单元的数量大于处于非晶态的存储单元的数量时，接近处于晶态的存储单元阈值电压的最高值的参考电压的误差率更低。相反地，当处于晶态的存储单元的数量小于处于非晶态的存储单元的数量时，接近处于非晶态的存储单元阈值电压的最高值的参考电压的误差率更低。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，预定的存储器单元的数量可以为八个。虽然在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，预定的存储器单元的数量为八个，但是并不限于此。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，从多个存储器单元选择预定的存储器单元的步骤(步骤201)可以为：从多个存储器单元中选择处于空闲状态的存储器单元作为所述预定的存储器单元。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，选择处于空闲状态的存储单元作为预定的存储器单元。与选择处于工作状态的存储单元作为预定的存储器单元的实施例相比，针对存储单元进行读取步骤之前无需进行确定参考电压的步骤，因此针对处于工作状态的存储单元而言，有效地降低了读取过程中的负荷，改善了存储器的使用方法。
图2D为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中测量电压的示意图。如图2D所示，横轴表示时间，纵轴表示电压。在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，所述测量电压的数量可以为八个。虽然在本申请一实施例中，以测量电压的数量为八个的例子进行说明，但是并不限于此。具体地，随着测量电压的数量增加，可以更准确地配置出参考电压的极大值或者极小值。
如图2D所示，在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，八个测量电压可以等差递增，即第一测量电压Vlevel1和第二测量电压Vlevel2之间的差值，第二测量电压Vlevel2和第三测量电压Vlevel3之间的差值，第三测量电压Vlevel3和第四测量电压Vlevel4之间的差值均相同。此时，将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元的步骤(步骤202)可以为：将等差递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于多个测量电压之间的差值相同，因此在相邻的两个测量电压之间的误差率相同，使得误差率在测量电压范围内均匀分布，从而可以提高确定参考电压的的稳定性。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，八个测量电压可以为两端部分差额大、中间部分差额小的多个测量电压。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、......、第m测量电压、......、和第n测量电压，其中，所述递增的多个测量电压之间的递增额按照从所述第1测量电压至所述第m测量电压减小而从所述第m测量电压至所述第n测量电压增加的规律变化。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、第2测量电压、第3测量电压、......第m-1测量电压、第m测量电压、第m+1测量电压、……、第n-2测量电压、第n-1测量电压和第n测量电压，其中，第1测量电压、第2测量电压和第3测量电压之间的递增额为第一差额，第m-1测量电压、第m测量电压和第m+1测量电压之间的递增额为第二差额，第n-2测量电压、第n-1测量电压和第n测量电压之间的递增额为第一差额，第一差额大于所述第二差额。
具体地，第一测量电压Vlevel1、第二测量电压Vlevel2和第三测量电压Vlevel3位于两端部分，并且第一测量电压Vlevel1、第二测量电压Vlevel2和第三测量电压Vlevel3之间的差额可以为第一差额。
第三测量电压Vlevel3、第四测量电压Vlevel4、第五测量电压Vlevel5和第六测量电压Vlevel6位于中间部分，并且第三测量电压Vlevel3、第四测量电压Vlevel4、第五测量电压Vlevel5和第六测量电压Vlevel6之间的差额可以为第二差额。其中，第三测量电压Vlevel3位于两端部分和中间部分的分界点。
第六测量电压Vlevel6、第七测量电压Vlevel7和第八测量电压Vlevel8位于两端部分，并且第六测量电压Vlevel6、第七测量电压Vlevel7和第八测量电压Vlevel8之间的差额可以为第一差额。其中，第六测量电压Vlevel6位于两端部分和中间部分的分界点。
此时，第一差额可以大于第二差额。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于参考电压出现在测量范围的中间部分的概率大于参考电压出现在测量范围的两端部分的概率，因此如果位于两端部分的测量电压的差额大于位于中部的测量电压的差额，则通过相对密集的测量电压，即通过差额相对小的测量电压，可以更准确地测量参考电压。换句话说，在参考电压数量相同的情况下，如果位于两端部分的测量电压的差额大于位于中部的测量电压的差额，则可以有效地提高测量参考电压的准确性。
如图2C和图2D所示，所述测量电压的数量与所述预定的存储器单元的数量相同。虽然在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，测量电压的数量与所述预定的存储器单元的数量相同，但是并不限于此。例如，测量电压的数量小于所述预定的存储器单元的数量，此时多余的预定的存储器单元在确定参考电压的步骤中一直处于空闲状态。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于所述测量电压的数量与所述预定的存储器单元的数量相同，因此可以通过一个测量周期得知能够作为参考电压的测量电压，从而有效地提高了确定参考电压的的效率。
图2E为在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中预定的存储器单元的反馈示意图。如图2E所示，在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压的步骤(步骤203)可以包括：
从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”、所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”的多个第一阈值测量电压；
从所述多个第一阈值测量电压中，选择数值最小的测量电压作为所述第一阈值电压；
从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中处于非晶态的存储单元的反馈为“1”的多个第二阈值测量电压；以及
从多个第二阈值测量电压中，选择与反馈为“1”的存储单元数量最少的存储器单元对应的测量电压作为第二阈值电压。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，存储单元的反馈“0”和“1”并不是指数字0和1，而是指两种状态中的一种状态和另一种状态。
具体地，如图2C、图2D和图2E所示，当将第一测量电压Vlevel1施加到第一预定的存储器单元U1时，所有处于晶态的存储单元(即低阻态存储单元)和所有处于非晶态的存储单元(即高阻态存储单元)的反馈为“0”。
当将第二测量电压Vlevel2施加到第二预定的存储器单元U2时，一部分处于晶态的存储单元的反馈为“1”，同时所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”。
当将第三测量电压Vlevel3施加到第三预定的存储器单元U3时，所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”，同时所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”。
当将第四测量电压Vlevel4和第五测量电压Vlevel5施加到预定的存储器单元时，与将第三测量电压Vlevel3施加到预定的存储器单元的情况相同，不再赘述。此时，第三测量电压Vlevel3、第四测量电压Vlevel4和第五测量电压Vlevel5均为第一阈值测量电压。
当将第六测量电压Vlevel6施加到第六预定的存储器单元U6时，所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”，同时有一个处于非晶态的存储单元的反馈为“1”。
当将第七测量电压Vlevel7和第八测量电压Vlevel8分别施加到第七预定的存储器单元U7和第八预定的存储器单元U8时，所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”，同时有两个处于非晶态的存储单元的反馈为“1”。此时，第六测量电压Vlevel6、第七测量电压Vlevel7和第八测量电压Vlevel8分为均为第二阈值测量电压。
从所述多个第一阈值测量电压中，选择数值最小的测量电压作为所述第一阈值电压，即选择第三测量电压Vlevel3作为第一阈值电压。
从所述多个第二阈值测量电压中，选择与反馈为“1”的存储单元数量最少的存储器单元对应的测量电压作为第二阈值电压，即选择第六测量电压Vlevel6作为第二阈值电压。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，确定第一阈值电压和第二阈值电压之后，将所述位于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的、任一测量电压作为所述参考电压。具体地，在确定第三测量电压Vlevel3为第一阈值电压、第六测量电压Vlevel6为第二阈值电压之后，可以将在第三测量电压Vlevel3至第六测量电压Vlevel6之间的任一测量电压作为参考电压。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，在所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的测量电压中，可以选择位于中间的测量电压。在本申请一实施例中，由于在所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间具有两个测量电压，即第四测量电压Vlevel4至第五测量电压Vlevel5，因此选择其中一个即可。
根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于选择的测量电压位于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间，因此相对于其他测量电压稳定性更高，从而有效地提高了存储器的工作效率。
图3A为本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法的流程示意图。如3A所示，本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法可以包括：
步骤301，从多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所选择的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；
步骤302，将递增的多个测量电压施加至预定的存储器单元，其中预定的存储器单元的数量小于测量电压的数量；
步骤303，根据来自预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和非晶态的存储单元的反馈，分别从多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及
步骤304，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压。
图3B为在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中预定的存储器单元的示意图。如图3B所示，在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，预定的存储器单元的数量为一个。在图3B中为了便于表示仅示出了一个预定的存储器单元包括八个存储单元的示意图，但是在实际应用中存储单元的数量可以更大。虽然在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，预定的存储器单元的数量为一个，但是并不限于此。
图3C为在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中测量电压的示意图。如图3C所示，横轴表示时间，纵轴表示电压。在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，所述测量电压的数量可以为八个。虽然在本申请一实施例中，以测量电压的数量为八个的例子进行说明，但是并不限于此。具体地，随着测量电压的数量增加，可以更准确地配置出参考电压的极大值或者极小值。
如图3C所示，在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，八个测量电压可以等差递增，即第一测量电压Vlevel1和第二测量电压Vlevel2之间的差值，第二测量电压Vlevel2和第三测量电压Vlevel3之间的差值，第三测量电压Vlevel3和第四测量电压Vlevel4之间的差值均相同。此时，将递增的多个测量电压施加至预定的存储器单元的步骤(步骤302)可以为：将等差递增的多个测量电压施加至预定的存储器单元。
根据本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于多个测量电压之间的差值相同，因此在相邻的两个测量电压之间的误差率相同，使得误差率在测量电压范围内均匀分布，从而可以提高确定参考电压的的稳定性。
在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，八个测量电压可以为两端部分差额大、中间部分差额小的多个测量电压。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，递增的多个测量电压包括第1测量电压、......、第m测量电压、......、和第n测量电压，其中，递增的多个测量电压之间的递增额按照从第1测量电压至第m测量电压减小而从第m测量电压至第n测量电压增加的规律变化。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，递增的多个测量电压包括第1测量电压、第2测量电压、第3测量电压、......第m-1测量电压、第m测量电压、第m+1测量电压、……、第n-2测量电压、第n-1测量电压和第n测量电压，其中，第1测量电压、第2测量电压和第3测量电压之间的递增额为第一差额，第m-1测量电压、第m测量电压和第m+1测量电压之间的递增额为第二差额，第n-2测量电压、第n-1测量电压和第n测量电压之间的递增额为第一差额，第一差额大于所述第二差额。
具体地，第一测量电压Vlevel1、第二测量电压Vlevel2和第三测量电压Vlevel3位于两端部分，并且第一测量电压Vlevel1、第二测量电压Vlevel2和第三测量电压Vlevel3之间的差额可以为第一差额。
第三测量电压Vlevel3、第四测量电压Vlevel4、第五测量电压Vlevel5和第六测量电压Vlevel6位于中间部分，并且第三测量电压Vlevel3、第四测量电压Vlevel4、第五测量电压Vlevel5和第六测量电压Vlevel6之间的差额可以为第二差额。其中，第三测量电压Vlevel3位于两端部分和中间部分的分界点。
第六测量电压Vlevel6、第七测量电压Vlevel7和第八测量电压Vlevel8位于两端部分，并且第六测量电压Vlevel6、第七测量电压Vlevel7和第八测量电压Vlevel8之间的差额可以为第一差额。其中，第六测量电压Vlevel6位于两端部分和中间部分的分界点。
此时，第一差额可以大于第二差额。
根据本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于参考电压出现在测量范围的中间部分的概率大于参考电压出现在测量范围的两端部分的概率，因此如果位于两端部分的测量电压的差额大于位于中部的测量电压的差额，则通过相对密集的测量电压，即通过差额相对小的测量电压，可以更准确地测量参考电压。换句话说，在参考电压数量相同的情况下，如果位于两端部分的测量电压的差额大于位于中部的测量电压的差额，则可以有效地提高测量参考电压的准确性。
如图3B和图3C所示，上述测量电压的数量小于所述预定的存储器单元的数量，例如，测量电压的数量为八个，预定的存储器单元的数量为一个。
根据本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，与本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法一样，假设测量电压的数量为八个。此时，仅仅通过一个预定的存储器单元，可以得知能够作为参考电压的测量电压，因此大量地减少了预定的存储器单元占用的空间。
虽然在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，以测量电压的数量为八个、预定的存储器单元的数量一个的例子进行说明，但是并不限于此。例如，测量电压的数量可以为七个、预定的存储器单元的数量可以为两个，此时通过四个测量周期确定参考电压。当然，在第四个测量周期中，有一个存储器单元将处于空闲状态。
在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，从多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤(步骤301)可以为：从多个存储器单元中选择与处于工作状态的存储器单元直线距离最近的存储器单元，作为预定的存储器单元。
根据本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，选择与处于工作状态的存储单元的直线距离最近的存储器单元，作为预定的存储器单元，因此预定的存储器单元的环境温度与处于工作状态的存储单元的环境温度最接近。通过该预定的存储器单元获取的参考电压，误差率最低，并且有效地提高了存储器的读取效率。
在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，从多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤(步骤301)之前，还可以包括：
向预定的存储器单元中的一部分存储单元施加第一预处理电信号，使得该一部分存储单元处于晶态；以及
向预定的存储器单元中的另一部分存储单元施加第二预处理电信号，使得该另一部分存储单元处于非晶态。
在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，在预定的存储器单元中，处于晶态的存储单元的数量可以为四个，处于非晶态的存储单元的数量可以为四个，即处于晶态的存储单元的数量可以与处于非晶态的存储单元的数量相同。虽然在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，处于晶态的存储单元的数量为四个，处于非晶态的存储单元的数量为四个，但是并不限于此。例如，处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元之间的数量差小于等于处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元的数量和的15％。具体地，如果处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元的数量和为128，则处于晶态的存储单元的数量可以为71，而处于非晶态的存储单元的数量可以为57。
根据本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，当处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元的数量接近时，不论参考电压接近处于晶态的存储单元阈值电压的最高值，还是接近处于非晶态的存储单元阈值电压的最低值，误差率接近。根据本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，当处于晶态的存储单元的数量与处于非晶态的存储单元的数量相同时，通过数量相同的处于晶态的存储单元和处于非晶态的存储单元测量参考电压，因此不论参考电压接近处于晶态的存储单元阈值电压的最高值，还是接近处于非晶态的存储单元阈值电压的最低值，误差率相同。
在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，八个测量电压可以等差递增。此时，将递增的多个测量电压施加至预定的存储器单元的步骤(步骤302)可以为：将等差递增的多个测量电压施加至预定的存储器单元。
根据本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于多个测量电压之间的差值相同，因此在相邻的两个测量电压之间的误差率相同，使得误差率在测量电压范围内均匀分布，从而可以提高确定参考电压的稳定性。
在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中，根据来自预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和非晶态的存储单元的反馈，分别从多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压的步骤(步骤303)可包括：
从多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”、所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”的多个第一阈值测量电压；
从多个第一阈值测量电压中，选择数值最小的测量电压作为第一阈值电压；
从多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中处于非晶态的存储单元的反馈为“1”的多个第二阈值测量电压；以及
从多个第二阈值测量电压中，选择与反馈为“1”的存储单元数量最少的存储器单元对应的测量电压作为第二阈值电压。
由于在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中详细说明了如何确定第一阈值电压和第二阈值电压的步骤，因此在这里不再赘述。
此时，根据第一阈值电压和第二阈值电压确定参考电压的步骤(步骤304)可以为：将第一阈值电压和第二阈值电压的和值的一半作为所述参考电压。
根据本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，由于选择第一阈值电压和第二阈值电压的和值的一半作为参考电压，因此配置的参考电压和第一阈值电压之间的差值，以及配置的参考电压和第二阈值电压之间的差值同时达到最大值，从而提高了测量电压稳定性，有效地提高了存储器的工作效率。
在本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中详细说明了，在测量电压的数量与预定的存储器单元的数量相同的情况下，选择位于第一阈值电压和第二阈值电压中间的测量电压作为参考电压的实施例；并且，在本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法中详细说明了，在测量电压的数量与预定的存储器单元的数量不同的情况下，将第一阈值电压和第二阈值电压的和值的一半作为参考电压的实施例。
结合本申请一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法和本申请另一实施例确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，可以得知：在测量电压的数量与预定的存储器单元的数量相同的情况下，将第一阈值电压和第二阈值电压的和值的一半作为参考电压的实施例；以及在测量电压的数量与预定的存储器单元的数量不同的情况下，选择位于第一阈值电压和第二阈值电压中间的测量电压作为参考电压的实施例。
如上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明。应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式，并不用于限制本发明。凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法，其中所述存储器包括多个存储器单元，其特征在于，包括：
从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元，其中所述预定的存储器单元具有多个处于晶态的存储单元和多个处于非晶态的存储单元；
将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元；
根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压；以及
根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在从所述多个存储器单元选择预定的存储器单元的步骤之后，还包括：
向所述预定的存储器单元中的一部分存储单元施加第一预处理电信号，使得所述一部分存储单元处于晶态；以及
向所述预定的存储器单元中的另一部分存储单元施加第二预处理电信号，使得所述另一部分存储单元处于非晶态。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述处于晶态的存储单元和所述处于非晶态的存储单元之间的数量差小于等于所述处于晶态的存储单元和所述处于非晶态的存储单元的数量和的15％。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：
从所述多个存储器单元中选择处于空闲状态的存储器单元作为所述预定的存储器单元。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述递增的多个测量电压为等差递增的多个测量电压。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、......、第m测量电压、......、和第n测量电压，其中，所述递增的多个测量电压之间的递增额按照从所述第1测量电压至所述第m测量电压减小而从所述第m测量电压至所述第n测量电压增加的规律变化。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述递增的多个测量电压包括第1测量电压、第2测量电压、第3测量电压、......第m-1测量电压、第m测量电压、第m+1测量电压、……、第n-2测量电压、第n-1测量电压和第n测量电压，其中，所述第1测量电压、所述第2测量电压和所述第3测量电压之间的递增额为第一差额，所述第m-1测量电压、所述第m测量电压和所述第m+1测量电压之间的递增额为第二差额，所述第n-2测量电压、所述第n-1测量电压和所述第n测量电压之间的递增额为第一差额，所述第一差额大于所述第二差额。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：
从所述多个存储器单元中选择等于所述测量电压的数量的存储器单元作为所述预定的存储器单元。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元的步骤包括：
将递增的多个测量电压分别施加至所述预定的存储器单元。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压的步骤包括：
从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”、所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”的多个第一阈值测量电压；
从所述多个第一阈值测量电压中，选择数值最小的测量电压作为所述第一阈值电压；
从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中处于非晶态的存储单元的反馈为“1”的多个第二阈值测量电压；以及
从所述多个第二阈值测量电压中，选择与反馈为“1”的存储单元数量最少的存储器单元对应的测量电压作为第二阈值电压。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：
将位于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的任一测量电压作为所述参考电压。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：
将所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的和值的一半作为所述参考电压。
13.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法，其特征在于，从所述多个存储器单元中选择预定的存储器单元的步骤包括：
从所述多个存储器单元中选择小于所述测量电压的数量的存储器单元作为所述预定的存储器单元。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，将递增的多个测量电压施加至所述预定的存储器单元的步骤包括：
将递增的多个测量电压依次施加至所述预定的存储器单元。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，根据来自所述预定的存储器单元的处于晶态的存储单元和所述非晶态的存储单元的反馈，分别从所述多个测量电压中选择第一阈值电压和第二阈值电压的步骤包括：
从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中所有处于晶态的存储单元的反馈为“1”、所有处于非晶态的存储单元的反馈为“0”的多个第一阈值测量电压；
从所述多个第一阈值测量电压中，选择数值最小的测量电压作为所述第一阈值电压；
从所述多个测量电压中，选择使得单个存储器单元中处于非晶态的存储单元的反馈为“1”的多个第二阈值测量电压；以及
从所述多个第二阈值测量电压中，选择与反馈为“1”的存储单元数量最少的存储器单元对应的测量电压作为第二阈值电压。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：
将位于所述第一阈值电压和所述第二阈值电压之间的任一测量电压作为所述参考电压。
17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，根据所述第一阈值电压和所述第二阈值电压确定所述参考电压的步骤包括：
将所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的和值的一半作为所述参考电压。
18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述存储器为相变存储器。
19.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述操作为读取操作。
CN202110108528.0A 2021-01-27 2021-01-27 一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法 Active CN112863573B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110108528.0A CN112863573B (zh) 2021-01-27 2021-01-27 一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110108528.0A CN112863573B (zh) 2021-01-27 2021-01-27 一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112863573A true CN112863573A (zh) 2021-05-28
CN112863573B CN112863573B (zh) 2023-04-14

Family

ID=76009353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110108528.0A Active CN112863573B (zh) 2021-01-27 2021-01-27 一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112863573B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050013165A1 (en) * 2003-06-17 2005-01-20 Amir Ban Flash memories with adaptive reference voltages
CN101427396A (zh) * 2006-04-20 2009-05-06 奥沃尼克斯股份有限公司 对用作存储器或现场可编程逻辑阵列的普通单相硫属材料的编程
CN102376368A (zh) * 2010-07-07 2012-03-14 马维尔国际贸易有限公司 对快闪存储器系统中递进读取的最优参考电压的确定
CN105931665A (zh) * 2016-04-19 2016-09-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种相变存储器读出电路及方法
CN108806608A (zh) * 2018-06-12 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法及装置、显示装置
CN111480200A (zh) * 2017-12-22 2020-07-31 美光科技公司 自动参考存储器单元读取技术

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050013165A1 (en) * 2003-06-17 2005-01-20 Amir Ban Flash memories with adaptive reference voltages
CN101427396A (zh) * 2006-04-20 2009-05-06 奥沃尼克斯股份有限公司 对用作存储器或现场可编程逻辑阵列的普通单相硫属材料的编程
CN102376368A (zh) * 2010-07-07 2012-03-14 马维尔国际贸易有限公司 对快闪存储器系统中递进读取的最优参考电压的确定
CN105931665A (zh) * 2016-04-19 2016-09-07 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种相变存储器读出电路及方法
CN111480200A (zh) * 2017-12-22 2020-07-31 美光科技公司 自动参考存储器单元读取技术
CN108806608A (zh) * 2018-06-12 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法及装置、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112863573B (zh) 2023-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8154919B2 (en) Method of reading nonvolatile memory device and nonvolatile memory device for implementing the method
CN1138276C (zh) 用可变栅电压读出存储器的状态
CN102254571B (zh) 增强型多电平存储器
US20200168282A1 (en) Memory system with dynamic calibration using a trim management mechanism
CN100557701C (zh) 用于对读出操作产生字符线电压的系统及方法
US9508426B2 (en) Program-disturb management for phase change memory
KR101883503B1 (ko) 반도체 장치
EP2678864A2 (en) Resistive memory sensing methods and devices
KR20120039487A (ko) 상변화 메모리를 위한 판독 분포 관리
US20080219047A1 (en) Apparatus and method for writing data to phase-change memory by using power calculation and data inversion
CN1505053A (zh) 半导体存储装置及存储单元的存储数据修正方法
CN1806295A (zh) 具有一致读取和验证阈值的存储器
CN103680614B (zh) 半导体存储器设备及其操作方法
CN104376873A (zh) 利用对动态读取窗口的灵活读取参照的系统和方法
CN112863573B (zh) 一种确定用于对存储器执行操作的参考电压的方法
US11699493B2 (en) Method and apparatus for performing a read of a flash memory using predicted retention-and-read-disturb-compensated threshold voltage shift offset values
CN106205680B (zh) 电阻可变存储装置、读取电路单元及其操作方法
CN101958142B (zh) 一种存储单元的数据读取方法和用于mlc的灵敏放大器
CN1725369A (zh) 以比值为状态导向的存储方式及电路
US7894258B2 (en) Flash memory device for determining most significant bit program
US20130235661A1 (en) Structures and methods of high efficient bit conversion for multi-level cell non-volatile memories
US8780639B2 (en) Non-volatile memory device with plural reference cells, and method of setting the reference cells
CN102592672A (zh) Flash EEPROM动态参考源电路结构
WO2022225700A1 (en) Retention drift correction in non-volatile memory arrays
US8184469B2 (en) Stored multi-bit data characterized by multiple-dimensional memory states

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant