CN112822835B - 一种聚酰亚胺覆铜基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种聚酰亚胺覆铜基板。该铜基板包括依次叠置的铜箔、胶层和介电膜，以重量百分比计，该胶层包括60～90％的聚酰亚胺树脂和～40％的环氧树脂，该环氧树脂为三官能基环氧树脂和四官能基环氧树脂中的任意一种或多种。本申请向聚酰亚胺覆铜基板引入上述胶层，可以增强层间结合力、降低层间形变应力，即使增加介电膜的厚度，聚酰亚胺覆铜基板也依然拥有较好的弹性，不会造成收卷卷曲的问题。同时胶层本身厚度也可以对介电结构的厚度作出贡献，使基板的具有介电性能的结构的整体有效厚度得到有效提升，甚至可达125μm，以满足实际应用中对介电和损耗参数的要求，来达到更符合5G高频/高速传输应用软板需求。

Description

一种聚酰亚胺覆铜基板
技术领域
本发明涉及高频技术领域，具体而言，涉及一种聚酰亚胺覆铜基板。
背景技术
随着信息技术的飞跃发展，全球5G高频/高速技术加速推进，为满足讯号高频/高速化以及降低终端设备生产成本，市场上出现各种形态的柔性覆铜基板(FCCL)以及软性印刷电路板(FPC)设计与应用。印刷电路板是电子产品不可或缺的材料，随着消费性电子产品的需求增长，对于印刷电路板的需求也是与日剧增。由于FPC具有可挠曲性及三度空间配线等特性，从而在信息技术要求高频/高速的发展趋势下，广泛应用于计算机、智能手机及其外围设备、通讯产品以及消费型电子产品。
高频/高速FCCL主要以液晶高分子(Liquid crystal polymer,LCP)以及修饰型聚酰亚胺(Modified Polyimide,MPI)为主，于6GHz频率下，LCP与MCP特性相当，但LCP基材主要掌握在特定厂商，受限于产能，价格高于MPI许多，因此MPI越来越受到市场的重视。软板(FPC)为了因应高频/高速的设计需求，必须降低阻抗，设计上有两种方法来达到降低阻抗的目标，一是往细线路设计，现在软板的制程能力为L(线宽)/S(线距)＝35/35μm，为了达到低阻抗设计需求，需再朝更细的线宽/线距制作，导致制程良率大幅下降。另一种方法则是以现行的L/S设计，只要提升介电层厚度，即可达到低阻抗设计，因此，市场上高频/高速的FCCL就朝向厚介电层使用的趋势。
聚酰亚胺覆铜基板主要是以涂布法或压合法进行制作，涂布法受限于聚酰亚胺与铜箔的热膨胀系数(CTE)差距，对于厚PI的制作有其厚度限制。压合法则是以PI膜与两片铜箔进行压合形成双面板，但是PI膜的制作往往不能突破50μm厚度限制，因此也影响到应用于高频/高速软板的使用。有鉴于此，需要一种能够以涂布方式进行厚膜生产FCCL的方法，此FCCL除了维持基本FCCL特性外，更具有优异之低介电/低损耗特性，来满足FCP软板设计及制作。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种聚酰亚胺覆铜基板，以解决现有技术中的聚酰亚胺覆铜基板的MPI膜厚度难以增加的问题。
为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种聚酰亚胺覆铜基板，包括依次叠置的铜箔、胶层和介电膜，以重量百分比计，上述胶层包括60～90％的聚酰亚胺树脂和10～40％的环氧树脂，上述环氧树脂为三官能基环氧树脂和四官能基环氧树脂中的任意一种或多种。
进一步地，上述三官能基环氧树脂具有以下结构式：
Figure BDA0002866646160000021
上述四官能基环氧树脂具有以下结构式：
Figure BDA0002866646160000022
进一步地，以重量百分比计，上述胶层包括75～90％的聚酰亚胺树脂和10～25％的环氧树脂。
进一步地，上述胶层的厚度在12.5～50μm之间，优选在12.5～25μm之间。
进一步地，上述胶层在10GHz下的Dk值为2.0～3.0、Df值为0.003～0.005。
进一步地，上述介电膜的Dk值在3.0～3.4之间、Df值在0.0030～0.0050之间，优选介电膜为MPI膜，更优选MPI膜为SKC Kolon PI膜亚胺化形成的膜，进一步优选SKC Kolon的FS系列PI膜亚胺化形成的膜，优选MPI膜厚度为25～50μm。
进一步地，上述聚酰亚胺覆铜基板为双面板，双面板包括依次叠置的铜箔、胶层、介电膜、胶层和铜箔。
进一步地，上述铜箔和胶层之间设置聚酰亚胺层，聚酰亚胺层的Dk值在2.9～3.3之间、Df值在0.003～0.006之间，进一步优选聚酰亚胺层的Dk在3.0～3.1之间、Df值在0.0035～0.0050之间。
进一步地，上述聚酰亚胺层的厚度为12.5～35μm，优选为12.5～25μm。
进一步地，上述聚酰亚胺覆铜基板为双面板，双面板包括依次叠置的铜箔、聚酰亚胺层、胶层、介电膜、胶层、聚酰亚胺层和铜箔。
应用本发明的技术方案，向聚酰亚胺覆铜基板引入胶层，可以增强层间结合力、降低层间形变应力，即使增加介电膜的厚度，聚酰亚胺覆铜基板也依然拥有较好的弹性，不会造成收卷卷曲的问题。同时胶层本身厚度也可以对介电结构的厚度作出贡献，使基板的具有介电性能的结构的整体有效厚度得到有效提升，甚至可达125μm，以满足实际应用中对介电和损耗参数的要求，来达到更符合5G高频/高速传输应用软板需求。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了根据本发明一种实施例制备得到的单面板聚酰亚胺覆铜基板的结构示意图；
图2示出了根据本发明一种实施例制备得到的单面板聚酰亚胺覆铜基板的结构示意图；
图3示出了根据本发明一种实施例制备得到的双面板聚酰亚胺覆铜基板的结构示意图；以及
图4示出了根据本发明一种实施例制备得到的双面板聚酰亚胺覆铜基板的结构示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、铜箔；20、胶层；30、介电膜；40、聚酰亚胺层。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
根据本申请背景技术所描述的，由于LCP基材价格昂贵，因此MPI高频/高速FCCL受到了越来越多的关注。
FCCL应高频/高速的设计需求，必须降低阻抗，设计上有两种方法来达到降低阻抗的目标，一是往细线路设计，但此方法会导致制程良率大幅下降。另一种方法则是以现行的L/S设计，只要提升介电层厚度，即可达到低阻抗设计。但是，由于介电膜与铜箔的热膨胀系数(CTE)差距，因此导致介电膜厚度增加将导致FCCL的结构稳定性严重下降，即使采用压合法，介电膜的厚度也无法突破50μm的厚度极限。为了解决上述聚酰亚胺覆铜基板的介电膜厚度难以增加的问题，本申请提供了一种聚酰亚胺覆铜基板，如图1至4所示，该聚酰亚胺覆铜基板包括依次叠置的铜箔10、胶层20和介电膜30，以重量百分比计，胶层20包括60～90％的聚酰亚胺树脂和10～40％的环氧树脂，环氧树脂为三官能基环氧树脂和四官能基环氧树脂中的一种或多种。
本申请通过在介电膜30和铜箔10之间加入胶层20，以克服现有技术中介电膜30难以增厚的问题。
本申请采用包括60～90％的聚酰亚胺树脂和10～40％的环氧树脂作为胶层20，一方面其中的聚酰亚胺使胶体具有低Dk和低Df的特性，使胶层20保持高介电性能；另一方面三官能基环氧树脂、四官能基液态环氧树脂保证了胶体具有足够的粘结力，可以很好地将介电膜30粘结在铜箔10表面，增加了二者之间的结合力，使收卷卷曲问题得以克服。并且，由于胶层20的CTE在铜箔10和介电膜30之间，因此在温度变化时可以起到形变过渡的作用，降低层与层之间的应力，进一步避免CTE差造成的收卷卷曲问题，因此即使介电膜30厚度继续增加，也可以保持和铜箔10的良好粘附。综上所述，引入上述胶层20，可以增强层间结合力、降低层间形变应力，即使增加介电膜30的厚度，聚酰亚胺覆铜基板也依然拥有较好的弹性，不会造成收卷卷曲的问题。同时胶层20本身厚度也可以对介电结构的厚度作出贡献，使基板的具有介电性能的结构的整体有效厚度得到有效提升，甚至可达125μm，以满足实际应用中对介电和损耗参数的要求，来达到更符合5G高频/高速传输应用软板需求。
除此之外，由于胶层20的聚酰亚胺主体的支链上有羧酸反应官能基，可以与环氧树脂的环氧官能基进行交联固化反应，在150℃左右即可交联固化，无需高温压合及亚胺化，使得胶层20制备操作简单、节能环保。并且，在制备本申请聚亚酰胺覆铜基板层过程中，由于胶层20的加入，无需进行超过200℃的固化，大幅降低了固化温度，简化了操作难度，符合绿色低能耗的要求。
本申请可以选择现有技术中与聚酰亚胺树脂有相容性的三官能基环氧树和四官能基环氧树，为了进一步提升环氧树脂和聚酰亚胺树脂的兼容性，优选上述三官能基环氧树脂具有以下结构式：
Figure BDA0002866646160000041
上述四官能基环氧树脂具有以下结构式：
Figure BDA0002866646160000042
优选地，上述聚酰亚胺树脂主要是提高介电性能，环氧树脂主要提供粘结性能，为了取得优良的介电性能和粘结性能，优选上述胶层20包括75～90％的聚酰亚胺树脂和10～25％的环氧树脂。本申请的本申请的胶层20厚度可以根据需要通过调整涂覆厚度来灵活调整，优选胶层20的厚度在12.5～50μm之间，以提供足够的粘结力，提高聚酰亚胺覆铜基板的结构稳定性，进一步优选胶层20厚度在12.5～25μm之间，更好地形成聚酰亚胺覆铜基板厚度、介电和损耗参数之间的匹配。
为了进一步优化胶层20和介电膜30整体的介电和损耗参数，优选上述胶层20在10GHz下的Dk值为2.0～3.0、Df值为0.003～0.005。
用于本申请的介电膜30可以采用现有技术中覆铜基板中常用的介电膜，在一些实施例中，优选上述介电膜30的Dk值在3.0～3.4之间、Df值在0.0030～0.0050之间，以提供理想的介电性能。本领域技术人员可以在现有料中选择对应上述介电性能的介电材料，例如聚醚醚酮(PEEK)，聚四氟乙烯(PTFE)，聚苯硫醚(PS)，改质聚酰亚胺膜(MPI)。在经过对目前常规介电膜进行筛选之后，本申请一些实施例为了进一步提升介电膜30与胶层20的粘结力和适配程度，优选介电膜30为MPI膜。更优选SKC Kolon PI膜亚胺化形成的膜作为MPI膜，进一步优选SKC Kolon的FS系列PI膜亚胺化形成的膜。本申请MPI膜的厚度可以在较大的范围内进行选择，为了满足应用中对于后MPI膜的需求，优选使用较大的厚度，比如该MPI膜厚度为25～50μm。
本申请的上述聚酰亚胺覆铜基板可以为单面板也可以为双面板，当其为双面板时，在一种实施例中，如图3所示，该双面板包括依次叠置的铜箔10、胶层20、介电膜30、胶层20和铜箔10。利用上述双层板结构，可以进一步增加介电膜30和胶层20的整体厚度，最高可达250μm。并且，由于胶层20是以聚酰亚胺为主体，使其玻璃转移温度下降，因此不需高温压合，经过150℃固化，即可将所有介电膜30与铜箔10复合在一起，形成具有优良电性和耐热性的双面板。
介电膜30和胶层20均属于拥有优异Dk和Df值的介电结构，在保证聚酰亚胺覆铜基板整体高剥离强度的基础上为了进一步增加介电结构的厚度，优选在一些实施例中，如图2所示，在上述铜箔10和胶层20之间设置聚酰亚胺层40，上述聚酰亚胺层40可以在现有技术可用于介电材料中的聚亚酰胺材料中进行选择，或者上述聚酰亚胺层也可以采用目前常用的二胺类单体和二酸酐类单体聚合酰亚胺化后制备而成，其中的二胺类单体包括但不限于对二苯胺、二胺基二苯醚、二苯胺甲烷、二胺基二苯酮、以及双三氟甲基联苯二胺等；二酐类单体包括但不限于联苯四羧酸二酐、均苯四羧酸二酐、二苯酮四羧酸二酐或二苯醚四羧酸二酐等，具体的聚合和酰亚胺化方式可以参考现有技术，本申请对此没有特殊要求。为了利用该聚酰亚胺层40的介电性来改善基板的介电性，优选上述聚酰亚胺层40的Dk值在2.9～3.3之间、Df值在0.003～0.006之间，进一步优选聚酰亚胺层40的Dk在3.0～3.1之间、Df值在0.0035～0.0050之间。以提升介电结构整体具有良好的介电和损耗参数。
由于本申请胶层20可以提供较强的粘结力，因此上述聚酰亚胺层40的厚度可以在较大的范围内进行选择，优选上述聚酰亚胺层40的厚度为12.5～35μm，进一步优选为12.5～25μm，以确保基板整体上具有较好的结构稳定性。
在一种实施例中，如图4所示，上述聚酰亚胺覆铜基板为双面板，双面板包括依次叠置的铜箔10、聚酰亚胺层40、胶层20、介电膜30、胶层20、聚酰亚胺层40和铜箔10。上述结构在保证结构稳定性的基础上，可以进一步提升介电结构的厚度，以利用介电结构提供更好的介电和损耗参数。
以下示例性说明本申请的胶层的制备方法：
配制高频/高速胶体(即本申请的胶层的原料，以下简称AD)，将聚酰亚胺树脂和环氧树脂分散在溶剂中形成胶体，溶剂可选用N-甲基吡咯酮、二甲苯等溶剂，溶剂用量为70重量份(聚酰亚胺树脂加环氧树脂＝30重量份)，维持固含量约30％，最终粘度约为2000～2500cps。
图1所示的单面板聚酰亚胺覆铜基板的制作：
将配制好的高频/高速胶体涂布于铜箔上，形成一层胶膜(作为胶层20)，再以120℃进行除溶剂20分。再将SKC-MPI膜(作为介电膜30)贴附于此胶膜上，经过120℃的滚压，得到叠构Cu/AD/SKC-MPI单面板，此时，高频/高速AD可以紧密把铜箔与SKC-MPI膜粘结，但机械性质仍不佳，需再以150℃进行2小时交联固化，固化后即可得到一具有优良电性及机械性质的单面板。
图2所示的单面板聚酰亚胺覆铜基板的制作
将已配置好的MPI胶液直接涂布于铜箔10上，以150℃进行20分钟除溶剂，接着，再进行亚胺化步骤，放入通氮气的烘箱，以350℃进行2小时亚胺化，即可得到改质聚酰亚胺(作为聚酰亚胺层40)涂覆的FCCL。接着将配制好的高频/高速胶体涂布于MPI上，形成一层胶膜(作为胶层20)，再以120℃进行除溶剂20分。再将SKC-MPI膜(作为介电膜30)贴附于此胶膜上，经过120℃的滚压，得到叠构Cu/MPI/AD/SKC-MPI单面板，此时，高频/高速AD可以紧密把MPI与SKC-MPI膜粘结，但机械性质仍不佳，需再以150℃进行2小时交联固化，固化后即可得到一具有优良电性及机械性质的单面板。
图3所示的双面板聚酰亚胺覆铜基板的制作：
双面板做法如同单面板，先制备叠构Cu/AD/SKC-MP的叠构，但先不进行交联固化程序。另外以同样方式制作叠构Cu/AD单面板，接着与Cu/AD/SKC-MPI进行贴合，经过滚轮式滚压，即可得Cu/AD/SKC-MPI/AD/Cu的双面板结构，再以150℃2小时交联固化，即可得到双面板聚酰亚胺覆铜基板。
图4所示的双面板聚酰亚胺覆铜基板的制作：
双面板做法如同单面板，先制备叠构Cu/MPI/AD/SKC-MP的叠构，但先不进行交联固化程序。另外以同样方式制作叠构Cu/MPI/AD单面板，接着与Cu/MPI/AD/SKC-MPI进行贴合，经过滚轮式滚压，即可得Cu/MPI/AD/SKC-MPI/AD/MPI/Cu的双面板结构，再以150℃2小时交联固化，即可得到双面板聚酰亚胺覆铜基板。
以下结合实施例与对比例，进一步说明本发明的有益效果。
按照前述的流程制作实施例中具有相应结构的聚酰亚胺覆铜基板。
形成各实施例和对比例的胶层的树脂原料重量份组成记录在表1中。
表1
Figure BDA0002866646160000061
Figure BDA0002866646160000071
Figure BDA0002866646160000081
表中，S/S：单面板；D/S：双面板；
PI-380G：可溶性聚酰亚胺树脂，晋一化工；
BX-39SS：聚酯树脂，日本东洋纺；
JD919：四官能基环氧树脂，嘉盛德材料；
TPNE5501：三官能基环氧树脂，嘉盛德材料；
CNE-200：双官能基环氧树脂，长春化工。
各实施例中如无特殊说明，采用SKC Kolon PI膜(型号：FS100)作为介电膜。
各实施例如无特殊说明，采用二胺为2,2'-双(三氟甲基)联苯胺(TFMB)与2,2-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷(HFBAPP)与二酐为联苯四羧酸二酸酐(BPDA)与均苯四甲酸二酸酐(PMDA)反应得到的修饰型聚醯亚胺作为聚酰亚胺层(MPI)。
将各实施例和对比例各胶层、各聚酰亚胺层、介电膜的厚度，和介电结构的总厚度(即胶层、聚酰亚胺层和介电膜的总厚度)还有各胶层、各聚酰亚胺层、介电膜的Dk、Df值记录在表2中。
表2
Figure BDA0002866646160000082
Figure BDA0002866646160000091
Figure BDA0002866646160000101
将各实施例和对比例的RCC基板与市场常用的液晶高分子覆铜板(LCP FCCL，型号，SF701 2018DE，生益化工，对比例4)，修饰型聚酰亚胺覆铜板(MPI FCCL，型号：FB-12-50-12ZES，新日铁，对比例5)作特性比较。
性能评价方式
介电常数(Dk)和介电损耗(Df)的测量
将介电结构浸泡于去离子水中约10分钟。接着，将介电结构至于烘箱中，以约于150℃烘烤30min以干燥。然后，在25℃及50％RH的条件下使用谐振器(安捷伦E5071BENA)通过分离介质谐振器(SPDR)方法测量介电结构介电常数和介电损耗。
尺寸稳定性
按照业界测试标准IPC-TM650 2.2.4C的规定进行测试。
剥离强度(vs.铜)
参照IPC-TM650.2.4.9标准。将RCC板裁成宽度为0.3175mm的测试样品。接着使用万能试验机(型号：AG-1S，厂牌：SHIMADZU)，拉伸速度设定为50.8mm/min条件下，将测试样品拉伸至拉伸长度为30mm，求出此时的剥离强度(N/cm)。
锡焊耐热性的比较
参照IPC-TM650.2.6.8标准。5厘米×5厘米的RCC板浸入温度288℃的锡炉浸泡达30秒，取出试片侯，观察表面是否起泡、变色、浮起和剥离等现象，以下述基准评估外观的变化。
PASS：无脱层且无变色。
NG：脱层且变色。
表面电阻
将RCC板蚀刻成表面阻抗量测线路形态，再以表面电阻仪(Agilent Technology,4339B)，测量在500V的表面电阻。
抗化学性
将RCC板裁成5厘米×5厘米的样品格式，进置于有机溶剂(异丙醇)，观察表面形态是否脱层或变色状况。
填孔测试
取铜箔基板，再其上进行打孔(孔径约100μm)，然后再以RCC基板贴附其上，进行压合，固化后。再以金相显微镜观察填孔状态。
耐弯折次数
耐弯折的测试是首先将覆盖膜形成于铜质基材上，方法如同于剥离强度试片。之后，将试片裁切成30mm×5mm的大小。依照MIT法进行，其中作为MIT耐折装置采用东阳精机制作所制作的带槽膜耐折疲劳试验机(型号：549)，以弯曲半径0.38mm、荷重500g对上述试片反复弯曲，直至电路无法导通为止。弯曲次数越多代表弯曲性越佳。
结果详见表2，其中介电结构包括胶层20、介电膜30和聚酰亚胺层40。
表3
Figure BDA0002866646160000111
Figure BDA0002866646160000121
从实施例4和对比例1的对比可以看出，增加胶层中环氧树脂的量到50％会显著增高聚酰亚胺覆铜基板Dk和Df值，且稳定性较差。
从实施例4和对比例的对比可以看出，减少胶层中环氧树脂的量到5％会显著降低聚酰亚胺覆铜基板的尺寸稳定性，且耐锡焊性和抗化学性更差。
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
本申请采用包括60～90％的聚酰亚胺树脂和～40％的环氧树脂作为胶层，一方面其中的聚酰亚胺使胶体具有低Dk和低Df的特性，使胶层保持高介电性能；另一方面三官能基环氧树脂、四官能基液态环氧树脂保证了胶体具有足够的粘结力，可以很好地将介电膜粘结在铜箔表面，增加了二者之间的结合力，使收卷卷曲问题得以克服。并且，由于胶层的CTE在铜箔和介电膜之间，因此在温度变化时可以起到形变过渡的作用，降低层与层之间的应力，进一步避免CTE差造成的收卷卷曲问题，因此即使介电膜厚度继续增加，也可以保持和铜箔的良好粘附。综上所述，引入上述胶层，可以增强层间结合力、降低层间形变应力，即使增加介电膜的厚度，聚酰亚胺覆铜基板也依然拥有较好的弹性，不会造成收卷卷曲的问题。同时胶层本身厚度也可以对介电结构的厚度作出贡献，使基板的具有介电性能的结构的整体有效厚度得到有效提升，甚至可达125μm，以满足实际应用中对介电和损耗参数的要求，来达到更符合5G高频/高速传输应用软板需求。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，包括依次叠置的铜箔(10)、胶层(20)和介电膜(30)，以重量百分比计，所述胶层(20)包括60～90％的聚酰亚胺树脂和10～40％的环氧树脂，所述环氧树脂为三官能基环氧树脂和四官能基环氧树脂中的任意一种或多种，所述介电膜(30)为MPI膜，所述MPI膜厚度为25～50μm，
所述三官能基环氧树脂具有以下结构式：
Figure FDA0003785061650000011
所述四官能基环氧树脂具有以下结构式：
Figure FDA0003785061650000012
所述胶层(20)在10GHz下的Dk值为2.0～3.0、Df值为0.003～0.005；所述介电膜(30)的Dk值在3.0～3.4之间、Df值在0.0030～0.0050之间。
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，以重量百分比计，所述胶层(20)包括75～90％的聚酰亚胺树脂和10～25％的环氧树脂。
3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述胶层(20)的厚度在12.5～50μm之间。
4.根据权利要求2所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述胶层(20)的厚度在12.5～25μm之间。
5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述MPI膜为SKC Kolon PI膜亚胺化形成的膜。
6.根据权利要求5所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述MPI膜为SKC Kolon的FS系列PI膜亚胺化形成的膜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述聚酰亚胺覆铜基板为双面板，所述双面板包括依次叠置的所述铜箔(10)、所述胶层(20)、所述介电膜(30)、所述胶层(20)和所述铜箔(10)。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述铜箔(10)和所述胶层(20)之间设置聚酰亚胺层(40)，所述聚酰亚胺层(40)的Dk值在2.9～3.3之间、Df值在0.003～0.006之间。
9.根据权利要求8所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述聚酰亚胺层(40)的Dk在3.0～3.1之间、Df值在0.0035～0.0050之间。
10.根据权利要求8所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述聚酰亚胺层(40)的厚度为12.5～35μm。
11.根据权利要求10所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述聚酰亚胺层(40)的厚度为12.5～25μm。
12.根据权利要求8所述的聚酰亚胺覆铜基板，其特征在于，所述聚酰亚胺覆铜基板为双面板，所述双面板包括依次叠置的所述铜箔(10)、所述聚酰亚胺层(40)、所述胶层(20)、所述介电膜(30)、所述胶层(20)、所述聚酰亚胺层(40)和所述铜箔(10)。
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