CN112818625B - 一种版图及版图修改的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的提供版图及版图修改的方法中，所述版图修改的方法包括以下步骤：初始版图；改变所述初始版图的缩放比例，使得部分间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图；保持部分间隔距离为目标间隔距离，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据，并写回数据库中；以及根据数据库中的坐标数据生成目标版图。本发明通过软件自动修改版图，其不仅解决了现有技术中由于工艺窗口太小造成的人力和时间的浪费，使得耗费的人力和物力几乎可以忽略不计，从而降低了成本。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种版图及版图修改的方法。
背景技术
随着半导体器件的集成程度越来越高，半导体器件的版图中各结构的设计规则也越来越小，而设计规则对影响到半导体器件的版图，从而影响了工艺窗口。由于设计规则的不合理或者因为某些原因需要对版图进行调整，一般而言，现有的设计会被推翻，重新进行设计。而这会带来巨大的人力和时间的浪费。
图1是现有技术中浅掺杂袋状离子注入后的版图示意图。如图1所示，每个工艺制造平台均定义d5的距离，即STI(浅沟槽隔离结构)11上的poly(多晶硅)层12与ACT(有源区)13之间的间距为d5。为了阻挡一部分pocket IMP(袋状离子注入)打入到器件中形成阴影效应，即形成阴影区A，从而引起器件的漏电。因此，若d5的数值若定的太小，使得虽然大部分的产品的功耗满足需要，但是对于小部分对于器件漏电要求较高的产品就显得工艺窗口不足。
图2是现有技术中嵌入式闪存的有源区刻蚀后的剖面结构示意图。如图2所示，在形成嵌入式闪存时，需要将浮栅多晶硅层(FG poly)21的厚度增厚以获得更加的闪存性能，但是设计规则在确定之初时，浮栅多晶硅层21的厚度选择的是未增厚之前的厚度数值，当浮栅多晶硅层21厚度增厚之后，会导致浅沟槽隔离结构11的深宽比发生变化，并在增加浅沟槽隔离结构11HDP(高密度沉积)工艺以增厚浮栅多晶硅层21的厚度之后，会产生浅沟槽隔离结构11虚空(void)的现象，也就是说，浮栅多晶硅层厚度增厚的代价是浅沟槽隔离结构11HDP的工艺窗口变小。
为了解决上述问题，需要增宽STI的关键尺寸(CD值)，而传统的方法是通过人为手动调整上述尺寸，但是这会带来大量的人力和时间的浪费。
发明内容
本发明提供了一种版图及版图修改的方法，以解决现有技术中由于工艺窗口太小需要通过人为手动调整版图部件的尺寸，从而造成的人力和时间的浪费。
为了解决上述问题，本发明提供了一种版图修改的方法，包括以下步骤：
提供初始版图，将所述初始版图的坐标数据记录至数据库中，其中，所述初始版图至少包括第一版图单元结构和第二版图单元结构，相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间以及所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离均为初始间隔距离，所述第一版图单元结构和第二版图单元结构均为原始尺寸；
改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图，其中，所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构均具有变更后尺寸，且所述目标间隔距离与初始间隔距离不同；
保持相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离为目标间隔距离，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据，并写回数据库中；以及
根据数据库中的坐标数据生成目标版图。
可选的，所述第一版图单元结构为有源区版图。
进一步的，所述第一版图单元结构包括第一子版图单元结构和第二子版图单元结构，所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间间隔设置。
进一步的，所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构不同。
进一步的，所述第二版图单元结构包括第三子版图单元结构和第四子版图单元结构，所述第四子版图单元结构覆盖所述第三子版图单元结构。
进一步的，改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图包括：
放大所述初始版图的比例，以放大相邻的所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，并放大所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸至放大后尺寸。
进一步的，放大所述初始版图的比例，以放大相邻的第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，同时，放大第三子版图单元结构与第二子版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离。
进一步的，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸的同时，所述第四子版图单元结构的尺寸沿所述原始间隔距离向目标间隔距离改变的方向增大。
进一步的，缩小所述初始版图的比例，以缩小相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的距离至目标间隔距离，并缩小所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸至缩小后尺寸。
另一方面，本发明提供一种版图，通过上述方法修改而成。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的提供版图及版图修改的方法中，所述版图修改的方法包括以下步骤：初始版图，将所述初始版图的坐标数据记录至数据库中，其中，所述初始版图至少包括第一版图单元结构和第二版图单元结构，相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间以及所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离均为初始间隔距离，所述第一版图单元结构和第二版图单元结构均为原始尺寸；改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图，其中，所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构均具有变更后尺寸，且所述目标间隔距离与初始间隔距离不同；保持相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离为目标间隔距离，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据，并写回数据库中；以及根据数据库中的坐标数据生成目标版图。本发明通过软件自动修改版图，其不仅解决了现有技术中由于工艺窗口太小造成的人力和时间的浪费，使得耗费的人力和物力几乎可以忽略不计，从而降低了成本。
附图说明
图1是现有技术中浅掺杂袋状离子注入后的版图示意图；
图2是现有技术中嵌入式闪存的有源区刻蚀后的剖面结构示意图；
图3是本发明一实施例的一种版图修改的方法的流程示意图；
图4a是现有技术中嵌入式闪的初始版图的示意图；
图4b是本发明一实施例的一种版图的示意图。
附图标记说明：
图1-2中：
11-浅沟槽隔离结构；12-多晶硅层；13-有源区；A-阴影区；
21-浮栅多晶硅层；
图4中：
100-第一版图单元结构；110-第一子版图单元结构；111-第一子版图单元结构的第一图形；112-第一子版图单元结构的第二图形；113-第一子版图单元结构的第三图形；120-第二子版图单元结构；121-第二子版图单元结构的第一图形；122-第二子版图单元结构的第二图形；
200-第二版图单元结构；210-第三子版图单元结构；220-第四子版图单元结构；221-第四子版图单元结构的第一图形；222-第四子版图单元结构的第二图形；223-第四子版图单元结构的第三图形。
具体实施方式
以下将对本发明的一种版图及版图修改的方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
图3是本实施例的一种版图修改的方法的流程示意图。如图3所示，本实施例提供一种版图修改的方法，包括以下步骤：
步骤S10：提供初始版图，将所述初始版图的坐标数据记录至数据库中，其中，所述初始版图至少包括第一版图单元结构和第二版图单元结构，相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间以及所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离均为初始间隔距离，所述第一版图单元结构和第二版图单元结构均为原始尺寸；
步骤S20：改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图，其中，所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构均具有变更后尺寸，且所述目标间隔距离与初始间隔距离不同；
步骤S30：保持相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离为目标间隔距离，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据，并写回数据库中；以及
步骤S40：根据数据库中的坐标数据生成目标版图。
以下结合图3-4对本实施例所提供的版图修改的方法进行详细的说明。
图4a是现有技术中嵌入式闪的初始版图的示意图。如图4a所示，首先执行步骤S10，提供初始版图，记录所述初始版图的坐标数据，其中，所述初始版图至少包括第一版图单元结构和第二版图单元结构，相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间以及所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离均为初始间隔距离，所述第一版图单元结构和第二版图单元结构均为原始尺寸。
本步骤具体包括：
首先，提供初始版图。如图4a所示，所述初始版图为现有使用的版图，其中各版图单元结构的尺寸均是符合设计要求的。所述初始版图包括第一版图单元结构100和第二版图单元结构200，还可以包括连接相邻的第一版图单元结构的版图单元结构(图中未示出)，还可以包括第一版图单元结构和第二版图单元结构的版图单元结构(图中未示出)。
所述第一版图单元结构100例如是有源区(ACT)版图，其例如是包括第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120，所述第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120之间间隔设置，且二者之间的间隔距离例如是初始间隔距离A。在本实施例中，所述第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120的形状略有不同。在其他实施例中，所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构的形状可以相同。
所述第一子版图单元结构110包括若干个第一子版图单元结构的第二图形112、第三图形113以及多个第一图形111，所述第一图形111例如是正方形，其例如是用于形成浅沟槽隔离结构，所述第二图形112例如是矩形，部分所述第一图形111例如是均匀地设置所述第二图形112中；所述第三图形113例如是呈U型的八边形，部分所述第一图形111例如是设置所述第三图形113中。所述第二图形112盖设在所述第三图形113的U型开口处。在本实施例中，所述第一子版图单元结构110包括四个所述第一图形111，其中三个所述第一图形111均匀地设置所述第二图形112中，一个所述第一图形111设置所述第三图形113中。
所述第二子版图单元结构120包括第二图形122和多个第一图形121，所述第一图形121例如是正方形，其例如是用于形成浅沟槽隔离结构，所述第二图形122例如是大体呈U型的十边形，多个所述第一图形121间隔的设置在所述第二图形122中，且所述第二图形122的开口与所述第三图形113的开口垂直设置。
所述第二版图单元结构200包括第三子版图单元结构210和第四子版图单元结构220，所述第四子版图单元结构220覆盖所述第三子版图单元结构210，且所述第三子版图单元结构210例如是正方形，其例如是用于形成浅沟槽隔离结构，所述第四子版图单元结构220大体呈闪电形的十边形。所述第四子版图单元结构220包括第一图形221、第二图形222和第三图形223，所述第一图形221和第三图形223分别连接在所述第二图形222的两侧，所述第一图形221连接所述第一子版图单元结构110，第三图形223连接所述第二子版图单元结构120。所述第一图形221、第二图形222和第三图形223均为矩形，所述第二图形222覆盖所述第三子版图单元结构210，所述第二图形222与所述第二子版图单元结构120之间的间隔距离例如是B。
接着，读取所述初始版图的数据，即读取所述初始版图的第一版图单元结构和第二版图单元结构中各图形的位置坐标，具体例如是各图形的顶点位置坐标。所述顶点可以在各图形的左上角、右上角、左下角或右下角。在本实施例中，所述顶点可以在各图形的左上角。所述第一版图单元结构的原始尺寸为设计尺寸。
图4b是本发明一实施例的一种版图的示意图。如图4b所示，为了提高产品的性能或者工艺窗口等问题，接着执行步骤S20，改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离达到目标间隔距离，以得到变更版图，其中，所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构均具有变更后尺寸，且所述目标间隔距离与初始间隔距离不同。
具体的，放大所述初始版图的比例，以放大相邻的所述第一版图单元结构100(即第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120)之间、相邻的所述第二版图单元结构200之间、和/或所述第一版图单元结构100和第二版图单元结构200之间的间隔距离至目标间隔距离，并放大所述第一版图单元结构100和第二版图单元结构200的尺寸至放大后尺寸；或者，缩小所述初始版图的比例，以缩小相邻的所述第一版图单元结构100之间、相邻的所述第二版图单元结构200之间、和/或所述第一版图单元结构100和第二版图单元结构200之间的距离至目标间隔距离，并缩小所述第一版图单元结构100和第二版图单元结构200的尺寸至缩小后尺寸。
本实施例中，由于浮栅多晶硅厚度增厚造成的浅沟槽隔离结构的高密度沉积工艺窗口变小，需要增加第二图形222与第一子版图单元结构110之间的间隔距离，以及增加相邻的第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120之间的间隔距离。因此，本实施例在放大所述初始版图的比例，不仅要满足第二图形222与第一子版图单元结构110之间的间隔距离达到目标间隔距离B’，同时还要满足相邻的第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120之间的间隔距离达到目标间隔距离A’。在满足了上述两个目标间隔距离之后停止继续改变所述初始版图的缩放比例。此时，所述第一版图单元结构100和第二版图单元结构200中的各图形的尺寸均被放大，使得放大后的第一版图单元结构100的尺寸为其原始尺寸与放大比例倍数之积，所述放大后的第二版图单元结构200的尺寸为其原始尺寸与放大比例倍数之积。
但是由于放大后尺寸并不满足设计规则，需要将其恢复至原始尺寸，因此，接着执行步骤S30，保持相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离为目标间隔距离，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据，并写回数据库中。
本步骤具体包括以下步骤：
首先，保持相邻的所述第一版图单元结构(第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120)之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构(例如是第二图形222与第一子版图单元结构120)之间的间隔距离为目标间隔距离时，需要将第一版图单元结构中的第一子版图单元结构的第一图形111、第二图形112、第三图形113，以及第二子版图单元结构的第一图形121、第二图形122的尺寸恢复至原始尺寸，使得第一子版图单元结构110以及第二子版图单元结构120内部的各图形的尺寸与原始版图中的各图形的尺寸相同，各图形之间的间距均与原始版图中的各图形之间的间距相同。同时，所述第二版图单元结构200中第三子版图单元结构210恢复至原始尺寸，其与所述第四子版图单元结构的第二图形的相对位置未发生变化。而由于第二图形222与第一子版图单元结构120之间的间隔距离达到目标间隔距离B’，相邻的第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120之间的间隔距离达到目标间隔距离A’，使得所述第四子版图单元结构220的第一图形221和第三图形223的尺寸沿初始间隔距离向目标间隔距离变化的方向增大或缩小。且第一图形221和第三图形223增加或缩小的总长度为第一子版图单元结构110与第二子版图单元结构120之间的目标间隔距离A’与二者的初始间隔距离A之差。其中，所述第二图形222与第二子版图单元结构120之间的目标间隔距离B’与二者之间的初始间隔距离B之差为所述第三图形223增加的尺寸，剩余增加的尺寸(第一图形221和第三图形223增加或缩小的总长度与第三图形223增加的尺寸之差)为所述第一图形221增加的尺寸。
接着，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据。具体的，计算出发生位置变化的第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据(即计算出所述第二图形222、第三子版图单元结构210、第一子版图单元结构110和第二子版图单元结构120的坐标数据)，并写回数据库中，以替代原始版图中相应结构的坐标数据。
接着执行步骤S40，根据数据库中的坐标数据生成目标版图。此时，所述目标版图中的相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间均具有目标间隔距离。本实施例通过软件自动修改版图，其不仅解决了现有技术中由于工艺窗口太小造成的人力和时间的浪费，使得耗费的人力和物力几乎可以忽略不计，从而降低了成本。
本实施例还提供一种版图，所述版图可以是嵌入式闪存的版图。所述版图由上述方法制备而成。所述版图包括第一版图单元结构和第二版图单元结构，相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离均为目标间隔距离。
综上所述，本发明提供的提供版图及版图修改的方法中，所述版图修改的方法包括以下步骤：初始版图，将所述初始版图的坐标数据记录至数据库中，其中，所述初始版图至少包括第一版图单元结构和第二版图单元结构，相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间以及所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离均为初始间隔距离，所述第一版图单元结构和第二版图单元结构均为原始尺寸；改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图，其中，所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构均具有变更后尺寸，且所述目标间隔距离与初始间隔距离不同；保持相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离为目标间隔距离，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据，并写回数据库中；以及根据数据库中的坐标数据生成目标版图。本发明通过软件自动修改版图，其不仅解决了现有技术中由于工艺窗口太小造成的人力和时间的浪费，使得耗费的人力和物力几乎可以忽略不计，从而降低了成本。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”等的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种版图修改的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供初始版图，将所述初始版图的坐标数据记录至数据库中，其中，所述初始版图至少包括第一版图单元结构和第二版图单元结构，相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间以及所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离均为初始间隔距离，所述第一版图单元结构和第二版图单元结构均为原始尺寸；
改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图，其中，所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构均具有变更后尺寸，且所述目标间隔距离与初始间隔距离不同；
保持相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离为目标间隔距离，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸，计算出所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的坐标数据，并写回数据库中；以及
根据数据库中的坐标数据生成目标版图。
2.如权利要求1所述的版图修改的方法，其特征在于，所述第一版图单元结构为有源区版图。
3.如权利要求2所述的版图修改的方法，其特征在于，所述第一版图单元结构包括第一子版图单元结构和第二子版图单元结构，所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间间隔设置。
4.如权利要求3所述的版图修改的方法，其特征在于，所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构不同。
5.如权利要求4所述的版图修改的方法，其特征在于，所述第二版图单元结构包括第三子版图单元结构和第四子版图单元结构，所述第四子版图单元结构覆盖所述第三子版图单元结构。
6.如权利要求5所述的版图修改的方法，其特征在于，改变所述初始版图的缩放比例，使得相邻的所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，以得到变更版图包括：
放大所述初始版图的比例，以放大相邻的所述第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，并放大所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸至放大后尺寸。
7.如权利要求6所述的版图修改的方法，其特征在于，放大所述初始版图的比例，以放大相邻的第一子版图单元结构和第二子版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离，同时，放大第三子版图单元结构与第二子版图单元结构之间的间隔距离至目标间隔距离。
8.如权利要求7所述的版图修改的方法，其特征在于，将所述变更版图中的第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸恢复至原始尺寸的同时，所述第四子版图单元结构的尺寸沿所述初始间隔距离向目标间隔距离改变的方向增大。
9.如权利要求5所述的版图修改的方法，其特征在于，缩小所述初始版图的比例，以缩小相邻的所述第一版图单元结构之间、相邻的所述第二版图单元结构之间、和/或所述第一版图单元结构和第二版图单元结构之间的距离至目标间隔距离，并缩小所述第一版图单元结构和第二版图单元结构的尺寸至缩小后尺寸。
10.一种版图，其特征在于，由权利要求1～9中任一项所述的版图修改的方法制备而成。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101241909A (zh) * | 2007-02-05 | 2008-08-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体集成电路 |
| WO2011083919A2 (ko) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | 주식회사 엔타시스 | 자동화된 칩 면적 최적화를 위한 블록 패킹방법 및 표준 셀 패킹 방법 |
| CN102760651A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-10-31 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法 |
| CN104572682A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 对集成电路版图数据进行区域索引的方法 |
| CN105807556A (zh) * | 2016-06-02 | 2016-07-27 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 版图的修正方法 |
| CN107798197A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-13 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减小wpe效应的标准单元库版图设计方法 |
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| KR102193674B1 (ko) * | 2014-01-22 | 2020-12-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 레이아웃 디자인을 생성하는 레이아웃 디자인 시스템 |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101241909A (zh) * | 2007-02-05 | 2008-08-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体集成电路 |
| WO2011083919A2 (ko) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | 주식회사 엔타시스 | 자동화된 칩 면적 최적화를 위한 블록 패킹방법 및 표준 셀 패킹 방법 |
| CN102760651A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-10-31 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 版图逻辑运算方法以及集成电路制造方法 |
| CN104572682A (zh) * | 2013-10-17 | 2015-04-29 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 对集成电路版图数据进行区域索引的方法 |
| CN105807556A (zh) * | 2016-06-02 | 2016-07-27 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 版图的修正方法 |
| CN107798197A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-13 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减小wpe效应的标准单元库版图设计方法 |
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