CN112813382A - 一种掩膜版 - Google Patents

一种掩膜版 Download PDF

Info

Publication number
CN112813382A
CN112813382A CN202011569059.4A CN202011569059A CN112813382A CN 112813382 A CN112813382 A CN 112813382A CN 202011569059 A CN202011569059 A CN 202011569059A CN 112813382 A CN112813382 A CN 112813382A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
silicon wafer
strips
frame body
stripes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011569059.4A
Other languages
English (en)
Inventor
朱广东
李华
刘继宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd
Original Assignee
Taizhou Lerri Solar Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taizhou Lerri Solar Technology Co Ltd filed Critical Taizhou Lerri Solar Technology Co Ltd
Priority to CN202011569059.4A priority Critical patent/CN112813382A/zh
Publication of CN112813382A publication Critical patent/CN112813382A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种掩膜版，涉及光伏电池制造领域。掩膜版包括：掩膜框体、设置在掩膜框体内的若干掩膜条；掩膜条的两端分别与掩膜框体的两个相对侧边连接，掩膜条在掩膜框体中以纵向和/或横向的方式布置；掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数两者的差值小于6×10‑6/℃。本发明实施例中，可以采用掩膜版与硅片表面紧密接触，并仅通过一次沉积操作就可以实现在光伏电池片表面形成安置电极的凹槽区域和功能层所处区域，不需要额外投入昂贵的设备，减少了工艺流程，提高了生产效率，并且，掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数相对接近，从而保持掩膜条与硅片的较优贴合方式，掩膜版不会对硅片本身造成损伤，提高了光伏电池片的能量转换效率。

Description

一种掩膜版
技术领域
本发明涉及光伏电池制造技术领域，特别是涉及一种掩膜版。
背景技术
光伏发电技术作为一种可以直接将太阳光转化为电能的技术，得到了越来越广泛的应用，其中，在制备光伏电池的过程中，需要在硅片的表面制备一些功能层和电极。
现有技术中，制备功能层的方式为在硅片的表面形成一整层功能层，并在功能层上以激光开槽的形式制备出用于容置电极的凹槽。
但是，激光开槽的成本较高且工艺复杂，还会还会对硅片造成激光灼伤。
发明内容
本发明提供一种掩膜版，旨在解决现有方案中激光开槽的成本较高且工艺复杂，还会还会对硅片造成激光灼伤的问题。
本发明实施例提供了一种掩膜版，包括：
掩膜框体、设置在所述掩膜框体内的若干掩膜条；
所述掩膜条的两端分别与所述掩膜框体的两个相对侧边连接，所述掩膜条在所述掩膜框体中以纵向和/或横向的方式布置；
所述掩膜条的膨胀系数与所述硅片的膨胀系数两者的差值小于6×10-6/℃。
可选的，在40-400℃的温度范围内，所述掩膜条的膨胀系数为20×10-6/℃～30×10-6/℃。
可选的，所述掩膜条的外表面设置有绝缘隔离层。
可选的，所述绝缘隔离层为氟碳涂层或玻璃涂层或陶瓷涂层，所述玻璃涂层的熔点为400℃～800℃。
可选的，所述绝缘隔离层的厚度为10nm～10um。
可选的，所述掩膜条的不同位置的宽度和/或厚度不同。
可选的，在所述掩膜条的至少部分段中，所述掩膜条的宽度和/或厚度逐渐增大或减小。
可选的，从所述掩膜条的中央至所述掩膜条的两端，所述掩膜条的宽度和/或厚度逐渐增大或减小。
可选的，所述掩膜条包括：多根掩膜线和两条掩膜片条；所述掩膜片条的宽度大于所述掩膜线的直径；
多根所述掩膜线横向设置在所述掩膜框体内，相邻所述掩膜线之间间隔第一预设距离；
两条所述掩膜片条纵向设置在所述掩膜框体内，两条所述掩膜片条之间间隔第二预设距离。
可选的，所述第二预设距离大于所述第一预设距离。
本发明的掩膜版，可以应用于功能层沉积过程中，将掩膜版与硅片表面紧密接触，然后沉积，沉积完成后拿掉掩膜版即可，仅通过一次沉积操作就可以实现在光伏电池片表面形成凹槽区域(即未沉积的区域)和功能层所处区域(即沉积的区域)，不需要额外投入昂贵的设备，减少了工艺流程，提高了生产效率，且不会对硅片造成激光灼伤。另外，掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数相对接近，从而在进行沉积工艺时，能够保持掩膜条与硅片的较优贴合方式，掩膜版不会对硅片本身造成损伤，提高了光伏电池片的能量转换效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例中的一种掩膜版的结构示意图；
图2示出了本发明实施例中的一种掩膜版的局部结构示意图；
图3示出了本发明实施例中的另一种掩膜版的局部结构示意图；
图4示出了本发明实施例中的另一种掩膜版的局部结构示意图；
图5示出了本发明实施例中的一种硅片的结构。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
掩膜版的作用是，在硅片表面进行处理时，局部遮挡硅片的表面，从而实现局域化处理。以下以掩膜版用于在硅片表面进行镀膜为例进行说明，但掩膜版亦可以用于离子注入亦或扩散等工艺中，可以参照理解，在此不再赘述。
参照图1、图1示出了本发明实施例中的一种掩膜版的结构示意图，掩膜版包括：掩膜框体10、设置在掩膜框体10内的若干掩膜条40，掩膜条40的两端分别与掩膜框体10的两个相对侧边连接，掩膜条40在掩膜框体10中以纵向和/或横向的方式布置；掩膜条40的膨胀系数与硅片的膨胀系数两者的差值小于6×10-6/℃。
本发明的发明人发现，在硅片表面进行的处理工艺(例如沉积工艺)中，工艺温度较高，这就使得掩膜条和硅片都会在高温下膨胀；若掩膜条的膨胀系数比硅片的膨胀系数小太多，则易造成掩膜条紧绷在硅片上，易造成硅片隐裂；若掩膜条的膨胀系数比硅片的膨胀系数大太多，则会造成掩膜条松弛，处理的物质绕过掩膜条到达硅片上，使得局部区域掩膜失效。而本发明中，相同温度范围下，掩膜条的膨胀系数要和硅片的膨胀系数相同或相似，经研究发现，掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数两者的差值小于6×10-6/℃。这样掩膜条和硅片可以相对同步膨胀，既不会造成硅片隐裂，也不会造成局部掩膜失效的问题。
可选的，在40-400℃的温度范围内，掩膜条的膨胀系数为20×10-6/℃～30×10-6/℃。
由于在40-400℃的温度范围内，硅的线性热膨胀系数为24×10-6/℃，则优选的，在40-400℃的温度范围内，掩膜条的膨胀系数为20×10-6/℃～30×10-6/℃。掩膜线和掩膜片条的材质可以相同或不同，但都具有接近的线性热膨胀系数。优选的可以采用膨胀系数与硅接近的材料制成掩膜线和掩膜片条，例如铝(膨胀系数为25×10-6/℃)、镁(膨胀系数为25.4×10-6/℃)、锌(膨胀系数为26.3×10-6/℃)。
可选的，掩膜条40包括掩膜线11和/或掩膜片条12；掩膜线11和掩膜片条12的两端分别与掩膜框体10的相对两个侧边连接，掩膜片条12的宽度大于掩膜线11的直径；掩膜线11在掩膜框体10中以纵向和/或横向的方式布置；掩膜片条12在掩膜框体10中以纵向和/或横向的方式布置。
具体的，在图1中，掩膜条40在掩膜框体10中以横向布置的方式进行设置，掩膜框体10的尺寸可以与硅片的尺寸匹配，掩膜条40的布置位置可以根据要在光伏电池上设置的电极的位置确定，掩膜条40的宽度和厚度也可以根据要在光伏电池上设置的电极的宽度确定。其中，需要说明的是，根据对光伏电池上设置的电极的尺寸的不同，可以仅在掩膜框体中保留掩膜线(电极的设计宽度较窄的情况下)，也可以仅在掩膜框体中保留掩膜片条(电极的设计宽度较宽的情况下)，也可以同时在掩膜框体中保留掩膜线和掩膜片条(电极的设计宽度同时存在较宽和较窄的不同情况)。
在制备光伏电池片的过程中，掩膜版作用是在沉积开始之前，通过掩膜条掩盖硅片表面的局部区域。在一种在太阳能电池表面镀钝化膜的工艺中，掩膜版覆盖硅片并与硅片表面紧密接触，掩膜板覆盖的区域在后续沉积工艺中无法沉积钝化膜，而掩膜板未覆盖的区域可以沉积钝化膜，掩膜版中掩膜条的形状可以根据所要形成的的电极形状而定，不局限于某种固定形状。
在沉积完成后，可以将掩膜版从硅片表面撤走，此时硅片表面形成了沉积区和非沉积区相互交替的表面结构，并且不会像光刻、化学腐蚀等工艺一样对硅片表面造成损伤。
其中，沉积可以发生在硅片的正面和/或背面，本发明实施例对此不做限定。另外，掩膜版可以与硅片贴合后设置在石墨框内进行沉积操作，掩膜版也可以与硅片贴合后设置在石墨舟内进行沉积操作，本发明实施例对此也不做限定。
本发明的掩膜版，可以应用于功能层沉积过程中，将掩膜版与硅片表面紧密接触，然后沉积，沉积完成后拿掉掩膜版即可，仅通过一次沉积操作就可以实现在光伏电池片表面形成凹槽区域(即未沉积的区域)和功能层所处区域(即沉积的区域)，不需要额外投入昂贵的设备，减少了工艺流程，提高了生产效率，且不会对硅片造成激光灼伤。另外，掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数相对接近，从而在进行沉积工艺时，能够保持掩膜条与硅片的较优贴合方式，掩膜版不会对硅片本身造成损伤，提高了光伏电池片的能量转换效率。
可选的，掩膜线和掩膜片条的外表面设置有绝缘隔离层。
可选的，绝缘隔离层为氟碳涂层或玻璃涂层或陶瓷涂层，所述玻璃涂层的熔点为400℃～800℃。
可选的，绝缘隔离层的厚度为10nm～10um。
掩膜线和掩膜片条都为金属材质，而沉积工艺的制备环境中存在电场，若直接将裸露的金属材质的掩膜线和掩膜片条与沉积工艺的电场环境接触，则会对电场造成干扰，使得加工稳定性和精度受到影响。并且，金属材质的掩膜线和掩膜片条耐温性较差，当沉积工艺的制备环境中温度较高时，可能会导致掩膜线和掩膜片条受损。另外，直接将裸露的金属材质的掩膜线和掩膜片条与硅片的表面接触，还会使得金属原子扩散到硅片表面，影响硅片的干净程度，降低硅片的性能。
因此，在本发明实施例中，可以在掩膜线和掩膜片条的外表面设置有绝缘隔离层，绝缘隔离层为氟碳涂层或熔点为400℃～800℃的玻璃涂层或陶瓷涂层。这些材质的绝缘隔离层具有绝缘、耐高温、材质稳定不易扩散的优势，能够大幅降低上述对沉积工艺的电场环境造成干扰、掩膜线和掩膜片条在高温环境中受损、金属原子扩散到硅片表面等问题发生的几率。
可选的，参照图2，图2示出了本发明实施例中的一种掩膜版的局部结构示意图，掩膜条的不同位置的宽度和/或厚度不同。
在掩膜条40包含掩膜线11和掩膜片条12的情况下，掩膜线11的不同位置的直径不同；掩膜片条12的不同位置的宽度和/或厚度不同。
例如，参照图2，从掩膜线11的一端至掩膜线11的另一端，掩膜线11的直径逐渐增大或减小；从掩膜片条12的一端至掩膜片条12的另一端，掩膜片条12的宽度和/或厚度逐渐增大或减小。
在本发明实施例中，一个纵向设置的掩膜片条12，在x方向上，其宽度不断递增，一个横向设置的掩膜线11，在y方向上，其直径不断递减。这就形成了一种掩膜线11的直径和掩膜片条12的宽度和/或厚度渐变的结构，这就可以在后续沉积工艺中，在光伏电池片上加工出渐变的电极形状(即电极的宽度和/或厚度逐渐递增或递减)，这种工艺能够降低光伏电池片的遮光损失，使太阳电池高效率地发电。但是，为了保证不同区域的掩膜线和掩膜片条都能与硅片表面紧密接触，需要增加端部掩膜线和掩膜片条下方的涂层厚度，以与中央部掩膜线和掩膜片条在厚度方向上的一致性，保证硅片表面钝化膜沉积的均匀性。
需要说明的是，掩膜线11的直径和掩膜片条12的宽度和/或厚度也可以不按照渐变递增或递减的形式设计，而是根据实际需求，灵活设计掩膜线的和掩膜片条不同位置的不同尺寸。
可选的，参照图3，图3示出了本发明实施例中的另一种掩膜版的局部结构示意图，掩膜条的至少部分段中，掩膜条40的宽度和/或厚度逐渐增大或减小，在掩膜条40包含掩膜线11和掩膜片条12的情况下，掩膜线11的部分分段中，掩膜线11的直径逐渐增大或减小；掩膜片条12的部分分段中，掩膜片条12的宽度和/或厚度逐渐增大或减小。
在本发明实施例中，图2示出了一种掩膜线和掩膜片条整个尺寸渐变的结构。根据实际需求的不同，掩膜线和掩膜片条也可以采用局部尺寸渐变的结构，如图3中，掩膜片条12可以仅在区域A中的x方向上，采用宽度和/或厚度逐渐增大的渐变结构，掩膜线11可以仅在区域B中的y方向上，采用直径逐渐增大的渐变结构。这样提高了电极形式设计的灵活性。
可选的，参照图4，图4示出了本发明实施例中的另一种掩膜版的局部结构示意图，从掩膜条40的中央至掩膜条40的两端，掩膜条40的宽度和/或厚度逐渐增大或减小。在图4中，示出了一种掩膜线11和掩膜片条21以中心点为开始，宽度和/或厚度向两端依次渐变的结构，具体为从掩膜线11的中央至掩膜线11的两端，掩膜线11的宽度和/或厚度逐渐增大；从掩膜片条21的中央至掩膜片条21的两端，掩膜片条21的宽度和/或厚度逐渐减小。
可选的，参照图1，掩膜条40包括：多根掩膜线11和两条掩膜片条12；多根掩膜线11横向设置在掩膜框体10内，相邻掩膜线11之间间隔第一预设距离；两条掩膜片条12纵向设置在掩膜框体10内，两条掩膜片条12之间间隔第二预设距离。
可选的，第二预设距离大于第一预设距离。
在本发明实施例中，掩膜线11设置在掩膜框体10上并与掩膜框体10连接，掩膜框体10的尺寸大于硅片，掩膜线11呈横向间隔分布，两条掩膜片条12呈纵向间隔分布，使得掩膜版中的图案形状为“H”型，具体而言，参见图1，横向设置的掩膜线11较窄，用于遮挡住需要形成较窄的指状电极的区域，纵向设置的掩膜片条12较宽，用于遮挡住需要形成较宽的汇流电极的区域，钝化膜沉积时不会沉积在所述被遮挡区域。掩膜框体10可以是由金属或非金属等硬质材料构。例如铜、铝、不锈钢、石墨等具有一定耐温性能的材料。
进一步的参照图5，其示出了一种硅片的结构，其中图5为由图1的掩膜版在沉积工艺后制备得到硅片，可以看到硅片20上沉积了钝化膜23，且钝化膜23中交替设置了用于安置较窄的指状电极的第一凹槽21，以及用于安置较宽的汇流电极的第二凹槽22。
其中，掩膜线11可以为涂敷金属线，金属材质可以包括：铜、镍、铝、镁、锌、锡、镉、铅、铜包铝、铜镍合金、铜锌合金、铜电镀银、铜电镀镍中的任意一种。掩膜片条12可以为涂敷金属薄膜，金属材质可以包括：铝、镁、锌、锡、镉、铅中的任意一种。
在本发明实施例中，还提供了几种基于本发明实施例的掩膜版进行光伏电池片的实施方式：
在另一种实施方式中，可以利用本发明实施例的掩膜版，在硅片上制备一种局部隧穿氧化层钝化接触结构。
在另一种实施方式中，可以利用本发明实施例的掩膜版，制备一种背接触太阳电池片(多套掩膜版的叠加使用)。
在另一种实施方式中，可以利用本发明实施例的掩膜版，制备一种太阳电池片表面的接触部(电镀金属化)。
综上所述，本发明的掩膜版，可以应用于功能层沉积过程中，将掩膜版与硅片表面紧密接触，然后沉积，沉积完成后拿掉掩膜版即可，仅通过一次沉积操作就可以实现在光伏电池片表面形成凹槽区域(即未沉积的区域)和功能层所处区域(即沉积的区域)，不需要额外投入昂贵的设备，减少了工艺流程，提高了生产效率，且不会对硅片造成激光灼伤。另外，掩膜条的膨胀系数与硅片的膨胀系数相对接近，从而在进行沉积工艺时，能够保持掩膜条与硅片的较优贴合方式，掩膜版不会对硅片本身造成损伤，提高了光伏电池片的能量转换效率。
要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种掩膜版，用于在硅片表面进行处理，其特征在于，包括：
掩膜框体、设置在所述掩膜框体内的若干掩膜条；
所述掩膜条的两端分别与所述掩膜框体的两个相对侧边连接，所述掩膜条在所述掩膜框体中以纵向和/或横向的方式布置；
所述掩膜条的膨胀系数与所述硅片的膨胀系数两者的差值小于6×10-6/℃。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，在40-400℃的温度范围内，所述掩膜条的膨胀系数为20×10-6/℃～30×10-6/℃。
3.根据权利要求1至2任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜条的外表面设置有绝缘隔离层。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述绝缘隔离层为氟碳涂层或玻璃涂层或陶瓷涂层，所述玻璃涂层的熔点为400℃～800℃。
5.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述绝缘隔离层的厚度为10nm～10um。
6.根据权利要求1至2任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜条的不同位置的宽度和/或厚度不同。
7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，在所述掩膜条的至少部分段中，所述掩膜条的宽度和/或厚度逐渐增大或减小。
8.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，从所述掩膜条的中央至所述掩膜条的两端，所述掩膜条的宽度和/或厚度逐渐增大或减小。
9.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜条包括：多根掩膜线和两条掩膜片条；所述掩膜片条的宽度大于所述掩膜线的直径；
多根所述掩膜线横向设置在所述掩膜框体内，相邻所述掩膜线之间间隔第一预设距离；
两条所述掩膜片条纵向设置在所述掩膜框体内，两条所述掩膜片条之间间隔第二预设距离。
10.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述第二预设距离大于所述第一预设距离。
CN202011569059.4A 2020-12-25 2020-12-25 一种掩膜版 Pending CN112813382A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011569059.4A CN112813382A (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种掩膜版

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011569059.4A CN112813382A (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种掩膜版

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112813382A true CN112813382A (zh) 2021-05-18

Family

ID=75853905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011569059.4A Pending CN112813382A (zh) 2020-12-25 2020-12-25 一种掩膜版

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112813382A (zh)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101950781A (zh) * 2010-09-09 2011-01-19 浙江百力达太阳能有限公司 一种承载硅片的载具及选择性发射极太阳电池的掩膜工艺
CN102394260A (zh) * 2011-11-29 2012-03-28 天威新能源控股有限公司 一种太阳电池背面钝化层的制备方法
CN102810600A (zh) * 2012-08-16 2012-12-05 英利能源（中国）有限公司 晶体硅太阳能电池的制备方法
CN103579418A (zh) * 2013-11-08 2014-02-12 中电电气（扬州）光伏有限公司 一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法
US20160201185A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-14 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Mask device and method for assembling the same
CN106920862A (zh) * 2017-03-08 2017-07-04 泰州乐叶光伏科技有限公司 全背电极太阳电池背面离子注入掩模版及背面图形实现方法
CN107516683A (zh) * 2017-08-04 2017-12-26 张家港协鑫集成科技有限公司 太阳能电池背面局部金属接触方法及电池制造方法
WO2019078598A1 (ko) * 2017-10-20 2019-04-25 (주)이노페이스 태양전지용 스텐실 마스크

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101950781A (zh) * 2010-09-09 2011-01-19 浙江百力达太阳能有限公司 一种承载硅片的载具及选择性发射极太阳电池的掩膜工艺
CN102394260A (zh) * 2011-11-29 2012-03-28 天威新能源控股有限公司 一种太阳电池背面钝化层的制备方法
CN102810600A (zh) * 2012-08-16 2012-12-05 英利能源（中国）有限公司 晶体硅太阳能电池的制备方法
CN103579418A (zh) * 2013-11-08 2014-02-12 中电电气（扬州）光伏有限公司 一种背面钝化太阳电池的背面接触形成方法
US20160201185A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-14 Ordos Yuansheng Optoelectronics Co., Ltd. Mask device and method for assembling the same
CN106920862A (zh) * 2017-03-08 2017-07-04 泰州乐叶光伏科技有限公司 全背电极太阳电池背面离子注入掩模版及背面图形实现方法
CN107516683A (zh) * 2017-08-04 2017-12-26 张家港协鑫集成科技有限公司 太阳能电池背面局部金属接触方法及电池制造方法
WO2019078598A1 (ko) * 2017-10-20 2019-04-25 (주)이노페이스 태양전지용 스텐실 마스크

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
半导体研究振兴会: "超大规模集成电路微细加工技术", 国防工业出版社 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11637213B2 (en) Hybrid polysilicon heterojunction back contact cell
AU2015210421B9 (en) Hybrid polysilicon heterojunction back contact cell
US8679889B2 (en) Hybrid polysilicon heterojunction back contact cell
US8293568B2 (en) Crystalline silicon PV cell with selective emitter produced with low temperature precision etch back and passivation process
US20080290368A1 (en) Photovoltaic cell with shallow emitter
US20140000695A1 (en) Methods and structures for improving the structural integrity of solar cells
JP2004531074A (ja) 太陽電池の製造方法
US20220320355A1 (en) Solar cell and a manufacturing method therefor
KR102271715B1 (ko) 전면-측 콘택들 사이에 투명한 전도성 층을 포함하는 결정질 태양 전지 및 이러한 태양 전지를 생산하는 방법
CN112813382A (zh) 一种掩膜版
CN214694341U (zh) 一种掩膜版
CN112133771A (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN114695593B (zh) 背接触电池的制备方法及背接触电池
CN112133768A (zh) 背接触太阳电池的制作方法及背接触太阳电池
CN210200742U (zh) 太阳能电池
JP4220014B2 (ja) 薄膜太陽電池の形成方法
CN210200744U (zh) 太阳能电池
CN112133770A (zh) 太阳能电池及其制造方法
US10115851B2 (en) Solar cell having a dielectric rear face coating and method for producing same
CN115620954A (zh) 制热材料的制备方法及制热材料
JP2019062027A (ja) 細長いシリコン太陽電池セルとその製造方法
JPS63202077A (ja) 光起電力装置の製造方法
JP2017183426A (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池セルの製造方法
JP2002353476A (ja) 太陽電池素子の製造方法
JP2003197931A (ja) 太陽電池素子

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210518