CN112802976A - 一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置，通过在量子点发光层背离衬底基板的一侧增加保护层的方式，使得构成量子点发光层的各量子点发光部可以采用光刻工艺制作，增加的保护层可以避免在后续形成其他颜色的量子点发光部时使用的光刻胶和已经形成的量子点发光部直接接触作用的问题，降低后续光刻工艺对已经形成的量子点发光部的不良影响。并且，保护层为高分子膜材中的水氧不敏感材料，具有良好的隔绝水氧的能力，可以有效保护量子点发光部不受水氧的侵蚀，得到更高的效率和长寿命的发光器件。采用光刻工艺制作量子点发光层有利于实现高分辨率的发光器件设计。

Description

一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种量子点发光器件、其制作方法及显示装置。

背景技术

随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其在中小尺寸的产业化已成为未来的趋势。运用量子点进行图案化达到制备高分辨率电致量子点发光二极管已经成为一项重要的议题。

因为量子点为纳米颗粒，量子点发光器件无法进行如同有机电致发光器件般的小分子蒸镀并图形化的工艺。目前量子点发光层的图形化工艺多为采用喷墨打印工艺，但是打印工艺无法制备高分辨率产品，且喷墨打印工艺常常受限于相对应的墨水，与像素限定层材料的影响，导致膜厚不均匀，效率低下等问题。

发明内容

本发明实施例提供一种量子点发光器件及其制作方法及显示装置，用以实现量子点发光层图案化。

本发明实施例提供了一种量子点发光器件，包括：

衬底基板；

像素限定层，所述像素限定层位于所述衬底基板之上，所述像素限定层包括用于限定各所述发光区的像素开口结构；

量子点发光层，位于所述衬底基板之上，包括位于各所述像素开口结构内的n种颜色的量子点发光部，n为大于1的整数；

保护层，位于所述量子点发光层背离所述衬底基板的一侧且位于所述像素开口结构内，包括至少覆盖n-1种颜色的量子点发光部的保护部，所述保护层的材料包括高分子膜材中的水氧不敏感材料。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述保护层的材料包括绝缘疏水材料，所述保护层的厚度为2nm-5nm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述绝缘疏水材料至少包括以下之一：含氟树脂，高玻璃化温度的甲基丙烯酸酯，采用有机硅改性后的环氧树脂，采用有机硅改性后的聚氨酯，采用有机硅改性后的丙烯酸树脂。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述保护层的材料为导电交联材料，所述保护层的厚度为2nm-15nm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述导电交联材料包括：交联聚乙烯。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括：电子传输层，位于所述保护层和所述量子点发光层之间且位于各所述像素开口结构内；所述电子传输层包括覆盖n种颜色的量子点发光部的电子传输部；

所述电子传输层的材料包括主体材料和用于吸收水氧的掺杂材料。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，所述主体材料为ZnO或ZnMgO，所述掺杂材料为ZnSnO。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括：电子传输层，位于所述保护层和所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧且整面设置。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，还包括：空穴注入层和空穴传输层，位于所述量子点发光层和所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧且整面设置。

另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：本发明实施例提供的上述量子点发光器件。

另一方面，本发明实施例还提供了一种上述量子点发光器件的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上每种颜色的发光区内依次采用光刻工艺形成对应颜色的量子点发光部；

除了最后一次形成的量子点发光部之外，在每次形成所述量子点发光部之后，还包括：

在所述量子点发光部上形成覆盖所述量子点发光部的保护部；

形成限定所述量子点发光部和所述保护部所在的发光区的像素开口结构。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在每次形成所述量子点发光部之后，且形成所述保护部之前，还包括：

在所述量子点发光部上形成覆盖所述量子点发光部的电子传输部。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在最后一次形成量子点发光部之后，还包括：

在所述保护层和所述像素限定层之上形成整面设置的电子传输层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第一次形成量子点发光部之前，还包括：

在所述衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层。

另一方面，本发明实施例还提供了另一种上述量子点发光器件的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成像素限定层，所述像素限定层包括用于限定各所述发光区的像素开口结构；

在每种颜色的发光区内依次形成对应颜色的量子点发光部；

除了最后一次形成的量子点发光部之外，在每次形成所述量子点发光部之后，还包括：

在所述量子点发光部上形成覆盖所述量子点发光部的保护部。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在所述量子点发光器件的像素密度大于设定值时，仅采用光刻工艺形成所述量子点发光部和保护部；

在所述量子点发光器件的像素密度小于所述设定值时，采用光刻工艺或喷墨打印工艺形成所述量子点发光部和保护部。

本发明有益效果如下：

本发明实施例提供的一种量子点发光器件及其制作方法及显示装置，通过在量子点发光层背离衬底基板的一侧增加保护层的方式，使得构成量子点发光层的各量子点发光部可以采用光刻工艺制作，增加的保护层可以避免在后续形成其他颜色的量子点发光部时使用的光刻胶和已经形成的量子点发光部直接接触作用的问题，降低后续光刻工艺对已经形成的量子点发光部的不良影响。并且，保护层为高分子膜材中的水氧不敏感材料，具有良好的隔绝水氧的能力，可以有效保护量子点发光部不受水氧的侵蚀，得到更高的效率和长寿命的发光器件。采用光刻工艺制作量子点发光层有利于实现高分辨率的发光器件设计。

附图说明

图1为本发明实施例提供的量子点发光器件的一种结构示意图；

图2为本发明实施例提供的量子点发光器件的另一种结构示意图；

图3为本发明实施例提供的量子点发光器件的另一种结构示意图；

图4为本发明实施例提供的量子点发光器件的另一种结构示意图；

图5为本发明实施例提供的量子点发光器件的另一种结构示意图；

图6为本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法的一种流程示意图；

图7为图6中各步骤执行后的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法的另一种流程示意图；

图9为图8中各步骤执行后的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法的另一种流程示意图；

图11为图10中各步骤执行后的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的量子点发光器件的制作方法的另一种流程示意图；

图13为图12中各步骤执行后的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

本发明实施例提供的一种量子点发光器件，如图1至图5所示，可以包括：

衬底基板1；

像素限定层，像素限定层位于衬底基板1之上，像素限定层包括用于限定各发光区的像素开口结构21；

量子点发光层，位于衬底基板1之上，包括位于各像素开口结构21内的n种颜色的量子点发光部31，n为大于1的整数；

保护层，位于量子点发光层背离衬底基板1的一侧且位于像素开口结构31内，包括至少覆盖n-1种颜色的量子点发光部31的保护部41，保护层的材料包括高分子膜材中的水氧不敏感材料。

具体地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，在量子点发光层背离衬底基板的一侧增加保护层，构成量子点发光层的各量子点发光部31在采用光刻工艺制作时，增加的保护层可以避免在后续形成其他颜色的量子点发光部31时使用的光刻胶和已经形成的量子点发光部31直接接触作用的问题，降低后续光刻工艺对已经形成的量子点发光部31的不良影响。并且，保护层为高分子膜材中的水氧不敏感材料，具有良好的隔绝水氧的能力，可以有效保护量子点发光部31不受水氧的侵蚀，得到更高的效率和长寿命的发光器件。采用光刻工艺制作量子点发光层有利于实现高分辨率的发光器件设计。

具体地，在量子点发光层中的n种颜色的量子点发光部31依次采用光刻工艺制作时，由于在形成最后一个颜色的量子点发光部31以后不会再采用光刻工艺形成其他图案化量子点发光部，因此，无需后续形成保护部41，即保护部41的个数可以比量子点发光部31的个数少。如图1、图2和图5所示，当图中左右侧的量子点发光部31最后制作时，其上可以不设置保护部41。当然，为了保证各颜色的发光区的一致性，也可以在最后形成的量子点发光部31上形成保护部41，如图3和图4所示，在此不做限定。

具体地，水氧不敏感材料指的是遇水和氧气不马上发生化学反应的材料，材料不会因为遇水造成淬灭等反应，材料遇水氧不会发生吸附变质或变形，此处水氧值为H₂O>1000ppm，O₂>1000ppm。

具体地，保护层可以采用多巴胺层等高分子膜材，保护层可以有效保护下方的膜层不受外部环境的侵蚀和破坏，并且可以将工艺环境由N₂环境降低为低水氧环境(低水氧环境指的是水氧值<1000ppm)。

具体地，可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，保护层4的材料可以包括绝缘疏水材料，此时保护层4的厚度为2nm-5nm，在此厚度下可以保证载流子穿过保护层4在器件内部传输。

具体地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，绝缘疏水材料可以至少包括以下之一：含氟树脂，高玻璃化温度的甲基丙烯酸酯，采用有机硅改性后的环氧树脂，采用有机硅改性后的聚氨酯，采用有机硅改性后的丙烯酸树脂。

具体地，含氟树脂中的氟化物C-F键的化学键能高，F原子直径小，电负性大，比较稳定，原子之间结合牢固，碳链排列紧密可以有效防止原子和链的暴露，具有卓越的疏水性。含氟树脂的分子式为：

其中，Rf为氟烷基。

具体地，高玻璃化温度(Tg)指的是Tg温度＞100℃的材料，高玻璃化温度的甲基丙烯酸酯可以减小在后续制备过程中的使用温度的限制。

具体地，以偶氮二异丁腈引发剂，以丙酮为溶剂其浓度为80％，反应温度为50～60℃，对不饱和有机硅改性的丙烯酸树脂进行进一步改性后，可以获得较好的疏水性能。

具体地，先以甲基丙烯酸甲酯、苯乙烯、丙烯酸、丙烯酸丁酯、β-羟乙酯、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和N-羟甲基丙烯酰胺为原料合成硅改性的丙烯酸树脂乳液，然后以有机硅改性的丙烯酸树脂为基础的涂料，并用十七氟癸基三乙氧基硅烷和γ-氨丙基三乙氧基硅烷改性的纳米SiO₂制备的溶胶来修饰涂层粗糙的表面结构，可以制备出疏水的保护层。

或者，可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，保护层的材料也可以为导电交联材料，此时，保护层4的厚度可以为2nm-15nm。导电交联材料具有一定的导电能力，有利于载流子穿过保护层在器件内部传输，且交联材料不容易被光刻胶侵蚀，可以有效的保护下方膜层。

具体地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，导电交联材料可以包括：交联聚乙烯，其具体形成反应过程如下：

可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图1至图4所示，还可以包括：空穴注入层6和空穴传输层7，位于量子点发光层3和像素限定层2背离衬底基板1的一侧且整面设置。

具体地，可以在衬底基板1上先制作出每个发光区对应的像素电路，之后，在每个发光区形成与像素电路连接的阳极，之后，采用旋涂或蒸镀等工艺制作整面的空穴注入层6和空穴传输层7。后续在空穴传输层7上形成图案化的量子点发光层、保护层和像素限定层等。

可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图1和图3所示，还可以包括：电子传输层5，位于保护层4和像素限定层2背离衬底基板1的一侧且整面设置。即在制作完图案化的膜层后，可以采用旋涂或蒸镀等工艺制作整面的电子传输层5，并蒸镀电极8，封装后得到量子点发光器件。

或者，可选地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，如图2和图4所示，还可以包括：电子传输层5，位于保护层4和量子点发光层3之间且位于各像素开口结构21内；电子传输层5可以包括覆盖n种颜色的量子点发光部31的电子传输部51；即每个量子点发光部31之上均设置电子传输部51，电子传输部51与量子点发光部31均进行图案化，设置在像素开口结构21内。

具体地，电子传输层5的材料可以包括主体材料和用于吸收水氧的掺杂材料。在电子传输层5的主体材料中掺杂具有良好隔绝水氧的材料，可以使电子传输层5起到保护下方量子点发光部31的作用。

具体地，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，主体材料可以为ZnO或ZnMgO，掺杂材料可以为ZnSnO。

具体地，图1至图4所示的发光器件为正装结构，即依次形成阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，本发明实施例提供的发光器件也可以适用于倒装结构，即依次形成阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阴极，如图5所示，在此不做详述。

并且，在本发明实施例提供的上述量子点发光器件中，像素限定层可以采用有机胶或SINx/SiOx等无机材料制作，像素限定层为绝缘结构，其制作工序可以在量子点发光层之后制作，也可以在量子点发光层之前制作，在本发明实施例提供的制作方法中详细介绍。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了上述量子点发光器件的制作方法，由于该制作方法解决问题的原理与前述一种量子点发光器件相似，因此该制作方法的实施可以参见量子点发光器件的实施，重复之处不再赘述。

具体地，本发明实施例提供的一种量子点发光器件的制作方法，可以先制作量子点发光部，后制作像素开口结构，具体制作出的器件的像素密度(PPI)由量子点发光部的精度决定，制作方法具体包括以下步骤：

首先，提供一衬底基板；

之后，在衬底基板上每种颜色的发光区内依次采用光刻工艺形成对应颜色的量子点发光部；

并且，除了最后一次形成的量子点发光部之外，在每次形成量子点发光部之后，还包括：

在量子点发光部上形成覆盖量子点发光部的保护部；

接着，形成限定量子点发光部和保护部所在的发光区的像素开口结构。

具体地，每种颜色的量子点发光部采用光刻工艺进行图案化具体包括以下工序：首先在衬底基板上形成整层的量子点发光材料，并在其上形成整层的光刻胶，通过曝光显影的方式，形成光刻胶图案，之后利用光刻胶图案的遮挡，对量子点发光材料进行刻蚀，最后剥离光刻胶图案，在对应的发光区形成量子点发光部的图案。

具体地，采用光刻工艺形成量子点发光部的图案有利于高分辨率(PPI大于300)的器件制作，并且，由于在量子点发光部后形成保护部，可以避免形成后续其他颜色的量子点发光部时光刻胶对在先制作的量子点发光部的不良影响。

具体地，由于在形成最后一个颜色的量子点发光部以后不会再采用光刻工艺形成其他图案化量子点发光部，因此，无需后续形成保护部，当然，为了保证各颜色的发光区的一致性，也可以后续形成保护部，在此不做限定。

并且，在形成最后一个颜色的量子点发光部之前，包围已形成的量子点发光部的各像素开口结构已经构成完整的像素限定层的图案，因此，无需后续形成对应的像素开口结构。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在每次形成量子点发光部之后，且形成保护部之前，还可以包括：

在量子点发光部上形成覆盖量子点发光部的电子传输部，即在各发光区内量子点发光部之上形成图案化的电子传输部，通过在电子传输部的主体材料内掺杂具有良好隔绝水氧的材料，使得电子传输部可以保护下方量子点发光部的作用。

或者，可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在最后一次形成量子点发光部之后，还可以包括：

在保护层和像素限定层之上形成整面设置的电子传输层，即在制作完成全部的量子点发光部和保护层之后，形成整层的电子传输层，无需图案化。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在第一次形成量子点发光部之前，还可以包括：

在衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层。

具体地，以量子点发光器件包括依次形成的红色量子点发光部、绿色量子点发光部、蓝色量子点发光部为例，详细说明本发明实施例提供的上述制作方法。如图6所示的流程图和图7所示的每个步骤执行后形成的结构示意图，包括以下步骤：

S101、在衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层；

S102、在红色发光区采用光刻工艺形成红色量子点发光部；

S103、在红色量子点发光部之上形成图案化的电子传输部；

S104、在电子传输部上形成图案化的保护部；

S105、形成限定红色发光区的像素开口结构；

S106、在绿色发光区采用光刻工艺形成绿色量子点发光部；

S107、在绿色量子点发光部之上形成图案化的电子传输部；

S108、在电子传输部上形成图案化的保护部；

S109、形成限定绿色发光区的像素开口结构；

S110、在蓝色发光区采用光刻工艺形成蓝色量子点发光部；

S111、在蓝色量子点发光部之上形成图案化的电子传输部；

S112、形成整层设置的电极。

或者，如图8所示的流程图和图9所示的每个步骤执行后形成的结构示意图，上述制作方法包括以下步骤：

S201、在衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层；

S202、在红色发光区采用光刻工艺形成红色量子点发光部；

S203、在红色量子点发光部之上形成图案化的保护部；

S204、形成限定红色发光区的像素开口结构；

S205、在绿色发光区采用光刻工艺形成绿色量子点发光部；

S206、在绿色量子点发光部之上形成图案化的保护部；

S207、形成限定绿色发光区的像素开口结构；

S208、在蓝色发光区采用光刻工艺形成蓝色量子点发光部；

S209、形成整层设置的电子传输层；

S210、形成整层设置的电极。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了另一种量子点发光器件的制作方法，可以先制作像素开口结构，后制作量子点发光部，具体制作出的器件的像素密度(PPI)由像素开口结构的精度决定，制作方法具体包括以下步骤：

首先，提供一衬底基板；

之后，在衬底基板上形成像素限定层，像素限定层包括用于限定各发光区的像素开口结构；

然后，在每种颜色的发光区内依次形成对应颜色的量子点发光部；

并且，除了最后一次形成的量子点发光部之外，在每次形成量子点发光部之后，还包括：

在量子点发光部上形成覆盖量子点发光部的保护部。

具体地，在上述制作方法中，由于先采用光刻工艺制作像素限定层限定出像素开口结构，因此，可以满足不同分辨率设计需求，而根据所需的分辨率，可以选择采用不同方式形成量子点发光部。例如，在量子点发光器件的分辨率大于设定值(例如PPI大于300)时，喷墨打印方式无法满足需求，因此仅可以采用光刻工艺形成量子点发光部和保护部；当量子点发光器件的分辨率小于设定值(例如PPI小于300)时，既可以采用光刻工艺，也可以采用喷墨打印工艺形成量子点发光部和保护部。

并且，由于在形成最后一个颜色的量子点发光部以后不会再采用光刻工艺形成其他图案化量子点发光部，因此，无需后续形成保护部，当然，为了保证各颜色的发光区的一致性，也可以后续形成保护部，在此不做限定。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在每次形成量子点发光部之后，且形成保护部之前，还可以包括：

在量子点发光部上形成覆盖量子点发光部的电子传输部，即在各发光区内量子点发光部之上形成图案化的电子传输部，通过在电子传输部的主体材料内掺杂具有良好隔绝水氧的材料，使得电子传输部可以保护下方量子点发光部的作用。

或者，可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在最后一次形成量子点发光部之后，还可以包括：

在保护层和像素限定层之上形成整面设置的电子传输层，即在制作完成全部的量子点发光部和保护层之后，形成整层的电子传输层，无需图案化。

可选地，在本发明实施例提供的上述制作方法中，在形成像素限定层之前，还可以包括：

在衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层。

具体地，以量子点发光器件包括依次形成的红色量子点发光部、绿色量子点发光部、蓝色量子点发光部为例，详细说明本发明实施例提供的上述制作方法。如图10所示的流程图和图11所示的每个步骤执行后形成的结构示意图，包括以下步骤：

S301、在衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层；

S302、形成限定各发光区的像素限定层；

S303、在红色发光区采用光刻工艺形成红色量子点发光部；

S304、在红色量子点发光部之上形成图案化的电子传输部；

S305、在电子传输部上形成图案化的保护部；

S306、在绿色发光区采用光刻工艺形成绿色量子点发光部；

S307、在绿色量子点发光部之上形成图案化的电子传输部；

S308、在电子传输部上形成图案化的保护部；

S309、在蓝色发光区采用光刻工艺形成蓝色量子点发光部；

S310、在蓝色量子点发光部之上形成图案化的电子传输部；

S311、形成整层设置的电极。

或者，如图12所示的流程图和图13所示的每个步骤执行后形成的结构示意图，上述制作方法包括以下步骤：

S401、在衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层；

S402、形成限定各发光区的像素限定层；

S403、在红色发光区采用光刻工艺形成红色量子点发光部；

S404、在红色量子点发光部之上形成图案化的保护部；

S405、在绿色发光区采用光刻工艺形成绿色量子点发光部；

S406、在绿色量子点发光部之上形成图案化的保护部；

S407、在蓝色发光区采用光刻工艺形成蓝色量子点发光部；

S408、形成整层设置的电子传输层；

S409、形成整层设置的电极。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述量子点发光器件，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述量子点发光器件的实施例，重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的上述量子点发光器件及其制作方法及显示装置，通过在量子点发光层背离衬底基板的一侧增加保护层的方式，使得构成量子点发光层的各量子点发光部可以采用光刻工艺制作，增加的保护层可以避免在后续形成其他颜色的量子点发光部时使用的光刻胶和已经形成的量子点发光部直接接触作用的问题，降低后续光刻工艺对已经形成的量子点发光部的不良影响。并且，保护层为高分子膜材中的水氧不敏感材料，具有良好的隔绝水氧的能力，可以有效保护量子点发光部不受水氧的侵蚀，得到更高的效率和长寿命的发光器件。采用光刻工艺制作量子点发光层有利于实现高分辨率的发光器件设计。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：

衬底基板；

像素限定层，所述像素限定层位于所述衬底基板之上，所述像素限定层包括用于限定各所述发光区的像素开口结构；

量子点发光层，位于所述衬底基板之上，包括位于各所述像素开口结构内的n种颜色的量子点发光部，n为大于1的整数；

保护层，位于所述量子点发光层背离所述衬底基板的一侧且位于所述像素开口结构内，包括至少覆盖n-1种颜色的量子点发光部的保护部，所述保护层的材料包括高分子膜材中的水氧不敏感材料。

2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述保护层的材料包括绝缘疏水材料，所述保护层的厚度为2nm-5nm。

3.如权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述绝缘疏水材料至少包括以下之一：含氟树脂，高玻璃化温度的甲基丙烯酸酯，采用有机硅改性后的环氧树脂，采用有机硅改性后的聚氨酯，采用有机硅改性后的丙烯酸树脂。

4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述保护层的材料为导电交联材料，所述保护层的厚度为2nm-15nm。

5.如权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述导电交联材料包括：交联聚乙烯。

6.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括：电子传输层，位于所述保护层和所述量子点发光层之间且位于各所述像素开口结构内；所述电子传输层包括覆盖n种颜色的量子点发光部的电子传输部；

所述电子传输层的材料包括主体材料和用于吸收水氧的掺杂材料。

7.如权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述主体材料为ZnO或ZnMgO，所述掺杂材料为ZnSnO。

8.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括：电子传输层，位于所述保护层和所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧且整面设置。

9.如权利要求1-5任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，还包括：空穴注入层和空穴传输层，位于所述量子点发光层和所述像素限定层背离所述衬底基板的一侧且整面设置。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-9任一项所述的量子点发光器件。

11.一种如权利要求1-9任一项所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上每种颜色的发光区内依次采用光刻工艺形成对应颜色的量子点发光部；

除了最后一次形成的量子点发光部之外，在每次形成所述量子点发光部之后，还包括：

在所述量子点发光部上形成覆盖所述量子点发光部的保护部；

形成限定所述量子点发光部和所述保护部所在的发光区的像素开口结构。

12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在每次形成所述量子点发光部之后，且形成所述保护部之前，还包括：

在所述量子点发光部上形成覆盖所述量子点发光部的电子传输部。

13.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在最后一次形成量子点发光部之后，还包括：

在所述保护层和所述像素限定层之上形成整面设置的电子传输层。

14.如权利要求11-13任一项所述的制作方法，其特征在于，在第一次形成量子点发光部之前，还包括：

在所述衬底基板上依次形成整面设置的空穴注入层和空穴传输层。

15.一种如权利要求1-9任一项所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成像素限定层，所述像素限定层包括用于限定各所述发光区的像素开口结构；

在每种颜色的发光区内依次形成对应颜色的量子点发光部；

除了最后一次形成的量子点发光部之外，在每次形成所述量子点发光部之后，还包括：

在所述量子点发光部上形成覆盖所述量子点发光部的保护部。

16.如权利要求15所述的制作方法，其特征在于，在所述量子点发光器件的像素密度大于设定值时，仅采用光刻工艺形成所述量子点发光部和保护部；

在所述量子点发光器件的像素密度小于所述设定值时，采用光刻工艺或喷墨打印工艺形成所述量子点发光部和保护部。

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