CN112802879A - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

一种显示面板及其制备方法、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112802879A
CN112802879A CN202110008290.4A CN202110008290A CN112802879A CN 112802879 A CN112802879 A CN 112802879A CN 202110008290 A CN202110008290 A CN 202110008290A CN 112802879 A CN112802879 A CN 112802879A
Authority
CN
China
Prior art keywords
display panel
anode
unit
array substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202110008290.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112802879B (zh
Inventor
唐甲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202110008290.4A priority Critical patent/CN112802879B/zh
Publication of CN112802879A publication Critical patent/CN112802879A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112802879B publication Critical patent/CN112802879B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。显示面板包括阵列基板、平坦层、阳极单元以及像素阻隔单元。通过半色调掩膜工艺在平坦层上制备若干个凹槽，采用涂布机制备像素阻隔单元时，利用像素阻隔单元的材料的流动性和平坦性填充凹槽，通过调节凹槽的容积，进而减薄像素阻隔单元在阳极单元上的厚度。因此可以避免采用干法刻蚀工艺及曝光工艺对像素阻隔单元进行薄化处理时对阳极单元表面造成损伤，进而避免引起阳极单元表面凸起或剥离以及避免导致显示面板出现暗点，最终提高显示面板的量产良率。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光显示装置(英文全称：Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)又称为有机电激光显示装置、有机发光半导体。OLED的工作原理是：当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子(电子-空穴对)，而此激发态在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子复合并将能量传递给发光材料，使其从基态能级跃迁为激发态，激发态能量通过辐射驰豫过程产生光子，释放出光能，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三基色，构成基本色彩。
OLED具有电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点，已经成为当今最重要的显示技术之一。
如图1所示，目前的显示面板100中包括第一像素阻隔单元101及第二像素阻隔单元102。其中第一像素阻隔单元101设置于同色墨水之间，第二像素阻隔单元102设置于不同颜色的墨水之间。
当采用无机材料制备第一像素阻隔单元101时，通常采用CVD(英文全称：ChemicalVapor Deposition，气相沉积法)在阳极单元表面沉积无机材料，然后通过干法刻蚀(英文全称：Dry etching)对无机材料进行刻蚀，形成第一像素阻隔单元101，但是干法刻蚀会对阳极单元表面造成损伤。
如图2-图4所示，当采用有机材料制备第一像素阻隔单元101时，通常采用涂布机在阳极单元103表面涂布有机材料。由于目前涂布机涂布厚度最薄约为1um，为满足同色墨水之间的铺展均匀性，需要采用曝光工艺对有机材料进行图案化处理，去除部分阳极单元103上的有机材料。然后通过干法刻蚀对有机材料进行薄化处理，形成最终的第一像素单元101。此时会对阳极单元103表面造成损伤，引起阳极单元103表面凸起或剥离，最终导致显示面板100出现暗点，影响显示面板100的量产良率。
发明内容
本发明的目的是提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，其能够解决现有的显示装置的第一像素阻隔单元的制备过程中存在的对阳极单元表面造成损伤，引起阳极单元表面凸起或剥离，导致显示面板出现暗点，影响显示面板的量产良率等问题。
为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，其包括：阵列基板；平坦层，设置于所述阵列基板上，其远离所述阵列基板的一侧的表面设有若干个间隔设置的凹槽；若干个阳极单元，设置于所述平坦层上，并且延伸覆盖于所述凹槽的侧壁上；以及若干个像素阻隔单元，填充于所述凹槽内，并且延伸覆盖所述凹槽侧壁上的阳极单元以及部分所述平坦层上的阳极单元。
进一步的，其中所述像素阻隔单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第一表面，所述第一表面与所述凹槽底面之间的距离范围为1um-1.3um。
进一步的，其中所述阳极单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的距离小于1um。
进一步的，其中所述平坦层的厚度范围为4um-6um。
进一步的，其中所述凹槽的形状包括弧形、矩形及梯形中的一种或多种。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种本发明涉及的显示面板的制备方法，其包括如下步骤：提供一阵列基板；在所述阵列基板上制备平坦层；在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面上开设若干个间隔设置的凹槽；在所述凹槽的侧壁以及所述平坦层上制备若干个阳极单元；以及在所述凹槽内制备像素阻隔单元，所述像素阻隔单元覆盖至所述凹槽侧壁上的阳极单元以及部分所述平坦化层上的阳极单元。
进一步的，在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面上开设若干个间隔设置的凹槽的制备步骤中，具体包括如下步骤：通过半色调掩膜工艺对所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面进行刻蚀，形成所述若干个凹槽。
进一步的，在所述凹槽的侧壁以及所述平坦层上制备若干个阳极单元的步骤中，具体包括如下步骤：在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面及所述凹槽内制备一层阳极单元材料；以及通过黄光工艺对所述阳极单元材料进行曝光、显影，去除位于所述凹槽底面的阳极单元材料，形成所述若干个阳极单元。
进一步的，在所述凹槽内制备像素阻隔单元的制备步骤中，具体包括如下步骤：在所述凹槽内及所述阳极单元上涂布一层像素阻隔单元材料；以及通过黄光工艺部分去除所述平坦化层上方的所述像素阻隔单元材料，形成所述若干个像素阻隔单元。
为了解决上述问题，本发明还提供了一种显示装置，其包括本发明涉及的显示面板。
本发明的优点是：本发明涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置，通过半色调掩膜工艺在平坦层上制备若干个凹槽，采用涂布机制备像素阻隔单元时，利用像素阻隔单元的材料的流动性和平坦性填充凹槽，通过调节凹槽的容积，进而减薄像素阻隔单元在阳极单元上的厚度。因此可以避免采用干法刻蚀工艺及曝光工艺对像素阻隔单元进行薄化处理时对阳极单元表面造成损伤，进而避免引起阳极单元表面凸起或剥离以及避免导致显示面板出现暗点，最终提高显示面板的量产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的显示面板的俯视图；
图2是现有技术中的第一像素单元的制备示意图一；
图3是现有技术中的第一像素单元的制备示意图二；
图4是现有技术中的第一像素单元的制备示意图三；
图5是本发明实施例1提供的显示面板的结构示意图；
图6是本发明实施例1提供的阵列基板的结构示意图；
图7是本发明实施例1提供的平坦层的结构示意图；
图8是本发明实施例1提供的显示面板的制备步骤示意图。
附图标记说明：
100、现有的显示面板 101、第一像素阻隔单元
102、第二像素阻隔单元 103、现有的阳极单元
200、实施例1的显示面板
1、阵列基板 2、平坦层
3、阳极单元 4、像素阻隔单元
11、基板 12、缓冲层
13、有源层 14、栅极绝缘层
15、栅极层 16、层间绝缘层
17、源漏极层
21、凹槽 31、第二表面
41、第一表面
具体实施方式
以下结合说明书附图详细说明本发明的优选实施例，以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，以举例证明本发明可以实施，使得本发明公开的技术内容更加清楚，使得本领域的技术人员更容易理解如何实施本发明。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例，下文实施例的说明并非用来限制本发明的范围。
本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，本文所使用的方向用语是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。此外，为了便于理解和描述，附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。
实施例1
如图5所述，本实施例提供了一种显示装置，包括显示面板200。其中，所述显示面板200包括：阵列基板1、平坦层2、若干个阳极单元3以及若干个像素阻隔单元4。
如图6所示，其中阵列基板1包括：基板11、缓冲层12、有源层13、栅极绝缘层14、栅极层15、层间绝缘层16以及源漏极层17。
其中，基板11可以采用柔性基板，具有阻隔水氧作用，基板11可具有较好的抗冲击能力，可以有效保护显示面板200。基板11的材质为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯以及聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。
其中，缓冲层12设于基板11的上表面，主要是起缓冲作用。缓冲层12的材质包括SiNx及SiOx中的一种或多种。
其中，有源层13设置于所述缓冲层12的上表面，其材质可以为ITZO或者IGZO。有源层13的材质可选用非晶硅，然后通过高温固化法、准分子激光退火法、金属诱导结晶法等方法使非晶硅转化为多晶硅层，然后经过图案化工艺形成有源层13。
其中，栅极绝缘层14设置于所述有源层13上，且延伸至所述缓冲层12上，其主要是用于防止栅极层15与有源层13之间接触产生短路现象。栅极绝缘层14的材质可以采用SiO2、SiNx中的一种或多种。
其中，栅极层15设置于所述栅极绝缘层14上，其材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
其中，层间绝缘层16设置于所述栅极层15上，且延伸至所述栅极绝缘层14上，其主要是防止栅极层15与源漏极层17之间接触产生短路现象。
其中，源漏极层17设置于所述层间绝缘层16上，且通过过孔连接至所述有源层13上，其材质为金属，如铜Cu或钼Mo。
其中，本实施例的阵列基板1属于顶栅结构，在其他实施例中，阵列基板还可以选择底栅结构。
如图5、图7所示，平坦层2设置于所述阵列基板1上，所述平坦层2远离所述阵列基板1的一侧的表面开设有若干个间隔设置的凹槽21。其中所述凹槽21的形状包括弧形、矩形及梯形中的一种或多种。本实施例中，所述凹槽21的形状为梯形。其中所述平坦层2的厚度范围为4um-6um。如若所述平坦层2的厚度小于4um，可能导致凹槽21容量不够，无法满足像素阻隔单元4在阳极单元3上的厚度的需求；如若所述平坦层2的厚度大于6um，可能导致显示面板200的厚度增加，降低客户体验感。
本实施例通过半色调掩膜工艺在平坦层2上制备若干个凹槽21，采用涂布机制备像素阻隔单元4时，利用像素阻隔单元4的材料的流动性和平坦性填充凹21槽，通过调节凹槽21的容积，进而减薄像素阻隔单元4在阳极单元3上的厚度。因此可以避免采用干法刻蚀工艺及曝光工艺对像素阻隔单元4进行薄化处理时对阳极单元3表面造成损伤，进而避免引起阳极单元3表面凸起或剥离，以及避免导致显示面板200出现暗点，最终提高显示面板200的量产良率。
继续参照图5，阳极单元3设置于所述平坦层2上，并且延伸覆盖于所述凹槽21的侧壁上。
继续参照图5，所述像素阻隔单元4填充于所述凹槽21内，并且延伸覆盖所述凹槽21侧壁上的阳极单元3以及部分所述平坦层2上的阳极单元3(即像素阻隔单元4设置在所述阳极单元3上)。相邻所述像素阻隔单元4之间有间隙，后期在间隙之间的阳极单元3上制备发光层，再在发光层上制备阴极层，由此实现显示面板200的发光显示。
其中所述像素阻隔单元4远离所述阵列基板1的一侧的表面为第一表面41，所述第一表面41与所述凹槽21底面之间的距离范围为1um-1.3um。由于目前的涂布机的涂布厚度最薄约为1um，若所述第一表面41与所述凹槽21底面之间的距离小于1um，导致所述第一表面41与所述第二表面31之间的距离过大；若所述第一表面41与所述凹槽21底面之间的距离大于1.3um，导致所述第一表面41与所述第二表面31之间的距离过小。其中所述阳极单元3远离所述阵列基板1的一侧的表面为第二表面31，所述第一表面41与所述第二表面31之间的距离小于1um。
由于本实施例中的像素阻隔单元4设置于同色墨水之间，为保证同色墨水的铺展均匀性，需要将所述第一表面41与所述第二表面31之间的距离范围设置为0.3um-0.5um。本实施例中，所述第一表面41与所述第二表面31之间的距离为0.3um，由此可以提升同色墨水之间的铺展的均匀性。在其他实施例中，所述第一表面41与所述第二表面31之间的距离还可以为0.4um或0.5um。
如图8所示，本实施例还提供了一种本实施例提及的显示面板200的制备方法，包括如下步骤S1～S5。
S1，参照图5所示，提供一阵列基板1。
S2，参照图5以及图7所示，在所述阵列基板1上制备平坦层2。
S3，如图7所示，在所述平坦层2远离所述阵列基板1的一侧的表面上开设若干个间隔设置的凹槽21。其中，步骤S3具体包括：通过半色调掩膜工艺对所述平坦层2远离所述阵列基板1的一侧的表面进行刻蚀，形成所述若干个凹槽21。
S4，参照图5所示，在所述凹槽21的侧壁以及所述平坦层2上制备若干个阳极单元3。其中，步骤S4具体包括：S401，在所述平坦层2远离所述阵列基板1的一侧的表面及所述凹槽21内制备一层阳极单元材料；S402，通过黄光工艺对所述阳极单元材料进行曝光、显影，去除位于所述凹槽21底面的阳极单元材料，形成所述若干个阳极单元3。
S5，参照图5所示，在所述凹槽21内制备像素阻隔单元4，所述像素阻隔单元4覆盖至所述凹槽21侧壁上的阳极单元3以及部分所述平坦化层2上的阳极单元3。其中，步骤S5的具体包括：S501，在所述凹槽21内及所述阳极单元3上涂布一层像素阻隔单元材料；S502，通过黄光工艺部分去除所述平坦化层2上方的所述像素阻隔单元材料，形成若干个像素阻隔单元4。
本实施例通过半色调掩膜工艺在平坦层2上制备若干个凹槽21，采用涂布机制备像素阻隔单元4时，利用像素阻隔单元4的材料的流动性和平坦性填充凹21槽，通过调节凹槽21的容积，进而减薄像素阻隔单元4在阳极单元3上的厚度。因此可以避免采用干法刻蚀工艺及曝光工艺对像素阻隔单元4进行薄化处理时对阳极单元3表面造成损伤，进而避免引起阳极单元3表面凸起或剥离，以及避免导致显示面板200出现暗点，最终提高显示面板200的量产良率。
以上对本申请所提供的一种显示面板及其制备方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
平坦层，设置于所述阵列基板上，其远离所述阵列基板的一侧的表面设有若干个间隔设置的凹槽；
若干个阳极单元，设置于所述平坦层上，并且延伸覆盖于所述凹槽的侧壁上；以及
若干个像素阻隔单元，填充于所述凹槽内，并且延伸覆盖所述凹槽侧壁上的阳极单元以及部分所述平坦层上的阳极单元。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素阻隔单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第一表面，所述第一表面与所述凹槽底面之间的距离范围为1um-1.3um。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阳极单元远离所述阵列基板的一侧的表面为第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的距离小于1um。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层的厚度范围为4um-6um。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述凹槽的形状包括弧形、矩形及梯形中的一种或多种。
6.一种权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一阵列基板；
在所述阵列基板上制备平坦层；
在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面上开设若干个间隔设置的凹槽；
在所述凹槽的侧壁以及所述平坦层上制备若干个阳极单元；以及
在所述凹槽内制备像素阻隔单元，所述像素阻隔单元覆盖至所述凹槽侧壁上的阳极单元以及部分所述平坦化层上的阳极单元。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面上开设若干个间隔设置的凹槽的制备步骤中，具体包括如下步骤：
通过半色调掩膜工艺对所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面进行刻蚀，形成所述若干个凹槽。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述凹槽的侧壁以及所述平坦层上制备若干个阳极单元的步骤中，具体包括如下步骤：
在所述平坦层远离所述阵列基板的一侧的表面及所述凹槽内制备一层阳极单元材料；以及
通过黄光工艺对所述阳极单元材料进行曝光、显影，去除位于所述凹槽底面的阳极单元材料，形成所述若干个阳极单元。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述凹槽内制备像素阻隔单元的制备步骤中，具体包括如下步骤：
在所述凹槽内及所述阳极单元上涂布一层像素阻隔单元材料；以及
通过黄光工艺部分去除所述平坦化层上方的所述像素阻隔单元材料，形成所述若干个像素阻隔单元。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-5中任一项所述的显示面板。
CN202110008290.4A 2021-01-05 2021-01-05 一种显示面板及其制备方法、显示装置 Active CN112802879B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110008290.4A CN112802879B (zh) 2021-01-05 2021-01-05 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110008290.4A CN112802879B (zh) 2021-01-05 2021-01-05 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112802879A true CN112802879A (zh) 2021-05-14
CN112802879B CN112802879B (zh) 2022-07-12

Family

ID=75808254

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110008290.4A Active CN112802879B (zh) 2021-01-05 2021-01-05 一种显示面板及其制备方法、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112802879B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019200666A1 (zh) * 2018-04-20 2019-10-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN110854168A (zh) * 2019-10-31 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN111162095A (zh) * 2020-01-02 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019200666A1 (zh) * 2018-04-20 2019-10-24 深圳市华星光电技术有限公司 一种有机发光显示装置
CN110854168A (zh) * 2019-10-31 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
CN111162095A (zh) * 2020-01-02 2020-05-15 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112802879B (zh) 2022-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200411622A1 (en) Array substrate, display panel and fabrication method of array substrate
US9722005B2 (en) Light-emitting device, array substrate, display device and manufacturing method of light-emitting device
US7985609B2 (en) Light-emitting apparatus and production method thereof
US7402944B2 (en) Organic light emitting display device and method of fabricating the same
US9023678B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
US20220376007A1 (en) Display substrate, method for forming the same and display device
KR20030058911A (ko) 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법
KR20040037889A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치의 제조 방법
US11758786B2 (en) Array substrate, fabricating method therefor and display panel
US11539017B2 (en) Display substrate having spacer for spacing apart carrier injection layer portions of two adjacent sub-pixels, and manufacturing method thereof
CN110660839B (zh) 一种显示面板及其制备方法
CN115280537A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN111162095A (zh) 驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN111276636B (zh) 有机发光二极管显示器及其制造方法
KR20150061879A (ko) 표시 장치의 제조 방법
CN112802879B (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR100899428B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
KR100623716B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
CN116868702A (zh) 半导体器件及其制造方法以及显示设备
CN111370590A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
WO2023098298A9 (zh) 显示基板和显示装置
CN113113551B (zh) 一种显示面板及其制备方法
US20240224609A1 (en) Bank structure, light emitting display device including bank structure, and method of manufacturing the same
EP4339925A1 (en) Display substrate and electronic device
US20220359847A1 (en) Display substrate, manufacturing method, and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant