CN212851006U - Mems芯片、麦克风和电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种MEMS芯片、麦克风和电子设备，该MEMS芯片的电容系统包括：第一振膜，所述第一振膜覆盖所述背腔设置；和第一背极，所述第一背极与所述第一振膜间隔设置，并形成第一振动间隙；以及支撑件，所述支撑件位于所述第一振动间隙内，所述支撑件包括：固定面，所述固定面连接于所述第一背极；支撑面，所述支撑面相对所述固定面设置；连接面，所述连接面连接所述支撑面和所述固定面；以及连通部，所述连通部贯穿所述支撑面和所述连接面。本实用新型技术方案旨在保证振膜在振动过程中不与背板粘接的基础上，使得振膜良好地振动，提高麦克风的灵敏度和信噪比。

Description

MEMS芯片、麦克风和电子设备

技术领域

本实用新型涉及电声器件技术领域，特别涉及一种MEMS芯片、麦克风和应用该麦克风的电子设备。

背景技术

MEMS(Micro Electro Mechanic System，微型机电系统)麦克风是一种用微机械加工技术制作出来的电能换声器，其具有体积小、频响特性好、噪声低等特点。随着电子设备的小巧化、薄型化发展，MEMS芯片被越来越广泛地运用到这些设备上。

相关技术中的MEMS芯片包括硅基底以及由振膜和背板组成的平板电容，振膜与背板相对并相隔一定距离。振膜在声波的作用下产生振动，导致振膜和背板之间的距离发生变化，导致平板电容的电容发生改变，从而将声波信号转化为了电信号。但是这种MEMS芯片应用在麦克风上，其灵敏度和信噪比会随着其振膜和背板面积的扩大而降低，由于对背极和振膜上电后，振膜会朝向背极运动，此时振膜在振动过程中容易与背板粘接，而示例性技术中不能在保证振膜在振动过程中不与背板粘接的基础上，使得振膜良好地振动，降低了应用此种MEMS芯片的麦克风的灵敏度和信噪比。

以上仅用于辅助理解本实用新型的技术方案，并不代表承认为现有技术。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种MEMS芯片、麦克风和电子设备，旨在保证振膜在振动过程中不与背板粘接的基础上，使得振膜良好地振动，提高麦克风的灵敏度和信噪比。

为实现上述目的，本实用新型提供的MEMS芯片，包括：

基底，所述基底设有背腔；

电容系统，所述电容系统设于背腔的一侧，所述电容系统包括：

第一振膜，所述第一振膜覆盖所述背腔设置；和

第一背极，所述第一背极与所述第一振膜间隔设置，并形成第一振动间隙；以及

支撑件，所述支撑件位于所述第一振动间隙内，所述支撑件包括：

固定面，所述固定面连接于所述第一背极；

支撑面，所述支撑面相对所述固定面设置；

连接面，所述连接面连接所述支撑面和所述固定面；以及

连通部，所述连通部贯穿所述支撑面和所述连接面。

在本实用新型的一些实施例中，所述连通部包括贯穿槽，所述贯穿槽的槽口贯穿所述支撑面，所述贯穿槽的至少一端贯穿所述连接面。

在本实用新型的一些实施例中，所述连通部为通孔，所述通孔连通所述支撑面和所述连接面。

在本实用新型的一些实施例中，所述连通部还包括避让孔，所述避让孔的一端贯穿所述贯穿槽的槽底壁；

或者，所述避让孔的一端贯穿所述支撑面，所述贯穿槽贯穿所述避让孔的孔壁。

在本实用新型的一些实施例中，所述贯穿槽的数量为至少两个，至少两所述贯穿槽沿所述避让孔的周向间隔设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述支撑件为柱状设置；

或者，所述支撑件为球状设置；

或者，所述支撑件为块状设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述支撑件的数量为多个，多个所述支撑件沿所述第一振动间隙的宽度方向间隔设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述支撑面的面积S1与所述连接面的面积S2的关系为：S1≤S2。

在本实用新型的一些实施例中，所述电容系统还包括位于所述第一振膜和基底之间的第二背极，所述第二背极与所述第一振膜间隔设置并形成第二振动间隙，所述第一振膜于所述第一振动间隙和所述第二振动间隙之间振动；

所述支撑件的数量为至少两个，其中的一所述支撑件位于第一振动间隙，并连接于第一背极，其中的一所述支撑件位于所述第二振动间隙内，并连接于所述第二背极。

在本实用新型的一些实施例中，所述电容系统包括位于所述第一背极背离所述第一振膜一侧的第二振膜，所述第二振膜与所述第一背极间隔设置并形成第三振动间隙，所述第一振膜于所述第一振动间隙和所述第三振动间隙之间振动；

所述支撑件的数量为至少两个，其中的一所述支撑件位于所述第一振动间隙内，并连接于所述第一背极，其中的一所述支撑件位于所述第三振动间隙内，并连接于所述第一背极背离第一间隙的一侧。

本实用新型还提出一种麦克风，包括如上所述的MEMS芯片，所述MEMS 芯片包括：

基底，所述基底设有背腔；

电容系统，所述电容系统设于背腔的一侧，所述电容系统包括：

第一振膜，所述第一振膜覆盖所述背腔设置；和

第一背极，所述第一背极与所述第一振膜间隔设置，并形成第一振动间隙；以及

支撑件，所述支撑件位于所述第一振动间隙内，所述支撑件包括：

固定面，所述固定面连接于所述第一背极；

支撑面，所述支撑面相对所述固定面设置；

连接面，所述连接面连接所述支撑面和所述固定面；以及

连通部，所述连通部贯穿所述支撑面和所述连接面。

本实用新型同时提出一种电子设备，包括如上所述的麦克风。

本实用新型的技术方案通过设置具有背腔的基底，以及在所述基底上设置电容系统，该电容系统包括第一背极以及与所述第一背极相对的第一振膜，第一背极与第一振膜间隔设置并形成第一振动间隙，从而第一振膜可以在第一振动间隙和背腔之间振动，以及设置位于第一振动间隙内的至少一个支撑件，在该MEMS芯片通电工作时，第一背极和第一振膜都会被上电，从而第一振膜朝向第一背极运动，由于设置了支撑件，在第一振膜与第一背极的接触会变成点接触，可以对降低第一振膜与第一背极的接触面积，防止吸膜；进一步地该支撑件包括固定面和相对固定面的支撑面，该固定面连接于第一背极，该支撑面用于支撑振膜，进一步设置连通支撑面与外部环境的连通部，所述支撑件的支撑面与所述第一背极或第一振膜抵接，由于设置了连通支撑面的连通部，降低了支撑面与所述第一背极或第一振膜的接触面积，并且由于连通部贯穿支撑面和连接面，使得支撑面与所述第一背极或第一振膜接触时不会形成真空，防止真空引起的吸膜而降低振膜的振动能量，最大程度地保证了振膜的振动效果。如此，本实用新型的技术方案可以保证振膜在振动过程中不与背板粘接的基础上，使得振膜良好地振动，提高应用该种MEMS 芯片的麦克风的灵敏度和信噪比。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型MEMS芯片一实施例的结构示意图；

图2为本实用新型MEMS芯片另一实施例的结构示意图；

图3为本实用新型MEMS芯片又一实施例的结构示意图；

图4为本实用新型MEMS芯片的支撑件一实施例的结构示意图；

图5为本实用新型MEMS芯片的支撑件又一实施例的结构示意图；

图6为本实用新型MEMS芯片的支撑件再一实施例的结构示意图；

图7为本实用新型MEMS芯片的支撑件再一实施例的结构示意图；

图8为本实用新型MEMS芯片的支撑件再一实施例的结构示意图；

图9为本实用新型MEMS芯片的支撑件再一实施例的结构示意图；

图10为本实用新型MEMS芯片的支撑件再一实施例的结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	MEMS芯片	25	第二背极
10	基底	26	第二振动间隙
				11	基底本体	27	第二振膜
12	第二支撑块	28	第三振动间隙
				13	背腔	30	支撑件
20	电容系统	31	固定面
				21	第一背极	32	支撑面
211	贯穿孔	33	连通部
				22	第一振膜	331	避让孔
221	泄压孔	332	贯穿槽
				23	第一振动间隙	34	连接面
24	第一支撑块

本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提出一种MEMS芯片100。

参照图1至图10，本实用新型提供的MEMS芯片100，包括：

基底10，所述基底10设有背腔13；

电容系统20，所述电容系统20设于背腔13的一侧，所述电容系统20包括：

第一振膜22，所述第一振膜22覆盖所述背腔13设置；和

第一背极21，所述第一背极21与所述第一振膜22间隔设置，并形成第一振动间隙23；以及

支撑件30，所述支撑件30位于所述第一振动间隙23内，所述支撑件30 包括：

固定面31，所述固定面31连接于所述第一背极21；

支撑面32，所述支撑面32相对所述固定面31设置；

连接面34，所述连接面34连接所述支撑面32和所述固定面31；以及

连通部33，所述连通部33贯穿所述支撑面32和所述连接面34。

可以理解的是，该支撑件30的可以在制作背极的氮化硅层时制作，或者采用其他方式制作，只要便于生产即可。

在本实施例中，第一振膜22是矩形的，在第一振膜22的几何中心可以设置支撑件30，并且可以理解的，第一振膜22也可以是其他的形状，例如圆形、椭圆形等，而且支撑件30也可以不位于振膜的几何中心。在MEMS芯片100通电工作时，第一振膜22与第一背极21将会带上极性相反的电荷，形成电容系统20，因此第一振膜22在静电力的作用下会朝着第一背极21移动，直至位于第一振膜22的支撑件30抵接在第一背极21上。

需要说明的是，该MEMS芯片100的第一背极21在保证结构强度的情况下，可以设置有多个贯穿孔211，多个所述贯穿孔211相互间隔设置(可以呈环形阵列排布，或者沿直线方向排布，只要便于MEMS芯片100的感测即可)，设置多个贯穿孔211可以提高MEMS芯片100与外部环境的接触面积，更好的让MEMS芯片100感测外部环境的状况，提高应用此种MEMS芯片100的麦克风的检测灵敏度和测量的准确度。在第一背极21具有多个贯穿孔211时，可以设置多个防尘结构，从而防止外部杂物干扰MEMS芯片100的正常工作。此时，一个防尘结构可以盖合于多个贯穿孔211，和/或，一个防尘结构罩盖一个贯穿孔211，只要便于防止外部异物从贯穿孔211进入MEMS芯片100内部，保证 MEMS芯片100正常工作即可。当然，也可以采用防尘结构作为支撑件30，从而对第一振膜22的振幅进行限制，保证第一振膜22不会与第一背极21黏贴。当采用防尘结构时，该连通部33远离支撑面32的一侧可以连通贯穿孔211，从而便于与外部环境连通。

该第一振膜22还可以设置泄压孔221，一方面可以保证第一振膜22两侧气压一致；另一方面可以降低第一振膜22的强度，从而使得第一振膜22的振动幅度变大，在细微的外部振动激励作用于MEMS芯片100时，第一振膜22即可以振动，提高应用MEMS芯片100的麦克风的检测灵敏度。

参照图1至图3，在本实用新型的一些实施例中，所述电容系统20还包括第一支撑块24，所述第一支撑块24设于所述第一背极21和所述第一振膜 22之间，所述第一支撑块24的两侧分别与所述第一背极21和所述第一振膜 22固定连接，所述第一支撑块24、所述第一背极21和所述第一振膜22共同围合形成所述第一振动间隙23；本实施例中，第一支撑块24可以通过沉积工艺形成，并通过刻蚀工艺形成中空部分，以对振膜的振动进行避让，该第一支撑块24还可以与第一背极21呈一体设置，设置第一支撑块24可以增加第一背极21与第一振膜22的距离，从而形成振动间隙。

在本实用新型的一些实施例中，所述基底10包括基底本体11和设于所述基底本体11的第二支撑块12，所述第一振膜22设于所述第二支撑块12背离所述基底本体11的表面，所述基底本体11和所述第二支撑块12共同围合形成所述背腔13。本实施例中，第二支撑块12可以通过沉积工艺形成，并通过刻蚀工艺形成中空部分，以对振膜的振动进行避让，该第二支撑块12还可以与基底本体11呈一体设置，设置第二支撑块12可以增加背腔13的空间，从而更便于第一振膜22振动。

本实用新型的技术方案通过设置具有背腔13的基底10，以及在所述基底 10上设置电容系统20，该电容系统20包括第一背极21以及与所述第一背极21 相对的第一振膜22，第一背极21与第一振膜22间隔设置并形成第一振动间隙 23，从而第一振膜22可以在第一振动间隙23和背腔13之间振动，以及设置位于第一振动间隙23内的至少一个支撑件30，在该MEMS芯片100通电工作时，第一背极21和第一振膜22都会被上电，从而第一振膜22朝向第一背极21运动，由于设置了支撑件30，在第一振膜22与第一背极21的接触会变成点接触，可以对降低第一振膜22与第一背极21的接触面积，防止吸膜；进一步地该支撑件30包括固定面31和相对固定面31的支撑面32，该固定面31连接于第一背极 21，该支撑面32用于支撑振膜，进一步设置连通支撑面32与外部环境的连通部33，所述支撑件30的支撑面32与所述第一背极21或第一振膜22抵接，由于设置了连通支撑面32的连通部33，降低了支撑面32与所述第一背极21或第一振膜22的接触面积，并且由于连通部33贯穿支撑面32和连接面34，使得支撑面32与所述第一背极21或第一振膜22接触时不会形成真空，防止真空引起的吸膜而降低振膜的振动能量，最大程度地保证了振膜的振动效果。如此，本实用新型的技术方案可以保证振膜在振动过程中不与背板粘接的基础上，使得振膜良好地振动，提高应用此种MEMS芯片100的麦克风的灵敏度和信噪比。

参照图10，在本实用新型的一些实施例中，所述连通部33为通孔，所述通孔连通所述支撑面32和所述连接面34。可以理解的是，该通孔可以为支撑件30的内部形成的贯穿孔211，该贯穿孔211的一端贯穿支撑面32，另一端贯穿连接面34，从而在支撑面32支撑振膜时，避免支撑面32真空，防止吸膜，保证振膜的振动能量。

参照图4至图6，在本实用新型的一些实施例中，所述连通部33包括贯穿槽332，所述贯穿槽332的槽口贯穿所述支撑面32，所述贯穿槽332的至少一端贯穿所述连接面34。可以理解的是，贯穿槽332即为在支撑面32表面连通连接面34的结构(相对于前述的设置于支撑件30的内部的通孔而言)，具体形式还可以为沉台，只要便于连通即可，从而在支撑面32支撑振膜时，避免支撑面32真空，防止吸膜，保证振膜的振动能量。

参照图7至图10，在本实用新型的一些实施例中，在本实用新型的一些实施例中，所述连通部33还包括避让孔331，所述避让孔331的一端贯穿所述贯穿槽332的槽底壁；在一实施例中，该避让孔331呈盲孔设置，贯穿槽 332为两端贯穿的槽型设置，通过设置避让孔331，减小了振膜与背极的接触面积，并且避让孔331内由于具有一定的空间，可以及时为振膜泄压，保证振膜接触于背腔13的位置得到压强的平衡，最大程度防止真空吸膜，保证振膜的振动能量。

在本实用新型的一些实施例中，所述避让孔331的一端贯穿所述支撑面 32，所述贯穿槽332贯穿所述避让孔331的孔壁。如此设置可以通过避让孔 331减小支撑面32与振膜的接触面积，进一步降低支撑件30与振膜的吸膜概率。

参照图9，在本实用新型的一些实施例中，所述贯穿槽332的数量为至少两个，至少两所述贯穿槽332沿所述避让孔331的周向间隔设置。通过设置多个贯穿槽332可以增加避让孔331与外部环境的接触面积，提高泄压的效率，进一步降低真空吸膜的概率，保证振膜的振动能量。可以理解的是，该贯穿槽332的排布形式可以呈“一”字形的相对设置；或者呈“L”字形等，只要便于制作即可。以及，该贯穿槽332的数量还可以为四个，四个贯穿槽 332的分布形式可以呈“十”字形的两两对称形式，如此，便于进一步提高泄压效率。

参照图5，在本实用新型的一些实施例中，所述支撑件30为柱状设置；将支撑件30设置为柱状可以使支撑件30具有较高外压形变承受能力；并且柱状的支撑件30便于控制其设置高度，使振膜振动的均一性更优。

参照图6，所述支撑件30为球状设置；将支撑件30设置为球状可以使支撑件30对振膜或背极圆滑支撑，并且其支撑面32的接触面积较小，便于降低吸膜概率，需要说明的是，球状支撑件30的支撑面32和连接面34均呈弧面设置。

参照图4，所述支撑件30为块状设置。块状设置的支撑件30初始的支撑面 32较大，便于在支撑件30设置更大面积的连通部33，便于降低生产精度，提高良品率。

参照图1至图3，在本实用新型的一些实施例中，所述支撑件30的数量为多个，多个所述支撑件30沿所述第一振动间隙23的宽度方向间隔设置。本实施例中，通过设置多个支撑件30，使得多个支撑件30可以在多处对第一振膜22和第一背极21之间的距离进行控制，保证在MEMS芯片100在设置时在多处均不会出现第一振膜22与第一背极21贴合，进一步提高了MEMS 芯片100振动的均匀性，提高了信噪比。设置多个支撑件30，使得即使第一振膜22的面积较大时，也可以保证MEMS芯片100的工作稳定性，并且增加了MEMS芯片100的激励感测面积。

参照图7至图9，在本实用新型的一些实施例中，所述支撑面32的面积 S1与所述连接面34的面积S2的关系为：S1≤S2。将支撑面32的面积设置得较小，可以降低支撑面32与振膜或背极的接触面积，降低吸膜的概率，将连接面34的面积设置得较大，可以提高支撑件30的固定稳定性，进而提高 MEMS芯片100的工作稳定性。

参照图2，在本实用新型的一些实施例中，所述电容系统20还包括位于所述第一振膜22和基底10之间的第二背极25，所述第二背极25与所述第一振膜22间隔设置并形成第二振动间隙26，所述第一振膜22于所述第一振动间隙23和所述第二振动间隙26之间振动，所述支撑件30的数量为至少两个，一所述支撑件30位于第一振动间隙23，并连接于第一背极21，另一所述支撑件30位于所述第二振动间隙26内，并连接于所述第二背极25；本实施例中，设置第二背极25，使得第一振膜22无论在那个振动方向均能产生与背极的电容差，保证了第一振膜22振动的利用率，在第二振动间隙26内也设置支撑件30，从而使得第一振膜22在朝向第二背极25的振动均匀，提高应用此种MEMS芯片100的麦克风的检测灵敏度。当设置第二振动间隙26时，该支撑件30的数量至少为两个，从而在第一振膜22朝向第一背极21或者第二背极25运动时都可以支撑第一振膜22，其具体设置形式与前述所述的在第一振动间隙23内的设置形式类似，以及支撑件30的设置位置，数量以及达到的效果，均可参考前述设置于第一振动间隙23内的支撑件30，在此不做赘述。

参照图3，在本实用新型的一些实施例中，所述电容系统20包括位于所述第一背极21背离所述第一振膜22一侧的第二振膜27，所述第二振膜27与所述第一背极21间隔设置并形成第三振动间隙28，所述第一振膜22于所述第一振动间隙23和所述第三振动间隙28之间振动，所述支撑件30的数量为至少两个，一所述支撑件30位于所述第一振动间隙23内，并连接于所述第一背极21，另一所述支撑件30位于所述第三振动间隙28内，并连接于所述第一背极21背离第一间隙的一侧。本实施例中，通过设置第二振膜27，使得 MEMS芯片100用于对外部激励响应的响应面积增大，在第三振动间隙28内也设置支撑件30，从而使得第二振膜27在朝向第一背极21的振动均匀，提高应用此种MEMS芯片100的麦克风的检测灵敏度。当设置第三振动间隙28 时，该支撑件30的数量为至少两个，至少两个支撑件30均匀设置在第一背极21相对的两侧，从而在第一振膜22或者第二振膜27在朝向第一背极21 运动时均能被支撑件30支撑，其具体设置形式与前述所述的在第一振动间隙 23内的设置形式类似，以及支撑件30的设置位置，数量以及达到的效果，均可参考前述设置于第一振动间隙23内的支撑件30，在此不做赘述。

本实用新型还提出一种电子设备，包括基底10，所述基底10设有背腔 13；电容系统20，所述电容系统20设于背腔13的一侧，所述电容系统20包括：第一振膜22，所述第一振膜22覆盖所述背腔13设置；和第一背极21，所述第一背极21与所述第一振膜22间隔设置，并形成第一振动间隙23；以及支撑件30，所述支撑件30位于所述第一振动间隙23内，所述支撑件30包括：固定面31，所述固定面31连接于所述第一背极21；支撑面32，所述支撑面32相对所述固定面31设置；连接面34，所述连接面34连接所述支撑面 32和所述固定面31；以及连通部33，所述连通部33贯穿所述支撑面32和所述连接面34，由于本电子设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (12)

1.一种MEMS芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底设有背腔；

电容系统，所述电容系统设于背腔的一侧，所述电容系统包括：

第一振膜，所述第一振膜覆盖所述背腔设置；和

第一背极，所述第一背极与所述第一振膜间隔设置，并形成第一振动间隙；以及

支撑件，所述支撑件位于所述第一振动间隙内，所述支撑件包括：

固定面，所述固定面连接于所述第一背极；

支撑面，所述支撑面相对所述固定面设置；

连接面，所述连接面连接所述支撑面和所述固定面；以及

连通部，所述连通部贯穿所述支撑面和所述连接面。

2.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述连通部包括贯穿槽，所述贯穿槽的槽口贯穿所述支撑面，所述贯穿槽的至少一端贯穿所述连接面。

3.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述连通部为通孔，所述通孔连通所述支撑面和所述连接面。

4.如权利要求2所述的MEMS芯片，其特征在于，所述连通部还包括避让孔，所述避让孔的一端贯穿所述贯穿槽的槽底壁；

或者，所述避让孔的一端贯穿所述支撑面，所述贯穿槽贯穿所述避让孔的孔壁。

5.如权利要求4所述的MEMS芯片，其特征在于，所述贯穿槽的数量为至少两个，至少两所述贯穿槽沿所述避让孔的周向间隔设置。

6.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撑件为柱状设置；

或者，所述支撑件为球状设置；

或者，所述支撑件为块状设置。

7.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撑件的数量为多个，多个所述支撑件沿所述第一振动间隙的宽度方向间隔设置。

8.如权利要求1所述的MEMS芯片，其特征在于，所述支撑面的面积S1与所述连接面的面积S2的关系为：S1≤S2。

9.如权利要求1至8中任一项所述的MEMS芯片，其特征在于，所述电容系统还包括位于所述第一振膜和基底之间的第二背极，所述第二背极与所述第一振膜间隔设置并形成第二振动间隙，所述第一振膜于所述第一振动间隙和所述第二振动间隙之间振动；

所述支撑件的数量为至少两个，其中的一所述支撑件位于第一振动间隙，并连接于第一背极，其中的一所述支撑件位于所述第二振动间隙内，并连接于所述第二背极。

10.如权利要求1至8中任一项所述的MEMS芯片，其特征在于，所述电容系统包括位于所述第一背极背离所述第一振膜一侧的第二振膜，所述第二振膜与所述第一背极间隔设置并形成第三振动间隙，所述第一振膜于所述第一振动间隙和所述第三振动间隙之间振动；

所述支撑件的数量为至少两个，其中的一所述支撑件位于所述第一振动间隙内，并连接于所述第一背极，其中的一所述支撑件位于所述第三振动间隙内，并连接于所述第一背极背离第一间隙的一侧。

11.一种麦克风，其特征在于，包括如权利要求1至10中任一项所述的MEMS芯片。

12.一种电子设备，其特征在于包括如权利要求11所述的麦克风。

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