CN112802949B - 显示器件的制作方法 - Google Patents

显示器件的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112802949B
CN112802949B CN202110337135.7A CN202110337135A CN112802949B CN 112802949 B CN112802949 B CN 112802949B CN 202110337135 A CN202110337135 A CN 202110337135A CN 112802949 B CN112802949 B CN 112802949B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixels
isolation structure
sub
base member
adjacent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110337135.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112802949A (zh
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Ivisual 3D Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Ivisual 3D Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Ivisual 3D Technology Co Ltd filed Critical Beijing Ivisual 3D Technology Co Ltd
Priority to CN202110337135.7A priority Critical patent/CN112802949B/zh
Publication of CN112802949A publication Critical patent/CN112802949A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112802949B publication Critical patent/CN112802949B/zh
Priority to PCT/CN2022/081060 priority patent/WO2022206378A1/zh
Priority to TW111110030A priority patent/TWI799196B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Abstract

本申请涉及显示技术领域，公开了一种显示器件的制作方法，包括：分别在第一基础部件形成包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，以及，在第二基础部件形成用于对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构；将光转换层的背离第一基础部件的一面和第二隔离结构的背离第二基础部件的一面贴合设置，得到显示器件。本申请提供的显示器件的制作方法简化了制作工艺，提高了产品良率。

Description

显示器件的制作方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，例如涉及一种显示器件的制作方法。
背景技术
目前，在显示领域，通常采用光转换层进行彩色显示。
在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
在光转换层的制作过程中，由于器件结构和制作工艺趋于复杂化，导致制作工艺难度较大，产品良率较低。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供了一种显示器件的制作方法，以解决在光转换层的制作过程中，由于器件结构和制作工艺趋于复杂化，导致制作工艺难度较大，产品良率较低的技术问题。
本公开实施例提供了一种显示器件的制作方法，可以包括：
分别在第一基础部件形成包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，以及，在第二基础部件形成用于对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构；
将所述光转换层的背离所述第一基础部件的一面和所述第二隔离结构的背离所述第二基础部件的一面贴合设置，得到所述显示器件。
在一些实施例中，所述第一基础部件为发光单元层，所述第二基础部件为基板；
或，所述第一基础部件为基板，所述第二基础部件为发光单元层。
在一些实施例中，所述在第一基础部件形成包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，包括：
在所述第一基础部件的一面，对应于所述多个复合子像素的部分或全部中相邻的两个复合子像素之间设置第一隔离结构；
在相邻的两个所述第一隔离结构之间，设置与所述复合子像素相对应的光转换材料，得到所述光转换层。
在一些实施例中，所述对应于所述多个复合子像素的部分或全部中相邻的两个复合子像素之间设置第一隔离结构，包括：
在所述相邻的两个复合子像素之间设置第一间隔区域；
在所述第一间隔区域中的部分或全部，设置所述第一隔离结构。
在一些实施例中，所述在相邻的两个所述第一隔离结构之间，设置与所述复合子像素相对应的光转换材料，包括：
在相邻的两个所述第一隔离结构之间设置容纳空间；
在所述容纳空间中，部分或全部地设置与所述复合子像素相对应的光转换材料。
在一些实施例中，所述方法还包括：
设置所述多个复合子像素中相邻的两个复合子像素对应于相同或不同的光转换材料；以及，设置每个所述复合子像素中相邻的两个子像素对应于相同的光转换材料。
在一些实施例中，所述第一隔离结构包括光隔离结构。
在一些实施例中，所述第一基础部件为发光单元层，所述第二基础部件为基板；
所述第一基础部件的一面，为所述发光单元层的出光面。
在一些实施例中，在第二基础部件形成用于对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构，包括：
在所述第二基础部件的一面，对应于每个复合子像素的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素之间设置第二隔离结构。
在一些实施例中，所述对应于每个复合子像素的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素之间设置第二隔离结构，包括：
对应于需要进行隔离的相邻的两个子像素，设置掩膜图形；
在需要进行隔离的相邻的两个子像素之间未被所述掩膜图形覆盖的区域设置第二隔离结构。
在一些实施例中，所述设置掩膜图形，包括：
设置掩膜层，对所述掩膜层进行处理以形成所述掩膜图形。
在一些实施例中，在需要进行隔离的相邻的两个子像素之间未被所述掩膜图形覆盖的区域设置第二隔离结构，包括：
将所述第二隔离结构设置于所述掩膜图形的间隙中。
在一些实施例中，所述在需要进行隔离的相邻的两个子像素之间未被所述掩膜图形覆盖的区域设置第二隔离结构之后，还包括：
去除所述掩膜图形。
在一些实施例中，所述对应于每个复合子像素的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素之间设置第二隔离结构，还包括：
在所述相邻的两个子像素之间设置第二间隔区域；
在所述第二间隔区域中的部分或全部，设置所述第二隔离结构。
在一些实施例中，所述第一基础部件为基板，所述第二基础部件为发光单元层；
所述第二基础部件的一面，为所述发光单元层的出光面。
在一些实施例中，将所述光转换层的背离所述第一基础部件的一面和所述第二隔离结构的背离所述第二基础部件的一面贴合设置，包括：
将所述第二隔离结构的背离所述第二基础部件的一面，压印于所述光转换层的背离所述第一基础部件的一面。
本公开实施例提供的显示器件的制作方法，可以实现以下技术效果：
通过将制作包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，以及制作对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构这两个工段分别单独制作，再将制作好的第二隔离结构和光转换层贴合设置得到显示器件，简化了制作工艺，提高了产品良率。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
至少一个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是本公开实施例提供的一种显示器件的制作方法的流程示意图；
图2是本公开实施例提供的光转换层的制作方法的流程示意图；
图3是本公开实施例提供的发光单元层的剖面结构示意图；
图4是本公开实施例提供的第一隔离结构的剖面结构示意图；
图5是本公开实施例提供的间隔区域的剖面结构示意图；
图6是本公开实施例提供的第一隔离结构的另一剖面结构示意图；
图7是本公开实施例提供的在第一基础部件上形成光转换层的剖面结构示意图；
图8是本公开实施例提供的在第一基础部件和光转换层之间形成波长选择层的剖面结构示意图；
图9A是本公开实施例提供的在基板设置的第二隔离结构的剖面结构示意图；
图9B是本公开实施例提供的在基板设置的第二隔离结构的另一剖面结构示意图；
图9C是本公开实施例提供的在基板设置的第二隔离结构的另一剖面结构示意图；
图10A是本公开实施例提供的在发光单元层设置的第二隔离结构的剖面结构示意图；
图10B是本公开实施例提供的在发光单元层设置的第二隔离结构的另一剖面结构示意图；
图10C是本公开实施例提供的在发光单元层设置的第二隔离结构的另一剖面结构示意图；
图11是本公开实施例提供的掩膜图形的剖面结构示意图；
图12是本公开实施例提供的显示器件的另一剖面结构示意图。
附图标记：
100：显示器件；200：第一基础部件；300：光转换层； 310：复合子像素；320：光转换材料；3101：子像素；3102：第一间隔区域；3103：第二间隔区域；401：第一隔离结构；4011：容纳空间；402：第二隔离结构；403：掩膜图形；404：掩膜层； 500：波长选择层；600：第二基础部件；700：发光单元层；701：发光单元；S：出光面。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，至少一个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
参见图1、图3、图4、图5、图6、图7，本公开实施例提供了一种显示器件100的制作方法，可以包括：
S101、分别在第一基础部件200形成包含有用于对多个复合子像素310对应的光转换材料320进行隔离的第一隔离结构401的光转换层300，以及，在第二基础部件600形成用于对每个复合子像素310中相邻的两个子像素3101进行隔离的第二隔离结构402。
S102、将光转换层300的背离第一基础部件200的一面和第二隔离结构402的背离第二基础部件600的一面贴合设置，得到显示器件100。
本公开实施例通过将制作包含有用于对多个复合子像素310对应的光转换材料320进行隔离的第一隔离结构401的光转换层300，以及制作对每个复合子像素310中相邻的两个子像素3101进行隔离的第二隔离结构402这两个工段分别单独制作，再将制作好的第二隔离结构402和光转换层300贴合设置得到显示器件100，可以在具有可形变的光转换材料320的光转换层300上直接贴合。还可以简化光转换层300图形化的步骤，不需要经历过多的光刻工艺去实现复合子像素310、子像素3101的成型。还可以省去光转换层300平坦化的步骤。简化了制作工艺，提高了产品良率。
在一些实施例中，第一隔离结构401能够为光转换层300中的各个复合子像素310提供有效隔离或支撑，第一隔离结构401能够尽量避免相邻的两个复合子像素310发出的光向不希望的方向传导（例如：相邻的两个复合子像素310发出的光向彼此传导），有利于光转换层300正常发挥功能，尽量避免光转换效果受到影响，有利于改善显示效果。
在一些实施例中，第二隔离结构402能够为各个复合子像素310中的多个子像素3101提供有效隔离或支撑，第二隔离结构402能够尽量避免相邻的两个子像素3101发出的光向不希望的方向传导（例如：相邻的两个子像素3101发出的光向彼此传导），尽量避免光转换效果受到影响，有利于改善显示效果。
在一些实施例中，当第一基础部件200为发光单元层700时，第二基础部件600为基板；或者，当第一基础部件200为基板时，第二基础部件600为发光单元层700。
在一些实施例中，当第一基础部件200或第二基础部件600中的任一个为基板时，该基板可以包括透明基板。可选地，透明基板可以附着一些功能结构。例如：功能结构可以包括光栅。
在一些实施例中，光转换层300可以通过波长选择等方式实现光的颜色转换，例如：可以通过光转换层300中所包括的多个复合子像素310中至少之一对来自第一基础部件200的光进行颜色转换。
在一些实施例中，多个复合子像素310可以包括红色复合子像素、绿色复合子像素中的至少一种。可选地，多个复合子像素310还可以包括橙色复合子像素、黄色复合子像素、蓝色复合子像素、靛色复合子像素、紫色复合子像素。可选地，橙色复合子像素可以吸收橙色光。可选地，黄色复合子像素可以吸收黄色光。可选地，蓝色复合子像素可以吸收蓝色光。可选地，靛色复合子像素可以吸收靛色光。可选地，紫色复合子像素可以吸收紫色光。
在一些实施例中，每个复合子像素310可以包括相同颜色的多个子像素3101。可选地，红色复合子像素可以包括多个红色子像素。可选地，绿色复合子像素可以包括多个绿色子像素。可选地，蓝色复合子像素可以包括多个蓝色子像素。可选地，橙色复合子像素可以包括多个橙色子像素。可选地，黄色复合子像素可以包括多个黄色子像素。可选地，蓝色复合子像素可以包括多个蓝色子像素。可选地，靛色复合子像素可以包括多个靛色子像素。可选地，紫色复合子像素可以包括多个紫色子像素。
参见图3，在一些实施例中，发光单元层700可以包括多个发光单元701，多个发光单元701可以包括：LED、Mini LED、Micro LED中至少之一。可选地，多个发光单元701可以包括至少一个LED。可选地，多个发光单元701可以包括至少一个Mini LED。可选地，多个发光单元701可以包括至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元701可以包括至少一个LED、以及至少一个Mini LED。可选地，多个发光单元701可以包括至少一个LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元701可以包括至少一个Mini LED、以及至少一个MicroLED。可选地，多个发光单元701可以包括至少一个LED、至少一个Mini LED、以及至少一个Micro LED。可选地，多个发光单元701可以包括除了LED、Mini LED、Micro LED以外的其他发光器件。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定发光单元701的器件类型，例如：LED、Mini LED、Micro LED或其他发光器件。
参见图2，图2示出了本公开实施例提供的光转换层的制作方法的流程示意图，在一些实施例中，在第一基础部件200形成包含有用于对多个复合子像素310对应的光转换材料320进行隔离的第一隔离结构401的光转换层300，可以包括：
S201、在第一基础部件200的一面，对应于多个复合子像素310的部分或全部中相邻的两个复合子像素310之间可以设置第一隔离结构401；
S202、在相邻的两个第一隔离结构401之间，可以设置与复合子像素310相对应的光转换材料320，得到光转换层300。
在一些实施例中，当第一基础部件200为发光单元层700时，所述第一基础部件200的一面，可以为发光单元层700的出光面S。该发光单元层700的出光面S，可以是该发光单元层700中被指定的需要发射光的一面。
参见图4，图4示出了本公开实施例提供的第一隔离结构的剖面结构示意图，在一些实施例中，在第一基础部件200的出光面S，对应于多个复合子像素310的全部中相邻的两个复合子像素310之间可以设置第一隔离结构401。可选地，在第一基础部件200的出光面S，对应于多个复合子像素310的部分中相邻的两个复合子像素310之间可以设置第一隔离结构401。
在一些实施例中，第一隔离结构401可以包括光隔离结构。
在一些实施例中，光隔离结构可以包含光隔离材料。可选地，光隔离材料可以包括光反射材料、光吸收材料中的至少一种。可选地，光隔离材料可以包括光反射材料。可选地，光隔离材料可以包括光吸收材料。可选地，光隔离材料可以包括光反射材料和光吸收材料。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定在相邻的两个复合子像素310之间设置第一隔离结构401的位置、形状、数量等，只要第一隔离结构401能够避免相邻的两个复合子像素310发出的光向不希望的方向传导（例如：某一个复合子像素310发出的光中的一部分进入到相邻的另一复合子像素310中）即可。
参见图5，图5示出了本公开实施例中的间隔区域的剖面结构示意图，在一些实施例中，相邻的两个复合子像素310之间可以存在间隔区域3102。
可选地，可以将截面形状具有矩形形状的间隔区域3102作为相邻的两个复合子像素310之间的间隔区域3102。可选地，相邻的两个复合子像素310的截面形状可以是如图5中所示的矩形形状等规则形状，或是具有封闭弧形、三角形、矩形等其他形状中至少之一。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定相邻的两个复合子像素310之间的间隔区域3102的位置、形状、尺寸等。
参见图6，在一些实施例中，对应于多个复合子像素310的部分或全部中相邻的两个复合子像素310之间设置第一隔离结构401，可以包括：在间隔区域3102中的部分或全部区域，可以设置第一隔离结构401。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定在相邻的两个复合子像素310之间的间隔区域3102中设置第一隔离结构401的位置，只要第一隔离结构401能够避免相邻的两个复合子像素310发出的光向不希望的方向传导（例如：相邻的两个复合子像素310发出的光向彼此传导）即可。
在一些实施例中，可以将第一隔离结构401的截面形状中的部分或全部形状设置为矩形、三角形、梯形中至少之一。
在一些实施例中，第一隔离结构401可以包括光隔离结构。
参见图7，在一些实施例中，相邻的两个第一隔离结构401之间可以存在容纳空间4011，在相邻的两个第一隔离结构401之间，设置与复合子像素310相对应的光转换材料320，可以包括：
在容纳空间4011中，可以部分或全部地设置与复合子像素310相对应的光转换材料320。
在一些实施例中，复合子像素310对应的光转换材料320可以包括红光转换材料、绿光转换材料中至少之一。可选地，复合子像素310对应的光转换材料320还可以包括蓝光散射材料。
在一些实施例中，可以设置多个复合子像素310中相邻的两个复合子像素310对应于相同或不同的光转换材料320，以及，可以设置每个复合子像素310中相邻的两个子像素3101对应于相同的光转换材料320。
可选地，在多个复合子像素310中相邻的两个复合子像素310对应于相同的光转换材料320的情况下，在相邻的两个容纳空间4011中可以部分或全部地同时设置与相邻的两个复合子像素310相对应的相同的光转换材料320。
可选地，在多个复合子像素310中相邻的两个复合子像素310对应于不同的光转换材料320的情况下，在相邻的两个容纳空间4011中可以部分或全部地独立设置与相邻的两个复合子像素310相对应的不同的光转换材料320。
参见图8，在一些实施例中，在第一基础部件200和光转换层300之间可以设置波长选择层500。光转换层300可以通过波长选择等方式实现光的颜色转换，例如：通过光转换层300中所包括的多个复合子像素310中至少之一对来自第一基础部件200的光进行颜色转换。
可选地，波长选择层500可以包括色阻层和分布式布拉格反射镜（DBR）层中至少之一。
在一些实施例中，每个复合子像素310可以包括相同颜色的多个子像素3101。
在一些实施例中，在第二基础部件600形成用于对每个复合子像素310中相邻的两个子像素3101进行隔离的第二隔离结构402，包括：
在所述第二基础部件600的一面，对应于每个复合子像素310的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间设置第二隔离结构402。
在一些实施例中，设置第二隔离结构402的过程可以如图9A、图9B、图9C所示。
参见图9A，在一些实施例中，在第二基础部件600的一面，对应于每个复合子像素310的全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间设置第二隔离结构402。可选地，在第二基础部件600的一面，对应于每个复合子像素310的部分中需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间设置第二隔离结构402。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定在相邻的两个子像素3101之间设置第二隔离结构402的位置、形状、数量等，只要第二隔离结构402能够避免相邻的两个子像素3101发出的光向不希望的方向传导（例如：相邻的两个子像素3101发出的光向彼此传导）即可。
参见图9B，在一些实施例中，对应于每个复合子像素310的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间设置第二隔离结构402，可以包括：
对应于需要进行隔离的相邻的两个子像素3101，可以设置掩膜图形403；
在需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间未被掩膜图形403覆盖的区域设置第二隔离结构402。
参见图9C，在一些实施例中，设置掩膜图形403，可以包括：
设置掩膜层404，对掩膜层404进行处理以形成掩膜图形403。
在一些实施例中，对掩膜层404进行处理以形成掩膜图形403的方法可以包括：去除掩膜层404中不用于形成掩膜图形403的部分。可选地，可以通过刻蚀等工艺去除掩膜层404中不用于形成掩膜图形403的部分。
在一些实施例中，掩膜图形403可以包括可形变材料，例如：光刻胶。可选地，掩膜图形403可以包括通常不会发生形变的硬质材料，例如：氧化硅等硅基材料。
可选地，可以通过在第二基础部件600上沉积掩膜层材料来设置掩膜层404。可选地，掩膜层材料可以包括光阻、硅、氧化硅中至少之一。
在一些实施例中，在需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间未被掩膜图形403覆盖的区域设置第二隔离结构402，可以包括：
将第二隔离结构402设置于掩膜图形403的间隙中。
在一些实施例中，在需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间未被掩膜图形403覆盖的区域设置第二隔离结构402之后，还可以包括：去除掩膜图形403。
在一些实施例中，可以将第二隔离结构402的截面形状设置为倒梯形，使得倒梯形的上底边朝向光转换层300的入光侧。使得相邻的两个子像素3101沿第一基础部件200的出光方向的截面形状可以是利于光出射的倒梯形等规则形状。
在一些实施例中，第二隔离结构402可以包括金属栅格结构。可选地，可以通过电镀的方式设置金属栅格结构。可选地，金属栅格结构可以包括金属，例如：金属栅格结构中的部分或全部为金属材质。
在一个实施例中，设置第二隔离结构402的过程，还可以如图10A、图10B、图10C所示。
参见图10A，在一些实施例中，在第二基础部件600的一面上，对应于每个复合子像素310的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间可以设置第二隔离结构402。可选地，在第二基础部件600一面上，对应于每个复合子像素310的全部中相邻的两个子像素3101之间可以设置第二隔离结构402。
可选地，当第一基础部件200为基板，第二基础部件600为发光单元层时，上述第二基础部件600的一面为发光单元层700的出光面S。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定在相邻的两个子像素3101之间设置第二隔离结构402的位置、形状、数量等，只要第二隔离结构402能够避免相邻的两个子像素3101发出的光向不希望的方向传导（例如：相邻的两个子像素3101发出的光向彼此传导）即可。
参见图10B，在一些实施例中，可以在相邻的两个子像素3101之间设置第二间隔区域3103，对应于每个复合子像素310的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素3101之间设置第二隔离结构402，可以包括：
在第二间隔区域3103中的部分或全部，可以设置第二隔离结构402。
参见图10C，在一些实施例中，相邻的两个子像素3101之间的第二间隔区域3103沿第二基础部件600的入光方向的截面形状可以是梯形形状，从而利于光出射。可选地。在相邻的两个子像素3101之间的第二间隔区域3103中的部分或全部区域，可以设置第二隔离结构402。
在一些实施例中，可以根据工艺需求等实际情况确定在相邻的两个子像素3101之间的第二间隔区域3103中设置第二隔离结构402的位置，只要第二隔离结构402能够避免相邻的两个子像素3101发出的光向不希望的方向传导（例如：相邻的两个子像素3101发出的光向彼此传导）即可。
在一些实施例中，将光转换层300的背离第一基础部件200的一面和第二隔离结构402的背离第二基础部件600的一面贴合设置，可以包括：
将第二隔离结构402的背离第二基础部件600的一面，压印于光转换层300的背离第一基础部件200的一面。
参见图11，在一些实施例中，当第一基础部件200为发光单元层，第二基础部件600为基板时，可以将第二隔离结构402的背离第二基础部件600的一面，可以压印于光转换层300的背离第一基础部件100的一面。第二隔离结构402可以在光转换层300中通过隔离复合子像素310形成多个子像素3101。
参见图12，在一些实施例中，当第一基础部件200为基板，第二基础部件600为发光单元层时，可以将第二隔离结构402的背离第二基础部件600的一面，可以全部压印于光转换层300的背离第一基础部件200的一面。第二隔离结构402可以在光转换层300中通过隔离复合子像素310形成多个子像素3101。
在一些实施例中，显示器件还可以包括用于支持显示器正常运转的其他构件，例如：通信接口、框架、控制电路等构件中的至少之一。
本公开实施例提供了一种显示器件的制作方法，通过将制作包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，以及制作对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构这两个工段分别单独制作，再将制作好的第二隔离结构和光转换层贴合设置得到显示器件，简化了制作工艺，提高了产品良率。
本公开实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令设置为执行上述的显示器件的制作方法。
本公开实施例提供了一种计算机程序产品，包括存储在计算机可读存储介质上的计算机程序，该计算机程序包括程序指令，当该程序指令被计算机执行时，使上述计算机执行上述的显示器件的制作方法。
上述的计算机可读存储介质可以是暂态计算机可读存储介质，也可以是非暂态计算机可读存储介质。
本公开实施例提供的计算机可读存储介质和计算机程序产品，通过将制作包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，以及制作对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构这两个工段分别单独制作，再将制作好的第二隔离结构和光转换层贴合设置得到显示器件，简化了制作工艺，提高了产品良率。
本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括至少一个指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本公开实施例的方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质可以是非暂态存储介质，包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、磁碟或者光盘等多种可以存储程序代码的介质，也可以是暂态存储介质。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的、逻辑的、电气的、过程的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开实施例的范围包括权利要求书的整个范围，以及权利要求书的所有可获得的等同物。当用于本申请中时，虽然术语“第一”、“第二”等可能会在本申请中使用以描述各元件，但这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区别开。比如，在不改变描述的含义的情况下，第一元件可以叫做第二元件，并且同样地，第二元件可以叫做第一元件，只要所有出现的“第一元件”一致重命名并且所有出现的“第二元件”一致重命名即可。第一元件和第二元件都是元件，但可以不是相同的元件。而且，本申请中使用的用词仅用于描述实施例并且不用于限制权利要求。如在实施例以及权利要求的描述中使用的，除非上下文清楚地表明，否则单数形式的“一个”（a）、“一个”（an）和“所述”（the）旨在同样包括复数形式。类似地，如在本申请中所使用的术语“和/或”是指包含一个或一个以上相关联的列出的任何以及所有可能的组合。另外，当用于本申请中时，术语“包括”（comprise）及其变型“包括”（comprises）和/或包括（comprising）等指陈述的特征、整体、步骤、操作、元素，和/或组件的存在，但不排除一个或一个以上其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或这些的分组的存在或添加。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个…”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法或者设备中还存在另外的相同要素。本文中，每个实施例重点说明的可以是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分可以互相参见。对于实施例公开的方法、产品等而言，如果其与实施例公开的方法部分相对应，那么相关之处可以参见方法部分的描述。
本领域技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，可以取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。本领域技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法以实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本公开实施例的范围。本领域技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
本文所披露的实施例中，所揭露的方法、产品（包括但不限于装置、设备等），可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，可以仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例。另外，在本公开实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
在附图中，考虑到清楚性和描述性，可以夸大元件或层等结构的宽度、长度、厚度等。当元件或层等结构被称为“设置在”（或“安装在”、“铺设在”、“贴合在”、“涂布在”等类似描述）另一元件或层“上方”或“上”时，该元件或层等结构可以直接“设置在”上述的另一元件或层“上方”或“上”，或者可以存在与上述的另一元件或层之间的中间元件或层等结构，甚至有一部分嵌入上述的另一元件或层。
附图中的流程图和框图显示了根据本公开实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，上述模块、程序段或代码的一部分包含至少一个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。在附图中的流程图和框图所对应的描述中，不同的方框所对应的操作或步骤也可以以不同于描述中所披露的顺序发生，有时不同的操作或步骤之间不存在特定的顺序。例如，两个连续的操作或步骤实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这可以依所涉及的功能而定。框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

Claims (16)

1.一种显示器件的制作方法，其特征在于，包括：
分别在第一基础部件形成包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，以及，在第二基础部件形成用于对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构；
将所述光转换层的背离所述第一基础部件的一面和所述第二隔离结构的背离所述第二基础部件的一面贴合设置，得到所述显示器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述第一基础部件为发光单元层，所述第二基础部件为基板；
或，
所述第一基础部件为基板，所述第二基础部件为发光单元层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在第一基础部件形成包含有用于对多个复合子像素对应的光转换材料进行隔离的第一隔离结构的光转换层，包括：
在所述第一基础部件的一面，对应于所述多个复合子像素的部分或全部中相邻的两个复合子像素之间设置第一隔离结构；
在相邻的两个所述第一隔离结构之间，设置与所述复合子像素相对应的光转换材料，得到所述光转换层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对应于所述多个复合子像素的部分或全部中相邻的两个复合子像素之间设置第一隔离结构，包括：
在所述相邻的两个复合子像素之间设置第一间隔区域；
在所述第一间隔区域中的部分或全部，设置所述第一隔离结构。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在相邻的两个所述第一隔离结构之间，设置与所述复合子像素相对应的光转换材料，包括：
在相邻的两个所述第一隔离结构之间设置容纳空间；
在所述容纳空间中，部分或全部地设置与所述复合子像素相对应的光转换材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
设置所述多个复合子像素中相邻的两个复合子像素对应于相同或不同的光转换材料；以及，设置每个所述复合子像素中相邻的两个子像素对应于相同的光转换材料。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一隔离结构包括光隔离结构。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一基础部件为发光单元层，所述第二基础部件为基板；
所述第一基础部件的一面，为所述发光单元层的出光面。
9.根据权利要求1至8任一项所述的方法，其特征在于，在第二基础部件形成用于对每个复合子像素中相邻的两个子像素进行隔离的第二隔离结构，包括：
在所述第二基础部件的一面，对应于每个复合子像素的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素之间设置第二隔离结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述对应于每个复合子像素的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素之间设置第二隔离结构，包括：
对应于需要进行隔离的相邻的两个子像素，设置掩膜图形；
在需要进行隔离的相邻的两个子像素之间未被所述掩膜图形覆盖的区域设置第二隔离结构。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述设置掩膜图形，包括：
设置掩膜层，对所述掩膜层进行处理以形成所述掩膜图形。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在需要进行隔离的相邻的两个子像素之间未被所述掩膜图形覆盖的区域设置第二隔离结构，包括：
将所述第二隔离结构设置于所述掩膜图形的间隙中。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在需要进行隔离的相邻的两个子像素之间未被所述掩膜图形覆盖的区域设置第二隔离结构之后，还包括：
去除所述掩膜图形。
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述对应于每个复合子像素的部分或全部中需要进行隔离的相邻的两个子像素之间设置第二隔离结构，还包括：
在所述相邻的两个子像素之间设置第二间隔区域；
在所述第二间隔区域中的部分或全部，设置所述第二隔离结构。
15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，
所述第一基础部件为基板，所述第二基础部件为发光单元层；
所述第二基础部件的一面，为所述发光单元层的出光面。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述光转换层的背离所述第一基础部件的一面和所述第二隔离结构的背离所述第二基础部件的一面贴合设置，包括：
将所述第二隔离结构的背离所述第二基础部件的一面，压印于所述光转换层的背离所述第一基础部件的一面。
CN202110337135.7A 2021-03-30 2021-03-30 显示器件的制作方法 Active CN112802949B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110337135.7A CN112802949B (zh) 2021-03-30 2021-03-30 显示器件的制作方法
PCT/CN2022/081060 WO2022206378A1 (zh) 2021-03-30 2022-03-16 显示器件的制作方法
TW111110030A TWI799196B (zh) 2021-03-30 2022-03-18 顯示裝置的製作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110337135.7A CN112802949B (zh) 2021-03-30 2021-03-30 显示器件的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112802949A CN112802949A (zh) 2021-05-14
CN112802949B true CN112802949B (zh) 2021-07-06

Family

ID=75815910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110337135.7A Active CN112802949B (zh) 2021-03-30 2021-03-30 显示器件的制作方法

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN112802949B (zh)
TW (1) TWI799196B (zh)
WO (1) WO2022206378A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112802949B (zh) * 2021-03-30 2021-07-06 北京芯海视界三维科技有限公司 显示器件的制作方法
CN114114493A (zh) * 2022-01-25 2022-03-01 北京芯海视界三维科技有限公司 发光器件及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN207925417U (zh) * 2018-01-18 2018-09-28 四川华鹏电源有限公司 断路器式消防泵应急启动装置
CN111341804A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示器件及其制备方法、显示装置
CN111712920A (zh) * 2017-12-22 2020-09-25 亮锐有限责任公司 具有光屏障的磷光体

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11557703B2 (en) * 2017-12-21 2023-01-17 Lumileds Llc Light intensity adaptive LED sidewalls
TWI775608B (zh) * 2018-02-01 2022-08-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
CN110112123A (zh) * 2018-02-01 2019-08-09 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制造方法
JP2020043140A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ブイ・テクノロジー Ｌｅｄ表示パネルの製造方法及びｌｅｄ表示パネル
JP2020187982A (ja) * 2019-05-17 2020-11-19 株式会社ジャパンディスプレイ 照明装置及び表示装置
JP7398635B2 (ja) * 2019-06-17 2023-12-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 色変換デバイス、マイクロｌｅｄディスプレイパネル、色変換デバイスの製造方法及びマイクロｌｅｄディスプレイパネルの製造方法
CN110518112B (zh) * 2019-08-26 2021-02-02 纳晶科技股份有限公司 一种气凝胶量子点膜、制备方法和包含其的显示器件
CN112802949B (zh) * 2021-03-30 2021-07-06 北京芯海视界三维科技有限公司 显示器件的制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111712920A (zh) * 2017-12-22 2020-09-25 亮锐有限责任公司 具有光屏障的磷光体
CN207925417U (zh) * 2018-01-18 2018-09-28 四川华鹏电源有限公司 断路器式消防泵应急启动装置
CN111341804A (zh) * 2018-12-18 2020-06-26 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示器件及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112802949A (zh) 2021-05-14
TW202303956A (zh) 2023-01-16
WO2022206378A1 (zh) 2022-10-06
TWI799196B (zh) 2023-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112802949B (zh) 显示器件的制作方法
US11888093B2 (en) Display with color conversion layer and isolation walls
CN109075119B (zh) 集成器件制造方法
US11942456B2 (en) Display formed by curing of color conversion layer in recess
CN110620127B (zh) 一种显示装置及单色微型发光二极管的制作方法
US10847591B1 (en) Display panel and manufacturing method thereof
CN111883633B (zh) 显示模组的制作方法及显示屏
CN102681068A (zh) 彩色滤光片及其制作方法
CN114122231B (zh) 发光器件及显示装置
US8908302B2 (en) Exposure method for color filter substrate
CN112701206B (zh) 发光器件及其设置功能件的方法、显示装置
US8830610B2 (en) Exposure method for color filter substrate
CN105093818B (zh) 掩模图形的制造方法和掩模图形
CN112802950A (zh) 发光模组、显示模组、显示屏和显示器
US20230134241A1 (en) Display module manufacturing method and display screen
JP2007034250A (ja) カラーフィルタの製造方法
CN112802948A (zh) 显示器件及显示器件的制作方法
CN114114493A (zh) 发光器件及显示装置
CN114093986A (zh) 光学材料填充方法及装置
KR100881496B1 (ko) 패턴층을 갖춘 기판 구조 및 그 제조방법
CN110797448B (zh) 波长转换元件及其制备方法
CN109669294B (zh) 掩膜板外侧部件及组件、彩膜基板及制造方法、显示面板
CN114188497A (zh) 用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置
JP5263711B2 (ja) カラーフィルター、カラーフィルターの製造方法、フォトマスク
CN103018948B (zh) 一种彩膜基板、设备及制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant