CN112804629B - 麦克风结构和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种麦克风结构和电子设备，所述麦克风结构包括壳体、MEMS芯片及第二磁吸件，所述壳体设有容腔和连通所述容腔的声孔；所述MEMS芯片设于所述容腔内，所述MEMS芯片包括振膜和背极板，所述振膜和所述背极板相对设置，并形成振动腔，所述振膜设有第一磁吸件；所述第二磁吸件设于所述容腔内，并与所述第一磁吸件对应设置。本发明旨在避免麦克风结构封装过程中产生吸膜现象，有效提高产品良率。该麦克风结构保证MEMS芯片工作稳定性的同时，提高MEMS芯片对低频声压的感应灵敏度。

Description

麦克风结构和电子设备

技术领域

本发明涉及电声器件技术领域，特别涉及一种麦克风结构和应用该麦克风结构的电子设备。

背景技术

(Micro Electro Mechanic System，微型机电系统)MEMS芯片是一种用微机械加工技术制作出来的电能换声器件，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着MEMS麦克风的小巧化、薄型化发展，MEMS芯片被越来越广泛地运用到这些设备上。相关技术中，MEMS麦克风在封装过程中会产生部分吸膜现象，从而造成产品浪费。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种麦克风结构和电子设备，旨在避免麦克风结构封装过程中产生吸膜现象，有效提高产品良率。该麦克风结构保证MEMS芯片工作稳定性的同时，提高MEMS芯片对低频声压的感应灵敏度。

为实现上述目的，本发明提出的一种麦克风结构，所述麦克风结构包括：

壳体，所述壳体设有容腔和连通所述容腔的声孔；

MEMS芯片，所述MEMS芯片设于所述容腔内，所述MEMS芯片包括振膜和背极板，所述振膜和所述背极板相对设置，并形成振动腔，所述振膜设有第一磁吸件；及

第二磁吸件，所述第二磁吸件设于所述容腔内，并与所述第一磁吸件对应设置。

在一实施例中，所述第一磁吸件设于所述振膜背向所述背极板的一侧；

或，所述第一磁吸件设于所述振膜面向所述背极板的一侧。

在一实施例中，所述第一磁吸件粘贴于所述振膜；或，所述第一磁吸件沉积于所述振膜；或，所述第一磁吸件溅射于所述振膜；

且/或，所述第二磁吸件粘贴于所述容腔的内壁；所述第二磁吸件焊接于所述容腔的内壁。

在一实施例中，所述第一磁吸件设于所述振膜的中央；

且/或，所述第一磁吸件的面积小于所述振膜的面积；

且/或，所述第一磁吸件的面积小于或等于所述第二磁吸件的面积；

且/或，所述第一磁吸件为圆形、椭圆形、方形、三角形、多边形或异形；

且/或，所述第二磁吸件为圆形、椭圆形、方形、三角形、多边形或异形；

且/或，所述第二磁吸件与所述声孔呈错位设置。

在一实施例中，所述第一磁吸件为磁铁、磁性膜、易磁化件膜或导电线圈；

且/或，所述第二磁吸件为磁铁、磁性膜、易磁化件膜或导电线圈。

在一实施例中，所述MEMS芯片还包括设于所述容腔内的支撑件，所述支撑件设有安装槽，所述背极板设于所述安装槽内，所述振膜与所述支撑件连接，并遮盖所述安装槽的槽口。

在一实施例中，所述振膜设有通气孔，所述通气孔连通所述容腔和所述振动腔。

在一实施例中，所述背极板设有泄压孔，所述泄压孔连通所述振动腔。

在一实施例中，所述壳体包括：

电路板；

加强层，所述加强层设于所述电路板，所述MEMS芯片设于所述加强层背向所述电路板的一侧；及

外壳，所述外壳罩盖所述MEMS芯片，并与所述加强层连接，所述外壳与所述加强层围合形成所述容腔，所述外壳开设有所述声孔，所述第二磁吸件设于所述外壳。

本发明还提出一种电子设备，包括设备本体和上述所述的麦克风结构，所述麦克风结构设置在所述设备本体上。

本发明技术方案的麦克风结构通过在MEMS芯片的振膜上设置第一磁吸件，并在壳体的容腔内设置第二磁吸件，使得第二磁吸件与第一磁吸件对应设置，从而在麦克风结构封装过程中，利用第二磁吸件磁力吸引附着于振膜之上的第一磁吸件，使得振膜恢复初始状态，有效避免MEMS芯片产生吸膜现象，从而提高产品良率。可以理解的，当振膜未受气流冲击状态下，第二磁吸件通过磁力吸引附着于振膜之上的第一磁吸件，与振膜和第一磁吸件的重力形成反作用力，从而使振膜与背极板处于平行状态，减小灵敏度；当振膜受气流冲击状态下，第二磁吸件通过磁力吸引附着于振膜之上的第一磁吸件，在未增大振膜刚度基础上使振膜与背极板不易吸膜。同时，MEMS芯片的振膜和背极板相对设置，使得相对设置的背极板和振膜之间形成振动腔，使得背极板和振膜在上电后可以形成电容器结构。本发明的麦克风结构既保证了MEMS芯片工作稳定性，同时也提高MEMS芯片对低频声压的感应灵敏度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中麦克风结构的结构示意图；

图2为本发明另一实施例中麦克风结构的结构示意图；

图3为本发明一实施例中麦克风结构容腔进入气流的结构示意图；

图4为本发明一实施例中振膜与第一磁吸件的俯视示意图；

图5为本发明一实施例中外壳与第二磁吸件的结构示意图。

附图标号说明：

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

(Micro Electro Mechanic System，微型机电系统)MEMS芯片是一种用微机械加工技术制作出来的电能换声器件，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着MEMS麦克风的小巧化、薄型化发展，MEMS芯片被越来越广泛地运用到这些设备上。相关技术中，MEMS芯片成品受重力影响，振膜中心区域长期处于凹陷状态，使得振动腔减小，灵敏度增大，MEMS麦克风在封装过程中，振膜受气流或高声压冲击时易吸膜，从而造成产品浪费。

基于上述构思和问题，本发明提出一种麦克风结构100。可以理解的，该麦克风结构100应用于电子设备中，电子设备可以是耳机、手机、PAD、扬声器等，在此不做限定。

请结合参照图1、图2、图3、图4和图5所示，在本发明实施例中，该麦克风结构100包括壳体1、MEMS芯片2及第二磁吸件3，其中，所述壳体1设有容腔1a和连通所述容腔1a的声孔131；所述MEMS芯片2设于所述容腔1a内，所述MEMS芯片2包括振膜22和背极板23，所述振膜22和所述背极板23相对设置，并形成振动腔2a，所述振膜22设有第一磁吸件24；所述第二磁吸件3设于所述容腔1a内，并与所述第一磁吸件24对应设置。

在本实施例中，壳体1用于安装、固定和保护MEMS芯片2及第二磁吸件3，壳体1的结构可以是具有容腔1a结构的盒体、箱体或盖体等结构，在此不做限定。可以理解的，通过在壳体1上设置声孔131，从而方便声音气流通过声孔131进入容腔1a内，并作用于MEMS芯片2上，如此利用MEMS芯片2实现声电转换。

MEMS芯片2通过设置背极板23和振膜22，并将背极板23和振膜22相对设置，使得相对设置的背极板23和振膜22之间形成振动腔2a，从而使得背极板23和振膜22在上电后可以形成电容器结构，也即MEMS芯片2为电容器结构。麦克风结构100可选为电容式MEMS麦克风。

在本实施例中，在MEMS芯片2通电工作时，振膜22与背极板23将会带上极性相反的电荷，形成电容器结构，因此振膜22在静电力的作用下会朝着背极板23移动，从而改变振膜22与背极板23的电容，形成电信号。

可以理解的，通过在振膜22上设置第一磁吸件24，并在壳体1的容腔1a内设置第二磁吸件3，使得第二磁吸件3与第一磁吸件24对应设置，从而利用第二磁吸件3与第一磁吸件24磁力吸附作用，有效避免MEMS芯片2成品中振膜22长期处于凹陷状态，从而在麦克风结构100封装过程中，避免振膜22受气流或高声压冲击时发生吸膜现象。

在本实施例中，第二磁吸件3可以是直接设置于容腔1a的内壁上。当然，在其他实施例中，第二磁吸件3也可以通过其他固定结构设置于容腔1a内，并与第一磁吸件24对应设置，例如悬空设置等，在此不做限定。

可以理解的，第一磁吸件24和第二磁吸件3之间会产生相互吸附作用，第一磁吸件24和第二磁吸件3只要是能够产生吸附作用的结构或材料均可，在此不做限定。

本发明的麦克风结构100通过在MEMS芯片2的振膜22上设置第一磁吸件24，并在壳体1的容腔1a内设置第二磁吸件3，使得第二磁吸件3与第一磁吸件24对应设置，从而在麦克风结构100封装过程中，利用第二磁吸件3磁力吸引附着于振膜22之上的第一磁吸件24，使得振膜22恢复初始状态，有效避免MEMS芯片2产生吸膜现象，从而提高产品良率。可以理解的，当振膜22未受气流冲击状态下，第二磁吸件3通过磁力吸引附着于振膜22之上的第一磁吸件24，与振膜22和第一磁吸件24的重力形成反作用力，从而使振膜22与背极板23处于平行状态，减小灵敏度；当振膜22受气流冲击状态下，第二磁吸件3通过磁力吸引附着于振膜22之上的第一磁吸件24，在未增大振膜22刚度基础上使振膜22与背极板23不易吸膜。同时，MEMS芯片2的振膜22和背极板23相对设置，使得相对设置的背极板23和振膜22之间形成振动腔2a，使得背极板23和振膜22在上电后可以形成电容器结构。本发明的麦克风结构100既保证了MEMS芯片2工作稳定性，同时也提高MEMS芯片2对低频声压的感应灵敏度。

在本实施例中，背极板23可以为一层多晶硅层的形式，多晶硅为性能优异的半导体，可以很好地实现背极板23与振膜22间隔后形成电容器结构，保证MEMS芯片2的功能性。可以理解的，背极板23可以具有氮化硅层和设置在氮化硅层内的多晶硅层，本实施例中设置氮化硅层对多晶硅层进行保护，且防止吸膜造成的短路，使得背极板23与振膜22形成电容器结构，实现MEMS芯片2的功能。

在一实施例中，如图1和图3所示，所述第一磁吸件24设于所述振膜22背向所述背极板23的一侧。

在本实施例中，第一磁吸件24与振膜22可以是分体结构设置，也即单独加工形成第一磁吸件24和振膜22，然后将第一磁吸件24设置于振膜22上，如此可方便第一磁吸件24和振膜22的加工生产。可以理解的，第一磁吸件24与振膜22可采用固定连接方式，例如采用焊接或粘结等方式固定，如此可提高第一磁吸件24与振膜22之间的连接稳定性。当然，第一磁吸件24与振膜22也可采用可拆卸连接结构，例如采用卡扣连接、插接配合等方式，如此可方便第一磁吸件24的拆卸、更换或维修，从而提高使用便利性。

当然，在其他实施例中，第一磁吸件24与振膜22也可设置为一体结构，也即第一磁吸件24与振膜22采用一体成型方式加工成型。此时，第一磁吸件24可选用磁性材料，通过沉积、溅射等方式设置于振膜22上。当然，还可以在振膜22的加工过程中将磁性材料或粉末混合在振膜22的材料中加工形成具有磁性的振膜，在此不做限定。

在本实施例中，通过将第一磁吸件24设于振膜22背向背极板23的一侧，使得第一磁吸件24与第二磁吸件3之间没有任何的阻隔或遮挡物，从而有效提高磁力吸附作用。

在另一实施例中，如图2所示，所述第一磁吸件24设于所述振膜22面向所述背极板23的一侧。可以理解的，通过将第一磁吸件24设于振膜22面向背极板23的一侧，也即第一磁吸件24位于振动腔2a内，如此设置从而方便声音气流从声孔131进入容腔1a内，可首先作用于振膜22上，提高MEMS芯片2的灵敏度。

在一实施例中，如图4所示，所述第一磁吸件24粘贴于所述振膜22。可以理解的，通过贴合方式使得第一磁吸件24与振膜22具有较大的接触面积，从而提高连接稳固性。

在一实施例中，如图4所示，所述第一磁吸件24沉积于所述振膜22。可以理解的，第一磁吸件24可选为磁性材料或磁性粉末或易磁化材料或粉末，通过沉积方式加工于振膜22上，有效提高第一磁吸件24与振膜22之间的牢固性。

在一实施例中，如图4所示，所述第一磁吸件24溅射于所述振膜22。可以理解的，第一磁吸件24可选为磁性材料或磁性粉末或易磁化材料或粉末，通过溅射或电镀等方式加工于振膜22上，有效提高第一磁吸件24与振膜22之间的牢固性。

在一实施例中，如图1、图2、图3和图5所示，所述第二磁吸件3粘贴于所述容腔1a的内壁。可以理解的，通过贴合方式使得第二磁吸件3与容腔1a的内壁具有较大的接触面积，从而提高连接稳固性。可选地，第二磁吸件3通过黏胶粘贴在容腔1a的内壁。

在一实施例中，如图1、图2、图3和图5所示，所述第二磁吸件3焊接于所述容腔1a的内壁。可以理解的，第二磁吸件3可选为磁铁等磁性结构，通过焊接等方式加工于容腔1a的内壁上，有效提高第二磁吸件3与容腔1a的内壁之间的牢固性。

在一实施例中，如图4所示，所述第一磁吸件24设于所述振膜22的中央。可以理解的，通过将第一磁吸件24设于振膜22的中央，从而在MEMS芯片2成品长时间的放置过程中有利于避免振膜22的中央发生凹陷，导致振膜22发生吸膜现象。

在一实施例中，如图4所示，所述第一磁吸件24的面积小于所述振膜22的面积。可以理解的，将第一磁吸件24的尺寸设置为小于振膜22，从而方便振膜22直接与经过声孔131进入容腔1a内的声音气流直接作用，实现声电转换，从而提高MEMS芯片2的灵敏性。

在一实施例中，所述第一磁吸件24的面积小于或等于所述第二磁吸件3的面积。可以理解的，通过将第二磁吸件3的尺寸设置较大，从而提高第二磁吸件3对第一磁吸件24的磁力吸附作用，有利于避免振膜22发生凹陷等吸膜现象。

可选地，所述第一磁吸件24为圆形、椭圆形、方形、三角形、多边形或异形，在此不做限定。所述第二磁吸件3为圆形、椭圆形、方形、三角形、多边形或异形，在此不做限定。可以理解的，第一磁吸件24的形状轮廓可设置为与第二磁吸件3的形状轮廓相同。当然，第一磁吸件24的形状轮廓也可设置为与第二磁吸件3的形状轮廓不相同，在此不做限定。

在一实施例中，如图5所示，所述第二磁吸件3与所述声孔131呈错位设置。可以理解的，如此设置，从而有利于避免第二磁吸件3影响声音气流从声孔131进入容腔1a内，从而影响麦克风结构100的声学性能。

可选地，所述第一磁吸件24为磁铁、磁性膜、易磁化件膜或导电线圈，在此不做限定。所述第二磁吸件3为磁铁、磁性膜、易磁化件膜或导电线圈，在此不做限定。

在一实施例中，如图1至图3所示，所述MEMS芯片2还包括设于所述容腔1a内的支撑件21，所述支撑件21设有安装槽211，所述背极板23设于所述安装槽211内，所述振膜22与所述支撑件21连接，并遮盖所述安装槽211的槽口。

在本实施例中，支撑件21用于安装固定背极板23和振膜22，使得背极板23和振膜22形成电容器结构。支撑件21可选为绝缘材料支撑。可以理解的，支撑件21可以是具有空腔的柱状或筒状结构，在此不做限定。

可以理解的，通过将背极板23设于安装槽211内，从而实现背极板23的固定。在本实施例中，背极板23为固定极板，背极板23可通过焊接或粘贴等方式固定于安装槽211。可选地，背极板23可设于安装槽211的底壁。当然，背极板23也可悬设于安装槽211内，也即背极板23将安装槽211分隔为上下两个腔，在此不做限定。

在本实施例中，振膜22设于安装槽211的槽口处，使得振膜22与背极板23呈相对且间隔设置，从而使得振膜22、背极板23及支撑件21围合形成振动腔2a。可以理解的，振膜22为动极板，振膜22在声音气流的作用下，可相对于背极板23移动，从而使得振膜22与背极板23的电容发生变化，实现声电信号转换。

需要说明的是，在MEMS芯片2由工作状态进入停止工作的状态时，停止对MEMS芯片2供电，从而振膜22与背极板23之间的静力场消失。振膜22在第一磁吸件24与第二磁吸件3之间的磁力作用下回复初始状态。

在一实施例中，如图1至图3所示，所述振膜22设有通气孔，所述通气孔连通所述容腔1a和所述振动腔2a。

在本实施例中，通过在振膜22上设置通气孔，可选地，通气孔包括多个，多个通气孔相互间隔。可以理解的，在振膜22上设置多个通气孔，便于导引冲击于振膜22表面的气流，降低振膜22的失效概率。该通气孔具体的数量可以根据实际需要进行设置，至少为一个，可以理解的是，更多的通气孔便于提高导引的效率。

可以理解的，通气孔也设置在靠近振膜22边缘的位置，从而保证在声压可以作用在振膜22的中部引起振膜22振动，提高MEMS芯片2对声压特别是低频声压的响应。进入振动腔2a的气流由于受到背极板23阻挡，无法直接离开振动腔2a，从而限制了微弱气压的衰减速率，振膜22可以最大限度地响应该微弱气压的作用，因此，提高了MEMS芯片2对低频声压的感应灵敏度。

可选地，所述通气孔的孔径d的取值范围为：0.1um≤d≤10um。当通气孔的孔径d小于0.1um时不能及时将作用于振膜22的气流导引至振动腔2a，从而容易造成振膜22破裂；当通气孔的孔径d大于10um时，容易直接将低频声压的能量排泄，降低振膜22的低频响应。当孔径d的取值范围为：0.1um≤d≤10um时，一方面可以及时将作用于振膜22的气流导引至振动腔2a，降低振膜22破裂的概率，另一方面还可以限制低频声压的排泄速度，提高振膜22的低频响应。

可以理解的是，当通气孔的孔径d可选为0.2um、0.5um、0.7um、0.9um、1um、3um、5um、7um、9um等，均可一方面可以及时将作用于振膜22的气流导引至振动腔2a，降低振膜22破裂的概率，另一方面还可以限制低频声压的排泄速度，提高振膜22的低频响应。

在一实施例中，如图1至图3所示，所述背极板23设有泄压孔231，所述泄压孔231连通所述振动腔2a。

在本实施例中，泄压孔231设置在靠近背极板23边缘的位置，从而保证在声压可以作用在振膜22的中部引起振膜22振动，提高MEMS芯片2对声压特别是低频声压的响应，以及进入振动腔2a的气流由于受到背极板23阻挡，无法直接离开振动腔2a，从而限制了微弱气压的衰减速率，振膜22可以最大限度地响应该微弱气压的作用，因此，提高了MEMS芯片2对低频声压的感应灵敏度。

可以理解的，该泄压孔231上设置有防尘结构，该防尘结构为具有多个网孔的金属层，该金属层可以在制作背极板23的时候形成，进而通过光刻工艺在金属层形成多个防尘网孔，该防尘网孔的孔径可以设置为小于3um或者更小的孔径，可以防止外部杂质进入。

在本实施例中，所述泄压孔231的数量为多个，多个所述泄压孔231相互间隔设置。通过设置多个泄压孔231可以使得背极板23在多个位置均可及时对进入振动腔2a的气流进行排泄，进一步使得过载压力快速通过振膜22，避免振膜22破裂，减小瞬时冲击对振膜22的影响，保证在MEMS芯片2受到低频声压作用产生的微弱气压时，该微弱气压产生的气波作用于振膜22，并从通气孔进入振动腔2a，振膜22在该微弱气波的作用下振动。进入振动腔2a的气波由于受到背极板23阻挡，无法直接离开振动腔2a，从而限制了微弱气压的衰减速率，振膜22可以最大限度地响应该微弱气压的作用。

可以理解的，在MEMS芯片2未使用的情况下，在MEMS芯片2受到外界气压的瞬间冲击时，气流由通气孔进入振动腔2a，到达背极板23，由于泄压孔231，使过载的压力快速通过背极板23并排泄，避免振膜22破裂，减小瞬间冲击对振膜的影响，保证MEMS芯片2对检测气流或者其他状态瞬时冲击时的结构稳定。

在需要使用MEMS芯片2时，对MEMS芯片2通电。此时振膜22和背极板23之间产生静力场，在MEMS芯片2受到低频声压作用产生的微弱气压时，该微弱气压产生的气波作用于振膜22，并从通气孔进入振动腔2a，振膜22在该微弱气波的作用下振动。进入振动腔2a的气波由于受到背极板23阻挡，无法直接离开振动腔2a，从而限制了微弱气压的衰减速率，振膜22可以最大限度地响应该微弱气压的作用，因此，提高了MEMS芯片2对低频声压的感应灵敏度。如此，本发明的麦克风结构100可以在保证MEMS芯片2工作稳定性的同时，提高MEMS芯片2对低频声压的感应灵敏度。

在一实施例中，如图1至图3所示，所述壳体1包括电路板11、加强层12及外壳13，所述加强层12设于所述电路板11，所述MEMS芯片2设于所述加强层12背向所述电路板11的一侧；所述外壳13罩盖所述MEMS芯片2，并与所述加强层12连接，所述外壳13与所述加强层12围合形成所述容腔1a，所述外壳13开设有所述声孔131，所述第二磁吸件3设于所述外壳13。

在本实施例中，电路板11可选为硬质电路板。加强层12可选为硬质金属板(例如硬质合金)制成。电路板11和加强层12呈层叠设置。电路板11和加强层12可选为板状结构。外壳13可选为罩体或盒体结构。外壳13通过焊接或粘结方式固定于加强层12背向电路板11的一侧，并与加强层12围合形成容腔1a。

在本实施例中，通过在电路板11上设置加强层12，从而利用加强层12增强电路板11的硬度，同时加强层12的设置，还有利于防止测试探针接触电路板11引起微米尺度的振动形变传导至MEMS振膜，影响灵敏度。

可以理解的，外壳13开设有声孔131，第二磁吸件3设于外壳13，并位于容腔1a内。可选地，第二磁吸件3与声孔131呈错位设置，从而避免第二磁吸件3影响声音气流从声孔31进入容腔1a内。

本发明的麦克风结构100为电容式MEMS麦克风，背极板23与振膜22为电容的两个极板，其中背极板23为固定极板，振膜222为可动部分。振膜22上设计有通气孔、纹膜及凹槽或凹凸结构。通过在壳体1的外壳13上设置第二磁吸件3(可以是磁块膜)，并在振膜22上设置第一磁吸件24(可以是易磁化件膜)，在麦克风结构100封装过程中可通过外壳13的第二磁吸件3磁力吸引附着于振膜22之上的第一磁吸件24恢复初始状态。

当振膜22未受气流冲击状态下，第二磁吸件3磁力吸引附着于振膜22之上的第一磁吸件24，与重力形成反作用力，从而使振膜22与背极板23处于平行状态，减小灵敏度。当振膜22受气流冲击状态下，第二磁吸件3磁力吸引附着于振膜22之上的第一磁吸件24，在未增大振膜22刚度基础之上使振膜22与背极板23不易吸膜。

本发明还提出一种电子设备，包括设备本体和麦克风结构100，所述麦克风结构100设置在所述设备本体上。该麦克风结构100的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种麦克风结构，其特征在于，所述麦克风结构包括：

壳体，所述壳体设有容腔和连通所述容腔的声孔；

MEMS芯片，所述MEMS芯片设于所述容腔内，所述MEMS芯片包括振膜、背极板及支撑件，所述支撑件设有安装槽，所述背极板设于所述安装槽内，所述振膜与所述支撑件连接，并遮盖所述安装槽的槽口，且所述振膜和所述背极板相对设置，并形成振动腔，所述振膜设有第一磁吸件；及

第二磁吸件，所述第二磁吸件设于所述容腔内，并与所述第一磁吸件对应设置，以使所述第二磁吸件与所述第一磁吸件之间产生相互吸附作用。

2.如权利要求1所述的麦克风结构，其特征在于，所述第一磁吸件设于所述振膜背向所述背极板的一侧；

或，所述第一磁吸件设于所述振膜面向所述背极板的一侧。

3.如权利要求1所述的麦克风结构，其特征在于，所述第一磁吸件粘贴于所述振膜；或，所述第一磁吸件沉积于所述振膜；或，所述第一磁吸件溅射于所述振膜；

且/或，所述第二磁吸件粘贴于所述容腔的内壁；所述第二磁吸件焊接于所述容腔的内壁。

4.如权利要求1所述的麦克风结构，其特征在于，所述第一磁吸件设于所述振膜的中央；

且/或，所述第一磁吸件的面积小于所述振膜的面积；

且/或，所述第一磁吸件的面积小于或等于所述第二磁吸件的面积；

且/或，所述第一磁吸件为圆形、椭圆形、方形、三角形、多边形或异形；

且/或，所述第二磁吸件为圆形、椭圆形、方形、三角形、多边形或异形；

且/或，所述第二磁吸件与所述声孔呈错位设置。

5.如权利要求1所述的麦克风结构，其特征在于，所述第一磁吸件为磁铁、磁性膜、易磁化件膜或导电线圈；

且/或，所述第二磁吸件为磁铁、磁性膜、易磁化件膜或导电线圈。

6.如权利要求1至5中任一项所述的麦克风结构，其特征在于，所述振膜设有通气孔，所述通气孔连通所述容腔和所述振动腔。

7.如权利要求1至5中任一项所述的麦克风结构，其特征在于，所述背极板设有泄压孔，所述泄压孔连通所述振动腔。

8.如权利要求1至5中任一项所述的麦克风结构，其特征在于，所述壳体包括：

电路板；

加强层，所述加强层设于所述电路板，所述MEMS芯片设于所述加强层背向所述电路板的一侧；及

外壳，所述外壳罩盖所述MEMS芯片，并与所述加强层连接，所述外壳与所述加强层围合形成所述容腔，所述外壳开设有所述声孔，所述第二磁吸件设于所述外壳。

9.一种电子设备，其特征在于，包括设备本体和如权利要求1至8中任意一项所述的麦克风结构，所述麦克风结构设置在所述设备本体上。

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